JPH0132794B2 - - Google Patents
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- JPH0132794B2 JPH0132794B2 JP56113749A JP11374981A JPH0132794B2 JP H0132794 B2 JPH0132794 B2 JP H0132794B2 JP 56113749 A JP56113749 A JP 56113749A JP 11374981 A JP11374981 A JP 11374981A JP H0132794 B2 JPH0132794 B2 JP H0132794B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- metal complex
- formula
- recording film
- nickel
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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-
- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ記録フイルムに関する。
さらに詳しくは、半導体レーザ光の吸収能を有
し、かつレーザ光を照射された部位が半導体レー
ザ光の吸収能を失う新規な半導体レーザ記録フイ
ルムに関する。
さらに詳しくは、半導体レーザ光の吸収能を有
し、かつレーザ光を照射された部位が半導体レー
ザ光の吸収能を失う新規な半導体レーザ記録フイ
ルムに関する。
近年、画像、音響を始めとする情報の記録およ
び再生を高速度に高密度に、しかも簡便に行うこ
とがますます強く要望されており、各種の方法が
提案されまた一部実用化されている。
び再生を高速度に高密度に、しかも簡便に行うこ
とがますます強く要望されており、各種の方法が
提案されまた一部実用化されている。
その中で、レーザ光によつてフイルムに記録す
る方式はレンズによつて絞り込んだレーザ光の焦
点を基板上の記録層に当てて記録する、いわゆる
ヒートモード記録方式であり、従来の感熱記録方
式のように発熱体を感熱記録層に直接接触させず
に記録できるため、発熱体の熱容量や熱の拡散な
どの問題が起らず、高速度および高密度の記録が
可能となる。レーザによるヒートモード記録方式
はレーザ光を照射した部位の記録層にレーザ光の
熱的作用に基づく物理的または化学的変化を起さ
せることにより、照射されたスポツトと照射され
ていない領域との間に光学的な濃度差を生じさせ
る記録方式である。この記録方式に使用する記録
フイルムとしては、従来、ポリエステルなどの基
板上にモリブデン、インジウム、ビスマス、テル
ルなどの金属を真空蒸着やスパツタリングなどの
方法により薄膜状に結着させた記録フイルムが知
られており、これにレーザ光を照射して部分的に
金属を蒸発させて記録することができ、ビデオデ
イスクのマスターデイスクの作成用に一部実用化
されている。しかしながら、この記録フイルムは
使用する金属のレーザ光反射率が高く、したがつ
て、レーザ光の吸収効率が低いため、記録に要す
るレーザ光も大きな出力が要求され、レーザ発生
装置が大型となるので、必ずしも経済的に有利な
記録フイルムではない。この記録フイルムに対
し、熱を吸収するカーボンブラツクなどの微粒子
およびニトロセルロースなどの自己酸化結合物質
を結合する被覆物質とを包含した記録フイルムが
提案されている（特開昭48―43632号）。この記録
フイルムはレーザ光を照射してカーボンブラツク
などの微粒子を他の記録テープに移着させること
によりネガ、ポジの記録が可能となるものである
が、この記録方式はカーボンブラツクなどの微粒
子をレーザ光により記録フイルム上から逃散せし
めるという物質移動を必須とする。そのため、微
粒子の粒状性に基づき高密度の記録が得られにく
く、光学的に高い濃度差を得るにはやはり大きな
出力のレーザ光を要することになり、前述の金属
薄膜を用いた記録フイルムの問題点を解決するに
は到つていない。さらに、より低い出力のレーザ
光で記録が可能な記録フイルムとして、記録に用
いるレーザ光の波長領域で強い吸収特性を有し、
かつ光を吸収して発熱するメチレンブルー、ブリ
リアントグリーンなどの色素とニトロセルロース
などの低温度で気化する有機物質とを結合した記
録材料を塗布した記録フイルムが提案されている
（特開昭55―87595号）。
る方式はレンズによつて絞り込んだレーザ光の焦
点を基板上の記録層に当てて記録する、いわゆる
ヒートモード記録方式であり、従来の感熱記録方
式のように発熱体を感熱記録層に直接接触させず
に記録できるため、発熱体の熱容量や熱の拡散な
どの問題が起らず、高速度および高密度の記録が
可能となる。レーザによるヒートモード記録方式
はレーザ光を照射した部位の記録層にレーザ光の
熱的作用に基づく物理的または化学的変化を起さ
せることにより、照射されたスポツトと照射され
ていない領域との間に光学的な濃度差を生じさせ
る記録方式である。この記録方式に使用する記録
フイルムとしては、従来、ポリエステルなどの基
板上にモリブデン、インジウム、ビスマス、テル
ルなどの金属を真空蒸着やスパツタリングなどの
方法により薄膜状に結着させた記録フイルムが知
られており、これにレーザ光を照射して部分的に
金属を蒸発させて記録することができ、ビデオデ
イスクのマスターデイスクの作成用に一部実用化
されている。しかしながら、この記録フイルムは
使用する金属のレーザ光反射率が高く、したがつ
て、レーザ光の吸収効率が低いため、記録に要す
るレーザ光も大きな出力が要求され、レーザ発生
装置が大型となるので、必ずしも経済的に有利な
記録フイルムではない。この記録フイルムに対
し、熱を吸収するカーボンブラツクなどの微粒子
およびニトロセルロースなどの自己酸化結合物質
を結合する被覆物質とを包含した記録フイルムが
提案されている（特開昭48―43632号）。この記録
フイルムはレーザ光を照射してカーボンブラツク
などの微粒子を他の記録テープに移着させること
によりネガ、ポジの記録が可能となるものである
が、この記録方式はカーボンブラツクなどの微粒
子をレーザ光により記録フイルム上から逃散せし
めるという物質移動を必須とする。そのため、微
粒子の粒状性に基づき高密度の記録が得られにく
く、光学的に高い濃度差を得るにはやはり大きな
出力のレーザ光を要することになり、前述の金属
薄膜を用いた記録フイルムの問題点を解決するに
は到つていない。さらに、より低い出力のレーザ
光で記録が可能な記録フイルムとして、記録に用
いるレーザ光の波長領域で強い吸収特性を有し、
かつ光を吸収して発熱するメチレンブルー、ブリ
リアントグリーンなどの色素とニトロセルロース
などの低温度で気化する有機物質とを結合した記
録材料を塗布した記録フイルムが提案されている
（特開昭55―87595号）。
この記録フイルムはレーザ光を照射してニトロ
セルロースなどの気化性有機物質を気化させ、同
時に色素を分解させてしまうことにより記録が可
能となるものであるが、この記録方式もニトロセ
ルロースなどの気化性の有機物質を気化させると
いう物質移動を必須とする方式である。そのた
め、記録に用いるレーザ光の低出力化を十分に達
しているとはいいがたいばかりでなく、レーザ光
の照射されたスポツトの周辺に盛り上りを併うた
め記録フイルムの読取の際のノイズの原因になり
易く、また使用するレーザ光の波長領域が可視光
領域に限られてしまい、半導体レーザのような近
赤外域の光を用いることができない欠点がある。
セルロースなどの気化性有機物質を気化させ、同
時に色素を分解させてしまうことにより記録が可
能となるものであるが、この記録方式もニトロセ
ルロースなどの気化性の有機物質を気化させると
いう物質移動を必須とする方式である。そのた
め、記録に用いるレーザ光の低出力化を十分に達
しているとはいいがたいばかりでなく、レーザ光
の照射されたスポツトの周辺に盛り上りを併うた
め記録フイルムの読取の際のノイズの原因になり
易く、また使用するレーザ光の波長領域が可視光
領域に限られてしまい、半導体レーザのような近
赤外域の光を用いることができない欠点がある。
このような状況に鑑み、本発明者らは低出力の
半導体レーザ光で光学的に高い濃度差を得ること
ができる記録フイルムとして、上述のような熱を
吸収する微粒子や有機物質の物質移動を利用した
記録方式に対して、レーザ光の熱的作用による化
学的変化を利用する方式について研究を行つた。
その結果、種々の光吸収剤の中にはそれ単独では
半導体レーザ光に対して化学的に安定でありなが
ら、ニトロセルロースと共存させた状態で半導体
レーザ光を受けると、そのの熱的作用により極め
て容易に化学的分解を起こし、その吸収能を喪失
する化合物が存在することを見出した。ついで、
これを用いて記録フイルムを作成し、半導体レー
ザ光を照射したところ、従来の記録方式と較べ、
低出力の半導体レーザ光により光学的に高い濃度
差を得ることができるばかりでなく、レーザ光の
照射されたスポツトの周辺の盛り上がりを極めて
小さくすることが可能となることを見出し、本発
明に到つた。
半導体レーザ光で光学的に高い濃度差を得ること
ができる記録フイルムとして、上述のような熱を
吸収する微粒子や有機物質の物質移動を利用した
記録方式に対して、レーザ光の熱的作用による化
学的変化を利用する方式について研究を行つた。
その結果、種々の光吸収剤の中にはそれ単独では
半導体レーザ光に対して化学的に安定でありなが
ら、ニトロセルロースと共存させた状態で半導体
レーザ光を受けると、そのの熱的作用により極め
て容易に化学的分解を起こし、その吸収能を喪失
する化合物が存在することを見出した。ついで、
これを用いて記録フイルムを作成し、半導体レー
ザ光を照射したところ、従来の記録方式と較べ、
低出力の半導体レーザ光により光学的に高い濃度
差を得ることができるばかりでなく、レーザ光の
照射されたスポツトの周辺の盛り上がりを極めて
小さくすることが可能となることを見出し、本発
明に到つた。
本発明の記録フイルムは、光吸収剤の選択によ
り半導体レーザを用いて記録することができるば
かりか、銀塩写真のような現像処理が全く不要
で、かつ記録に用いる半導体レーザ光をそのまま
出力を低下させて読取光として用いることのでき
る実時間レーザ記録が可能である。
り半導体レーザを用いて記録することができるば
かりか、銀塩写真のような現像処理が全く不要
で、かつ記録に用いる半導体レーザ光をそのまま
出力を低下させて読取光として用いることのでき
る実時間レーザ記録が可能である。
すなわち、本発明は基板上に、記録に用いる
半導体レーザ光の波長領域で、強い吸収能を有し
かつニトロセルロースの共存下で分解してその吸
収能を失う光吸収剤と、ニトロセルロースを含
有する記録媒体を塗布したことを特徴とする半導
体レーザ記録フイルムを提供するものである。本
発明に用いる光吸収剤は、記録に用いる半導体レ
ーザ光の波長領域で強い吸収能を有し、かつニト
ロセルロースの共存下に、熱的作用により容易に
分解してその吸収能を失う物質である。本発明者
らの研究により種々の金属錯体やアミニウム塩類
がこの性質を有することが判つた。これらの金属
錯体やアミニウム塩類は単独で加熱またはレーザ
光を受けた場合は化学的に安定であるにもかかわ
らずニトロセルロースと共存した状態で加熱また
は半導体レーザ光を受けた場合、それ自体の分解
温度と較べはるかに低温度で容易に化学的分解を
起こし、吸収能を失う性質を有するものである。
その化学的分解の機構は必ずしも明確ではない
が、ニトロセルロースが加熱されて出現する強力
な酸化作用により金属錯体やアミニウム塩類の化
学的分解が促進され、吸収能を失わしめるものと
推定される。すなわち、本発明に用いる光吸収剤
は半導体レーザ光を吸収して発熱し、吸収剤近傍
のニトロセルロースに熱を伝達し、ニトロセルロ
ースの酸化作用を惹起するとともに、その酸化作
用により化学的分解を起こし、吸収能を喪失する
性質を兼ね備えた吸収能である。このような吸収
剤として大別して６種、すなわち、芳香族ジアミ
ン系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香
族ジチオール系金属錯体、脂肪族ジチオール系金
属錯体、メルカプトフエノール系金属錯体および
アリールアミニウム塩類があげられる。
半導体レーザ光の波長領域で、強い吸収能を有し
かつニトロセルロースの共存下で分解してその吸
収能を失う光吸収剤と、ニトロセルロースを含
有する記録媒体を塗布したことを特徴とする半導
体レーザ記録フイルムを提供するものである。本
発明に用いる光吸収剤は、記録に用いる半導体レ
ーザ光の波長領域で強い吸収能を有し、かつニト
ロセルロースの共存下に、熱的作用により容易に
分解してその吸収能を失う物質である。本発明者
らの研究により種々の金属錯体やアミニウム塩類
がこの性質を有することが判つた。これらの金属
錯体やアミニウム塩類は単独で加熱またはレーザ
光を受けた場合は化学的に安定であるにもかかわ
らずニトロセルロースと共存した状態で加熱また
は半導体レーザ光を受けた場合、それ自体の分解
温度と較べはるかに低温度で容易に化学的分解を
起こし、吸収能を失う性質を有するものである。
その化学的分解の機構は必ずしも明確ではない
が、ニトロセルロースが加熱されて出現する強力
な酸化作用により金属錯体やアミニウム塩類の化
学的分解が促進され、吸収能を失わしめるものと
推定される。すなわち、本発明に用いる光吸収剤
は半導体レーザ光を吸収して発熱し、吸収剤近傍
のニトロセルロースに熱を伝達し、ニトロセルロ
ースの酸化作用を惹起するとともに、その酸化作
用により化学的分解を起こし、吸収能を喪失する
性質を兼ね備えた吸収能である。このような吸収
剤として大別して６種、すなわち、芳香族ジアミ
ン系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香
族ジチオール系金属錯体、脂肪族ジチオール系金
属錯体、メルカプトフエノール系金属錯体および
アリールアミニウム塩類があげられる。
(1)芳香族ジアミン系金属錯体としては、
一般式（）
（式中、Ｘは水素、アルキル基、置換アルキル
基、ハロゲン基、ニトロ基、ｎは１〜４の整数値
を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金
を示す）で表わされる化合物であり、そのうち特
にビス（４―クロロ―ｏ―フエニレンジアミン）
ニツケル（吸収極大波長λnax800nm、モル比吸光
係数ε66600）およびビス（４―メチル―ｏ―フエ
ニレンジアミン）ニツケル（λnax795nm、
ε55100）が合成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
基、ハロゲン基、ニトロ基、ｎは１〜４の整数値
を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金
を示す）で表わされる化合物であり、そのうち特
にビス（４―クロロ―ｏ―フエニレンジアミン）
ニツケル（吸収極大波長λnax800nm、モル比吸光
係数ε66600）およびビス（４―メチル―ｏ―フエ
ニレンジアミン）ニツケル（λnax795nm、
ε55100）が合成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
また(2)脂肪族ジアミン系金属錯体としては、
一般式（）
（式中、Ｙは水素、アルキル基、フエニル基、シ
アノ基を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウ
ム、白金を示す）で表わされる化合物であり、そ
のうち特にビス（ジイミノサクシノニトリロ）ニ
ツケル（λnax700nm、ε23500）およびビス（ジイ
ミノサクシノニトリロ）パラジウム（λnax
705nm、ε8300）が合成が容易でニトロセルロー
スとの相溶性にすぐれているため好ましい。
アノ基を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウ
ム、白金を示す）で表わされる化合物であり、そ
のうち特にビス（ジイミノサクシノニトリロ）ニ
ツケル（λnax700nm、ε23500）およびビス（ジイ
ミノサクシノニトリロ）パラジウム（λnax
705nm、ε8300）が合成が容易でニトロセルロー
スとの相溶性にすぐれているため好ましい。
また(3)芳香族ジチオール系金属錯体としては、
一般式（）
（式中、Ｚは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
ｎは１〜４の整数値を、Ｍはニツケル、コバル
ト、パラジウム、白金を、ｍは−１または−２の
整数を、Ａはｍが−１のとき１価のカチオンであ
り、またｍは−２のとき２価のカチオンを示す）
で表わされる化合物であり、そのうち特にビス
（１―メチル―３，４―ジチオフエノレート）ニ
ツケル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム
（λnax890nm、ε16270）およびビス（１，２，３，
４―テトラクロロ―５，６―ジチオフエノレー
ト）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニ
ウム（λnax885nm、ε15700）が合成が容易でニト
ロセルロースとの相溶性にすぐれているため好ま
しい。
ｎは１〜４の整数値を、Ｍはニツケル、コバル
ト、パラジウム、白金を、ｍは−１または−２の
整数を、Ａはｍが−１のとき１価のカチオンであ
り、またｍは−２のとき２価のカチオンを示す）
で表わされる化合物であり、そのうち特にビス
（１―メチル―３，４―ジチオフエノレート）ニ
ツケル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム
（λnax890nm、ε16270）およびビス（１，２，３，
４―テトラクロロ―５，６―ジチオフエノレー
ト）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニ
ウム（λnax885nm、ε15700）が合成が容易でニト
ロセルロースとの相溶性にすぐれているため好ま
しい。
また(4)脂肪族ジチオール系金属錯体としては、
一般式（）
（式中、Ｅは水素、アルキル基、フエニル基を、
ｐは２または３の整数値を、Ｍはｐが２のときニ
ツケル、コバルト、パラジウム、白金を、ｐが３
のときバナジウム、クロム、モリブデンを示す）
で表わされる化合物であり、そのうち特にビス
〔シス―１，２―ビス（ｐ―メトキシフエニル）
エチレン―１，２―ジチオレート〕ニツケル
（λnax920nm、ε35000）およびビス（シス―１，
２―ビスフエニルエチレン―１，２―ジチオレー
ト）白金（λnax800nm、ε51600）およびトリス
（シス―１，２―ビスフエニルエチレン―１，２
―ジチオレート）バナジウム（λnax750nm、
ε27000）が合成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
ｐは２または３の整数値を、Ｍはｐが２のときニ
ツケル、コバルト、パラジウム、白金を、ｐが３
のときバナジウム、クロム、モリブデンを示す）
で表わされる化合物であり、そのうち特にビス
〔シス―１，２―ビス（ｐ―メトキシフエニル）
エチレン―１，２―ジチオレート〕ニツケル
（λnax920nm、ε35000）およびビス（シス―１，
２―ビスフエニルエチレン―１，２―ジチオレー
ト）白金（λnax800nm、ε51600）およびトリス
（シス―１，２―ビスフエニルエチレン―１，２
―ジチオレート）バナジウム（λnax750nm、
ε27000）が合成が容易でニトロセルロースとの相
溶性にすぐれているため好ましい。
また(5)５メルトカプトフエノール系金属錯体と
しては一般式（）または（） （式中、Ｇは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金を、
ｍは−１または−２の整数を、Ａはｍが−１のと
き１価のカチオンであり、またｍが−２のとき２
価のカチオンを示す）で表わされる化合物であ
り、そのうち特にビス（１―メルカプト―２―ナ
フトレート）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチル
アンモニウム（λnax1100nm、ε12290）およびビ
ス（１―メルカプト―２―フエノレート）ニツケ
ル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム（λnax
1025nm、ε12700）が合成が容易でニトロセルロ
ースとの相溶性にすぐれているため好ましい。
しては一般式（）または（） （式中、Ｇは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金を、
ｍは−１または−２の整数を、Ａはｍが−１のと
き１価のカチオンであり、またｍが−２のとき２
価のカチオンを示す）で表わされる化合物であ
り、そのうち特にビス（１―メルカプト―２―ナ
フトレート）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチル
アンモニウム（λnax1100nm、ε12290）およびビ
ス（１―メルカプト―２―フエノレート）ニツケ
ル（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム（λnax
1025nm、ε12700）が合成が容易でニトロセルロ
ースとの相溶性にすぐれているため好ましい。
さらに(6)アリールアミニウム塩類としては、一
般式（）または（） （式中、R1およびR2は同じかまたは異なるアル
キル基を、R3は水素、アルキル基、フエニル基、
ベンジル基をｍは＋１または＋２の整数を、Ｌは
ｍが＋１のとき１価のアニオンであり、またｍが
＋２のとき２価のアニオンを示す）で表わされる
化合物であり、４，4′―ビス（ｐ―ジメチルアミ
ノフエニル）アミニウムアイオダイド（λnax740
にε12880、λnax1000にε32890）、４，4′―ビス
（ｐ―ジエチルアミノフエニル）アミニウムフル
オロボレート（λnax730にε18800、λnax995に
ε38690）およびビス（ｐ―ジエチルアミノフエニ
ル）〔Ｎ，Ｎ―ビス（ｐ―ジエチルアミノフエニ
ル）―4′―アミノビフエニル〕アミニウムヘキサ
フルオロアンチモネート（λnax600にε2600、λnax
1055にε24300）が合成が容易でニトロセルロース
との相溶性にすぐれているため好ましい。上記し
たこれらの光吸収剤は、ニトロセルロース共存下
で熱的作用により分解して光吸収能を失う、たと
えば加熱すると200℃以下で光吸収剤が分解を起
こし吸収能を失い、また加熱する代わりに光吸収
剤の有する極大吸収波長に近い波長の半導体レー
ザ光を照射することにより吸収能を喪失する。
般式（）または（） （式中、R1およびR2は同じかまたは異なるアル
キル基を、R3は水素、アルキル基、フエニル基、
ベンジル基をｍは＋１または＋２の整数を、Ｌは
ｍが＋１のとき１価のアニオンであり、またｍが
＋２のとき２価のアニオンを示す）で表わされる
化合物であり、４，4′―ビス（ｐ―ジメチルアミ
ノフエニル）アミニウムアイオダイド（λnax740
にε12880、λnax1000にε32890）、４，4′―ビス
（ｐ―ジエチルアミノフエニル）アミニウムフル
オロボレート（λnax730にε18800、λnax995に
ε38690）およびビス（ｐ―ジエチルアミノフエニ
ル）〔Ｎ，Ｎ―ビス（ｐ―ジエチルアミノフエニ
ル）―4′―アミノビフエニル〕アミニウムヘキサ
フルオロアンチモネート（λnax600にε2600、λnax
1055にε24300）が合成が容易でニトロセルロース
との相溶性にすぐれているため好ましい。上記し
たこれらの光吸収剤は、ニトロセルロース共存下
で熱的作用により分解して光吸収能を失う、たと
えば加熱すると200℃以下で光吸収剤が分解を起
こし吸収能を失い、また加熱する代わりに光吸収
剤の有する極大吸収波長に近い波長の半導体レー
ザ光を照射することにより吸収能を喪失する。
本発明の半導体レーザ記録フイルムは、上記の
光吸収能およびニトロセルロースならびに必要に
応じその他の媒体を適当な溶剤に混合溶解させて
調製したような、光吸収剤およびニトロセルロー
スを含有する記録媒体を半導体レーザ光を透過
し、耐熱性を有したポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネートなどのプラスチツクフイル
ムやガラスなどの透明な基板上に塗布して得られ
る。レーザ光で記録された情報の読取に際し、読
取用のレーザ光の透過量を検出する場合と異な
り、読取用のレーザ光の反射光量で読取る場合
は、基板上に金属蒸着を行つたのち金属蒸着層の
上に、上記の光吸収剤とニトロセルロースとを含
有する記録媒体を塗布して本発明の半導体レーザ
記録フイルムを得ることができる。また、基板上
に塗布する記録媒体において、光吸収剤のニトロ
セルロースに対する添加割合は１〜50重量％であ
るが、通常、３〜30重量％が好ましい。添加割合
が大きいと塗膜と基板との密着性が悪化し、添加
割合が小さいと光学的濃度差が十分に得にくくな
る。また、記録媒体には形成される塗膜と基板と
の密着性および塗膜の経済的な安定性を改善する
ために適宜ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリ
ル酸メチルなどのアクリル樹脂、セルロースアセ
テートなどのニトロセルロース以外のセルロース
誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニル―ポリ
酢酸ビニル共重合体などのビニル系樹脂などの有
機高分子化合物を加えてもよい。また、光吸収剤
とニトロセルロースを溶解せしめる溶剤としては
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶
剤、エタノール、イソプロパノールなどのアルコ
ール系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのセロソルブ系溶剤、エチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートなどのグリコールエー
テルエステル系溶剤、ジクロルメタン、クロロホ
ルムなどの塩素系炭化水素溶剤のうちいずれか１
種以上の溶剤を用いることが可能である。
光吸収能およびニトロセルロースならびに必要に
応じその他の媒体を適当な溶剤に混合溶解させて
調製したような、光吸収剤およびニトロセルロー
スを含有する記録媒体を半導体レーザ光を透過
し、耐熱性を有したポリエチレンテレフタレー
ト、ポリカーボネートなどのプラスチツクフイル
ムやガラスなどの透明な基板上に塗布して得られ
る。レーザ光で記録された情報の読取に際し、読
取用のレーザ光の透過量を検出する場合と異な
り、読取用のレーザ光の反射光量で読取る場合
は、基板上に金属蒸着を行つたのち金属蒸着層の
上に、上記の光吸収剤とニトロセルロースとを含
有する記録媒体を塗布して本発明の半導体レーザ
記録フイルムを得ることができる。また、基板上
に塗布する記録媒体において、光吸収剤のニトロ
セルロースに対する添加割合は１〜50重量％であ
るが、通常、３〜30重量％が好ましい。添加割合
が大きいと塗膜と基板との密着性が悪化し、添加
割合が小さいと光学的濃度差が十分に得にくくな
る。また、記録媒体には形成される塗膜と基板と
の密着性および塗膜の経済的な安定性を改善する
ために適宜ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリ
ル酸メチルなどのアクリル樹脂、セルロースアセ
テートなどのニトロセルロース以外のセルロース
誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニル―ポリ
酢酸ビニル共重合体などのビニル系樹脂などの有
機高分子化合物を加えてもよい。また、光吸収剤
とニトロセルロースを溶解せしめる溶剤としては
アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶
剤、エタノール、イソプロパノールなどのアルコ
ール系溶剤、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブなどのセロソルブ系溶剤、エチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
メチルエーテルアセテートなどのグリコールエー
テルエステル系溶剤、ジクロルメタン、クロロホ
ルムなどの塩素系炭化水素溶剤のうちいずれか１
種以上の溶剤を用いることが可能である。
本発明の半導体レーザ記録フイルムに半導体レ
ーザ光を照射してレーザ記録を行うためには、含
有する光吸収剤の吸収波長領域に波長を有するレ
ーザ光を各種の半導体レーザから選択して使用す
る、かつ使用する半導体レーザをレンズによつて
通常2μ以下のスポツトビームに集光して記録フ
イルムに照射すれば、高密度で低エネルギーのレ
ーザ光による光学的に高い濃度差を有する実時間
レーザ記録が可能となる。すなわち、本発明の半
導体レーザ記録フイルムは、低出力の半導体レー
ザ光により極めて高密度で光学的に高い濃度差が
得られること、光吸収剤の選択により近赤外領域
の各種半導体レーザ光も使用できること、記録に
用いたレーザ光をそのまま出力を低下させて読取
光として用いることが可能なこと、現象定着など
の後処理を必要としない実時間記録であること、
さらに室内光に感光することがないため暗室操作
が不要であることなどの利点を有しており、マイ
クロ画像、COM、マイクロフアクシミリ、写真
植字用原板、光学式ビデオデイスク、光学式オー
デイオデイスクなどに広く応用することが可能で
ある。
ーザ光を照射してレーザ記録を行うためには、含
有する光吸収剤の吸収波長領域に波長を有するレ
ーザ光を各種の半導体レーザから選択して使用す
る、かつ使用する半導体レーザをレンズによつて
通常2μ以下のスポツトビームに集光して記録フ
イルムに照射すれば、高密度で低エネルギーのレ
ーザ光による光学的に高い濃度差を有する実時間
レーザ記録が可能となる。すなわち、本発明の半
導体レーザ記録フイルムは、低出力の半導体レー
ザ光により極めて高密度で光学的に高い濃度差が
得られること、光吸収剤の選択により近赤外領域
の各種半導体レーザ光も使用できること、記録に
用いたレーザ光をそのまま出力を低下させて読取
光として用いることが可能なこと、現象定着など
の後処理を必要としない実時間記録であること、
さらに室内光に感光することがないため暗室操作
が不要であることなどの利点を有しており、マイ
クロ画像、COM、マイクロフアクシミリ、写真
植字用原板、光学式ビデオデイスク、光学式オー
デイオデイスクなどに広く応用することが可能で
ある。
以下、本発明を実施例をもつて説明する。
実施例中の部はすべて重量部を表わす。
実施例 １
エチルセロソルブアセテート200部にニトロセ
ルロース（旭化成製LIG1/2）10部、ビス（４―
メチル―ｏ―フエニレンジアミン）ニツケル２部
を加えて撹きまぜ、溶解させた組成物をスピンナ
ーを用いてポリエチレンテレフタレートフイルム
上に塗布し、所定の条件で乾燥して約0.5μmの赤
紫色の塗膜面を形成させた。次いで塗膜面へ集束
した半導体レーザ光線（GaAlAs系レーザ、
780nm、光出力5mW）を直線状に掃引照射した。
比較試験としてビス（４―メチル―ｏ―フエニレ
ンジアミン）ニツケルの代わりにカーボンブラツ
ク２部を用いて同様に行つた記録フイルムについ
てもレーザ光を直線状に掃引照射した。両者のレ
ーザ照射部を電子顕微鏡で観察した結果、カーボ
ンブラツクを用いた場合、レーザ光の軌跡がわず
かに確認できる程度に対し、ビス（４―メチル―
ｏ―フエニレン―ジアミン）ニツケルを用いた場
合の直線は極めて鮮明で、照射部近傍の盛り上が
りはほとんどみられず、光学顕微鏡による観察で
は、未照射部分が赤紫色を呈しているのに対して
照射部は黄色に変色していることが判つた。
ルロース（旭化成製LIG1/2）10部、ビス（４―
メチル―ｏ―フエニレンジアミン）ニツケル２部
を加えて撹きまぜ、溶解させた組成物をスピンナ
ーを用いてポリエチレンテレフタレートフイルム
上に塗布し、所定の条件で乾燥して約0.5μmの赤
紫色の塗膜面を形成させた。次いで塗膜面へ集束
した半導体レーザ光線（GaAlAs系レーザ、
780nm、光出力5mW）を直線状に掃引照射した。
比較試験としてビス（４―メチル―ｏ―フエニレ
ンジアミン）ニツケルの代わりにカーボンブラツ
ク２部を用いて同様に行つた記録フイルムについ
てもレーザ光を直線状に掃引照射した。両者のレ
ーザ照射部を電子顕微鏡で観察した結果、カーボ
ンブラツクを用いた場合、レーザ光の軌跡がわず
かに確認できる程度に対し、ビス（４―メチル―
ｏ―フエニレン―ジアミン）ニツケルを用いた場
合の直線は極めて鮮明で、照射部近傍の盛り上が
りはほとんどみられず、光学顕微鏡による観察で
は、未照射部分が赤紫色を呈しているのに対して
照射部は黄色に変色していることが判つた。
また、本記録フイルムをミクロ融点測定器（東
京百本製作所製）の加熱板の上にのせて加熱する
と、約160℃に到達したところで赤紫色から黄色
に変色した。次いで、加熱前後の記録フイルムの
近赤外部の光線透過率を測定（島津製作所製マル
チパーパス自記分光光度計）した結果、780nmの
透過率は照射前を１として照射後に３となつた。
京百本製作所製）の加熱板の上にのせて加熱する
と、約160℃に到達したところで赤紫色から黄色
に変色した。次いで、加熱前後の記録フイルムの
近赤外部の光線透過率を測定（島津製作所製マル
チパーパス自記分光光度計）した結果、780nmの
透過率は照射前を１として照射後に３となつた。
実施例 ２
実施例１のエチルセロソルブアセテート200部
の代わりにメチルエチルケトン150部を、ビス
（４―メチル―ｏ―フエニレンジアミン）ニツケ
ル２部の代わりにビス（イミノサクシノニトリ
ロ）ニツケル１部を用いる以外実施例１と同様に
行つて緑色の記録フイルムを得た。このフイルム
をミクロ融点測定器の加熱板の上にのせ加熱する
と約150℃に到達したところで緑色から黄色に変
色した。次いで加熱前後の記録フイルムの近赤外
部の光線透過率を測定した結果、700nmの透過率
は照射前を１として照射後に４となつた。
の代わりにメチルエチルケトン150部を、ビス
（４―メチル―ｏ―フエニレンジアミン）ニツケ
ル２部の代わりにビス（イミノサクシノニトリ
ロ）ニツケル１部を用いる以外実施例１と同様に
行つて緑色の記録フイルムを得た。このフイルム
をミクロ融点測定器の加熱板の上にのせ加熱する
と約150℃に到達したところで緑色から黄色に変
色した。次いで加熱前後の記録フイルムの近赤外
部の光線透過率を測定した結果、700nmの透過率
は照射前を１として照射後に４となつた。
実施例 ３
エチルセロソルブアセテート200部にニトロセ
ルロース（旭化成製LIG1/2）10部、メタクリル
酸メチル・アクリル酸エチルの共重合体であるメ
タクリル酸樹脂７部、ビス（１―メチル―３，４
―ジチオフエノレート）ニツケル（）テトラ―
ｎ―ブチルアンモニウム２部を加えてかきまぜ、
以下実施例１と同様に行つて緑色の記録フイルム
を得た。次いで塗膜面へ集束した半導体レーザ光
線（GaAs系レーザ、905nm、光出力5mw）を直
線状に掃引照射し、電子顕微鏡で観察した結果、
極めて鮮明な直線が描かれ、照射部近傍の盛り上
がりはみとめられず、光学顕微鏡による観察で
は、照射部分は黄緑色に変色していることが判つ
た。
ルロース（旭化成製LIG1/2）10部、メタクリル
酸メチル・アクリル酸エチルの共重合体であるメ
タクリル酸樹脂７部、ビス（１―メチル―３，４
―ジチオフエノレート）ニツケル（）テトラ―
ｎ―ブチルアンモニウム２部を加えてかきまぜ、
以下実施例１と同様に行つて緑色の記録フイルム
を得た。次いで塗膜面へ集束した半導体レーザ光
線（GaAs系レーザ、905nm、光出力5mw）を直
線状に掃引照射し、電子顕微鏡で観察した結果、
極めて鮮明な直線が描かれ、照射部近傍の盛り上
がりはみとめられず、光学顕微鏡による観察で
は、照射部分は黄緑色に変色していることが判つ
た。
また、本記録フイルムをミクロ融点測定器の加
熱板の上にのせて加熱すると約170℃に到達した
ところで緑色から黄緑色に変色し、180℃で黄色
となることが判つた。次いで加熱前後の記録フイ
ルムの近赤外部の光線透過率を測定した結果、
905nmの透過率は照射前を１として照射後２とな
つた。
熱板の上にのせて加熱すると約170℃に到達した
ところで緑色から黄緑色に変色し、180℃で黄色
となることが判つた。次いで加熱前後の記録フイ
ルムの近赤外部の光線透過率を測定した結果、
905nmの透過率は照射前を１として照射後２とな
つた。
実施例 ４
実施例３のビス（１―メチル―３，４―ジチオ
フエノレート）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチ
ルアンモニウム２部の代わりにビス〔シス―１，
２―ビス（ｐ―メトキシフエニル）エチレン―
１，２―ジチオレート〕ニツケル２部を用いる以
外、実施例３と同様に行つて緑色の記録フイルム
を得た。
フエノレート）ニツケル（）テトラ―ｎ―ブチ
ルアンモニウム２部の代わりにビス〔シス―１，
２―ビス（ｐ―メトキシフエニル）エチレン―
１，２―ジチオレート〕ニツケル２部を用いる以
外、実施例３と同様に行つて緑色の記録フイルム
を得た。
また半導体レーザ光線（GaAs系レーザ、
905nm、光出力5mw）の軌跡は鮮明であり、ミ
クロ融点測定器による加熱により約160℃で黄色
に変色し加熱前後の905nmの光線透過率は照射前
を１として照射後３となつた。
905nm、光出力5mw）の軌跡は鮮明であり、ミ
クロ融点測定器による加熱により約160℃で黄色
に変色し加熱前後の905nmの光線透過率は照射前
を１として照射後３となつた。
実施例 ５
実施例１のビス（４―メチル―ｏ―フエニレン
ジアミン）ニツケル２部の代わりにビス（１―メ
チルカプトレート―２―ナフトレート）ニツケル
（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム２部を用
いる以外実施例１と同様に行つて暗褐色の記録フ
イルムを得た。次いで塗膜面へ集束したYAGレ
ーザ光線（1060nm、光出力10mw））の軌跡は鮮
明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約
160℃に黄色に変色し、加熱前後の1060nmの光線
透過率は照射前を１として照射後３となつた。
ジアミン）ニツケル２部の代わりにビス（１―メ
チルカプトレート―２―ナフトレート）ニツケル
（）テトラ―ｎ―ブチルアンモニウム２部を用
いる以外実施例１と同様に行つて暗褐色の記録フ
イルムを得た。次いで塗膜面へ集束したYAGレ
ーザ光線（1060nm、光出力10mw））の軌跡は鮮
明であり、ミクロ融点測定器による加熱により約
160℃に黄色に変色し、加熱前後の1060nmの光線
透過率は照射前を１として照射後３となつた。
実施例 ６
実施例１のビス（４―メチル―ｏ―フエニレン
ジアミン）ニツケル２部の代わりに４，4′―ビス
（ｐ―ジメチルアミノフエニル）アミニウムアイ
オダイド２部を用いる以外、実施例１と同様に行
つて濃青色の記録フイルムを得た。次いで塗膜面
へ集束した半導体レーザ光線（GaAlAs系レー
ザ、780nm、光出力5mw）の軌跡は鮮明であり、
ミクロ融点測定器による加熱により約150℃で黄
色に変色し、加熱前後の780nmの光線透過率は照
射前を１として照射後４となつた。
ジアミン）ニツケル２部の代わりに４，4′―ビス
（ｐ―ジメチルアミノフエニル）アミニウムアイ
オダイド２部を用いる以外、実施例１と同様に行
つて濃青色の記録フイルムを得た。次いで塗膜面
へ集束した半導体レーザ光線（GaAlAs系レー
ザ、780nm、光出力5mw）の軌跡は鮮明であり、
ミクロ融点測定器による加熱により約150℃で黄
色に変色し、加熱前後の780nmの光線透過率は照
射前を１として照射後４となつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、記録に用いる半導体レーザ光の
波長領域で、強い吸収能を有しかつニトロセルロ
ースの共存下で分解してその吸収能を失う、芳香
族ジアミン系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯
体、芳香族ジチオール系金属錯体、脂肪族ジチオ
ール系金属錯体、メルカプトフエノール系金属錯
体またはアリールアミニウム塩類から選ばれる光
吸収剤と、ニトロセルロースとを含有する記録
媒体を塗布したことを特徴とする半導体レーザ記
録フイルム。 ２ 芳香族ジアミン系金属錯体が一般式（） （式中、Ｘは水素、アルキル基、置換アルキル
基、ハロゲン基、ニトロ基、ｎは１〜４の整数値
を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金
を示す）で表わされる化合物である特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザ記録フイルム。 ３ 脂肪族ジアミン系金属錯体が一般式（） （式中、Ｙは水素、アルキル基、フエニル基、シ
アノ基を、Ｍはニツケル、コバルト、パラジウ
ム、白金を示す）で表わされる化合物である特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ記録フイル
ム。 ４ 芳香族ジチオール系金属錯体が一般式（） （式中、Ｚは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
ｎは１〜４の整数値を、Ｍはニツケル、コバル
ト、パラジウム、白金を、ｍは−１または−２の
整数を、Ａはｍが−１のとき１価のカチオンであ
り、またｍが−２のとき２価のカチオンを示す）
で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ記録フイルム。 ５ 脂肪族ジチオール系金属錯体が一般式（） （式中、Ｅは水素、アルキル基、フエニル基を、
ｐは２または３の整数値を、Ｍはｐが２のときニ
ツケル、コバルト、パラジウム、白金を、ｐが３
のときバナジウム、クロム、モリブデンを示す）
で表わされる化合物である特許請求の範囲第１項
記載の半導体レーザ記録フイルム。 ６ メルカプトフエノール系金属錯体が一般式
（）または（） （式中、Ｇは水素、アルキル基、ハロゲン基を、
Ｍはニツケル、コバルト、パラジウム、白金を、
ｍは−１または−２の整数を、Ａはｍが−１のと
き１価のカチオンであり、またｍが−２のとき２
価のカチオンを示す）で表わされる化合物である
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ記録フ
イルム。 ７ アリールアミニウム塩類が一般式（）また
は（） （式中、R1およびR2は同じかまたは異なるアル
キル基を、R3は水素、アルキル基、フエニル基、
ベンジル基を、ｍは＋１または＋２の整数を、Ｌ
はｍが＋１のとき１価のアニオンであり、またｍ
が＋２のとき２価のアニオンを示す）で表わされ
る化合物である特許請求の範囲第１項記載の半導
体レーザ記録フイルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113749A JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56113749A JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5816888A JPS5816888A (ja) | 1983-01-31 |
| JPH0132794B2 true JPH0132794B2 (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=14620143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56113749A Granted JPS5816888A (ja) | 1981-07-22 | 1981-07-22 | 半導体レーザ記録フイルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5816888A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59177746A (ja) * | 1983-03-26 | 1984-10-08 | Pioneer Electronic Corp | デイスクの製造方法 |
| JPS6021294A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-02 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 感熱記録材料 |
| JPS6036190A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS6083029A (ja) * | 1983-10-13 | 1985-05-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 光記録媒体 |
| JPH0316642Y2 (ja) * | 1985-02-18 | 1991-04-10 | ||
| JPS61139202U (ja) * | 1985-02-18 | 1986-08-29 | ||
| JPS61284487A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-15 | Daicel Chem Ind Ltd | レ−ザ−記録用フイルム |
| US4952552A (en) * | 1989-06-20 | 1990-08-28 | Eastman Kodak Company | Infrared absorbing quinoid dyes for dye-donor element used in laser-induced thermal dye transfer |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2441263A1 (de) * | 1974-08-28 | 1976-03-18 | Philips Patentverwaltung | Aufzeichnungsverfahren |
| JPS5135144A (en) * | 1974-09-19 | 1976-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Yuwakashiki |
| JPS5639580A (en) * | 1979-09-07 | 1981-04-15 | Nec Corp | Real-time acoustic-wave holography |
-
1981
- 1981-07-22 JP JP56113749A patent/JPS5816888A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5816888A (ja) | 1983-01-31 |
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