JPS6078786A - 光記録材料 - Google Patents
光記録材料Info
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- JPS6078786A JPS6078786A JP58186358A JP18635883A JPS6078786A JP S6078786 A JPS6078786 A JP S6078786A JP 58186358 A JP58186358 A JP 58186358A JP 18635883 A JP18635883 A JP 18635883A JP S6078786 A JPS6078786 A JP S6078786A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- layer
- recording
- development
- acid
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は感度が良(生産性の良好なヒートモード記録に
適する光記録材料に関するものである。
適する光記録材料に関するものである。
(従来技術)
従来、レーザー光線等の高密度エネルギービームなスポ
ットに集光させて、記録媒体に照射して媒体の一部を状
態変化させて記録する、いわゆるヒートモード記録が知
られている。これに用いるヒートモード記録媒体として
は、テルル、ビスマス等の金属薄膜やポリスチレン、ニ
トロセルロース等の有機薄膜、あるいはテルル低酸化物
の相転位を利用したもの等が知られており、これらは「
書いた後直読する」ことのできる、いわゆるDRAW(
direct read afterwritθ)媒体
であり、高密度記録が可能で追加書込みも可能であるこ
とから、ディスク用やカード用途に拡大が期待され、光
記録材料としてもさらに安定で高感度なものが要求され
てくる。
ットに集光させて、記録媒体に照射して媒体の一部を状
態変化させて記録する、いわゆるヒートモード記録が知
られている。これに用いるヒートモード記録媒体として
は、テルル、ビスマス等の金属薄膜やポリスチレン、ニ
トロセルロース等の有機薄膜、あるいはテルル低酸化物
の相転位を利用したもの等が知られており、これらは「
書いた後直読する」ことのできる、いわゆるDRAW(
direct read afterwritθ)媒体
であり、高密度記録が可能で追加書込みも可能であるこ
とから、ディスク用やカード用途に拡大が期待され、光
記録材料としてもさらに安定で高感度なものが要求され
てくる。
これらのヒートモード記録媒体のうち代表的なテルル、
ビスマス等の金属薄膜は比較的記録感度の優れた材料で
あるが、製造には、高価な真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置等が必要である他、毒性を持っているために取扱
いに充分な配慮を要し、製造作梁環境が悪いこと、酸化
され易く、ディスク用途等特殊処理なしでは保存性が悪
いこと、及び単なるパターン露光では、予め情報ないし
、ガイドマーク等も入れる事が出来ないこと等の欠点が
ある。
ビスマス等の金属薄膜は比較的記録感度の優れた材料で
あるが、製造には、高価な真空蒸着装置、スパッタリン
グ装置等が必要である他、毒性を持っているために取扱
いに充分な配慮を要し、製造作梁環境が悪いこと、酸化
され易く、ディスク用途等特殊処理なしでは保存性が悪
いこと、及び単なるパターン露光では、予め情報ないし
、ガイドマーク等も入れる事が出来ないこと等の欠点が
ある。
また高解像グレードの銀塩写真ゼラチン感材に特殊な現
像をするか、あるいはゼラチンマトリックス中C二銀粒
子を分散する等して反射性を得て、実際の記録はゼラチ
ンマトリックスの熱変形で行われる記録媒体が知られて
いる。これらの記録媒体はコーティングにより連続的に
製造でき、銀を用いることにより広い波長域にわたって
均一な反射率を得て、種々の波長のレーザービームを用
いた記録再生装置への適合性が高いという利点を持って
いる。しかしながら、これらの媒体は高価な銀を用いて
いるため、価格変動により安定的に安価(ユ生産供給す
る事が困難であり、また高解像の写真感材を用いるため
、パターン化、現像を暗室中で行なわねばならない等の
欠点がある。
像をするか、あるいはゼラチンマトリックス中C二銀粒
子を分散する等して反射性を得て、実際の記録はゼラチ
ンマトリックスの熱変形で行われる記録媒体が知られて
いる。これらの記録媒体はコーティングにより連続的に
製造でき、銀を用いることにより広い波長域にわたって
均一な反射率を得て、種々の波長のレーザービームを用
いた記録再生装置への適合性が高いという利点を持って
いる。しかしながら、これらの媒体は高価な銀を用いて
いるため、価格変動により安定的に安価(ユ生産供給す
る事が困難であり、また高解像の写真感材を用いるため
、パターン化、現像を暗室中で行なわねばならない等の
欠点がある。
(発明の目的)
従って、本発明はこれらの従来の光記録材料の諸欠点を
改善し、連続的にコーティングして製造でき、毒性を持
たず、明室で取扱うことが可能なため作業環境が良く、
生産性が向上でき、さらに安価な光記録材料を提供する
ことを目的とする。
改善し、連続的にコーティングして製造でき、毒性を持
たず、明室で取扱うことが可能なため作業環境が良く、
生産性が向上でき、さらに安価な光記録材料を提供する
ことを目的とする。
(発明の構成)
本発明は基材の少くとも一部に光画像記録層を有してお
り、前記元画像記録層は表面が金属光沢面であり、下部
が金属微粒子分散層である透明合成樹脂層からなってい
ることを特徴とする光記録材料をその主旨とするもので
ある。
り、前記元画像記録層は表面が金属光沢面であり、下部
が金属微粒子分散層である透明合成樹脂層からなってい
ることを特徴とする光記録材料をその主旨とするもので
ある。
以下、図面を用いながら本発明について詳細に説明する
。
。
第6図は本発明の光記録材料1の一例を示す断面図であ
って、基材2の表面には透明合成樹脂層6が積層されて
おり、透明合成樹脂層の一部の表面6Bは表面が金属光
沢面であり、表面3Bの下部3Cは金属微粒子の分散層
となっている。
って、基材2の表面には透明合成樹脂層6が積層されて
おり、透明合成樹脂層の一部の表面6Bは表面が金属光
沢面であり、表面3Bの下部3Cは金属微粒子の分散層
となっている。
上記において基材2としてはガラス、セラミック、紙、
プラスチックフィルム、織布、不織布等の任意の個体材
料が用いられるが、生産性と平滑性の点からガラスとプ
ラスチックフィルムが好ましく用いられる。プラスチッ
クとしてはセルロース誘尋体、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、
アクリル系樹脂、ポリエーテルm脂、ポリスルホン樹脂
、ポリアミド樹脂等を用いることが出来、寸法安定性の
及び事情性の点からセルローストリアセテート、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド等が好ましい。これ
ら基材2には必要に応じて、コロナ放電処理、プラズマ
処理、プライマー処理などの接着性改良のための前処理
をしてもよい。
プラスチックフィルム、織布、不織布等の任意の個体材
料が用いられるが、生産性と平滑性の点からガラスとプ
ラスチックフィルムが好ましく用いられる。プラスチッ
クとしてはセルロース誘尋体、ポリエステル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、
アクリル系樹脂、ポリエーテルm脂、ポリスルホン樹脂
、ポリアミド樹脂等を用いることが出来、寸法安定性の
及び事情性の点からセルローストリアセテート、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリイミド等が好ましい。これ
ら基材2には必要に応じて、コロナ放電処理、プラズマ
処理、プライマー処理などの接着性改良のための前処理
をしてもよい。
又、上記において金属光沢面3Bはニッケル、コバルト
、鉄及びクロム等の■より族金属、銅等のより族金属、
或いは錫、錫−銅合金のいずれかから選択されてなる。
、鉄及びクロム等の■より族金属、銅等のより族金属、
或いは錫、錫−銅合金のいずれかから選択されてなる。
金属光沢面3Bの下部の金属微粒子分散層は原則的には
透明合成樹脂中に透明合成樹脂io。
透明合成樹脂中に透明合成樹脂io。
部に対して金属微粒子を01〜100部、特に1〜10
部含むものである。
部含むものである。
なお層6B及び3Cは明確に区分された2つの層として
図示しであるが、後述するように物理現像によって製造
するときは少くとも表面が金属光沢面であって、下部が
金属微粒子分散層である限り、2つの層の境界は不明確
であってもよい。
図示しであるが、後述するように物理現像によって製造
するときは少くとも表面が金属光沢面であって、下部が
金属微粒子分散層である限り、2つの層の境界は不明確
であってもよい。
次に上記のような光記録材料を製造する方法について説
明すると、以下に示すような感材に以下のような処理法
を施すものである。
明すると、以下に示すような感材に以下のような処理法
を施すものである。
まず、感材としては、■ジアゾ基又はアジド乱を有する
光分解性の現像抑制剤、■還元されて金属現像核となる
金属錯化合物又は金属化合物の2つの成分を透明合成樹
脂中に含有する感剤層3を基材2上に設けたものを用い
る。
光分解性の現像抑制剤、■還元されて金属現像核となる
金属錯化合物又は金属化合物の2つの成分を透明合成樹
脂中に含有する感剤層3を基材2上に設けたものを用い
る。
そして、上記感材に施す処理法は(イ)露光して現像抑
制剤を分解させ潜像を形成する工程、使)還元剤を作用
させて金属現像核を形成する工程、及びe9無電解めっ
き法(物理現像)で感剤層の潜像部に金属を析出させて
金属膜を形成する工程とを遂次性なうものである。
制剤を分解させ潜像を形成する工程、使)還元剤を作用
させて金属現像核を形成する工程、及びe9無電解めっ
き法(物理現像)で感剤層の潜像部に金属を析出させて
金属膜を形成する工程とを遂次性なうものである。
上記の感材及び処理法について次に詳しく説明する。
感材
本発明の光記録材料を製造するのに使用する感材は上記
したような感剤層を暴利上に有Tるものである。感剤層
を構成する各成分は透明合成(if脂(結合剤)100
部に対して、還元されて金属現像核となる金属錯化合物
又は金属化合物を0.1〜100部、好ましくは1〜1
0部、ジアゾ基又はアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤を1〜100部、好ましくは20〜50部の割合で
あり、透明合成樹脂中に他の成分が分散、好ましくは溶
解している。
したような感剤層を暴利上に有Tるものである。感剤層
を構成する各成分は透明合成(if脂(結合剤)100
部に対して、還元されて金属現像核となる金属錯化合物
又は金属化合物を0.1〜100部、好ましくは1〜1
0部、ジアゾ基又はアジド基を有する光分解性の現像抑
制剤を1〜100部、好ましくは20〜50部の割合で
あり、透明合成樹脂中に他の成分が分散、好ましくは溶
解している。
ここで各成分としては次のようなものが使用される。
透明合成樹脂
透明合成樹脂としては親油性のもの及び親水性のものの
うちから選択しうるが、親油性のものとしては例えば、
ポリ酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル
共重合樹脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチ
レン/酢酸ビニル共重合樹脂等のエステル基を有する樹
脂、酢酸セルロース等の水酸基を有する樹脂カルボン酸
基やスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル樹脂等の油溶性
のポリ酢酸ビニル系樹脂がパターン現像するために好ま
しく使用される。
うちから選択しうるが、親油性のものとしては例えば、
ポリ酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニル/アクリル酸エステル
共重合樹脂、アクリル酸/酢酸ビニル共重合樹脂、エチ
レン/酢酸ビニル共重合樹脂等のエステル基を有する樹
脂、酢酸セルロース等の水酸基を有する樹脂カルボン酸
基やスルホン酸基を含む変性酢酸ビニル樹脂等の油溶性
のポリ酢酸ビニル系樹脂がパターン現像するために好ま
しく使用される。
また、光記録特性上はヒートモードで変形する性質のあ
るニトロセルロース等のセルロース誘導体を添加するこ
とも高感度化のために有効である。
るニトロセルロース等のセルロース誘導体を添加するこ
とも高感度化のために有効である。
又、親水性バインダーとしてはゼラチン、カゼイン、グ
ルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子、カル
ボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、ポリビニル
アルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、ポリアクリ
ル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポ
リエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合体などが用
いられるが、水溶性ないし親水性樹脂である限りにおい
て、上記以外のものも使用可能である。バインダーに必
要な親水性の程度は、感剤層6を形成して、物理現像液
と接触させるときに、物理現像液が感剤層6に浸透して
物理現像が可能となる程度である。
ルー、アラビアゴム、セラックなどの天然高分子、カル
ボキシメチルセルロース、卵白アルブミン、ポリビニル
アルコール(部分ケン化ポリ酢酸ビニル)、ポリアクリ
ル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポ
リエチレンオキシド、無水マレイン酸共重合体などが用
いられるが、水溶性ないし親水性樹脂である限りにおい
て、上記以外のものも使用可能である。バインダーに必
要な親水性の程度は、感剤層6を形成して、物理現像液
と接触させるときに、物理現像液が感剤層6に浸透して
物理現像が可能となる程度である。
また光記録特性上はヒートモードで変形し易い性質のあ
る、ニトロセルロース等の低分子量物をエタノール溶解
して添加することも有効である。
る、ニトロセルロース等の低分子量物をエタノール溶解
して添加することも有効である。
現像抑制剤
現像抑制剤としてはジアゾ基又はアジド基を有する化合
物を用い、ジアゾ基を有する化合物としてはジアゾ基を
有する塩化亜鉛複塩若しくはホウフッ化塩、又はこれら
の化合物とパラホルムアルデヒドより得られる縮合化合
物であるジアゾ樹脂等が好ましく用いられる。より具体
的にはp−N、N−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウ
ム塩化亜鉛複塩、p −N−エチル−N−βヒドロキシ
エチルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−
モルフォリノ−2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウ
ム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2,5−ジブトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイル
アミノ−2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化
亜鉛複塩、4−(4・−メトキシベンゾイルアミノ)−
2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、4− (p −トルイルメルカプト)−2,5−ジェ
トキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ
−4′−メトキシジフェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−
ジアシー3−メトキシ−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩
等、若しくは以上のような塩化亜鉛複塩の代わりにホウ
フッ化塩、硫酸塩、リン酸塩等も使用できる。
物を用い、ジアゾ基を有する化合物としてはジアゾ基を
有する塩化亜鉛複塩若しくはホウフッ化塩、又はこれら
の化合物とパラホルムアルデヒドより得られる縮合化合
物であるジアゾ樹脂等が好ましく用いられる。より具体
的にはp−N、N−ジエチルアミノベンゼンジアゾニウ
ム塩化亜鉛複塩、p −N−エチル−N−βヒドロキシ
エチルアミノベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−
モルフォリノ−2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウ
ム塩化亜鉛複塩、4−モルフォリノ−2,5−ジブトキ
シベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ベンゾイル
アミノ−2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化
亜鉛複塩、4−(4・−メトキシベンゾイルアミノ)−
2,5−ジェトキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩
、4− (p −トルイルメルカプト)−2,5−ジェ
トキシベンゼンジアゾニウム塩化亜鉛複塩、4−ジアゾ
−4′−メトキシジフェニルアミン塩化亜鉛複塩、4−
ジアシー3−メトキシ−ジフェニルアミン塩化亜鉛複塩
等、若しくは以上のような塩化亜鉛複塩の代わりにホウ
フッ化塩、硫酸塩、リン酸塩等も使用できる。
アジド基を有する化合物としてはp−アジドアセトフェ
ノン、4,4I−ジアジドカルコン、2.6−ビス−(
4′−アジドベンザル)−アセトン、2,6−ビス−(
4’−アジドベンザル)−シクロヘキサノン、2,6−
ビス−(4’−7’シトベンザル)−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)−
アセトン、アジドピレン等が使用できる。或いはジアゾ
基若しくはアジド基を有する限り上記以外の化合物を使
用することもでき、又、上記したジアゾ基若しくはアジ
ド基を有する化合物を任意に2種以上併用することも差
支えない。
ノン、4,4I−ジアジドカルコン、2.6−ビス−(
4′−アジドベンザル)−アセトン、2,6−ビス−(
4’−アジドベンザル)−シクロヘキサノン、2,6−
ビス−(4’−7’シトベンザル)−4−メチルシクロ
ヘキサノン、2.6−ビス(4′−アジドスチリル)−
アセトン、アジドピレン等が使用できる。或いはジアゾ
基若しくはアジド基を有する限り上記以外の化合物を使
用することもでき、又、上記したジアゾ基若しくはアジ
ド基を有する化合物を任意に2種以上併用することも差
支えない。
なおジアゾ基を有す、る化合物を用いるときは該化合物
を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カルボン
酸や有機スルホン酸を具体例として挙げることができ、
より実際的にはp −トルエンスルホン酸などを用いる
とよい。
を安定化させる安定化剤を用いるとよく、有機カルボン
酸や有機スルホン酸を具体例として挙げることができ、
より実際的にはp −トルエンスルホン酸などを用いる
とよい。
金属錯化合物及び金属化合物
次に還元されて金属現像核となる金属錯化合物若しくは
金属化合物について説明する。
金属化合物について説明する。
まず、還元されて金属現像核となる金属錯化合物として
はパラジウム、金、銀、白金、銅等の責なる金属の錯化
合物が用いられ、これらの金属のイオンに対し電子ドナ
ーとなる配位子としては通常知られているものを用いる
ことができ、例えば錯化合物として次のようなものを挙
げることができる; ビス(エチレンジアミン)パラジウム(Il)塩、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム(…)塩、ジクロロ(
エチレンジアミン)白金(v)塩、テトラクロロジアン
ミン白金(IV)塩、ジクロロビス(エチレンジアミン
)白金(W)塩、テトラエチルアンモニウム銅(…)塩
、ビス(エチレンジアミン銅(1)塩。
はパラジウム、金、銀、白金、銅等の責なる金属の錯化
合物が用いられ、これらの金属のイオンに対し電子ドナ
ーとなる配位子としては通常知られているものを用いる
ことができ、例えば錯化合物として次のようなものを挙
げることができる; ビス(エチレンジアミン)パラジウム(Il)塩、ジク
ロロエチレンジアミンパラジウム(…)塩、ジクロロ(
エチレンジアミン)白金(v)塩、テトラクロロジアン
ミン白金(IV)塩、ジクロロビス(エチレンジアミン
)白金(W)塩、テトラエチルアンモニウム銅(…)塩
、ビス(エチレンジアミン銅(1)塩。
更に金属の錯化合物を形成する配位子としては、2力所
以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤を
用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いため
に好適である。キレート化剤としては第1級、第2級若
しくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケトン
類を挙げることができ、より具体的には次のようなもの
を挙げることができる; (―■−− ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシノ、アセチル
アセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリ
ロ玉酢酸、ウラミルニ酢酸。
以上で配位して環状構造をとるいわゆるキレート化剤を
用いると、形成される金属錯化合物の安定性が高いため
に好適である。キレート化剤としては第1級、第2級若
しくは第3級アミン類、オキシム類、イミン類、ケトン
類を挙げることができ、より具体的には次のようなもの
を挙げることができる; (―■−− ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシノ、アセチル
アセトン、グリシン、エチレンジアミン四酢酸、ニトリ
ロ玉酢酸、ウラミルニ酢酸。
上記のキレート化剤を用いたものとしてはビス(2、2
’−ビピリジン)パラジウム(m)塩、ビス(アセチル
アセトナート)パラジウム(It)、ビス(N、N−ジ
エチルエチレンジアミン)銅(n)塩、ビス(2、2’
−ビピリジン)銅(It)塩、ビス(1,10−フェナ
ントロリン)銅CM)塩、ビス(ジメチルグリオキシマ
ート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナート)銅(
1) 、ビス(アセチルアセトナート)白金(It)な
どが好ましい。
’−ビピリジン)パラジウム(m)塩、ビス(アセチル
アセトナート)パラジウム(It)、ビス(N、N−ジ
エチルエチレンジアミン)銅(n)塩、ビス(2、2’
−ビピリジン)銅(It)塩、ビス(1,10−フェナ
ントロリン)銅CM)塩、ビス(ジメチルグリオキシマ
ート)銅(II)、ビス(アセチルアセトナート)銅(
1) 、ビス(アセチルアセトナート)白金(It)な
どが好ましい。
還元されて金属現像核を与える金属化合物としては、パ
ラジウム、金、銀、白金、銅等の責なる金属の塩化物、
硝酸塩などの水溶性塩、たとえば無電解メッキのアクチ
ペーター液中に含まれる塩化パラジウム、硝酸銀、4塩
化水素金などの塩も用いられ、特にパラジウムの塩が好
ましく用いられる。
ラジウム、金、銀、白金、銅等の責なる金属の塩化物、
硝酸塩などの水溶性塩、たとえば無電解メッキのアクチ
ペーター液中に含まれる塩化パラジウム、硝酸銀、4塩
化水素金などの塩も用いられ、特にパラジウムの塩が好
ましく用いられる。
又、金属化合物を用いるときは上述した金属化合物(市
販される無電解メッキ用のアクチベーター液をそのまま
用いることができる)を、現像抑制剤であるジアゾ基又
はアジド基を有する化合物とともに透明合成樹脂に合わ
せて選択した適宜な溶剤で溶解したバインダー溶液と混
合して、塗布に適した粘度10〜1000センチボイズ
程度の液とし、これを基材1上に塗布し、乾燥すること
により、通常01〜30μの塗膜として感剤層を形成す
るバインダーを溶解する溶剤としては適宜なものを使用
できるが、透明合成樹脂として親水性のものを使用する
ときは水を使用するか、或いは水と低級アルコール、ケ
トン、エーテル等の水混和性溶媒との混合溶媒を用いる
とよく、又、親油性のものを用いるときはメチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等の
低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケ
トン、酢酸エチル、酢酸nブチル等のエステル、メチル
セロソルブ等の極性の高い溶剤が好ましく使用される。
販される無電解メッキ用のアクチベーター液をそのまま
用いることができる)を、現像抑制剤であるジアゾ基又
はアジド基を有する化合物とともに透明合成樹脂に合わ
せて選択した適宜な溶剤で溶解したバインダー溶液と混
合して、塗布に適した粘度10〜1000センチボイズ
程度の液とし、これを基材1上に塗布し、乾燥すること
により、通常01〜30μの塗膜として感剤層を形成す
るバインダーを溶解する溶剤としては適宜なものを使用
できるが、透明合成樹脂として親水性のものを使用する
ときは水を使用するか、或いは水と低級アルコール、ケ
トン、エーテル等の水混和性溶媒との混合溶媒を用いる
とよく、又、親油性のものを用いるときはメチルアルコ
ール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等の
低級アルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケ
トン、酢酸エチル、酢酸nブチル等のエステル、メチル
セロソルブ等の極性の高い溶剤が好ましく使用される。
なお、親水性の透明合成樹脂を用いるときは、感剤層6
を形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーの溶
出を抑制するため、望ましくは硬膜処理を行う。硬膜処
理は、例えば下記の化合物を画像形成層2の形成用塗布
液中Cユバインダー100部に対してたとえば01〜5
0部の割合で混合するか、あるいはその水溶液を画像形
成層上に塗布することにより行われる:カリ明パン、ア
ンモニウム明パン等のAノ化合物ニクロム明パン、硫酸
クロム等のOr化合物:ホルムアルデヒド、グリオキザ
ル、グルグルアルデヒド、2−メチルグルタルアルデヒ
ド、すクシナルデヒド等のアルデヒド類;0−ベンゾキ
ノン、p−ベンゾキノン、シクロヘキサンー1.2−ジ
オン、シクロペンタン−1,2−iyオン、ジアセチル
、2.3−ペンタンジオン、2.5−ヘキサンジオン、
2,5−ヘキセンジオン等のジグトンニトリグリシジル
イソシアヌル酸塩などのエポキシド;テトラフタロイル
クロリド、4,4I−ジフェニルメタンジスルフオニル
クロリド 4 、41−ジフェニルメタンジスルフオニ
ルクロリドなどの酸無水物:タンニン酸、没食子酸、2
,4−ジクロロ−6−ヒドロキシ−8−トリアジン、な
らびに一般式R2NPOX2、アルキル基、R′は(c
H5)、N(aas)5X−基、XはF又はOA、 n
は1又は2)で表わされるリン化合物又はカルボジイミ
ド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン
/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテル/マレイ
ン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸共重合体、
メタクリル酸/メタクリロニトリル共重合体、ポリメタ
クリルアミド、メタクリル酸エステル共重合体等の樹脂
類。ジカルボン酸としてグルタル酸、コハク酸、ヒドロ
キシカルボン酸としてりんご酸、乳酸、クエン酸、アス
パラギン酸、ゲルコール酸、酒石酸等の有機カルボン酸
も使用出来る。
を形成後、物理現像処理中の現像液へのバインダーの溶
出を抑制するため、望ましくは硬膜処理を行う。硬膜処
理は、例えば下記の化合物を画像形成層2の形成用塗布
液中Cユバインダー100部に対してたとえば01〜5
0部の割合で混合するか、あるいはその水溶液を画像形
成層上に塗布することにより行われる:カリ明パン、ア
ンモニウム明パン等のAノ化合物ニクロム明パン、硫酸
クロム等のOr化合物:ホルムアルデヒド、グリオキザ
ル、グルグルアルデヒド、2−メチルグルタルアルデヒ
ド、すクシナルデヒド等のアルデヒド類;0−ベンゾキ
ノン、p−ベンゾキノン、シクロヘキサンー1.2−ジ
オン、シクロペンタン−1,2−iyオン、ジアセチル
、2.3−ペンタンジオン、2.5−ヘキサンジオン、
2,5−ヘキセンジオン等のジグトンニトリグリシジル
イソシアヌル酸塩などのエポキシド;テトラフタロイル
クロリド、4,4I−ジフェニルメタンジスルフオニル
クロリド 4 、41−ジフェニルメタンジスルフオニ
ルクロリドなどの酸無水物:タンニン酸、没食子酸、2
,4−ジクロロ−6−ヒドロキシ−8−トリアジン、な
らびに一般式R2NPOX2、アルキル基、R′は(c
H5)、N(aas)5X−基、XはF又はOA、 n
は1又は2)で表わされるリン化合物又はカルボジイミ
ド;スチレン/マレイン酸共重合体、ビニルピロリドン
/マレイン酸共重合体、ビニルメチルエーテル/マレイ
ン酸共重合体、エチレンイミン/マレイン酸共重合体、
メタクリル酸/メタクリロニトリル共重合体、ポリメタ
クリルアミド、メタクリル酸エステル共重合体等の樹脂
類。ジカルボン酸としてグルタル酸、コハク酸、ヒドロ
キシカルボン酸としてりんご酸、乳酸、クエン酸、アス
パラギン酸、ゲルコール酸、酒石酸等の有機カルボン酸
も使用出来る。
処理法
上記の感剤層6を有する感材1にはまず露光を行ない、
続いて還元処理を行ない、その後、物理現1象液を作用
させる各工程からなる処理法を施す。
続いて還元処理を行ない、その後、物理現1象液を作用
させる各工程からなる処理法を施す。
露光
まず感剤層上に情報記録区域を規定し、該情報記録区域
全体に均一に露光を行う。あるいは、あらかじめ情報を
記録しておく場合や、情報読取り用のガイドラインやタ
イミングビットを形成しておく場合は、第2図に示すよ
うに透過原稿4を介してパターン露光を行うことも可能
である。これにより、露光部3Aにおいて、選択的にか
つ露光量に応じた程度にジアゾ基もしくはアジド基を有
する化合物を分解させる。
全体に均一に露光を行う。あるいは、あらかじめ情報を
記録しておく場合や、情報読取り用のガイドラインやタ
イミングビットを形成しておく場合は、第2図に示すよ
うに透過原稿4を介してパターン露光を行うことも可能
である。これにより、露光部3Aにおいて、選択的にか
つ露光量に応じた程度にジアゾ基もしくはアジド基を有
する化合物を分解させる。
露光に使用する光源としては前記したジアゾ基もしくは
アジド基を有する化合物を分解できる光源ならば任意に
用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用いら
れる。、また原稿は密着でも投影でも露光できるし、収
束した光ビームやレーザーで描画露光することも可能で
ある。
アジド基を有する化合物を分解できる光源ならば任意に
用いることができ、通常超高圧水銀灯が好ましく用いら
れる。、また原稿は密着でも投影でも露光できるし、収
束した光ビームやレーザーで描画露光することも可能で
ある。
還元処理
次いで露光により、ジアゾ基もしくはアジド基を有する
化合物が分解された潜像を有する感剤層3に還元剤水溶
液を浸漬により接触させて感剤層す中にほぼ一様に金属
現像核を発生させる。
化合物が分解された潜像を有する感剤層3に還元剤水溶
液を浸漬により接触させて感剤層す中にほぼ一様に金属
現像核を発生させる。
還元剤としては、塩化第1スズ、硫酸第1スズ、水素化
ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラザン、ジエチル
アミンボラザン、トリメチルアミンボラザン、その他ボ
ラザン誘導体、ボラン、ジボラン、メチルジボラン等の
ボラン誘導体、ヒドラジン等を用いることができる。特
に好ましくは、酸性塩化第1スズ溶液、硫酸第スズ溶液
(We4qθ液)あるいけ市販の無電解メッキ用のセン
シタイ・ザー液などが用いられるが、一般には強力な還
元剤であればすべて使用できる。
ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラザン、ジエチル
アミンボラザン、トリメチルアミンボラザン、その他ボ
ラザン誘導体、ボラン、ジボラン、メチルジボラン等の
ボラン誘導体、ヒドラジン等を用いることができる。特
に好ましくは、酸性塩化第1スズ溶液、硫酸第スズ溶液
(We4qθ液)あるいけ市販の無電解メッキ用のセン
シタイ・ザー液などが用いられるが、一般には強力な還
元剤であればすべて使用できる。
さらに、このようにして得られた金属現像核とジアゾ基
もしくはアジド基を有する化合物の分解による潜像を有
する感剤層6に物理現像液を浸漬により接触させて、第
3図に示すごとく露光部に金属現像核を中心として現像
液中の金属が還元により析出した反射性情報記録区域3
Bを形成する。物理現像で得られる光記録材料の反射率
は再生装置のピックアップに対し、充分なS/N比で再
生できるためには最低15チは必要であるが、また、あ
まり高すぎると記録時のパワー損失となり、低感度化す
るため、80俤以下であることが好ましい。従ってレー
ザー波長域400〜900nmで、15%〜80係さら
には、30〜55%の範囲が好ましく用いられる。
もしくはアジド基を有する化合物の分解による潜像を有
する感剤層6に物理現像液を浸漬により接触させて、第
3図に示すごとく露光部に金属現像核を中心として現像
液中の金属が還元により析出した反射性情報記録区域3
Bを形成する。物理現像で得られる光記録材料の反射率
は再生装置のピックアップに対し、充分なS/N比で再
生できるためには最低15チは必要であるが、また、あ
まり高すぎると記録時のパワー損失となり、低感度化す
るため、80俤以下であることが好ましい。従ってレー
ザー波長域400〜900nmで、15%〜80係さら
には、30〜55%の範囲が好ましく用いられる。
・物理現像
物理現像液としては、水溶性の被還元性金属塩および還
元剤を含む水溶液が必要に応じて加温した状態で使用さ
れる。
元剤を含む水溶液が必要に応じて加温した状態で使用さ
れる。
被還元性金属塩としては、例えばニッケル。
コバルト、鉄及びクロム等のV工P族金属、銅等のより
族金属の水溶性塩が単独で又は混合して使用される。ま
た−たん銅塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸
錫で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得る
ことも可能である。これらの中でも安全性、保存性を考
慮するとニッケル、銅、錫が好ましく用いられる。
族金属の水溶性塩が単独で又は混合して使用される。ま
た−たん銅塩溶液で物理現像した後、塩化第一錫や硫酸
錫で置換メッキを行い錫ないし錫・銅系の金属層を得る
ことも可能である。これらの中でも安全性、保存性を考
慮するとニッケル、銅、錫が好ましく用いられる。
但し、蒸着と異なり原料の純度、メッキ安定化剤等から
少量の異種金属やリン、イオウ等の元素の混入はあり得
るが、特に光記録特性に影響を与えるものではない。
少量の異種金属やリン、イオウ等の元素の混入はあり得
るが、特に光記録特性に影響を与えるものではない。
適当な水溶性の被還元性金属塩としては、例えば以下の
ものが用いられる。
ものが用いられる。
塩化第一コバルト、ヨク化第−コノ(ルト、臭化第一鉄
、塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩
化第二銅等の重金属ハライド;硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅等
の重金属硫酸塩;硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第一
コバルト、硝酸第二・クロム、硝酸第二銅等の重金属硝
酸塩;フェラスアセテート、コパルタスアセテート、ク
ロミックアセテート、キューブリックフォルメート等の
金属の有機酸塩。
、塩化第一鉄、臭化第ニクロム、ヨウ化第ニクロム、塩
化第二銅等の重金属ハライド;硫酸ニッケル、硫酸第一
鉄、硫酸第一コバルト、硫酸第ニクロム、硫酸第二銅等
の重金属硫酸塩;硝酸ニッケル、硝酸第一鉄、硝酸第一
コバルト、硝酸第二・クロム、硝酸第二銅等の重金属硝
酸塩;フェラスアセテート、コパルタスアセテート、ク
ロミックアセテート、キューブリックフォルメート等の
金属の有機酸塩。
これら被還元性重金属塩は物理現像液中に、たとえば1
0〜100 f/−/iの割合で含まれる。
0〜100 f/−/iの割合で含まれる。
これら被還元性金属塩は物理現像液中に、たとえば10
〜100g−/Aの割合で含まれる。
〜100g−/Aの割合で含まれる。
還元剤としては、例えば次亜リン酸、次亜リン酸ナトリ
ウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマリ
ン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、ト
リメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジボ
ラン、ジボラザン、ボラビン、ボラジン、t−ブチルア
ミンボラザン、ピリジンボラン、2,6−ルチシンボラ
ン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジ
メチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン、
ジメチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジ
エチルスチピンボラン、ジエチルスチピンボランなどが
使用できる。
ウム、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、ホルマリ
ン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラン、ト
リメチルアミンボラン、ボラン、ジボラン、メチルジボ
ラン、ジボラザン、ボラビン、ボラジン、t−ブチルア
ミンボラザン、ピリジンボラン、2,6−ルチシンボラ
ン、エチレンジアミンボラン、ヒドラジンジボラン、ジ
メチルホスフィンボラン、フェニルホスフィンボラン、
ジメチルアルシンボラン、フェニルアルシンボラン、ジ
エチルスチピンボラン、ジエチルスチピンボランなどが
使用できる。
これら還元剤は、物理現像液中に、たとえば0.1〜5
0y−/Aの割合で用いられる。
0y−/Aの割合で用いられる。
物理現像液中には、前記した被還元性重金属塩の溶解に
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸ニジカルボ
ン酸;リンゴ酸、乳酸等のヒドロキシカルボン酸;コハ
ク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒石
酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸、
キニン酸等の有機カルボン酸からなる銘塩化剤の一種又
は二種以上を含ませることができる。これら錯塩化剤は
、物理現像液中にたとえば1〜100 P/13の割合
で用いられる。
より生成する重金属イオンが水酸化物として沈澱するの
を防止するために、たとえばモノカルボン酸ニジカルボ
ン酸;リンゴ酸、乳酸等のヒドロキシカルボン酸;コハ
ク酸、クエン酸、アスパラギン酸、グリコール酸、酒石
酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、グルコン酸、糖酸、
キニン酸等の有機カルボン酸からなる銘塩化剤の一種又
は二種以上を含ませることができる。これら錯塩化剤は
、物理現像液中にたとえば1〜100 P/13の割合
で用いられる。
更に、物理現像液には、現像液の保存性および操作性な
らびに得られる画像の質を改善するために、酸及び塩基
等のpH調節剤、緩両剤、防腐剤、増白剤、界面活性剤
などが常法に従い必要に応じて添加される。
らびに得られる画像の質を改善するために、酸及び塩基
等のpH調節剤、緩両剤、防腐剤、増白剤、界面活性剤
などが常法に従い必要に応じて添加される。
この添加剤のうちpH調節剤としてアンモニウム塩、ま
たはアンモニア系でpHを上げると、特に感剤表面に光
沢な得易(なるため、本発明の記録材の製造においては
、上記アンモニウム塩またはアンモニアからなるpH調
節剤を用いることが特に好ましい。
たはアンモニア系でpHを上げると、特に感剤表面に光
沢な得易(なるため、本発明の記録材の製造においては
、上記アンモニウム塩またはアンモニアからなるpH調
節剤を用いることが特に好ましい。
また、物理現像を次亜リン酸ナトリクムを還元剤を用い
た65゛Cから90°Cの高温ニッケルメッキ浴又は銅
メッキで高速メッキする条件で行うことによってもバイ
ンダー表面に金属光沢を持つ金属画像を形成できる。し
かも得られた画像を、たとえば塩酸5%又は硝酸の5%
水溶−液で5分間処理することにより非画像部のバイン
ダーを選択的に除去するため本発明には好ましい。
た65゛Cから90°Cの高温ニッケルメッキ浴又は銅
メッキで高速メッキする条件で行うことによってもバイ
ンダー表面に金属光沢を持つ金属画像を形成できる。し
かも得られた画像を、たとえば塩酸5%又は硝酸の5%
水溶−液で5分間処理することにより非画像部のバイン
ダーを選択的に除去するため本発明には好ましい。
本発明の光記録材料を用いる場合は暴利2の上に直接光
画像記録層を形成するか、又は、フィルム上に形成して
おき、他の暴利に接着剤または熱融着等の接着法により
接着する方法がある。記録材表面は、光デイスク用途の
ように、空間を設ける場合9他カード用途のように保護
材を積層する場合・があり、用いうる保護材としてはガ
ラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル等が接着剤を介して又はヒートシールさ
れて用いうるが、複屈折性や干渉性等の記録ビームの゛
伝達を妨害する因子が少ないか、あるいは記録ビームの
伝達を疎害する散乱、吸収のないよう構成あるいは処理
された材料であればいかなる材料で保護層を形成しても
差しつかえない。
画像記録層を形成するか、又は、フィルム上に形成して
おき、他の暴利に接着剤または熱融着等の接着法により
接着する方法がある。記録材表面は、光デイスク用途の
ように、空間を設ける場合9他カード用途のように保護
材を積層する場合・があり、用いうる保護材としてはガ
ラス、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、
ポリ塩化ビニル等が接着剤を介して又はヒートシールさ
れて用いうるが、複屈折性や干渉性等の記録ビームの゛
伝達を妨害する因子が少ないか、あるいは記録ビームの
伝達を疎害する散乱、吸収のないよう構成あるいは処理
された材料であればいかなる材料で保護層を形成しても
差しつかえない。
本発明の光記録材料2は適宜な大きさ、形態をとること
により、種々の用途に用いることができるが、記録密度
の高さや偽造防止性から、カードとして用いるのにも適
している。
により、種々の用途に用いることができるが、記録密度
の高さや偽造防止性から、カードとして用いるのにも適
している。
第4図は本発明の光記録材料をカードの構成としたとき
の平面図であって、カード5はカード基材6の一部に光
画像記録層7を有しているものである。第5図はカード
の断面構造の一例を示すものであって、カード基材6上
の一部に光画像記録層7が積層され、光画像記録層7を
含むカード基材6の全面に透明な保護層8を積層しであ
る。第4図・第5図では光画像記録層7をカード基材6
の一部に設けたが、全面に設けてもよいし、或いは第4
図のう℃画像記録冶7をカード基材6の左右の長さ一杯
に設けてもよい。
の平面図であって、カード5はカード基材6の一部に光
画像記録層7を有しているものである。第5図はカード
の断面構造の一例を示すものであって、カード基材6上
の一部に光画像記録層7が積層され、光画像記録層7を
含むカード基材6の全面に透明な保護層8を積層しであ
る。第4図・第5図では光画像記録層7をカード基材6
の一部に設けたが、全面に設けてもよいし、或いは第4
図のう℃画像記録冶7をカード基材6の左右の長さ一杯
に設けてもよい。
カードにはこの他第4図に示すように磁気記録層9や公
知の写真、彫刻(二よる画像1oを有してもよく、更に
図示しないが、その他の文字やインプリントと称される
浮出し文字等を設けてもXaメモリーを内蔵しても差支
えない。
知の写真、彫刻(二よる画像1oを有してもよく、更に
図示しないが、その他の文字やインプリントと称される
浮出し文字等を設けてもXaメモリーを内蔵しても差支
えない。
第5図は第4図に示したカードの記録後のピット11を
有する状態を示す。
有する状態を示す。
以上のような構造のカードの各構成及び製造法について
以下に説明すると、カード基材としては剛性を有し、か
つ、熱融着や各種の印刷等の加工(二連したものであれ
ばいずれでもよいが、通常、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アク
リル樹脂、スチレン樹脂、ビニルブチラール樹脂、アセ
チルセルロース樹脂、ヌチレンーブタジェン共重合樹脂
、ポリエチレン樹脂、フッ素樹脂等の合成樹脂が使用で
き、なかでも塩化ビニル樹脂が加工の容易さの点で用い
られる。この他、紙、金属箔等、及び以上の各+g料の
複合体も使用しうる。
以下に説明すると、カード基材としては剛性を有し、か
つ、熱融着や各種の印刷等の加工(二連したものであれ
ばいずれでもよいが、通常、塩化ビニル樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル共重合樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アク
リル樹脂、スチレン樹脂、ビニルブチラール樹脂、アセ
チルセルロース樹脂、ヌチレンーブタジェン共重合樹脂
、ポリエチレン樹脂、フッ素樹脂等の合成樹脂が使用で
き、なかでも塩化ビニル樹脂が加工の容易さの点で用い
られる。この他、紙、金属箔等、及び以上の各+g料の
複合体も使用しうる。
としての強度に不足であり、また、2000μmを越え
るとレーザ光が記録層に到達し難くなり、好ましくない
。また特に1000〜1500μmでは保護層の表面に
耐着した指紋やゴミなどによるレーザ光への妨害をまぬ
がれる効果がある。
るとレーザ光が記録層に到達し難くなり、好ましくない
。また特に1000〜1500μmでは保護層の表面に
耐着した指紋やゴミなどによるレーザ光への妨害をまぬ
がれる効果がある。
保護層は本発明では光画像記録層の保護を主眼とするの
で光画像記録層の表面のみを橙えば護層は公知の透明合
成樹脂塗料を用いて塗布、印刷して乾燥するか、若しく
は透明合成樹脂フィルム若しくは透明合成樹脂板を接着
若しくは熱融着することにより設けることができ、透明
合成樹脂フィルム若しくは板としては、カード基材とし
て前記した合成樹脂のフィルム若しくはシートを用いる
ことができ、熱融着の条件は、100〜300’C,4
0〜400眩/dである。
で光画像記録層の表面のみを橙えば護層は公知の透明合
成樹脂塗料を用いて塗布、印刷して乾燥するか、若しく
は透明合成樹脂フィルム若しくは透明合成樹脂板を接着
若しくは熱融着することにより設けることができ、透明
合成樹脂フィルム若しくは板としては、カード基材とし
て前記した合成樹脂のフィルム若しくはシートを用いる
ことができ、熱融着の条件は、100〜300’C,4
0〜400眩/dである。
なお基材上に光画像記録層及び保護層を部分的に設ける
には、以上の説明とは逆に透明合成樹脂保護層上に予め
光画像記録層を設けておき、接着剤を介してカード基材
に貼着する、熱融着する、或いは更に剥離性基体に透明
合成樹脂保護層及び光画像記録層を設け、更に所望によ
り接着剤を塗布しておいてカード基村上に転写する等の
方法によってもよい。
には、以上の説明とは逆に透明合成樹脂保護層上に予め
光画像記録層を設けておき、接着剤を介してカード基材
に貼着する、熱融着する、或いは更に剥離性基体に透明
合成樹脂保護層及び光画像記録層を設け、更に所望によ
り接着剤を塗布しておいてカード基村上に転写する等の
方法によってもよい。
(発明の効果)
以上の本発明の光記録材料は記録再生装置に適応するた
めの反射率をニッケル、コバルト、鉄等の比較的融点の
高い金属粒子によって°得ているが、層構成としては表
面層のみが反射性の金属であり、内層はバインダー中に
光吸収性の金属粒子となっているため、効率的に発熱し
透明合成’fB BWが熱変形することによって行われ
るのでテルル等の金属薄膜の揮発を用いた記録媒体に比
べて高感度である他、記録媒体上にあらかじめ永久的な
情報を従来から知られている写真的方法ないしビーム蕗
う0で簡単に予め記録しておけるという大きな利点を持
っている。
めの反射率をニッケル、コバルト、鉄等の比較的融点の
高い金属粒子によって°得ているが、層構成としては表
面層のみが反射性の金属であり、内層はバインダー中に
光吸収性の金属粒子となっているため、効率的に発熱し
透明合成’fB BWが熱変形することによって行われ
るのでテルル等の金属薄膜の揮発を用いた記録媒体に比
べて高感度である他、記録媒体上にあらかじめ永久的な
情報を従来から知られている写真的方法ないしビーム蕗
う0で簡単に予め記録しておけるという大きな利点を持
っている。
また本光記録材料の製造には従来からの写真感材の製造
方法と同様の連続的なコーティング技術を適用でき、さ
らに感剤層中に含有されるジアゾ基もしくはアジド基を
有する化合物である現像抑制剤の感光波長が、5ooo
X以下の可視領域から紫外領域にわたっであるため、紫
外線カツトフィルターを介した照明を用いるか、イエロ
ーライトを用いた明室で生産作業を行う事が可能である
ので、特殊な技術な技術を要さずに、良好な作業環境で
生産することができる点、ニッケル等の金属を親油性樹
脂に対し用いることにより銀塩を親水性樹脂に対し用い
るよりもはるかに低価格で耐湿、安定的の高い記録媒体
を安定的に生産供給できる等本発明の光記録材料は工業
的にも優れたものである。
方法と同様の連続的なコーティング技術を適用でき、さ
らに感剤層中に含有されるジアゾ基もしくはアジド基を
有する化合物である現像抑制剤の感光波長が、5ooo
X以下の可視領域から紫外領域にわたっであるため、紫
外線カツトフィルターを介した照明を用いるか、イエロ
ーライトを用いた明室で生産作業を行う事が可能である
ので、特殊な技術な技術を要さずに、良好な作業環境で
生産することができる点、ニッケル等の金属を親油性樹
脂に対し用いることにより銀塩を親水性樹脂に対し用い
るよりもはるかに低価格で耐湿、安定的の高い記録媒体
を安定的に生産供給できる等本発明の光記録材料は工業
的にも優れたものである。
(実施例)
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。
以下の実施例1〜2において塩化パラジウム溶液とは以
下の組成のものを指す。
下の組成のものを指す。
塩化パラジウム溶液
諭タノール・・・・・・・・・・・叫・・・・・・・・
・団山 1ノ実施例1 感剤液 上記組成の感剤液を厚み100μmのポリエステルフィ
ルム(東し製ルミナー、+ioo’)にワイヤーパーA
36を用いて塗布し80°Cのオープンで乾燥し、塗膜
の厚み4μmの感剤層を形成した。
・団山 1ノ実施例1 感剤液 上記組成の感剤液を厚み100μmのポリエステルフィ
ルム(東し製ルミナー、+ioo’)にワイヤーパーA
36を用いて塗布し80°Cのオープンで乾燥し、塗膜
の厚み4μmの感剤層を形成した。
作製した感剤層の全面に超高圧水銀灯(波長4050!
、75W)を用いて60秒間密着露光し、次いで20”
Cの物理現像液(奥野製薬製TMP化学ニッケル)に2
00秒間、浸漬して表面光沢を持つ光学的情報記録媒体
を得た。この記録媒体の波長6330Xにおける全反射
率は46%であった。次にHθ−Neレーザーと波長6
330X)を記録表面上3mWのパワーでビーム径2μ
mに集光してパルス幅0.5μ式で照射したところ、直
径4μmの円形のビットが記録された。
、75W)を用いて60秒間密着露光し、次いで20”
Cの物理現像液(奥野製薬製TMP化学ニッケル)に2
00秒間、浸漬して表面光沢を持つ光学的情報記録媒体
を得た。この記録媒体の波長6330Xにおける全反射
率は46%であった。次にHθ−Neレーザーと波長6
330X)を記録表面上3mWのパワーでビーム径2μ
mに集光してパルス幅0.5μ式で照射したところ、直
径4μmの円形のビットが記録された。
実施例2
感剤液
15%エタノール溶液
上記組成の感剤液を実施例1と同様に塗布、乾燥し感剤
層を形成し、超高圧水銀灯を相い、ネガフィルムを介し
て30秒間密着露光した。
層を形成し、超高圧水銀灯を相い、ネガフィルムを介し
て30秒間密着露光した。
次いで35°Cの物理現像液(奥野製薬製、TMP化学
ニッケル)に120秒間浸漬して現像を行い、2μ中ノ
ラインで8QmmX 15111111の情報記録区域
を限定し、さらに内部を長手方向に20分割する管理表
示を持つ、光学的情報記録媒体を得た。情報記録部の波
長78ooXにおける全反射率は51%であった。次に
レーザーダイオード(波長7900X)のビームを記録
表面上5mWのパワーでビーム径2μmに集光して、パ
ルス中1μ式で照射したところ、直径7μmの円形のビ
ットが記録された。
ニッケル)に120秒間浸漬して現像を行い、2μ中ノ
ラインで8QmmX 15111111の情報記録区域
を限定し、さらに内部を長手方向に20分割する管理表
示を持つ、光学的情報記録媒体を得た。情報記録部の波
長78ooXにおける全反射率は51%であった。次に
レーザーダイオード(波長7900X)のビームを記録
表面上5mWのパワーでビーム径2μmに集光して、パ
ルス中1μ式で照射したところ、直径7μmの円形のビ
ットが記録された。
実施例6
実施例1の感剤液に対し、ニトロセルロース2重量部を
添加した以外は実施例1と同様に行なって同一レーザー
で同一時間照射したところ、直径10μmの円形ビット
が記録され、高感度化が確認できた。
添加した以外は実施例1と同様に行なって同一レーザー
で同一時間照射したところ、直径10μmの円形ビット
が記録され、高感度化が確認できた。
実施例4
感剤液
を厚み50μmのポリエステルフィルムに実施例1と同
様に塗布、乾燥し、厚さ2.5μmの感剤層を得た。作
製した感剤層に、IWAr1/ f −を用い48Bn
mの波長の光をガイドライン状に10μのストライプを
描画した後ジメチルアミノボラザン4%を水・エタノー
ル50%液に溶解した還元液に5秒間浸漬した後、銅め
っき液(央野製薬製OPOカッパーA1 60wt1/
L、 OP Oカッパー&2 25me/!、OPcカ
ッハ&3 250m1/I)に50°Cで15分間浸漬
して10μのストライブ状に銅の光沢めっきを得た。
様に塗布、乾燥し、厚さ2.5μmの感剤層を得た。作
製した感剤層に、IWAr1/ f −を用い48Bn
mの波長の光をガイドライン状に10μのストライプを
描画した後ジメチルアミノボラザン4%を水・エタノー
ル50%液に溶解した還元液に5秒間浸漬した後、銅め
っき液(央野製薬製OPOカッパーA1 60wt1/
L、 OP Oカッパー&2 25me/!、OPcカ
ッハ&3 250m1/I)に50°Cで15分間浸漬
して10μのストライブ状に銅の光沢めっきを得た。
この全反射率は約35%であり(波長
11開昭GO−7878!(9)
6360X)、He−Neレーザーで2μスポツトに絞
り、記録面上6mWのパワーでパルス゛2μ式で照射し
たところ、直径5μの円形のビットが成形された。
り、記録面上6mWのパワーでパルス゛2μ式で照射し
たところ、直径5μの円形のビットが成形された。
実施例5
実施例4で作製した銅めっき品を、錫置換めっき液(奥
野製薬製、ティプレイ)4MHメイクアップA250d
/ノ、蒸留水750rJ/ノ、ティプレイ)4MHコン
ポーネントB 80 ftノ)に55”C20秒間浸漬
し錫のめつき層を得た。この全反射率は78ooJ、で
55%であった。この記録材に半導体レーザー(波長7
900X)のビームを記録面上4mWのパワーでビーム
径2μmに集光してパルス巾0.5μ式で照射したとこ
ろ直径4μmの円形のビットが記録された。
野製薬製、ティプレイ)4MHメイクアップA250d
/ノ、蒸留水750rJ/ノ、ティプレイ)4MHコン
ポーネントB 80 ftノ)に55”C20秒間浸漬
し錫のめつき層を得た。この全反射率は78ooJ、で
55%であった。この記録材に半導体レーザー(波長7
900X)のビームを記録面上4mWのパワーでビーム
径2μmに集光してパルス巾0.5μ式で照射したとこ
ろ直径4μmの円形のビットが記録された。
実施例6
PdO122ftを、HC!1.20 mlとともに水
i oo。
i oo。
ml中に溶解し、得られたPdO12液の20f!−を
用いて下記組成の感材(画像形成層形成用塗布液)を調
製した。
用いて下記組成の感材(画像形成層形成用塗布液)を調
製した。
上記感材を30°C〜40゛Cに温度調整し、あらかじ
めプラズマ処理を行なったポリエステルフィルム(東し
・ルミラー8拳100す)に塗布し乾燥して5μの塗膜
を得た。
めプラズマ処理を行なったポリエステルフィルム(東し
・ルミラー8拳100す)に塗布し乾燥して5μの塗膜
を得た。
上記で得られた感材フィルム(画像形成材料)に超高圧
水銀灯2 KWプリンター(光源からの距離100cr
n)を用い2分間ネガフィルムな密着露光した。次いで
30”Cの下記還元浴に1分間浸漬して還元処理した。
水銀灯2 KWプリンター(光源からの距離100cr
n)を用い2分間ネガフィルムな密着露光した。次いで
30”Cの下記還元浴に1分間浸漬して還元処理した。
次いで、下記組成の90°Cの物理現像液で処理して金
属を析出せしめ、光沢ある画像な形成した。
属を析出せしめ、光沢ある画像な形成した。
この記録媒体の波長6330Xにおける全反射率は40
%であった。次にHe−Neレーザー(波長6330X
)を記録表面上3mWのパワーでビーム径2μmに集光
してパルス幅05μ式で照射したところ、直径4μmの
円形のビットが記録された。
%であった。次にHe−Neレーザー(波長6330X
)を記録表面上3mWのパワーでビーム径2μmに集光
してパルス幅05μ式で照射したところ、直径4μmの
円形のビットが記録された。
実施例7
実施例乙の感材フィルムを、超高圧水銀灯2裔プリンタ
ー(光源からの距離i o ocm)を用い、ネガフィ
ルムを介して2分間露光した。次いで、塩酸ヒドラジン
(N2H2・Hoe、) を1、0 mo17ノ の割
合で含む還元浴に40°Cで1分間浸漬した。
ー(光源からの距離i o ocm)を用い、ネガフィ
ルムを介して2分間露光した。次いで、塩酸ヒドラジン
(N2H2・Hoe、) を1、0 mo17ノ の割
合で含む還元浴に40°Cで1分間浸漬した。
その感材フィルムを水洗乾燥し、超高圧水銀灯2 KW
プリンター(光源からの距1Ii1100crn)を用
い2分間露光した。次いで下記に示す無電′解メッキ液
で8分1訃処理をして金属光沢のある画像を得た。
プリンター(光源からの距1Ii1100crn)を用
い2分間露光した。次いで下記に示す無電′解メッキ液
で8分1訃処理をして金属光沢のある画像を得た。
得られたIn!I像は2Jl巾のラインで80鴎×15
111111の情報記録区域を限定し、さらに内部を長
手方向に20分割する管理表示を持つものであって情報
記録部の波長7800Hにおける全反射率は45%であ
った。次にレーザーダイオード(波長7900X)のビ
ームを記録表面上5mWのパワーでビーム径2ハに集光
シテハルス[1〕1μ式で照射したところ、直径5μm
の円形のビットが記録された。
111111の情報記録区域を限定し、さらに内部を長
手方向に20分割する管理表示を持つものであって情報
記録部の波長7800Hにおける全反射率は45%であ
った。次にレーザーダイオード(波長7900X)のビ
ームを記録表面上5mWのパワーでビーム径2ハに集光
シテハルス[1〕1μ式で照射したところ、直径5μm
の円形のビットが記録された。
実施例8
実施乙の感剤液に対し、ニトロセルロース(旭化成L8
%)0.5f/13を添加した以外は実施例6と同様に
処理したところ同一レーザーで同一時間照射したところ
、直径6μmの円形ビットが記録され、高感度化が確認
できた。
%)0.5f/13を添加した以外は実施例6と同様に
処理したところ同一レーザーで同一時間照射したところ
、直径6μmの円形ビットが記録され、高感度化が確認
できた。
実施例9
下記組成
の感剤を厚み50μmのポリエステルフィルムに実施例
5と同様に塗布、乾燥し厚さ2.5μmの感剤層を得た
。作製した感剤層にIWArレーザーを用い405nm
の波長の光をガイドライン状に10μのストライブを描
画した後ジメチルアミノボラザン4%水浴液(還元液)
に5秒間浸漬した後胴めつき液(奥野製d5製、opc
カッパー/161 60al/ A= OP Cカッパ
/I(x 2 25 rnli/ A、opcカッパー
j125゜WLll/i )(:5 o”cテi 5分
間浸漬して10μのストライプ状に銅の光沢めっきを得
た。
5と同様に塗布、乾燥し厚さ2.5μmの感剤層を得た
。作製した感剤層にIWArレーザーを用い405nm
の波長の光をガイドライン状に10μのストライブを描
画した後ジメチルアミノボラザン4%水浴液(還元液)
に5秒間浸漬した後胴めつき液(奥野製d5製、opc
カッパー/161 60al/ A= OP Cカッパ
/I(x 2 25 rnli/ A、opcカッパー
j125゜WLll/i )(:5 o”cテi 5分
間浸漬して10μのストライプ状に銅の光沢めっきを得
た。
この全反射率は約60%であり(波長6330 ′A)
He−Heレーザーで2μスポツトに絞り、t12録面
上4mWのパワーでパルス2μ式で照射したところ、直
径5μmの円形のビットが成形された。
He−Heレーザーで2μスポツトに絞り、t12録面
上4mWのパワーでパルス2μ式で照射したところ、直
径5μmの円形のビットが成形された。
実施例10
実施例4で作製した銅めっき品を、錫置換めっき液(奥
野製薬製、ティプレイド4 M HメイクアップA 2
50d/)、蒸留水750m1!/Lティプレイド4M
Hコンポーイ・ントB 80g−/I))に55°Cl
2O秒間浸漬し錫のめっき層を得た。この全反射率は7
800Aで、45%であった。この記録材に半導体レー
ザー(波長79ooX)のビームを記録面上4mWのパ
ワーでビーム径2μmに集光してパルス巾0.5μ弐で
照射したところ直径4μmの円形のビットが記録された
。
野製薬製、ティプレイド4 M HメイクアップA 2
50d/)、蒸留水750m1!/Lティプレイド4M
Hコンポーイ・ントB 80g−/I))に55°Cl
2O秒間浸漬し錫のめっき層を得た。この全反射率は7
800Aで、45%であった。この記録材に半導体レー
ザー(波長79ooX)のビームを記録面上4mWのパ
ワーでビーム径2μmに集光してパルス巾0.5μ弐で
照射したところ直径4μmの円形のビットが記録された
。
第1図〜第3図は本発明の光記録材料の製造工程を示す
いずれも断面図であり、第4図〜第6図は本発明の光記
録材料をカードに応用した例を示し、第4図は平面図、
第5図は断面図、第6図は記録後の状態を示す平面図で
ある。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・感材2・・・
・・・・・・・・・・・・・・・基材6・・・・・・・
・・・・・・・・・・透明合成樹脂層(感剤層)6A・
・・・・・・・・・・・・・・露光部3B・・・・・・
・・・・・・・・・金属光沢面3C・・・・・・・・・
・・・・・金属微粒子分散層4・・・・・・・・・・・
・・・・・・・透過原稿5・・・・・・・・・・・・・
・・・・・カード6・・・・・・・・・・・・・・・・
・・カード基材7・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光画像記録層8・・・・・・・・・・・・・・・・保
護層9・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気記録
層10・・・・・・・・・・・・・画像 11・・・・・・・・・・・・・・・ビット(光画像部
)才1図 才2図 才8図 牙 4 図 牙δ図 牙6図
いずれも断面図であり、第4図〜第6図は本発明の光記
録材料をカードに応用した例を示し、第4図は平面図、
第5図は断面図、第6図は記録後の状態を示す平面図で
ある。 1・・・・・・・・・・・・・・・・・・感材2・・・
・・・・・・・・・・・・・・・基材6・・・・・・・
・・・・・・・・・・透明合成樹脂層(感剤層)6A・
・・・・・・・・・・・・・・露光部3B・・・・・・
・・・・・・・・・金属光沢面3C・・・・・・・・・
・・・・・金属微粒子分散層4・・・・・・・・・・・
・・・・・・・透過原稿5・・・・・・・・・・・・・
・・・・・カード6・・・・・・・・・・・・・・・・
・・カード基材7・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光画像記録層8・・・・・・・・・・・・・・・・保
護層9・・・・・・・・・・・・・・・・・・磁気記録
層10・・・・・・・・・・・・・画像 11・・・・・・・・・・・・・・・ビット(光画像部
)才1図 才2図 才8図 牙 4 図 牙δ図 牙6図
Claims (4)
- (1)基材の少くとも一部に光画像記録層を有しており
、前記光画像記録層は表面が金属光沢面であり、下部が
一金属微粒子分散層である透明合成樹脂層からなってい
ることを特徴とする光記録材料。 - (2)金属光沢面を構成する金属はニッケル、コノqル
ト、鉄、クロム、銅、及び錫からなる群より選択されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
光記録材料。 - (3)基材はカード基材である特許請求の範囲第(1)
項又は第2項記載の光記録材料。 - (4)更に表面に透明合成樹脂保護層を有する特許請求
の範囲第(1)項〜第(3)項いずれか記載の光記録材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186358A JPS6078786A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58186358A JPS6078786A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光記録材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6078786A true JPS6078786A (ja) | 1985-05-04 |
| JPH0452236B2 JPH0452236B2 (ja) | 1992-08-21 |
Family
ID=16186967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58186358A Granted JPS6078786A (ja) | 1983-10-05 | 1983-10-05 | 光記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6078786A (ja) |
Citations (12)
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5610491A (en) * | 1979-07-02 | 1981-02-02 | Xerox Corp | Optical recording part |
| JPS5690439A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-22 | Sumitomo Chem Co Ltd | Material for reproducing optical signal records |
| JPS5712425A (en) * | 1980-06-25 | 1982-01-22 | Tdk Corp | Heat mode optical recording medium |
| JPS5724291A (en) * | 1980-07-21 | 1982-02-08 | Tdk Corp | Heat mode photorecording medium |
| JPS57212640A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS5836491A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-03-03 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS5837853A (ja) * | 1981-08-01 | 1983-03-05 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5849295A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS59169891A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-25 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
| JPS59223963A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-15 | Canon Inc | 記録媒体 |
| JPS6032147A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号紀録ディスク |
-
1983
- 1983-10-05 JP JP58186358A patent/JPS6078786A/ja active Granted
Patent Citations (12)
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| JPS5849295A (ja) * | 1981-09-17 | 1983-03-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
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| JPS6032147A (ja) * | 1983-07-29 | 1985-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 信号紀録ディスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0452236B2 (ja) | 1992-08-21 |
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