JPH0133923B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0133923B2 JPH0133923B2 JP59263357A JP26335784A JPH0133923B2 JP H0133923 B2 JPH0133923 B2 JP H0133923B2 JP 59263357 A JP59263357 A JP 59263357A JP 26335784 A JP26335784 A JP 26335784A JP H0133923 B2 JPH0133923 B2 JP H0133923B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- film resistor
- melting point
- high melting
- point metal
- Prior art date
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- Expired
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は薄膜抵抗装置の製造方法に関するも
のである。
のである。
従来の薄膜抵抗装置においては、第５図示のよ
うに、絶縁基板１１上に薄膜抵抗１２をパターン
形成し、コンタクト部分にアルミ配線１３，１４
を形成していた。
うに、絶縁基板１１上に薄膜抵抗１２をパターン
形成し、コンタクト部分にアルミ配線１３，１４
を形成していた。
薄膜抵抗装置において、高抵抗を得るには
Cr・Si系の絶縁材料の場合であれば、シリコンSi
の成分比を変えることによつても達成できるが、
一般的には、薄膜の厚さをさらに薄くする方が容
易である。しかし、膜厚を薄くするにしたがい、
薄膜とアルミニウムAlまたはアルミニウム合金
とのコンタクトは、熱処理による合金化の際に、
薄膜中のSiが配線材のAl中に吸収されることに
より、コンタクト不具合が生じ、抵抗の精度が悪
くなるという問題がある。
Cr・Si系の絶縁材料の場合であれば、シリコンSi
の成分比を変えることによつても達成できるが、
一般的には、薄膜の厚さをさらに薄くする方が容
易である。しかし、膜厚を薄くするにしたがい、
薄膜とアルミニウムAlまたはアルミニウム合金
とのコンタクトは、熱処理による合金化の際に、
薄膜中のSiが配線材のAl中に吸収されることに
より、コンタクト不具合が生じ、抵抗の精度が悪
くなるという問題がある。
この発明は上記従来技術における薄膜抵抗のコ
ンタクト不都合による精度のバラツキをなくすこ
とを目的とするもので、薄膜抵抗体を絶縁膜で被
覆し、コンタクト部分を窓明けした後、そこに高
融点金属を設け、薄膜抵抗体とアルミニウムの配
線材とが直接接触しないようにした薄膜抵抗装置
の製造方法を提供するものである。
ンタクト不都合による精度のバラツキをなくすこ
とを目的とするもので、薄膜抵抗体を絶縁膜で被
覆し、コンタクト部分を窓明けした後、そこに高
融点金属を設け、薄膜抵抗体とアルミニウムの配
線材とが直接接触しないようにした薄膜抵抗装置
の製造方法を提供するものである。
第１図において、絶縁基板１上に薄膜抵抗体２
をパターン形成する。抵抗体２の材料としては、
Cr・Si系の材料などが用いられ、これを絶縁基
板１上にデポジシヨンし、ホトエツチングでパタ
ーニングする。その上にシリコン酸化物SiO2に
より絶縁膜３を全面に被覆形成した後、コンタク
ト部分４，５をホトエツチングで窓明ける（第２
図）。そしてコンタクト部分４，５に高融点金属
膜６，７で被覆する（第３図）。すなわち、シリ
コンと反応しずらいモリブデン、タングステン、
チタン、チタン・タングステン合金などを用いて
デポジシヨンした後コンタクト部分以外をエツチ
ングで除去する。そしてこの高融点金属膜６，７
の上からアルミニウムによる配線８，９を形成す
る（第４図）。
をパターン形成する。抵抗体２の材料としては、
Cr・Si系の材料などが用いられ、これを絶縁基
板１上にデポジシヨンし、ホトエツチングでパタ
ーニングする。その上にシリコン酸化物SiO2に
より絶縁膜３を全面に被覆形成した後、コンタク
ト部分４，５をホトエツチングで窓明ける（第２
図）。そしてコンタクト部分４，５に高融点金属
膜６，７で被覆する（第３図）。すなわち、シリ
コンと反応しずらいモリブデン、タングステン、
チタン、チタン・タングステン合金などを用いて
デポジシヨンした後コンタクト部分以外をエツチ
ングで除去する。そしてこの高融点金属膜６，７
の上からアルミニウムによる配線８，９を形成す
る（第４図）。
上述の構成よりなる本発明の薄膜抵抗装置の製
造方法によれば、薄膜抵抗体と配線材のアルミニ
ウムとがコンタクト部分で接触しないので、そこ
での反応が抑えられ、高精度の薄膜抵抗装置を再
現性よく製造することができる。
造方法によれば、薄膜抵抗体と配線材のアルミニ
ウムとがコンタクト部分で接触しないので、そこ
での反応が抑えられ、高精度の薄膜抵抗装置を再
現性よく製造することができる。
第１〜第４図は本発明の実施例を製造工程を追
つて示す断面図で、第５図は従来例の断面図であ
る。 １……絶縁基板、２……薄膜抵抗体、３……絶
縁膜、４……コンタクト部分、５……コンタクト
部分、６……高融点金属膜、７……高融点金属
膜、８……配線、９……配線。
つて示す断面図で、第５図は従来例の断面図であ
る。 １……絶縁基板、２……薄膜抵抗体、３……絶
縁膜、４……コンタクト部分、５……コンタクト
部分、６……高融点金属膜、７……高融点金属
膜、８……配線、９……配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板に薄膜抵抗体をパターン形成し、そ
の上を絶縁膜で被覆した後コンタクト部分をエツ
チングで窓明けし、上記コンタクト部分を高融点
金属膜で被覆した上に配線形成をおこなうことを
特徴とする薄膜抵抗装置の製造方法。 ２ 上記高融点金属はモリブデン、タングステ
ン、チタンまたはチタン・タングステン合金のい
ずれかである特許請求の範囲第１項の薄膜抵抗装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263357A JPS61140104A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59263357A JPS61140104A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61140104A JPS61140104A (ja) | 1986-06-27 |
| JPH0133923B2 true JPH0133923B2 (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=17388357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59263357A Granted JPS61140104A (ja) | 1984-12-13 | 1984-12-13 | 薄膜抵抗装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61140104A (ja) |
-
1984
- 1984-12-13 JP JP59263357A patent/JPS61140104A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61140104A (ja) | 1986-06-27 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |