JPH0134509B2 - - Google Patents
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- JPH0134509B2 JPH0134509B2 JP57232814A JP23281482A JPH0134509B2 JP H0134509 B2 JPH0134509 B2 JP H0134509B2 JP 57232814 A JP57232814 A JP 57232814A JP 23281482 A JP23281482 A JP 23281482A JP H0134509 B2 JPH0134509 B2 JP H0134509B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- forming
- electrode
- insulating film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は固体撮像装置に係り、特に電荷転送
素子と光電変換膜を組合せて構成される固体撮像
装置の製造方法に関する。
素子と光電変換膜を組合せて構成される固体撮像
装置の製造方法に関する。
固体撮像素子は従来の撮像管と比べて小型、軽
量、高信頼性のカメラとなり、残像の殆ない良質
の画像を得ることができるという利点を有する。
量、高信頼性のカメラとなり、残像の殆ない良質
の画像を得ることができるという利点を有する。
しかしながら、固体撮像素子は主としてSiウエ
ハ上に形成され、使用可能な感度波長領域が可視
近辺に限定される欠点、また光電変換を行うPn
ホトダイオードの有効感光部と信号電荷転送を行
う無効感光部があり十分な感度が得られず、モア
レ等の偽信号が出やすいといつた撮像管にはない
欠点が存在する。このような欠点を除く固体撮像
素子として、従来の固体撮像素子をそのまま走査
部として使用し、その上に設けた光導電体膜にて
光電変換を行う構造のものが提案されている。第
１図はこのような光導電体膜と電荷転送素子を組
合せたインタライン転送形固体撮像素子の一画素
部分の断面図である。Ｐ型Si基板１０を用い、n+
層１１1とその上に絶縁膜を介して配設したポリ
Siからなる転送ゲート電極１２1，１２2により埋
込みチヤネル型の垂直読出しCCDを構成し、又、
n+層１１2により信号電荷を蓄積する蓄積ダイオ
ードを構成している。このようにCCDと蓄積ダ
イオードが形成された基板の蓄積ダイオード部分
には熱酸化膜を含む第一酸化膜１３にエツチング
を行い、n+層１１2を露出させてAlなどの第一電
極１４を所定形状に形成する。この後更に第二酸
化膜１５を積層してこれにエツチングを行い、第
一電極１４の一部を露出させてAlなどの第二電
極１６を形成する。この上部にアモルフアスSi
（ａ―Si）などの光導電体膜１７をスパツタやグ
ロー放電分解法により形成し、更に透明電極膜１
８を形成して、走査部と光電変換部を有する固体
撮像素子を得る。
ハ上に形成され、使用可能な感度波長領域が可視
近辺に限定される欠点、また光電変換を行うPn
ホトダイオードの有効感光部と信号電荷転送を行
う無効感光部があり十分な感度が得られず、モア
レ等の偽信号が出やすいといつた撮像管にはない
欠点が存在する。このような欠点を除く固体撮像
素子として、従来の固体撮像素子をそのまま走査
部として使用し、その上に設けた光導電体膜にて
光電変換を行う構造のものが提案されている。第
１図はこのような光導電体膜と電荷転送素子を組
合せたインタライン転送形固体撮像素子の一画素
部分の断面図である。Ｐ型Si基板１０を用い、n+
層１１1とその上に絶縁膜を介して配設したポリ
Siからなる転送ゲート電極１２1，１２2により埋
込みチヤネル型の垂直読出しCCDを構成し、又、
n+層１１2により信号電荷を蓄積する蓄積ダイオ
ードを構成している。このようにCCDと蓄積ダ
イオードが形成された基板の蓄積ダイオード部分
には熱酸化膜を含む第一酸化膜１３にエツチング
を行い、n+層１１2を露出させてAlなどの第一電
極１４を所定形状に形成する。この後更に第二酸
化膜１５を積層してこれにエツチングを行い、第
一電極１４の一部を露出させてAlなどの第二電
極１６を形成する。この上部にアモルフアスSi
（ａ―Si）などの光導電体膜１７をスパツタやグ
ロー放電分解法により形成し、更に透明電極膜１
８を形成して、走査部と光電変換部を有する固体
撮像素子を得る。
なお、第一、第二の電極１４，１６をそれぞれ
ポリSi、モリブデンとして同様の構造としたもの
が特開昭57―32183号公報に記載されている。
ポリSi、モリブデンとして同様の構造としたもの
が特開昭57―32183号公報に記載されている。
このような固体撮像素子においては、従来なら
ば蓄積ダイオードの部分のみが一画素として有効
に働いたのに対して、第二電極１６の部分が一画
素として有効な光電変換を行うので感度が増加す
る利点が生ずる。この場合、本来第一電極１４上
に光導電体膜１７を形成してもよいのであるが、
これでは基板表面の凹凸による段差が２〜4μｍ
程度あつてエツチング部に急峻な段差が形成され
ているため、光導電体膜が段差で不連続になり、
画像の欠陥を生じたり、極端な場合は感度が得ら
れず出画不良となつてしまう。これを防ぐため、
図示のように第二酸化膜１５と第二電極１６を用
いて段差を解消しつゝ、なるべく平滑な面に光導
電体膜１７を形成することが行われている。しか
しこの構成であつても、基板表面の段差は完全に
は解消されず画像欠陥が出やすい。また製造工程
も複雑であり、パターンのずれによる不良を生ず
る危険が大きい。
ば蓄積ダイオードの部分のみが一画素として有効
に働いたのに対して、第二電極１６の部分が一画
素として有効な光電変換を行うので感度が増加す
る利点が生ずる。この場合、本来第一電極１４上
に光導電体膜１７を形成してもよいのであるが、
これでは基板表面の凹凸による段差が２〜4μｍ
程度あつてエツチング部に急峻な段差が形成され
ているため、光導電体膜が段差で不連続になり、
画像の欠陥を生じたり、極端な場合は感度が得ら
れず出画不良となつてしまう。これを防ぐため、
図示のように第二酸化膜１５と第二電極１６を用
いて段差を解消しつゝ、なるべく平滑な面に光導
電体膜１７を形成することが行われている。しか
しこの構成であつても、基板表面の段差は完全に
は解消されず画像欠陥が出やすい。また製造工程
も複雑であり、パターンのずれによる不良を生ず
る危険が大きい。
本発明は上記の点に鑑みなされたもので、固体
走査部と光電変換部を接続する新しい電極構成を
導入し、光電変換部の欠陥を減少した固体撮像装
置の製造方法を提供することを目的とする。
走査部と光電変換部を接続する新しい電極構成を
導入し、光電変換部の欠陥を減少した固体撮像装
置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、蓄積ダイオードと走査部を集積形成
した半導体基板上に絶縁膜を介して光電変換膜を
積層して構成される固体撮像装置を製造するに当
たつて、蓄積ダイオードと走査部が形成された基
板上に絶縁膜を堆積し、その表面にレジスト膜を
塗布して表面を平坦化した後、レジスト膜と絶縁
膜に対してエツチング速度が等しくなる条件に設
定されたドライエツチングにより全面エツチング
を行なつて絶縁膜表面を平坦化する。そして平坦
化した絶縁膜の各蓄積ダイオード上にコンタクト
孔を開け、このコンタクト孔に下部電極の一部と
なる垂直電極部を埋込み形成すると共に、各垂直
電極部と接続されて下部電極の残部となる平面電
極部を形成し、その後この上に光電変換膜を形成
し、更に上部電極となる透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする。
した半導体基板上に絶縁膜を介して光電変換膜を
積層して構成される固体撮像装置を製造するに当
たつて、蓄積ダイオードと走査部が形成された基
板上に絶縁膜を堆積し、その表面にレジスト膜を
塗布して表面を平坦化した後、レジスト膜と絶縁
膜に対してエツチング速度が等しくなる条件に設
定されたドライエツチングにより全面エツチング
を行なつて絶縁膜表面を平坦化する。そして平坦
化した絶縁膜の各蓄積ダイオード上にコンタクト
孔を開け、このコンタクト孔に下部電極の一部と
なる垂直電極部を埋込み形成すると共に、各垂直
電極部と接続されて下部電極の残部となる平面電
極部を形成し、その後この上に光電変換膜を形成
し、更に上部電極となる透明導電膜を形成するこ
とを特徴とする。
本発明によれば、光電変換膜を設ける面を平坦
化して画像欠陥の発生を効果的に防止することが
できる。また電極構造、製造工程とも従来より簡
単になり、従つて歩留り向上も図られる。
化して画像欠陥の発生を効果的に防止することが
できる。また電極構造、製造工程とも従来より簡
単になり、従つて歩留り向上も図られる。
第２図は本発明の一実施例のインタライン転送
形固体撮像素子の一画素部分を示す断面図であ
る。Ｐ型Si基板２０を用い、これにn+層２１1を
形成し、その上にゲート酸化膜を介してポリSiか
らなる転送ゲート電極２２1，２２2を形成して埋
込みチヤネル型の垂直読出しCCDを構成し、こ
れに隣接してn+層２１2により蓄積ダイオードを
構成している点は従来と同じである。これら
CCDと蓄積ダイオードが形成された基板表面の
酸化膜２３は表面が平坦化されている。この酸化
２３のn+層２１2上にコンタクト穴があけられ、
ここに金属などの電機材料を表面が平坦になるよ
うに充填して垂直電極部２４1を形成し、更にこ
の垂直電極部２４1に接して酸化膜２３上に平面
電極部２４2を形成して、各画素に対応する下部
電極２４を構成している。そしてこの上に、光導
電体膜２５を積層し上部電極として全面に透明導
電膜２６を形成している。
形固体撮像素子の一画素部分を示す断面図であ
る。Ｐ型Si基板２０を用い、これにn+層２１1を
形成し、その上にゲート酸化膜を介してポリSiか
らなる転送ゲート電極２２1，２２2を形成して埋
込みチヤネル型の垂直読出しCCDを構成し、こ
れに隣接してn+層２１2により蓄積ダイオードを
構成している点は従来と同じである。これら
CCDと蓄積ダイオードが形成された基板表面の
酸化膜２３は表面が平坦化されている。この酸化
２３のn+層２１2上にコンタクト穴があけられ、
ここに金属などの電機材料を表面が平坦になるよ
うに充填して垂直電極部２４1を形成し、更にこ
の垂直電極部２４1に接して酸化膜２３上に平面
電極部２４2を形成して、各画素に対応する下部
電極２４を構成している。そしてこの上に、光導
電体膜２５を積層し上部電極として全面に透明導
電膜２６を形成している。
この構造を得る具体的な製造工程例を第３図を
参照して説明する。なお、第２図と対応する部分
には第２図と同一符号を付してある。第３図ａは
従来と同様の工程で形成される。例えば、Ｐ型Si
電極２０にまずn+層２１1，２１2を拡散形成し、
この上にゲート酸化膜を介してポリシリコンから
なる転送ゲート電極２２1，２２2を形成する。こ
の表面全体は熱酸化膜を含む第一酸化膜２３1で
おおわれるが、凹凸がある。そこで次に、同図ｂ
に示すようにCVD法などにより第二酸化膜２３2
を厚く堆積し、更にレジスト膜２７を塗布して表
面を略平坦化する。そして、レジスト膜２７と第
二酸化膜２３2に対してエツチング速度が等しく
なる条件の反応性イオンエツチング（RIE）法に
より全面エツチングを行つて同図ｃの構造を得
る。こうして酸化膜２３の表面を平坦化した後、
同図ｄに示すように、レジスト膜２８をマスクと
してRIE法により蓄積ダイオードのn+層２１2上
にコンタクト穴をあけ、全面に金属膜２９を薄く
被着する。この金属膜２９は、コンタクト穴に電
気メツキにより電極を充填するために設けるもの
で、Ni、Cu、Pb、Al、Zn、Ti、Mo等から選ば
れる。そしてレジスト膜２８を除去することでコ
ンタクト穴の内にのみ金属膜２９を残し、同図ｅ
に示すように電気メツキ法によつてこのコンタク
ト穴に垂直電極部２４1を充填し、更にAl等の金
属膜の蒸着、パターニングにより、平面電極部２
４2を形成して、下部電極２４を作る。
参照して説明する。なお、第２図と対応する部分
には第２図と同一符号を付してある。第３図ａは
従来と同様の工程で形成される。例えば、Ｐ型Si
電極２０にまずn+層２１1，２１2を拡散形成し、
この上にゲート酸化膜を介してポリシリコンから
なる転送ゲート電極２２1，２２2を形成する。こ
の表面全体は熱酸化膜を含む第一酸化膜２３1で
おおわれるが、凹凸がある。そこで次に、同図ｂ
に示すようにCVD法などにより第二酸化膜２３2
を厚く堆積し、更にレジスト膜２７を塗布して表
面を略平坦化する。そして、レジスト膜２７と第
二酸化膜２３2に対してエツチング速度が等しく
なる条件の反応性イオンエツチング（RIE）法に
より全面エツチングを行つて同図ｃの構造を得
る。こうして酸化膜２３の表面を平坦化した後、
同図ｄに示すように、レジスト膜２８をマスクと
してRIE法により蓄積ダイオードのn+層２１2上
にコンタクト穴をあけ、全面に金属膜２９を薄く
被着する。この金属膜２９は、コンタクト穴に電
気メツキにより電極を充填するために設けるもの
で、Ni、Cu、Pb、Al、Zn、Ti、Mo等から選ば
れる。そしてレジスト膜２８を除去することでコ
ンタクト穴の内にのみ金属膜２９を残し、同図ｅ
に示すように電気メツキ法によつてこのコンタク
ト穴に垂直電極部２４1を充填し、更にAl等の金
属膜の蒸着、パターニングにより、平面電極部２
４2を形成して、下部電極２４を作る。
なお電気メツキは例えばニツケルメツキであ
り、次のように行う。まず、付着性を良くするた
めにダブルジンケート法による表面処理を行う。
次に通称ワツト浴と呼ばれるメツキ液で電気メツ
キを行うが、このとき微細な多くのコンタクト穴
に一様にメツキを行うために、ワツト浴の濃度を
通常の1/2に希釈し、またメツキ液を撹拌フアン
により十分に撹拌する。これらのメツキ条件は実
験的に求められたもので、これにより微細なコン
タクト穴に一様にニツケルを埋込むことができ
た。
り、次のように行う。まず、付着性を良くするた
めにダブルジンケート法による表面処理を行う。
次に通称ワツト浴と呼ばれるメツキ液で電気メツ
キを行うが、このとき微細な多くのコンタクト穴
に一様にメツキを行うために、ワツト浴の濃度を
通常の1/2に希釈し、またメツキ液を撹拌フアン
により十分に撹拌する。これらのメツキ条件は実
験的に求められたもので、これにより微細なコン
タクト穴に一様にニツケルを埋込むことができ
た。
このようにして下部電極２４を形成した後、第
３図ｆに示すように、ａ―Siなどからなる光導電
体膜２５を全面に形成し、更に上部電極として透
明導電膜２６を全面に形成して完成する。
３図ｆに示すように、ａ―Siなどからなる光導電
体膜２５を全面に形成し、更に上部電極として透
明導電膜２６を全面に形成して完成する。
この実施例によれば、従来の第１図の固体撮像
素子におけるように二重の電極をはりめぐらすこ
となく、簡単な構成で蓄積ダイオードと光導電体
膜を直接結合する下部電極が形成できる。また工
程の短縮化により歩留り向上も期待でき、更に平
坦化面に平面電極部が形成されるため表面の凹凸
段差は平面電極部の厚みだけとなり、上部の光導
電体膜に対しても十分な平滑面を提供できる。従
来構造では段差を少なくするため、例えば光導電
体膜を必要以上に厚くして光導電体膜自身にも段
差解消の役割をもたせていた。このため光導電体
膜厚は例えば4μｍにもなり、電界が十分に膜中
に印加されず、また光入射が透明導電膜側から行
われるため信号電荷が膜中を十分走行できずに消
滅する等の理由により、光電感度を損うことが多
い。これに対し本実施例では光導電体膜は2μｍ
又はこれ以下でもよく、大きな光電感度が得られ
る。
素子におけるように二重の電極をはりめぐらすこ
となく、簡単な構成で蓄積ダイオードと光導電体
膜を直接結合する下部電極が形成できる。また工
程の短縮化により歩留り向上も期待でき、更に平
坦化面に平面電極部が形成されるため表面の凹凸
段差は平面電極部の厚みだけとなり、上部の光導
電体膜に対しても十分な平滑面を提供できる。従
来構造では段差を少なくするため、例えば光導電
体膜を必要以上に厚くして光導電体膜自身にも段
差解消の役割をもたせていた。このため光導電体
膜厚は例えば4μｍにもなり、電界が十分に膜中
に印加されず、また光入射が透明導電膜側から行
われるため信号電荷が膜中を十分走行できずに消
滅する等の理由により、光電感度を損うことが多
い。これに対し本実施例では光導電体膜は2μｍ
又はこれ以下でもよく、大きな光電感度が得られ
る。
そして本実施例によれば、上述のように段差が
少ないため、白キズや素地ムラなどと呼ばれるノ
イズが少なくなり、高画質の出画が可能となる。
少ないため、白キズや素地ムラなどと呼ばれるノ
イズが少なくなり、高画質の出画が可能となる。
更に蓄積ダイオードへの垂直電極部の形成工程
は素子チツプ中の他のコンタクトホールの形成工
程、電極配線工程と同時にでき、この点でも工程
の短縮が図られる。
は素子チツプ中の他のコンタクトホールの形成工
程、電極配線工程と同時にでき、この点でも工程
の短縮が図られる。
次に上記実施例と同様の構造を得る別の製造工
程側を第４図ａ〜ｈを用いて説明する。第２図、
第３図と対応する部分にはやはり同一符号を付し
てある。第４図ａ〜ｃの工程は第３図ａ〜ｃと同
じである。本実施例では平坦化した酸化膜２３の
表面に、第４図ｄに示すようにまず平面電極部２
４2を先に形成する。この後同図ｅに示すように
レジスト膜３０をマスクとしてRIE法によりn+層
２１2上にコンタクト穴を形成する。そして次に
同図ｆに示すように金属膜を十分厚く被着してコ
ンタクト穴を充填する垂直電極部２４1を形成す
る。この後、レジスト膜３０をはくりして同図ｇ
に示すように不要な金属膜をリフトオフし、この
上に同図ｈに示すように光導電体膜２５、次いで
透明導電膜２６を形成して完成する。
程側を第４図ａ〜ｈを用いて説明する。第２図、
第３図と対応する部分にはやはり同一符号を付し
てある。第４図ａ〜ｃの工程は第３図ａ〜ｃと同
じである。本実施例では平坦化した酸化膜２３の
表面に、第４図ｄに示すようにまず平面電極部２
４2を先に形成する。この後同図ｅに示すように
レジスト膜３０をマスクとしてRIE法によりn+層
２１2上にコンタクト穴を形成する。そして次に
同図ｆに示すように金属膜を十分厚く被着してコ
ンタクト穴を充填する垂直電極部２４1を形成す
る。この後、レジスト膜３０をはくりして同図ｇ
に示すように不要な金属膜をリフトオフし、この
上に同図ｈに示すように光導電体膜２５、次いで
透明導電膜２６を形成して完成する。
本実施例によつても、先の実施例と同様の効果
が得られることは明らかである。
が得られることは明らかである。
以上の各実施例では、表面平滑化のため第一酸
化膜上に第二酸化膜を重ねたが、第一酸化膜を十
分厚くしてこれだけ平坦化を行つてもよい。また
垂直電極部の形成方法は、上記各実施例に限ら
ず、無電解メツキ法やイオンプレーテイング法を
用いることができ、またコンタクト穴が大きい場
合にはハンダやCVDによる充填を行つてもよい。
化膜上に第二酸化膜を重ねたが、第一酸化膜を十
分厚くしてこれだけ平坦化を行つてもよい。また
垂直電極部の形成方法は、上記各実施例に限ら
ず、無電解メツキ法やイオンプレーテイング法を
用いることができ、またコンタクト穴が大きい場
合にはハンダやCVDによる充填を行つてもよい。
また表面平坦化の方法として、例えばPSG膜
を堆積してN2ガス中、1100℃程で熱処理して
PSG膜をメルトさせる方法を用いることも可能
である。
を堆積してN2ガス中、1100℃程で熱処理して
PSG膜をメルトさせる方法を用いることも可能
である。
更に以上の実施例では、信号電荷走査部として
埋込みチヤネル型垂直読出しCCDをもつインタ
ライン転送形CCDを前提としたが、MOS形や
CPD形の走査部をもつものにも本発明を適用で
きる。また絶縁膜としてSiO2等の酸化膜を用い
た例を説明したが、Si3N4膜やこれらの複合膜を
用いることもできる。光導体膜としてもａ―Siの
他、Sb2S3、Se―As―Te、CdSe、CdZnTeなど
を用い得ることは明らかであり、また光導電膜で
なく、当起電力を生ずる膜を用いてもよい。更に
下部電極材料としては、NiやAlの他、Au、Ag、
Pt、Al―Si、In、Snなどの金属あるいはポリSi
などを適宜組合せて用いることができることは明
らかである。
埋込みチヤネル型垂直読出しCCDをもつインタ
ライン転送形CCDを前提としたが、MOS形や
CPD形の走査部をもつものにも本発明を適用で
きる。また絶縁膜としてSiO2等の酸化膜を用い
た例を説明したが、Si3N4膜やこれらの複合膜を
用いることもできる。光導体膜としてもａ―Siの
他、Sb2S3、Se―As―Te、CdSe、CdZnTeなど
を用い得ることは明らかであり、また光導電膜で
なく、当起電力を生ずる膜を用いてもよい。更に
下部電極材料としては、NiやAlの他、Au、Ag、
Pt、Al―Si、In、Snなどの金属あるいはポリSi
などを適宜組合せて用いることができることは明
らかである。
第１図は従来の固体撮像素子の一画素部分を示
す断面図、第２図は本発明の一実施例の固体撮像
素子の一画素部分を示す断面図、第３図ａ〜ｆは
その製造工程例を示す図、第４図ａ〜ｈは他の製
造工程例を示す図である。 ２０…Ｐ型Si基板、２１1…n+層（埋込みチヤ
ネル部）、２１2…n+層（蓄積ダイオード部）、２
２1，２２2…転送ゲート電極、２３，２３1，２
３2…酸化膜、２４1…垂直電極部、２４2…平面
電極部、２４…下部電極、２５…光導電体膜、２
６…透明導電膜。
す断面図、第２図は本発明の一実施例の固体撮像
素子の一画素部分を示す断面図、第３図ａ〜ｆは
その製造工程例を示す図、第４図ａ〜ｈは他の製
造工程例を示す図である。 ２０…Ｐ型Si基板、２１1…n+層（埋込みチヤ
ネル部）、２１2…n+層（蓄積ダイオード部）、２
２1，２２2…転送ゲート電極、２３，２３1，２
３2…酸化膜、２４1…垂直電極部、２４2…平面
電極部、２４…下部電極、２５…光導電体膜、２
６…透明導電膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板に複数の信号電荷蓄積ダイオード
とその信号電荷を読み出す走査部とを形成する工
程と、 前記蓄積ダイオードと走査部が形成された基板
上に絶縁膜を堆積する工程と、 前記絶縁膜上にレジスト膜を塗布して表面を平
坦化した後、レジスト膜と絶縁膜に対してエツチ
ング速度が等しくなる条件に設定されたドライエ
ツチングにより全面エツチングを行なつて絶縁膜
表面を平坦化する工程と、 前記絶縁膜の前記各蓄積ダイオード上にコンタ
クト孔を開け、このコンタクト孔に下部電極の一
部となる垂直電極部を埋込み形成する工程と、 前記絶縁膜上に前記各垂直電極部と接続されて
下部電極の残部となる平面電極部を形成する工程
と、 前記下部電極が形成された基板上全面に光電変
換膜を形成する工程と、 前記光電変換膜上に上部電極となる透明導電膜
を形成する工程と、 を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232814A JPS59119980A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57232814A JPS59119980A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59119980A JPS59119980A (ja) | 1984-07-11 |
| JPH0134509B2 true JPH0134509B2 (ja) | 1989-07-19 |
Family
ID=16945186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57232814A Granted JPS59119980A (ja) | 1982-12-25 | 1982-12-25 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59119980A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH05198787A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-08-06 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2011071481A (ja) | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラ，携帯電話，内視鏡 |
| JP5637751B2 (ja) | 2009-08-28 | 2014-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法 |
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-
1982
- 1982-12-25 JP JP57232814A patent/JPS59119980A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2290723A2 (en) | 2009-08-28 | 2011-03-02 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element and imaging device |
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| US8809847B2 (en) | 2010-03-24 | 2014-08-19 | Fujifilm Corporation | Photoelectric conversion device and imaging device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59119980A (ja) | 1984-07-11 |
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