JPS6045057A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS6045057A JPS6045057A JP58153761A JP15376183A JPS6045057A JP S6045057 A JPS6045057 A JP S6045057A JP 58153761 A JP58153761 A JP 58153761A JP 15376183 A JP15376183 A JP 15376183A JP S6045057 A JPS6045057 A JP S6045057A
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- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/159—Charge-coupled device [CCD] image sensors comprising a photoconductive layer deposited on the CCD structure
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
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- H10F39/80—Constructional details of image sensors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、光電変換部に光導電膜を用いた低暗電流、低
残像特性を右づる固体撮像装置の製造／ｉ法に関する。
残像特性を右づる固体撮像装置の製造／ｉ法に関する。
し発明の技術的背景とその問題貞コ
シリコン単結晶基板上に形成されｋ ＣＣＤを信号電荷
読出し部とし、この基板上に光電変換部どして光導電膜
を重ねた２階建て固体撮像装置は、光入射に対ηる開口
率が大きくできることによる感度の向上、低ブルーミン
グ等数多くの長所がある。しかしながらこの構造は、従
来各々で撮像動イＴができるＣＯＤ固体撮像装置と１ｎ
像管光導電脱ターグツ１〜を一体化させているため特性
上問題がある。
読出し部とし、この基板上に光電変換部どして光導電膜
を重ねた２階建て固体撮像装置は、光入射に対ηる開口
率が大きくできることによる感度の向上、低ブルーミン
グ等数多くの長所がある。しかしながらこの構造は、従
来各々で撮像動イＴができるＣＯＤ固体撮像装置と１ｎ
像管光導電脱ターグツ１〜を一体化させているため特性
上問題がある。
第１図に示す従来の２１１１！！建て固体撮像装置の断
面構造図を用いて問題点を説明覆る。１１は例えば１）
型Ｓｉ基板であり、その表面には信＠電荷胱出しの１こ
めのＣＯＤチャネルである第１の１１十層１２１ど信号
電荷蓄積部の第２の１１＋層１２２、このＦＨｔ’を部
と例えばアルミニラ１．（Ａｆ）で形成された第゛１の
金属電極１７ａとをオーミック接続させるための１１＋
十層１４およびヂャネルストツパとなるｐ土層１３があ
る。そしてＣＯＤチャネル上にはゲート酸化膜を介して
例えば２層多結晶シリコンで形成したＣＯＤ転送電ｔｆ
ｆｉ１５ａ、１５ｂがある。この２層転送電円１５ａ
、 ’ｌ ５１１ ＪＺには第１の絶縁膜１６ａがＩＩ
＾され、これにあ（）られたコンタクトホールを介して
前記１１４＋１Ｍ１／１に接続される第１の全屈電栃’
ｌ ７ ａがＣＣＤテレネル上に延在するように設（ブ
られでいる。そしく更に第２の絶縁膜１６ｂが堆積され
、これにあ（Ｊられたコンタク＋−；＋−，−ルを介し
て第１の金属電極１７ａに接続される第２の金属型ｔＵ
１７．ｂが各画素領域に設けられる。この上に例えばア
モルノＩスＳ１による光導電膜１８と透明導体層Ｃ（１
）るＩＴＯ膜１膜厚９成されている。
面構造図を用いて問題点を説明覆る。１１は例えば１）
型Ｓｉ基板であり、その表面には信＠電荷胱出しの１こ
めのＣＯＤチャネルである第１の１１十層１２１ど信号
電荷蓄積部の第２の１１＋層１２２、このＦＨｔ’を部
と例えばアルミニラ１．（Ａｆ）で形成された第゛１の
金属電極１７ａとをオーミック接続させるための１１＋
十層１４およびヂャネルストツパとなるｐ土層１３があ
る。そしてＣＯＤチャネル上にはゲート酸化膜を介して
例えば２層多結晶シリコンで形成したＣＯＤ転送電ｔｆ
ｆｉ１５ａ、１５ｂがある。この２層転送電円１５ａ
、 ’ｌ ５１１ ＪＺには第１の絶縁膜１６ａがＩＩ
＾され、これにあ（）られたコンタクトホールを介して
前記１１４＋１Ｍ１／１に接続される第１の全屈電栃’
ｌ ７ ａがＣＣＤテレネル上に延在するように設（ブ
られでいる。そしく更に第２の絶縁膜１６ｂが堆積され
、これにあ（Ｊられたコンタク＋−；＋−，−ルを介し
て第１の金属電極１７ａに接続される第２の金属型ｔＵ
１７．ｂが各画素領域に設けられる。この上に例えばア
モルノＩスＳ１による光導電膜１８と透明導体層Ｃ（１
）るＩＴＯ膜１膜厚９成されている。
ここで信号電荷蓄積部の１１十層１２２．１１＋＋層１
４、第１の金属電極ｉ７ａおよび第２の金属電極１７ｂ
は、各画素毎に独立に饅（）られる。即ち、第２の金属
電極１７１）が囮西画素領賊へ・定笠するものとなり、
光導電ｆ１％１８による１倦１φの結甲第２の金属電極
１７Ｉ）に１ｑられるＴ３１Ｑ変化が第１の金属型（モ
１７ａを介して蓄（６部の１１十層１２２に伝達され、
ここに信号７ＨＨとして芥（へされる、図ではヂャネル
ストツバＣあるｐ土層゛１３が見える断面を示している
が、各画素毎にｎ”ｔＦＪ１２２の信号電荷をＣＣＤヂ
１７ネルである１１＋層１２１に転送づる転送部を右す
ることは勿論である。
４、第１の金属電極ｉ７ａおよび第２の金属電極１７ｂ
は、各画素毎に独立に饅（）られる。即ち、第２の金属
電極１７１）が囮西画素領賊へ・定笠するものとなり、
光導電ｆ１％１８による１倦１φの結甲第２の金属電極
１７Ｉ）に１ｑられるＴ３１Ｑ変化が第１の金属型（モ
１７ａを介して蓄（６部の１１十層１２２に伝達され、
ここに信号７ＨＨとして芥（へされる、図ではヂャネル
ストツバＣあるｐ土層゛１３が見える断面を示している
が、各画素毎にｎ”ｔＦＪ１２２の信号電荷をＣＣＤヂ
１７ネルである１１＋層１２１に転送づる転送部を右す
ることは勿論である。
このＪ：うな固体ＲＩ！装置において、光導電膜１８を
形成づる前の基板表面はてきるだ（プ平坦でなりればな
らない。平坦てな（プれは、これによる固体撮像装置の
暗電流や残像が大きくなり、閉曲特性が劣化づる。これ
は基板表面の凹凸部上Ｃ光導電Ｉ１９の膜質が平滑部と
くらべ劣化りるため、叩ら、１（Ｈ電流＼ｂ残ＩＩの原
因となる光生、再結合中心が増えるためである。従って
第２の絶縁ｌ１１１６ｂ表面はできるだ（ノ平坦に、第
２の金ＲＮ極１７１）（Ｊできるだ【）簿り、そして第
２の絶縁膜゛１６ｂに形成覆る］ンタクトボールはで・
きるだ（プ凹凸が少ない状態にする必要がある。しかし
例えは、Ｒ１［により］ンタク１〜ホールを形成する従
来の方法−Ｃは、その…り而が急峻でこの上に形成され
る第２の金ｒＦｈ電極１７ ｂを薄くした場合にその段
切れが大きな問題となる。
形成づる前の基板表面はてきるだ（プ平坦でなりればな
らない。平坦てな（プれは、これによる固体撮像装置の
暗電流や残像が大きくなり、閉曲特性が劣化づる。これ
は基板表面の凹凸部上Ｃ光導電Ｉ１９の膜質が平滑部と
くらべ劣化りるため、叩ら、１（Ｈ電流＼ｂ残ＩＩの原
因となる光生、再結合中心が増えるためである。従って
第２の絶縁ｌ１１１６ｂ表面はできるだ（ノ平坦に、第
２の金ＲＮ極１７１）（Ｊできるだ【）簿り、そして第
２の絶縁膜゛１６ｂに形成覆る］ンタクトボールはで・
きるだ（プ凹凸が少ない状態にする必要がある。しかし
例えは、Ｒ１［により］ンタク１〜ホールを形成する従
来の方法−Ｃは、その…り而が急峻でこの上に形成され
る第２の金ｒＦｈ電極１７ ｂを薄くした場合にその段
切れが大きな問題となる。
［発明の目的］
本発明は上記の問題を解決した、暗電流や残像の少ない
２階建て固体撮像装置の製造方法を１！ｉ！供づること
を目的とする。
２階建て固体撮像装置の製造方法を１！ｉ！供づること
を目的とする。
［発明の概要］
本発明は第１図で説明したにうな固体１ｍ像装冒を製造
するに際し、第゛１の金属型％の一部をこ４］が形成さ
れた基板上で最も高い位置にくるＪ：うに突出させ、そ
の後有機絶縁膜を塗ｆｌｉ シて表面をｊｌｉ坦化し、
この有機絶縁膜を全面１こ玉ツヂングして前記第１の金
Ｒ電極の突出部を露出さける。こねにより、写真食刻工
程を用いず、第２の金Ｆ Ｍ ％を第１の金属電極に接
続覆るだめのコンタクトホールを自動的に形成すること
を１！ｊ ｌｊ’＜とりる、［発明の効果コ 本発明によれば、光電変換部を構成ゴる）１−臀１１膜
が平坦基板上に形成さ１することになり、２階建て固体
撮像装置の暗電流が減少し、また残四１１１１↓が改善
される。
するに際し、第゛１の金属型％の一部をこ４］が形成さ
れた基板上で最も高い位置にくるＪ：うに突出させ、そ
の後有機絶縁膜を塗ｆｌｉ シて表面をｊｌｉ坦化し、
この有機絶縁膜を全面１こ玉ツヂングして前記第１の金
Ｒ電極の突出部を露出さける。こねにより、写真食刻工
程を用いず、第２の金Ｆ Ｍ ％を第１の金属電極に接
続覆るだめのコンタクトホールを自動的に形成すること
を１！ｊ ｌｊ’＜とりる、［発明の効果コ 本発明によれば、光電変換部を構成ゴる）１−臀１１膜
が平坦基板上に形成さ１することになり、２階建て固体
撮像装置の暗電流が減少し、また残四１１１１↓が改善
される。
そして、従来の製造方法とくらｌ＼て写真食刻法でホｉ
−レジストをバターニングする］ニ稈か不要となり、装
置製作が容易で・、第２の金属電極を薄いものとしても
段切れを生じることがなくなる。
−レジストをバターニングする］ニ稈か不要となり、装
置製作が容易で・、第２の金属電極を薄いものとしても
段切れを生じることがなくなる。
［ツを明の実施例コ
第２図（ａ ）〜り［）により本発明の一実施例を説明
する。（ａ）は０型シリコン基板２１のヂャネルストッ
パ領域にｐ”層２２を形成し、選択ｎ１化法により上方
に突出するフィールド酸化膜２３を形成し、ＣＯＤチャ
ネルとなるｎ土層２４１ど、信号電荷蓄積部のｎ土層２
４２および１１＋層２／Ｉ２と金属電極のコンタクト領
域に１１＋十層２５を形成した状態である。この後、グ
ー］・酸化膜を介して２層多結晶シリコンによるＣＯＤ
の転送型ｔ１２６ａ、２６１＋をフィールド酸化膜２３
上に延在りるように形成し、全面をＣＶＤによるシリコ
ン酸化１１！！ （第′１の絶縁膜）２７でおおう（１
））。
する。（ａ）は０型シリコン基板２１のヂャネルストッ
パ領域にｐ”層２２を形成し、選択ｎ１化法により上方
に突出するフィールド酸化膜２３を形成し、ＣＯＤチャ
ネルとなるｎ土層２４１ど、信号電荷蓄積部のｎ土層２
４２および１１＋層２／Ｉ２と金属電極のコンタクト領
域に１１＋十層２５を形成した状態である。この後、グ
ー］・酸化膜を介して２層多結晶シリコンによるＣＯＤ
の転送型ｔ１２６ａ、２６１＋をフィールド酸化膜２３
上に延在りるように形成し、全面をＣＶＤによるシリコ
ン酸化１１！！ （第′１の絶縁膜）２７でおおう（１
））。
イし−Ｃコンタクトホールをあ（Ｊて、例えばΔ−Ｃを
Ｒ着しパターニングしで、ｌ＋＋十層中層とコンタクＩ
〜しＵＣＣＤヂトネル上にまで延在づる第１の金属爪１
ｆｉ ２８ａを形成でる（Ｃ）。図から明らかなように
この第１の金属爪１勇２８Ｒは厚いフィールド酸化膜２
３の部分に突出部△が形成される。
Ｒ着しパターニングしで、ｌ＋＋十層中層とコンタクＩ
〜しＵＣＣＤヂトネル上にまで延在づる第１の金属爪１
ｆｉ ２８ａを形成でる（Ｃ）。図から明らかなように
この第１の金属爪１勇２８Ｒは厚いフィールド酸化膜２
３の部分に突出部△が形成される。
この後、有機絶縁膜であるポリイミドｎす（第２の絶縁
膜）２９を例えばスビンコ−１・法により基板上に塗布
づる（ｄ ）。このポリイミド膜２９を用いることによ
りその表面は非常に平坦化される。
膜）２９を例えばスビンコ−１・法により基板上に塗布
づる（ｄ ）。このポリイミド膜２９を用いることによ
りその表面は非常に平坦化される。
そしてポリイミド表２９を加熱固化させる。次に例えば
酸素プラズマによる反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
によりポリイミド膜２９表面を全面エツチングし、前記
第１の金属電極２８ａの突出部Ａを露出させた状態でこ
の］−ツヂングを停止りる（ｅ）、、こうして、第１の
金Ｆｉ電（１２３ａに１＝１するコンタク１〜ボールは
マスクエ稈を要せず自動釣に、かつ表面が平坦な状態で
形成される。次に従来例と同悌第２の金属爪ｌｌｌＩ２
８１を形成し、全面に光導電膜３０．ＩＴＯ膜３１を積
層して完成でる（「）。
酸素プラズマによる反応性イオンエツチング（ＲＩＥ）
によりポリイミド膜２９表面を全面エツチングし、前記
第１の金属電極２８ａの突出部Ａを露出させた状態でこ
の］−ツヂングを停止りる（ｅ）、、こうして、第１の
金Ｆｉ電（１２３ａに１＝１するコンタク１〜ボールは
マスクエ稈を要せず自動釣に、かつ表面が平坦な状態で
形成される。次に従来例と同悌第２の金属爪ｌｌｌＩ２
８１を形成し、全面に光導電膜３０．ＩＴＯ膜３１を積
層して完成でる（「）。
この実施例によれば、第１の金属爪（Ｊ ２ Ｆ３ ａ
と第２の金属爪ｔ４！ ２８ ｂを写ｒ１食刻法１こよ
るバターニングエ稈なしに自己整合Ｃ電気的に接続ｕし
ぬることができる。この場合、二］ンタク１一部分Ｃあ
る第１の金属電極２８ａの突出部Ａの形状は、第′１の
絶縁膜である醸化膜２７の表面形状を反映する。竹にこ
のｉ’ｌ！ｆ化ｌ９２７の部分を酸化膜とリンガラス（
ＰＳＧ）膜の積層とし、その後例えば１０００℃へ、ｉ
＋ｏｏ’ｃの熱処理を加え、表面のＰ Ｓ Ｇ Ｉ！Ｉ
を溶か１と、前記突出部へはなだらかな凸状になり、従
来のように］ンタク１−ホール部の怨峻な段差がなく、
突出部Δとポリイミド膜２９表面が３１校的になだらか
につながっているので、第２の金属爪ｆ１２８ｂ１）薄
＜でき全体的に表面を平坦にできる！こめこの基板上に
形成される光導電膜３０も一様に１「稍される。このた
め暗電流、残像が改善される。そして、ｉ〜クラップ位
の少ない光導電膜が基板表面上で一様に１ｑられること
により感度の劣化が防止される。
と第２の金属爪ｔ４！ ２８ ｂを写ｒ１食刻法１こよ
るバターニングエ稈なしに自己整合Ｃ電気的に接続ｕし
ぬることができる。この場合、二］ンタク１一部分Ｃあ
る第１の金属電極２８ａの突出部Ａの形状は、第′１の
絶縁膜である醸化膜２７の表面形状を反映する。竹にこ
のｉ’ｌ！ｆ化ｌ９２７の部分を酸化膜とリンガラス（
ＰＳＧ）膜の積層とし、その後例えば１０００℃へ、ｉ
＋ｏｏ’ｃの熱処理を加え、表面のＰ Ｓ Ｇ Ｉ！Ｉ
を溶か１と、前記突出部へはなだらかな凸状になり、従
来のように］ンタク１−ホール部の怨峻な段差がなく、
突出部Δとポリイミド膜２９表面が３１校的になだらか
につながっているので、第２の金属爪ｆ１２８ｂ１）薄
＜でき全体的に表面を平坦にできる！こめこの基板上に
形成される光導電膜３０も一様に１「稍される。このた
め暗電流、残像が改善される。そして、ｉ〜クラップ位
の少ない光導電膜が基板表面上で一様に１ｑられること
により感度の劣化が防止される。
第３図（ａ）、（ｂ）は別の実施例を説明づるためのも
ので、第２図（ａ ）〜（［）と対応づる部分には同一
符号をイ１しである。第２図の実施例では、ポリイミド
ｌ１９Ｉ２９を厚く塗布して平坦化したが、この方法で
はＲＩＦＥを行ったときに、反応容器内壁が非常に汚れ
るという現象が見られる。
ので、第２図（ａ ）〜（［）と対応づる部分には同一
符号をイ１しである。第２図の実施例では、ポリイミド
ｌ１９Ｉ２９を厚く塗布して平坦化したが、この方法で
はＲＩＦＥを行ったときに、反応容器内壁が非常に汚れ
るという現象が見られる。
このことは、素子の特性に直接影響を与えるものではな
いが、容器内壁の清抑が大変であり、また汚れたまま次
のＲＩＥを行った場合には問題となる。
いが、容器内壁の清抑が大変であり、また汚れたまま次
のＲＩＥを行った場合には問題となる。
そこでこの実施例では、第２図（ＣＩ）に示ブ平坦化を
、第３図（ａ）のように、ポリイミド膜２９１は第２の
金属電極２８ａの突出部へがかくれる程度に薄く塗布し
、その表面にホ１〜レジスＩ・躾２９２を塗布するとい
う２段階■稈て打つ−Ｃいる。この後、ＲＩＥにより全
面上ツヂングして先の実施例と同様、第２の金属電極２
８ａの突出部Ａを露出させる（第３図（ｂ））。
、第３図（ａ）のように、ポリイミド膜２９１は第２の
金属電極２８ａの突出部へがかくれる程度に薄く塗布し
、その表面にホ１〜レジスＩ・躾２９２を塗布するとい
う２段階■稈て打つ−Ｃいる。この後、ＲＩＥにより全
面上ツヂングして先の実施例と同様、第２の金属電極２
８ａの突出部Ａを露出させる（第３図（ｂ））。
このようにすれは、ホトレジストのＰＩＥによっては反
応容器内壁が殆ｌυど）りれることかなく効果的である
ことが明らかになった。
応容器内壁が殆ｌυど）りれることかなく効果的である
ことが明らかになった。
第４図は、本発明の更に他の実施例を説明づるものであ
る。第２図と異なる白は、ヂトネルストッパ吋層２２上
で転送電ｔセ２６ａ、２６１＋と第１の金ｆｉ？！ｆｆ
ｉ極２８ａの間のｎｉ ＩＨ９２７中に、第３層多結晶
シリコンからなる埋込み電極３２を形成していることで
ある。この埋込み電極３２は、転送電極２（３ａ、２６
＋１と第１の金属電極２８ａ間の静電シールド電極であ
り、アース又は直流電圧を印加づる。
る。第２図と異なる白は、ヂトネルストッパ吋層２２上
で転送電ｔセ２６ａ、２６１＋と第１の金ｆｉ？！ｆｆ
ｉ極２８ａの間のｎｉ ＩＨ９２７中に、第３層多結晶
シリコンからなる埋込み電極３２を形成していることで
ある。この埋込み電極３２は、転送電極２（３ａ、２６
＋１と第１の金属電極２８ａ間の静電シールド電極であ
り、アース又は直流電圧を印加づる。
本実施例では第２図とくらべ第３層多結晶シリコンによ
る埋込み電極３２が更に突出部Ａ下に設りられるため、
この突出部Ａの高さが他の面より更に高くなり、この突
出部Ａだけを露出せしめることがより容易になる。
る埋込み電極３２が更に突出部Ａ下に設りられるため、
この突出部Ａの高さが他の面より更に高くなり、この突
出部Ａだけを露出せしめることがより容易になる。
又、上記説明した静電シールド効果は残像特性の悪化や
動作不安定発生の防止効果がある。即ち第１の金属電極
２８ａに接続された蓄積ダイオードであるＮ千中層２５
とｐ型基板２１間のダイオードは信号電荷を蓄積してい
る期間電気的にフローティングであるため、前記転送電
極２６８゜２６Ｉ）にクロックパルス電圧が印加される
と客間的に前記Ｎ千中層２５の電位が変！ＩＪ する。
動作不安定発生の防止効果がある。即ち第１の金属電極
２８ａに接続された蓄積ダイオードであるＮ千中層２５
とｐ型基板２１間のダイオードは信号電荷を蓄積してい
る期間電気的にフローティングであるため、前記転送電
極２６８゜２６Ｉ）にクロックパルス電圧が印加される
と客間的に前記Ｎ千中層２５の電位が変！ＩＪ する。
これによつ−にのＮ＋”Ｆ１２５へ到達していた信号電
荷の一部が光導電膜へ逆戻りし、残像特性の悪化、そし
てフリッカなどの動作不安定を生じる。このような特性
劣化に対して本実施例の埋込み電極３２による静電シー
ルドは効果がある。
荷の一部が光導電膜へ逆戻りし、残像特性の悪化、そし
てフリッカなどの動作不安定を生じる。このような特性
劣化に対して本実施例の埋込み電極３２による静電シー
ルドは効果がある。
以上の説明においてはＣＣｌ）転送型（徊および埋込み
電極のＮ極材料として多結晶シリコンを用いて説明した
が他の導体材料でもよい。
電極のＮ極材料として多結晶シリコンを用いて説明した
が他の導体材料でもよい。
又、前記ポリイミド膜２９の］−ツチングは酸素プラズ
マを用いた反応性イオンエツチングで行なったが、全面
が一様にエツチングできるものであれば他の方法でもよ
い。そして、このポリイミド膜２９の代りに他の有俄絶
縁祠１゛；１てもよく例え（Ｊ。
マを用いた反応性イオンエツチングで行なったが、全面
が一様にエツチングできるものであれば他の方法でもよ
い。そして、このポリイミド膜２９の代りに他の有俄絶
縁祠１゛；１てもよく例え（Ｊ。
ゴム系、又はアクリル系高分子！！ｔ］を用いることが
できる。
できる。
なお、上記の説明は主に固体撮像Ｓ’％ｆ＋’？のｆｉ
９＋１感度領域についで行ったが、ｌ？ｉｌｉすの外
部接続用の１１１ンデイングパッド部の金１ｍ棹も同様
に前記第゛１の金属電極２８ａが露出するど同時に露出
覆るようにしておくと、ボンゲイングバンドを後で９０
食剣法でパターニングリ−る必要がない、。
９＋１感度領域についで行ったが、ｌ？ｉｌｉすの外
部接続用の１１１ンデイングパッド部の金１ｍ棹も同様
に前記第゛１の金属電極２８ａが露出するど同時に露出
覆るようにしておくと、ボンゲイングバンドを後で９０
食剣法でパターニングリ−る必要がない、。
また上記説明はＣＣＤ基板を用いて行ったが。
光導電膜で発生した信号電荷を読み出り手段を持った基
板ならば他のものでもよい。
板ならば他のものでもよい。
第１図は従来の光電変換部に光導電膜を用いた積ｗ！Ｉ
４１Ｉ造固体１１１１１１装置を示１図、第２図（ａ）
〜（［）は本発明の一実施例の製造工作を示１図、第３
図（ａ）、（ｂ）および第１１図は他の実施例を説明す
るための図である。 ２１・・・１）型シリコン基板、２２・・・ｐ” Ｐ
（チャネルストッパ）、２３・・・フィールド酸化膜、
２４ｔ −ｎ” １ｌｉｌ （ＣＯＤヂャネル） 、
２４２− ｎ’ ＩＭ（蓄積ダイオード部）、２５・・
・１１＋＋膚、２６ａ。 ２６ｂ・・・ＣＯＤ転送電極、２７・・・シリコン酸化
膜（第１の絶縁膜）、２８ａ・・・第゛１の金属電極、
２８ｂ・・・第２の金５？！極、２９．２９＋・・・ポ
リイミド膜、２９２・・・ホトレジスト船、３０・・・
光）９電膜、３１・・・ＩＴＯ膜、△・・・突出部。 出願人代理人 弁理１ 鈴江武彦
４１Ｉ造固体１１１１１１装置を示１図、第２図（ａ）
〜（［）は本発明の一実施例の製造工作を示１図、第３
図（ａ）、（ｂ）および第１１図は他の実施例を説明す
るための図である。 ２１・・・１）型シリコン基板、２２・・・ｐ” Ｐ
（チャネルストッパ）、２３・・・フィールド酸化膜、
２４ｔ −ｎ” １ｌｉｌ （ＣＯＤヂャネル） 、
２４２− ｎ’ ＩＭ（蓄積ダイオード部）、２５・・
・１１＋＋膚、２６ａ。 ２６ｂ・・・ＣＯＤ転送電極、２７・・・シリコン酸化
膜（第１の絶縁膜）、２８ａ・・・第゛１の金属電極、
２８ｂ・・・第２の金５？！極、２９．２９＋・・・ポ
リイミド膜、２９２・・・ホトレジスト船、３０・・・
光）９電膜、３１・・・ＩＴＯ膜、△・・・突出部。 出願人代理人 弁理１ 鈴江武彦
Claims (4)
- （１） 半導体基板に各画素に対応する信号蓄積部Ｊｊ
よび信号電荷読出し部を形成覆る工程、この後第１の絶
縁膜を１Ｆ！積しコンタクトホールを形成して前記各信
号電荷Ｎ積部に接続される第１の金属電極を形成する工
程、この後第２の絶縁膜を堆積してコンタク１〜ホール
を形成して前記８第１の電極に接続される画素電極とな
る第２の金Ｒ電極を形成する工程、この後光導電膜を表
面全面に堆積する工程、を備えた固体Ｗ４像装訂の製造
方法においで、前記第１の金ＦｆＳ電（小をその一部に
突出部を設（〕Ｃ形成し、前記第２の絶縁膜として有悶
絶縁膜を表面が略平坦になるように形成して、この在世
絶縁膜を全面エツチングづることにより前記第゛１の金
属型（〜の突出部をこの上に形成される前記第２の金腐
電惰に対重るコンタク１一部として露出させることを特
徴とする固体撮像装置の製造方法。 - （２） 前記有機絶縁膜はポリイミド膜てあり、このポ
リイミド膜単層を塗布して表面を平坦化づる特許請求の
範囲第１ Ｉｎ記載の固体ｆｆ１ｆ旬装同の製造方法。 - （３） 前記有橢絶縁躾はポリイミド膜とボ１〜レジス
］−膜のｍ層膜であり、ボリイミ１−膜を前記第１の金
ＲＮ極の突出部がおおわれるように塗ｆｌｉ シ、次い
でホトレジスト膜を塗布して表面を平坦化りる特許請求
の範囲第１項記載の固体撮像装置のｉ１ｊ造方法。 - （４） 前記第１の金ＩＮ ｍ １１の突出部下に電気
的（二絶縁された導体電極を選択的に埋込む工程を有り
る特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置の製造方法
。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153761A JPS6045057A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
| EP84305337A EP0139366B1 (en) | 1983-08-23 | 1984-08-06 | Method of manufacturing a soldi-state image pickup device |
| DE8484305337T DE3474611D1 (en) | 1983-08-23 | 1984-08-06 | Method of manufacturing a soldi-state image pickup device |
| US06/643,232 US4608749A (en) | 1983-08-23 | 1984-08-22 | Method of manufacturing a solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153761A JPS6045057A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045057A true JPS6045057A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15569550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153761A Pending JPS6045057A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4608749A (ja) |
| EP (1) | EP0139366B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6045057A (ja) |
| DE (1) | DE3474611D1 (ja) |
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- 1984-08-06 DE DE8484305337T patent/DE3474611D1/de not_active Expired
- 1984-08-06 EP EP84305337A patent/EP0139366B1/en not_active Expired
- 1984-08-22 US US06/643,232 patent/US4608749A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
| US4608749A (en) | 1986-09-02 |
| EP0139366A1 (en) | 1985-05-02 |
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| EP0139366B1 (en) | 1988-10-12 |
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