JPH0134865Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0134865Y2 JPH0134865Y2 JP1983068670U JP6867083U JPH0134865Y2 JP H0134865 Y2 JPH0134865 Y2 JP H0134865Y2 JP 1983068670 U JP1983068670 U JP 1983068670U JP 6867083 U JP6867083 U JP 6867083U JP H0134865 Y2 JPH0134865 Y2 JP H0134865Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead terminal
- brazing
- ceramic heater
- brazing part
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Resistance Heating (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、セラミツクヒーターに関する。
従来、セラミツクヒーターとしては、第１図に
示されるように、発熱体が埋設などにて設けられ
ているセラミツクヒーター本体部１の外表面に、
リード端子取付鑞付部２が設けられ、そこにリー
ド端子３が鑞付けによつて固定されている形状の
ものが広く用いられている。
示されるように、発熱体が埋設などにて設けられ
ているセラミツクヒーター本体部１の外表面に、
リード端子取付鑞付部２が設けられ、そこにリー
ド端子３が鑞付けによつて固定されている形状の
ものが広く用いられている。
しかしながら、これら従来のセラミツクヒータ
ーにおいてリード端子３を鑞付けするために、鑞
材として広く利用されているAg−Cu−Znの共晶
鑞、あるいは銀を含む鑞材を用いると、特に高温
度あるいは高湿度の環境下で使用された場合に、
リード端子間で鑞材中の銀がマイグレーシヨンを
起こし、シヨートしたり、鑞付部にクラツクを生
じたりする欠点があつた。
ーにおいてリード端子３を鑞付けするために、鑞
材として広く利用されているAg−Cu−Znの共晶
鑞、あるいは銀を含む鑞材を用いると、特に高温
度あるいは高湿度の環境下で使用された場合に、
リード端子間で鑞材中の銀がマイグレーシヨンを
起こし、シヨートしたり、鑞付部にクラツクを生
じたりする欠点があつた。
本考案は、かかる欠点を解消したセラミツクヒ
ーターを提供することにあり、その特徴とすると
ころは、セラミツクに発熱体を設けてなるセラミ
ツクヒーター本体部の外表面に、前記発熱体と導
通するリード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞
付部に所定のリード端子を銀を含む鑞材により鑞
付固定したセラミツクヒーターにおいて、前記リ
ード端子鑞付部の外周部に、幅0.1mm以上で、リ
ード端子鑞付部との間〓面積がリード端子鑞付部
の面積に対して1/2以下である帯状の同電位部を、
該リード端子鑞付部を取り囲むように設けたこと
にある。
ーターを提供することにあり、その特徴とすると
ころは、セラミツクに発熱体を設けてなるセラミ
ツクヒーター本体部の外表面に、前記発熱体と導
通するリード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞
付部に所定のリード端子を銀を含む鑞材により鑞
付固定したセラミツクヒーターにおいて、前記リ
ード端子鑞付部の外周部に、幅0.1mm以上で、リ
ード端子鑞付部との間〓面積がリード端子鑞付部
の面積に対して1/2以下である帯状の同電位部を、
該リード端子鑞付部を取り囲むように設けたこと
にある。
以下、本考案の構成を、その一実施例である第
２図を用いて具体的に説明する。
２図を用いて具体的に説明する。
まず、第２図より明らかなように、セラミツク
ヒーターのリード端子鑞付部２の外周部には、か
かるリード端子鑞付部２を取り囲むように帯状の
同電位部４が設けられているのである。而して、
銀のマイグレーシヨンは、鑞材中に含まれる銀が
例えば酸化を受け、Ag2Oの状態となり、これが
分解することによりAgイオンを生じ、そして直
流電界によつて移動する現象であるところから、
第２図に示されるセラミツクヒーターにおいて
は、リード端子鑞付部２より移動を開始した銀イ
オンは同電位部４の内周部に到達するが、同電位
部４を乗り越えて同電位部４の外周部に移動する
ことができないのである。これは、同電位部４内
では、銀を移動させるための電界が無いためであ
る。従つて、銀のマイグレーシヨンは同電位部４
の内周面で収束し、リード端子鑞付部２間でシヨ
ートすることが実質的に阻止され得るのである。
ヒーターのリード端子鑞付部２の外周部には、か
かるリード端子鑞付部２を取り囲むように帯状の
同電位部４が設けられているのである。而して、
銀のマイグレーシヨンは、鑞材中に含まれる銀が
例えば酸化を受け、Ag2Oの状態となり、これが
分解することによりAgイオンを生じ、そして直
流電界によつて移動する現象であるところから、
第２図に示されるセラミツクヒーターにおいて
は、リード端子鑞付部２より移動を開始した銀イ
オンは同電位部４の内周部に到達するが、同電位
部４を乗り越えて同電位部４の外周部に移動する
ことができないのである。これは、同電位部４内
では、銀を移動させるための電界が無いためであ
る。従つて、銀のマイグレーシヨンは同電位部４
の内周面で収束し、リード端子鑞付部２間でシヨ
ートすることが実質的に阻止され得るのである。
なお、このようにリード端子鑞付部２の周囲に
設けられる同電位部４のパターン幅は、広い程望
ましいが、一般に0.1mm程度以上あれば良く、特
に0.5mm程度以上とするのが、銀イオンの乗り越
えを防止するうえにおいて、さらに好ましい。ま
た、リード端子鑞付部２と同電位部４との間隙
は、狭い程、銀のマイグレーシヨンによる鑞付部
の鑞材の減耗も少なく、従つて鑞付部のクラツク
発生も少ない利点が有り、更にこの間隙の表面積
は、リード端子鑞付部２のパターン面積に対して
１／２以下とするのが良い。
設けられる同電位部４のパターン幅は、広い程望
ましいが、一般に0.1mm程度以上あれば良く、特
に0.5mm程度以上とするのが、銀イオンの乗り越
えを防止するうえにおいて、さらに好ましい。ま
た、リード端子鑞付部２と同電位部４との間隙
は、狭い程、銀のマイグレーシヨンによる鑞付部
の鑞材の減耗も少なく、従つて鑞付部のクラツク
発生も少ない利点が有り、更にこの間隙の表面積
は、リード端子鑞付部２のパターン面積に対して
１／２以下とするのが良い。
なお、同電位部４のパターン形状としては、第
３図に示されるように、リード端子鑞付部２を完
全に取り囲む形状が好ましいが、第２図に示され
るような形状、あるいは第４図に示されるような
形状も採用することが可能である。対向するリー
ド端子鑞付部２の対向する側より遠い部分は電界
が弱いので、切れていても良いのである。なお、
第３図、第４図はリード端子を鑞付けする前の形
状を示している。
３図に示されるように、リード端子鑞付部２を完
全に取り囲む形状が好ましいが、第２図に示され
るような形状、あるいは第４図に示されるような
形状も採用することが可能である。対向するリー
ド端子鑞付部２の対向する側より遠い部分は電界
が弱いので、切れていても良いのである。なお、
第３図、第４図はリード端子を鑞付けする前の形
状を示している。
また、同電位部４とリード端子鑞付部２は電気
的に導通していないのが好ましいが、導通してい
る場合は、リード端子３を鑞付けする際に鑞材が
同電位部４の外周部まで流れないようにパターン
形成、鑞付条件を選ぶ必要がある。
的に導通していないのが好ましいが、導通してい
る場合は、リード端子３を鑞付けする際に鑞材が
同電位部４の外周部まで流れないようにパターン
形成、鑞付条件を選ぶ必要がある。
さらに、セラミツクヒーターとしては、板状の
ものに限らず、第５図に示されるような棒状のセ
ラミツクヒーターでも良く、また発熱体は、金属
粉末を主成分とするペーストを印刷、焼付けて設
けても良いし、例えばSiCよりなるセラミツク発
熱体を埋設しても良いし、さらにニクロム、タン
グステン等の金属抵抗線を埋設しても良い。
ものに限らず、第５図に示されるような棒状のセ
ラミツクヒーターでも良く、また発熱体は、金属
粉末を主成分とするペーストを印刷、焼付けて設
けても良いし、例えばSiCよりなるセラミツク発
熱体を埋設しても良いし、さらにニクロム、タン
グステン等の金属抵抗線を埋設しても良い。
また、本考案にあつては、更に、リード端子３
を固定した鑞材の外表面上にメツキを施し、銀が
酸化あるいは硫化しにくくするのも、銀のマイグ
レーシヨンを防止するうえにおいて、さらに有効
である。
を固定した鑞材の外表面上にメツキを施し、銀が
酸化あるいは硫化しにくくするのも、銀のマイグ
レーシヨンを防止するうえにおいて、さらに有効
である。
以上詳記のように、本考案に従うセラミツクヒ
ーターにあつては、リード端子鑞付部の外周部
に、これを取り囲む所定の帯状同電位部を設ける
のみで、銀のマイグレーシヨンによるリード端子
間のシヨートを防止でき、また銀のマイグレーシ
ヨンによる鑞材の減耗を著しく軽減できるもの
で、産業上極めて有用である。
ーターにあつては、リード端子鑞付部の外周部
に、これを取り囲む所定の帯状同電位部を設ける
のみで、銀のマイグレーシヨンによるリード端子
間のシヨートを防止でき、また銀のマイグレーシ
ヨンによる鑞材の減耗を著しく軽減できるもの
で、産業上極めて有用である。
第１図は従来のセラミツクヒーターの構成を示
す説明図であり、第２図は本考案のセラミツクヒ
ーターの構成の一実施例を示す説明図である。さ
らに、第３図、第４図、第５図はそれぞれ本考案
の他の実施例を示す説明図である。 １：セラミツクヒーター本体部、２：リード端
子鑞付部、３：リード端子、４：同電位部。
す説明図であり、第２図は本考案のセラミツクヒ
ーターの構成の一実施例を示す説明図である。さ
らに、第３図、第４図、第５図はそれぞれ本考案
の他の実施例を示す説明図である。 １：セラミツクヒーター本体部、２：リード端
子鑞付部、３：リード端子、４：同電位部。
Claims (1)
- セラミツクに発熱体を設けてなるセラミツクヒ
ーター本体部の外表面に、前記発熱体と導通する
リード端子鑞付部を設け、該リード端子鑞付部に
所定のリード端子を銀を含む鑞材により鑞付固定
したセラミツクヒーターにおいて、前記リード端
子鑞付部の外周部に、幅0.1mm以上で、リード端
子鑞付部との間〓面積がリード端子鑞付部の面積
に対して1/2以下である帯状の同電位部を、該リ
ード端子鑞付部を取り囲むように設けたことを特
徴とするセラミツクヒーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867083U JPS59173996U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6867083U JPS59173996U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59173996U JPS59173996U (ja) | 1984-11-20 |
| JPH0134865Y2 true JPH0134865Y2 (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=30198840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6867083U Granted JPS59173996U (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-09 | セラミツクヒ−タ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59173996U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5917510B2 (ja) * | 1978-05-22 | 1984-04-21 | ティーディーケイ株式会社 | Ｐｔｃ発熱体とその製造方法 |
-
1983
- 1983-05-09 JP JP6867083U patent/JPS59173996U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59173996U (ja) | 1984-11-20 |
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