JPH0136230B2 - - Google Patents
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- JPH0136230B2 JPH0136230B2 JP56017790A JP1779081A JPH0136230B2 JP H0136230 B2 JPH0136230 B2 JP H0136230B2 JP 56017790 A JP56017790 A JP 56017790A JP 1779081 A JP1779081 A JP 1779081A JP H0136230 B2 JPH0136230 B2 JP H0136230B2
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- JP
- Japan
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- lens
- magnetomotive force
- projection lens
- distortion aberration
- distortion
- Prior art date
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- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 40
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 241000226585 Antennaria plantaginifolia Species 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/14—Lenses magnetic
- H01J37/141—Electromagnetic lenses
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＳ字歪収差を殆んど零にした３磁極レ
ンズを投影レンズとして使用し、歪収差を極めて
小さく、或いは殆んど発生させることなしに倍率
可変を可能にする新規な電子顕微鏡の結像レンズ
系に関するものである。
ンズを投影レンズとして使用し、歪収差を極めて
小さく、或いは殆んど発生させることなしに倍率
可変を可能にする新規な電子顕微鏡の結像レンズ
系に関するものである。
通常、対物レンズ、投影レンズ及び両者間に置
かれた中間レンズからなる３段結像レンズ系にお
ける倍率可変は、中間レンズの励磁NIiを一定と
して投影レンズの励磁NIpを増加させる領域
（M1レンジ）、投影レンズの励磁を最大値に固定
した状態で中間レンズの励磁NIiを減少させる領
域（M2レンジ）及び投影レンズの励磁NIpは最
大に固定したまま中間レンズの励磁をM1レンジ
のときの励磁より増加させる領域（M3レンジ）
の３つの領域で構成されている。この内、M1レ
ンジにおいては既にデイストーシヨンフリーの条
件を満足する方式（例えば特公昭36−7569号公報
参照）が確立されており、充分に小さな歪収差が
得られている。しかし乍ら、M2レンジにおいて
は中間レンズの励磁を減少させるため、投影レン
ズの作る糸巻歪を該中間レンズの樽形歪によつて
充分打消すことができなくなり、又M3レンズに
おいては投影レンズ、中間レンズのいずれもが糸
巻歪となり、デイストーシヨンフリーの条件は存
在しない。更に、従来のレンズ系においてはＳ字
歪収差について何等補正されず、従つて、直線の
像はＳ字形に醜く歪んでいた。
かれた中間レンズからなる３段結像レンズ系にお
ける倍率可変は、中間レンズの励磁NIiを一定と
して投影レンズの励磁NIpを増加させる領域
（M1レンジ）、投影レンズの励磁を最大値に固定
した状態で中間レンズの励磁NIiを減少させる領
域（M2レンジ）及び投影レンズの励磁NIpは最
大に固定したまま中間レンズの励磁をM1レンジ
のときの励磁より増加させる領域（M3レンジ）
の３つの領域で構成されている。この内、M1レ
ンジにおいては既にデイストーシヨンフリーの条
件を満足する方式（例えば特公昭36−7569号公報
参照）が確立されており、充分に小さな歪収差が
得られている。しかし乍ら、M2レンジにおいて
は中間レンズの励磁を減少させるため、投影レン
ズの作る糸巻歪を該中間レンズの樽形歪によつて
充分打消すことができなくなり、又M3レンズに
おいては投影レンズ、中間レンズのいずれもが糸
巻歪となり、デイストーシヨンフリーの条件は存
在しない。更に、従来のレンズ系においてはＳ字
歪収差について何等補正されず、従つて、直線の
像はＳ字形に醜く歪んでいた。
所で、近時、本発明者はＳ字歪収差は零にし得
る３磁極レンズを開発し、更に歪収差とＳ字歪収
差とを同時に零にできる磁極形状が存在すること
も見出した。しかし乍ら、斯る条件は特定の起磁
力においてのみ存在し、投影レンズとしてその励
磁を該特定の起磁力より大きくしても、又小さく
しても著じるしく大きな歪収差を発生するので固
定倍率においてしか利用できなかつた。
る３磁極レンズを開発し、更に歪収差とＳ字歪収
差とを同時に零にできる磁極形状が存在すること
も見出した。しかし乍ら、斯る条件は特定の起磁
力においてのみ存在し、投影レンズとしてその励
磁を該特定の起磁力より大きくしても、又小さく
しても著じるしく大きな歪収差を発生するので固
定倍率においてしか利用できなかつた。
而して、通常の電子顕微鏡においては、倍率を
種々変更した像を観察することが不可欠であり、
従つて、３磁極レンズを用いて歪収差とＳ字歪収
差をいずれも零、又は著じるしく小さく保つたま
ま、倍率を可変できる方法の出現がまたれた。
種々変更した像を観察することが不可欠であり、
従つて、３磁極レンズを用いて歪収差とＳ字歪収
差をいずれも零、又は著じるしく小さく保つたま
ま、倍率を可変できる方法の出現がまたれた。
本発明はこの様な要求を満足し得る電子顕微鏡
の結像レンズ系を提供するものである。
の結像レンズ系を提供するものである。
第１図は歪収差及びＳ字歪収差を零、又は著じ
るしく小さくし得る３磁極レンズの磁極形状の一
例を示すもので、１，２及び３は夫々第１磁極、
第２磁極及び第３磁極を示す。第２磁極と第３磁
極の孔径b2及びb3は等しくされ、第１磁極の孔径
b1と第２磁極の孔径b2との比b1／b2が1.5〜５の
範囲に設定される。第２図はb1／b2＝3.3に選定
したときの歪収差ΔX／Ｘ、Ｓ字歪収差ΔY／Ｘ
及び焦点距離fpの起磁力依存性を示すグラフであ
る。同図からわかるように、歪収差とＳ字歪収差
は起磁力がNI1のとき共に零になる。上記NI1は
実験では2500AT弱であつた。しかし、倍率を小
さくするため励磁を弱めるとNI2（約1500AT）に
おいて焦点距離fpはNI1のときの1.6倍にしかなら
ないのに歪収差は10％にも増大してしまう。従つ
て、この様な３磁極レンズは倍率を変化させるた
めにその励磁を変えることはできないことにな
る。
るしく小さくし得る３磁極レンズの磁極形状の一
例を示すもので、１，２及び３は夫々第１磁極、
第２磁極及び第３磁極を示す。第２磁極と第３磁
極の孔径b2及びb3は等しくされ、第１磁極の孔径
b1と第２磁極の孔径b2との比b1／b2が1.5〜５の
範囲に設定される。第２図はb1／b2＝3.3に選定
したときの歪収差ΔX／Ｘ、Ｓ字歪収差ΔY／Ｘ
及び焦点距離fpの起磁力依存性を示すグラフであ
る。同図からわかるように、歪収差とＳ字歪収差
は起磁力がNI1のとき共に零になる。上記NI1は
実験では2500AT弱であつた。しかし、倍率を小
さくするため励磁を弱めるとNI2（約1500AT）に
おいて焦点距離fpはNI1のときの1.6倍にしかなら
ないのに歪収差は10％にも増大してしまう。従つ
て、この様な３磁極レンズは倍率を変化させるた
めにその励磁を変えることはできないことにな
る。
そこで、本発明者は、この様な３磁極レンズを
投影レンズに使用すると共に該投影レンズと対物
レンズの間に２磁極の中間レンズを設け、この中
間レンズの励磁可変によつて倍率を変えることを
試みた。第３図はその装置の概略を示す図であ
り、４は対物レンズである。該対物レンズは電源
５により励磁され、磁極間隙６内に強いレンズ磁
界を発生する。７は試料で、実際には前記磁極間
隙６内に挿入される。８は３磁極投影レンズで、
電源９により励磁され、磁極間隙１０ａ，１０ｂ
に互いに逆極性の磁場を発生する。対物レンズ４
と投影レンズ８の間に２磁極の中間レンズ１１が
置かれ、電源１２により励磁される。１３は終像
が投影される蛍光板である。
投影レンズに使用すると共に該投影レンズと対物
レンズの間に２磁極の中間レンズを設け、この中
間レンズの励磁可変によつて倍率を変えることを
試みた。第３図はその装置の概略を示す図であ
り、４は対物レンズである。該対物レンズは電源
５により励磁され、磁極間隙６内に強いレンズ磁
界を発生する。７は試料で、実際には前記磁極間
隙６内に挿入される。８は３磁極投影レンズで、
電源９により励磁され、磁極間隙１０ａ，１０ｂ
に互いに逆極性の磁場を発生する。対物レンズ４
と投影レンズ８の間に２磁極の中間レンズ１１が
置かれ、電源１２により励磁される。１３は終像
が投影される蛍光板である。
斯る装置において、中間レンズとして磁極間隙
長Siと磁極孔径biの和Si＋bi＝45mmを有し、中間
レンズ１１のレンズ中心と投影レンズ８のレンズ
中心の距離が130mmとしたときの軸上磁場分布
Bz、光軸Ｚに平行に入射する電子線の軌道r〓、光
軸Ｚと平行して出射する電子線の軌道r〓、歪収差
係数Dr及びＳ字歪収差係数Dspを第４図に示して
ある。同図ａは中間レンズの励磁NIiが零の場合、
ｂはNIi＝600ATの場合であり、又投影レンズの
励磁NIpはいずれも約2250ATの場合である。ａ
図の如く、中間レンズの励磁が零の場合、歪は投
影レンズのみによつて作られ、収差係数Drは第
１間隙で負の値をとり増加するが、電子線軌道r〓
が光軸Ｚと交叉する時点で極大となり次第に減少
し、零を切つた後正の値で増加する。そしてr〓軌
道が光軸と交叉する点で極大となり、再び減少す
る。歪収差ΔX／Ｘは歪収差係数Drと ΔX／Ｘ＝Dr（Xf／Ｌ）2 で結ばれている。ここでＸは蛍光板（又は写真フ
イルム）上中心からの距離で、通常Ｘ＝50mmで測
定される。ｆは中間レンズと投影レンズを合せた
系の焦点距離、Ｌは投影レンズと蛍光板の距離で
ある。ａ図の場合、Drは最終的に0.0178mm-2であ
り、収差ΔX／Ｘは0.8％強であつた。
長Siと磁極孔径biの和Si＋bi＝45mmを有し、中間
レンズ１１のレンズ中心と投影レンズ８のレンズ
中心の距離が130mmとしたときの軸上磁場分布
Bz、光軸Ｚに平行に入射する電子線の軌道r〓、光
軸Ｚと平行して出射する電子線の軌道r〓、歪収差
係数Dr及びＳ字歪収差係数Dspを第４図に示して
ある。同図ａは中間レンズの励磁NIiが零の場合、
ｂはNIi＝600ATの場合であり、又投影レンズの
励磁NIpはいずれも約2250ATの場合である。ａ
図の如く、中間レンズの励磁が零の場合、歪は投
影レンズのみによつて作られ、収差係数Drは第
１間隙で負の値をとり増加するが、電子線軌道r〓
が光軸Ｚと交叉する時点で極大となり次第に減少
し、零を切つた後正の値で増加する。そしてr〓軌
道が光軸と交叉する点で極大となり、再び減少す
る。歪収差ΔX／Ｘは歪収差係数Drと ΔX／Ｘ＝Dr（Xf／Ｌ）2 で結ばれている。ここでＸは蛍光板（又は写真フ
イルム）上中心からの距離で、通常Ｘ＝50mmで測
定される。ｆは中間レンズと投影レンズを合せた
系の焦点距離、Ｌは投影レンズと蛍光板の距離で
ある。ａ図の場合、Drは最終的に0.0178mm-2であ
り、収差ΔX／Ｘは0.8％強であつた。
而して、中間レンズを600ATに励磁すると、
この中間レンズの存在によつて、ｂ図から明らか
な如く、投影レンズに入射するとき既に、Drは
負の値をとつている。しかし乍ら、DrはNIiが零
の場合に比較して、負の極大、正の極大共に減少
し、最終的に0.003mm-2となりａ図の場合の1/6に
なる。この収差係数の減少に対し、焦点距離は逆
に長くなるため、前記収差の式から明らかな如く
歪収差ΔX／Ｘの減少の程度は少く、0.3％強であ
つた。
この中間レンズの存在によつて、ｂ図から明らか
な如く、投影レンズに入射するとき既に、Drは
負の値をとつている。しかし乍ら、DrはNIiが零
の場合に比較して、負の極大、正の極大共に減少
し、最終的に0.003mm-2となりａ図の場合の1/6に
なる。この収差係数の減少に対し、焦点距離は逆
に長くなるため、前記収差の式から明らかな如く
歪収差ΔX／Ｘの減少の程度は少く、0.3％強であ
つた。
以上のことから、中間レンズの収差係数Drが
あまり大きくない限り、即ち、中間レンズの磁極
間隙長と磁極孔径が極端に小さくない限り、中間
レンズの付加によつて３磁極投影レンズの収差係
数Drは著じるしく減少し、焦点距離の増大にも
拘わらず歪収差ΔX／Ｘは減少する。このこと
は、投影レンズ側ではr〓軌道は中間レンズの存在
に関係なく同じであるから、Drの減少をもたら
したのはr〓軌道が中間レンズの付加によつて多少
傾斜し、投影レンズに電子が入射したとき光軸に
より近ずいたことに起因する。
あまり大きくない限り、即ち、中間レンズの磁極
間隙長と磁極孔径が極端に小さくない限り、中間
レンズの付加によつて３磁極投影レンズの収差係
数Drは著じるしく減少し、焦点距離の増大にも
拘わらず歪収差ΔX／Ｘは減少する。このこと
は、投影レンズ側ではr〓軌道は中間レンズの存在
に関係なく同じであるから、Drの減少をもたら
したのはr〓軌道が中間レンズの付加によつて多少
傾斜し、投影レンズに電子が入射したとき光軸に
より近ずいたことに起因する。
一方、Ｓ字歪収差に関しては、これも同様にr〓
軌道の投影レンズ側での減少によつて減少する。
即ち、Ｓ字歪収差ΔY／Ｘは第４図ａの場合、0.1
％であつたのが第４図ｂの場合、0.07％に減少し
た。従つて、このレンズ系においては歪収差を小
さく、又は零にする条件を設定すれば良いことに
なる。
軌道の投影レンズ側での減少によつて減少する。
即ち、Ｓ字歪収差ΔY／Ｘは第４図ａの場合、0.1
％であつたのが第４図ｂの場合、0.07％に減少し
た。従つて、このレンズ系においては歪収差を小
さく、又は零にする条件を設定すれば良いことに
なる。
第５図は投影レンズの励磁NIpをパラメータに
して、中間レンズの励磁NIiに対する歪収差
ΔX／Ｘの変化を示したものである。図中、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ及びｇは夫々投影レンズの励
磁が異つた場合の変化を示し、ａはNIp＝
1500ATで最も低い場合で、ｂ，ｃ，ｄ……と起
磁力が高くなり、ｆではNIp＝2390ATであつた。
この図からわかるように、中間レンズの励磁の増
大に対して投影レンズ起磁力がいずれの場合にも
歪収差ΔX／Ｘは減少する。又、特に有用な特徴
はNIi＝０、つまり中間レンズをオフにしたとき
歪収差ΔX／Ｘが零に近くなるように投影レンズ
の励磁条件を設定した方が、中間レンズ起磁力の
増加による歪収差の変化が少いことがわかる。
尚、NIi＝０におけるΔX／Ｘが負（樽形歪）の
励磁条件（ｇ）では、NIiの増加によつて該負の
値は若干大きくなる。
して、中間レンズの励磁NIiに対する歪収差
ΔX／Ｘの変化を示したものである。図中、ａ，
ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ及びｇは夫々投影レンズの励
磁が異つた場合の変化を示し、ａはNIp＝
1500ATで最も低い場合で、ｂ，ｃ，ｄ……と起
磁力が高くなり、ｆではNIp＝2390ATであつた。
この図からわかるように、中間レンズの励磁の増
大に対して投影レンズ起磁力がいずれの場合にも
歪収差ΔX／Ｘは減少する。又、特に有用な特徴
はNIi＝０、つまり中間レンズをオフにしたとき
歪収差ΔX／Ｘが零に近くなるように投影レンズ
の励磁条件を設定した方が、中間レンズ起磁力の
増加による歪収差の変化が少いことがわかる。
尚、NIi＝０におけるΔX／Ｘが負（樽形歪）の
励磁条件（ｇ）では、NIiの増加によつて該負の
値は若干大きくなる。
以上のことから、NIi＝０においてΔX／Ｘ＝
０となる励磁条件の付近で投影レンズ電流の値を
固定したまま中間レンズ電流NIiを増加すれば、
最終的な歪収差を0.5％、更には0.2％以内におさ
えた状態で中間レンズ起磁力NIiをNIi＝０〜
700ATの範囲で可変できることが判明した。従
つて、歪収差を小さく保つた状態で系の焦点距離
を大幅に可変できることになる。
０となる励磁条件の付近で投影レンズ電流の値を
固定したまま中間レンズ電流NIiを増加すれば、
最終的な歪収差を0.5％、更には0.2％以内におさ
えた状態で中間レンズ起磁力NIiをNIi＝０〜
700ATの範囲で可変できることが判明した。従
つて、歪収差を小さく保つた状態で系の焦点距離
を大幅に可変できることになる。
第６図は中間レンズの起磁力NIiの変化に対す
る系の焦点距離ｆの変化を示すもので、投影レン
ズの起磁力NIpは2390ATの場合である。この様
な条件ではΔX／Ｘを非常に小さく（0.2％以下）
保つたまま焦点距離ｆを約５mmから10mmに２倍増
すことができる。又、ΔX／Ｘを0.5％程度にする
とｆを約３倍増すことができる。逆に言えば、倍
率を1/2〜1/3程度減少させることができる。通常
の電子顕微鏡においては、M2レンジでの倍率は
5000倍〜10000倍程度であるので上記焦点距離の
可変幅は充分実用できる範囲である。
る系の焦点距離ｆの変化を示すもので、投影レン
ズの起磁力NIpは2390ATの場合である。この様
な条件ではΔX／Ｘを非常に小さく（0.2％以下）
保つたまま焦点距離ｆを約５mmから10mmに２倍増
すことができる。又、ΔX／Ｘを0.5％程度にする
とｆを約３倍増すことができる。逆に言えば、倍
率を1/2〜1/3程度減少させることができる。通常
の電子顕微鏡においては、M2レンジでの倍率は
5000倍〜10000倍程度であるので上記焦点距離の
可変幅は充分実用できる範囲である。
前述の如く、３磁極投影レンズを用いた本発明
レンズ系においては、Ｓ字歪収差は中間レンズの
付加によつて増大せず、NIp＝2390ATの場合、
NIi＝０においてＳ字歪収差ΔY／Ｘは−0.023％
であつたものが、NIi＝600ATで＋0.006％にまで
減少し、NIi＝700ATでは＋0.026％に変化する。
即ち、全領域において、Ｓ字歪収差は0.1％を充
分に下まわつており、通常のレンズ系のＳ字歪収
差が1.3〜1.5％の間で変化することに比較すれば
極めて優れた値であることがわかる。
レンズ系においては、Ｓ字歪収差は中間レンズの
付加によつて増大せず、NIp＝2390ATの場合、
NIi＝０においてＳ字歪収差ΔY／Ｘは−0.023％
であつたものが、NIi＝600ATで＋0.006％にまで
減少し、NIi＝700ATでは＋0.026％に変化する。
即ち、全領域において、Ｓ字歪収差は0.1％を充
分に下まわつており、通常のレンズ系のＳ字歪収
差が1.3〜1.5％の間で変化することに比較すれば
極めて優れた値であることがわかる。
以上のように本発明ではＳ字歪収差が小さな３
磁極レンズを投影レンズとして用い、該投影レン
ズの前方に中間レンズを設けることによつて、Ｓ
字歪収差を増すことなく、歪収差を通常の２磁極
レンズの1/2〜1/3程度の小さな値に保つたまま焦
点距離を２〜３倍可変でき、良好なM2レンジが
構成できる。
磁極レンズを投影レンズとして用い、該投影レン
ズの前方に中間レンズを設けることによつて、Ｓ
字歪収差を増すことなく、歪収差を通常の２磁極
レンズの1/2〜1/3程度の小さな値に保つたまま焦
点距離を２〜３倍可変でき、良好なM2レンジが
構成できる。
本発明において、歪収差を零に保つたまま焦点
距離を変えるようにすることも可能である。これ
を行うには、中間レンズの励磁を高めると同時に
投影レンズの励磁を連続的（又は断続的）に弱め
るようにすれば良い。第７図はその制御の仕方を
示すグラフで、NIpをパラメータとし、NIiに対
する焦点距離の変化を示してある。図中b′，c′，
d′及びf′の曲線は第５図における曲線ｂ，ｃ，ｄ
及びｆと同一の投影レンズ起磁力の場合である。
又、f′は第６図の曲線と同一であり、NIpは
2390ATの場合である。図中、点線が本実施例に
おける制御方式を示すもので、歪収差ΔX／Ｘが
零になる点を結ぶようにNIiの変化に対し、NIp
を変化させている。即ち、NIiの増加に伴つて、
NIpを次第に減少させねばならない。この為に、
第３図の装置において、投影レンズの電源９と中
間レンズの電源１２とを点線で示す如く連動的に
制御可能に構成する必要がある。尚、上記制御は
NIiの変化に対し、NIpを連続的に変化している
が、中間レンズ起磁力NIiを幾つかに分け、各領
域では一定の投影レンズ起磁力を保つように該投
影レンズ起磁力NIpを断続的に変化するように構
成しても良い。
距離を変えるようにすることも可能である。これ
を行うには、中間レンズの励磁を高めると同時に
投影レンズの励磁を連続的（又は断続的）に弱め
るようにすれば良い。第７図はその制御の仕方を
示すグラフで、NIpをパラメータとし、NIiに対
する焦点距離の変化を示してある。図中b′，c′，
d′及びf′の曲線は第５図における曲線ｂ，ｃ，ｄ
及びｆと同一の投影レンズ起磁力の場合である。
又、f′は第６図の曲線と同一であり、NIpは
2390ATの場合である。図中、点線が本実施例に
おける制御方式を示すもので、歪収差ΔX／Ｘが
零になる点を結ぶようにNIiの変化に対し、NIp
を変化させている。即ち、NIiの増加に伴つて、
NIpを次第に減少させねばならない。この為に、
第３図の装置において、投影レンズの電源９と中
間レンズの電源１２とを点線で示す如く連動的に
制御可能に構成する必要がある。尚、上記制御は
NIiの変化に対し、NIpを連続的に変化している
が、中間レンズ起磁力NIiを幾つかに分け、各領
域では一定の投影レンズ起磁力を保つように該投
影レンズ起磁力NIpを断続的に変化するように構
成しても良い。
以上の様な制御を行えば、歪収差を零にしたま
ま、或いは著じるしく小さくしたまま焦点距離を
５mmから20mm以上に大きく可変することができ、
倍率可変範囲を更に拡大できる。
ま、或いは著じるしく小さくしたまま焦点距離を
５mmから20mm以上に大きく可変することができ、
倍率可変範囲を更に拡大できる。
尚、上記説明において３磁極レンズb1／b2＝
1.5〜５の非対称レンズを用いたが、本発明にお
いては、例えば第２磁極間隙長S2に対し、第１間
隙長S1を３倍前後大きくしたレンズ等、Ｓ字歪収
差及び歪収差を共に小さく或いは零にし得るレン
ズであれば使用できること論を俟たない。
1.5〜５の非対称レンズを用いたが、本発明にお
いては、例えば第２磁極間隙長S2に対し、第１間
隙長S1を３倍前後大きくしたレンズ等、Ｓ字歪収
差及び歪収差を共に小さく或いは零にし得るレン
ズであれば使用できること論を俟たない。
第１図は本発明に先立つて提案された３磁極レ
ンズの磁極形状を示す図、第２図はそのレンズの
特性を示す図、第３図乃至第６図は本発明の一実
施例を説明するための図、第７図は本発明の他の
実施例を説明するための図である。 ４：対物レンズ、８：３磁極投影レンズ、１
１：中間レンズ、５，９及び１２：レンズ電源。
ンズの磁極形状を示す図、第２図はそのレンズの
特性を示す図、第３図乃至第６図は本発明の一実
施例を説明するための図、第７図は本発明の他の
実施例を説明するための図である。 ４：対物レンズ、８：３磁極投影レンズ、１
１：中間レンズ、５，９及び１２：レンズ電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対物レンズと、３つの磁極を有しそれによつ
て作られる２つの磁極間隙内に異つた極性のレン
ズ磁場を生ずる投影レンズと、該投影レンズの前
段に置かれた少くとも１個の中間レンズとを備
え、前記中間レンズの起磁力が零のとき歪収差が
所望に小さくなるような値に前記投影レンズの起
磁力を略固定した状態で前記中間レンズの起磁力
を可変する構成を特徴とする電子顕微鏡の結像レ
ンズ系。 ２ 前記中間レンズの起磁力の可変に関連して、
該中間レンズの起磁力が大きくなつたときその値
が小さくなるように前記投影レンズの起磁力を可
変する特許請求の範囲第１項記載の電子顕微鏡の
結像レンズ系。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017790A JPS57132656A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Image focussing lens system of electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56017790A JPS57132656A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Image focussing lens system of electron microscope |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132656A JPS57132656A (en) | 1982-08-17 |
| JPH0136230B2 true JPH0136230B2 (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11953504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56017790A Granted JPS57132656A (en) | 1981-02-09 | 1981-02-09 | Image focussing lens system of electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57132656A (ja) |
-
1981
- 1981-02-09 JP JP56017790A patent/JPS57132656A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132656A (en) | 1982-08-17 |
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