JPH0138395B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプリント基板製造工程において一次銅
メツキ処理を行うための方法と装置に関する。

一般にプリント基板製造工程は、フエノール板
等の基板素材全面に銅メツキを施す一次銅メツキ
工程と、上記一次銅メツキにマスキングを施して
電気銅メツキ（二次銅）と半田メツキによりパタ
ーンプレートを作成する工程と、パターンプレー
トにエツチングを施す工程とに大別される。そし
て上記一次銅メツキ工程は前処理、化学メツキ
（銅）、電気メツキ（銅）の各工程に分かれてお
り、従来は次の２種類の方法のいずれかにより一
次銅メツキが行われている。すなわち一方の方法
は第１図のかご１と第２図のラツク２を使用する
もので、まずかご１内に多数の垂直なプリント基
板Ｐ（素材）を水平方向に隙間ｍを隔てて重ねた
状態で収容し、この状態で化学メツキ槽（図示せ
ず）に浸ける。化学メツキが終了してかご１がメ
ツキ槽から引き上げられると、基板Ｐはかご１か
ら外されてラツク２に取付けられる。ラツク２は
垂直な額縁状で、数枚の基板Ｐをラツク２内の同
一垂直面内で保持するようになつており、基板Ｐ
はラツク２に保持された状態で電気メツキ槽（図
示せず）に浸けられる。ところがこの方法による
とかご１からラツク２へ基板Ｐを移し換える作業
に手間が掛かり、又その作業中に基板Ｐが汚され
やすいという不具合がある。更に設備が２分割さ
れ、例えばかご１の搬送及び回収設備とラツク２
の搬送及び回収設備を別々に設ける必要があるの
で、設備コスト及び占有スペースが増大するとい
う不具合がある。

このような従来方法に対して他方の従来方法
は、基板Ｐをラツク２で保持したまま化学メツキ
と電気メツキの両方を行うもので、このワンラツ
ク方法によると上記かご１を使用する場合の不具
合を解決できる。ところがワンラツク方法による
と基板Ｐを少数枚ずつしか処理することができな
いので生産性が悪いという欠点がある。又化学メ
ツキのロードフアクターが悪いという欠点があ
る。すなわち化学メツキの液量に対してある一定
値以上の処理面積（一定枚数以上の基板）がない
と化学反応が順当に進まないという特徴があるの
に対し、ワンラツク方法では化学メツキ液に同時
に浸けられる基板の数が小ないので液量に対する
処理面積が不足し、処理条件が悪化するという不
都合もある。

本発明は上記従来の不具合を解決するために、
複数のプリント基板を上下に間隔を隔ててそれぞ
れ傾斜姿勢でかごに収容し、かごに収容した状態
でプリント基板を化学メツキ槽及び電気メツキ槽
の両方に順々に浸けると共に、電気メツキ用の電
極を化学メツキ処理後にプリント基板間の上記隙
間に介装するようにしたもので、図面により説明
すると次の通りである。

斜視略図である第３図においては、本発明によ
る装置は一次銅メツキ用の化学メツキ槽５及び電
気メツキ槽６と、多数（例えば12枚以上：第３図
では５枚だけ図示）のプリント基板Ｐを収容する
かご７と、電気メツキ用アノード８（陽電極）と
を備えている。両メツキ槽５，６は処理槽群９の
途中に設けてあり、メツキ槽５，６の前後には前
処理用や後処理用等の槽１０が設けてある。かご
７内の基板Ｐは互に平行で、隙間ｌを隔てて上下
に積み重ねられている。各基板Ｐは例えば45゜の
角度Ｄで傾斜しており、基板Ｐの長辺ａ，ｂが水
平になり、短辺ｃ，ｄが傾斜していると共に、長
辺ａ，ｂがかご７の水平搬送方向Ｆ（処理槽群９
の長手方向）と直角になる姿勢でかご７内に収容
されている。

拡大斜視図である第４図の如く、かご７は直方
体状の枠１１を備え、枠１１の垂直支柱１２に基
板Ｐの長辺ａ，ｂ（第３図）を支持する多数の棚
状水平部材１３が取り付けられ、搬送方向Ｆと平
行な上枠両側部１５の長手方向中間部には垂直部
材１６の下端が連結されている。部材１６は上端
にフツク１７を備え、図示されていない搬送ロボ
ツトによりフツク１７を係止してかご７を上下及
び矢印Ｆ方向に搬送できるようになつている。

第３図において２０，２１は電気メツキ槽６と
その前後の槽５，１０の間の隔壁、２３は槽６の
一方の側壁であり、隔壁２０，２１及び底壁（図
示せず）は側壁２３と反対側（第３図の右上方）
へ突出して先端の垂直端壁２５と共にアノード８
の収納部２６を形成している。槽６と収納部２６
間に隔壁は設けられておらず、両者は連通してい
る。２７，２８は隔壁２０，２１の突出部であ
る。アノード８は板状で複数枚設けてあり、それ
ぞれ基板Ｐと同方向に傾斜し、前記隙間ｌと同一
寸法の隙間l′を隔てて上下に積み重ねてある。ア
ノード８は端壁２５側の縁に固定したホルダー３
０により上記姿勢に保持されており、ホルダー３
０の上端はローラ３１等を利用して延長部２７，
２８の上縁に沿つて走行できるようになつてい
る。３２はローラ３１用のレールである。図示さ
れていないが、集電ブラシ機構又はフレキシブル
ケーブル等を介してホルダー３０には陽極電源が
接続され、又モータとチエーンあるいはエヤーシ
リンダ等を備えた駆動機構によりホルダー３０を
走行させるようになつている。アノード８の数及
び上下位置等は各アノード８を後述する如く基板
Ｐ，Ｐ間の隙間ｌに介装できるように設定されて
いる。

一次銅メツキ処理を行う場合、まず前記傾斜積
層状態で前処理済みプリント基板Ｐを収容したか
ご７を化学メツキ槽５に所定時間浸ける。化学メ
ツキが完了すると、かご７は引き上げられて矢印
Ｆ方向に搬送された後、電気メツキ槽６に浸けら
れる。次にアノード８が側壁２３側へ前進して第
５図の如く基板Ｐ，Ｐ間に各隙間ｌにそれぞれ１
枚のアノード８が入り込む。各アノード８の面積
に充分に広く、各基板Ｐの略全面にわたつてアノ
ード８は対向する。アノード８に一定時間通電し
て電気メツキが完了すると、アノード８は第３図
の収納部２６内へ後退し、かご７は引き上げられ
て次の工程へ送られる。

以上説明したように本発明によると、複数のプ
リント基板Ｐを積み重ねてかご７に収容し、かご
７を化学メツキ槽５及び電気メツキ槽６の両方に
順々に浸けるようにしたので、従来のように基板
Ｐをかご１（第１図）からラツク２（第２図）へ
移し換える作業を廃止でき、化学メツキ及び電気
メツキの両処理を連続的に行うことができる。従
つて人手を省くと共に、移換時に基板Ｐが汚され
ることを防止できる。又搬送設備を従来のように
かご用とラツク用とに分割する必要はなく、設備
を１本化して設備コスト及び占有スペースを減少
させることができる。基板Ｐは積み重ねられるの
でかご７内に多数収容することができ、従来のワ
ンラツク方式のように少数枚ずつ処理する場合に
比べ、１回毎の処理枚数を増大させて生産性を高
めることができる。

アノード８は基板Ｐ，Ｐ間の隙間ｌに介装され
るので、多数の基板Ｐを積み重ねた場合でも、そ
れぞれの基板Ｐに対してアノード８を隣接させて
配置することができ、基板Ｐ毎の通電状態を均一
化してメツキ仕上り状態を向上させることができ
る。基板Ｐを積み重ねて化学メツキ槽５に浸ける
ので、液量に対する処理面積を必要な値以上に保
ち、ロードフアクターの悪化を防止して好ましい
化学反応を行わせることができる。

本発明とは別に、基板Ｐを水平にして上下に積
み重ねることや、基板Ｐを垂直に重ねることも考
えられるが、それらの方法に比べて本発明は次の
ような利点を備えている。まず基板Ｐを水平にし
て上下に重ねると、槽５，６からかごを引き上げ
る際にメツキ液が水平な基板Ｐ上に残つて排出さ
れにくく、そのために上昇位置にある基板Ｐ上か
らメツキ液が流出して別の槽に混入したり、上面
にメツキ液を溜めたまま基板Ｐが次のメツキ槽に
浸けられるという不具合がある。これに対して本
発明のように基板Ｐを傾斜させると、引上時には
基板Ｐ上からメツキ液が速やかに流出するので、
上記不具合は発生しない。

基板Ｐを垂直にする方法と本発明を比較した場
合、メツキ槽の長さや高速メツキ用噴射ノズル等
に関連して下記の如く本発明の方が優れている。
すなわち側面略図である第６図の如く、例えば40
mmの隙間ｍを隔てて12枚の基板Ｐを垂直姿勢で並
べると、基板群全体の搬送方向長さL′は基板Ｐの
厚さを無視しても、40×12＝480mmとなるのに対
し、本発明による例えば45゜の傾斜方法では第５
図の如く基板群全体の搬送方向長さＬが（短辺ｄ
の長さ：例えば500mm）×１／√２＝500／√２mm
となり、極めて短くなる。従つて本発明の方が各
メツキ槽の長さ及びメツキ槽群９の全長を短くす
ることができ、工場におけるメツキ槽群９の設置
面積を小さくすることができる。

前記高速メツキ用ノズル４０は例えば第５図の
隔壁２１の近傍に設置されて電気メツキ液を各隙
間ｌへ噴出するようになつており、他方の隔壁２
０の下端近傍にはメツキ液のドレン４１が設けら
れる。高速メツキ用ノズル４０を配置すると基板
Ｐの表面へ新しいメツキ液を常に供給することが
できるので、メツキ処理時間を短縮することがで
き、本発明ではそのようなノズル４０を問題なく
設置することが可能になる。これに対して第６図
の垂直方式ではノズル４０を隙間ｍの真上に設置
しなければならないが、そのようにするとノズル
４０が邪魔になつてかごの昇降を行うことができ
ず、従つてノゾル４０の設置は実際上不可能であ
る。垂直方式においては第６図の−矢視略図
である第７図の如くノズル４０を側壁２３の近傍
に設置してメツキ液を基板長辺ｂと平行に噴出さ
せることが考えられるが、長辺ｂ（例えば1500mm）
は短辺ｃ，ｄ（一般に500mm以下）に比べて非常に
長いので、第７図の方式では短辺ｃ側と短辺ｄ側
とでメツキ液の流速等にむらが生じ、メツキを均
一に仕上げることができない。

なお本発明を具体化する場合、第８図の如く電
気メツキ槽６の上方にアノード８を待機させ、槽
６の上方で基板Ｐ，Ｐ間にアノード８を介装して
槽６に浸け、電気メツキが完了して基板Ｐを槽６
の上方へ引き上げた後、アノード８を基板Ｐ，Ｐ
間から引き出すようにすることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来のかごとラツクの斜視
略図、第３図は本発明による装置の斜視図、第４
図はかごの拡大図、第５図はアノード介装状態に
おける装置の側面部分略図、第６図は本発明とは
別の装置の側面部分略図、第７図は第６図の−
矢視図、第８図は本発明による別の実施例の側
面図である。 ５……化学メツキ槽、６……電気メツキ槽、７
……かご、８……アノード、（陽電極）、ｌ……隙
間、Ｐ……プリント基板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 複数のプリント基板を傾斜姿勢かつ隙間を隔
   てて上下に積み重ねた状態でかごに収容し、上記
   かごを化学メツキ槽に浸けてプリント基板に化学
   メツキを施した後、かご内のプリント基板間の隙
   間に電気メツキ用電極を介装し、次にプリント基
   板をかごに収容したままの状態で電気メツキ槽内
   において電気メツキ処理を行うようにしたことを
   特徴とするプリント基板の一次銅メツキ方法。 ２ 複数のプリント基板を傾斜姿勢かつ隙間を隔
   てて上下に積み重ねた状態で収容するかごと、該
   かごが浸けられる一次銅メツキ用の化学メツキ槽
   及び電気メツキ槽と、プリント基板間の上記隙間
   に介装される電気メツキ電極とを備えたことを特
   徴とするプリント基板の一次銅メツキ装置。