JPH0139912B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0139912B2 JPH0139912B2 JP59228426A JP22842684A JPH0139912B2 JP H0139912 B2 JPH0139912 B2 JP H0139912B2 JP 59228426 A JP59228426 A JP 59228426A JP 22842684 A JP22842684 A JP 22842684A JP H0139912 B2 JPH0139912 B2 JP H0139912B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- print head
- thermal print
- film layer
- heating resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、サーマルプリントヘツド、特に保
護膜層に特徴を有するサーマルプリントヘツドに
関する。
護膜層に特徴を有するサーマルプリントヘツドに
関する。
(ロ) 従来の技術
一般にサーマルプリントヘツドは、セラミツク
等の基板上に、発熱抵抗体が形成され、この発熱
抵抗体の上部に、ドツト形成部分を除いて１対の
導体電極が積層され、さらに発熱抵抗体のドツト
形成部分及び導体電極を覆つてSiO2層、保護膜
層が形成されて構成されている。
等の基板上に、発熱抵抗体が形成され、この発熱
抵抗体の上部に、ドツト形成部分を除いて１対の
導体電極が積層され、さらに発熱抵抗体のドツト
形成部分及び導体電極を覆つてSiO2層、保護膜
層が形成されて構成されている。
この種のサーマルプリントヘツドの保護膜（耐
摩耗膜）としては、従来よりTa2O5（五酸化タン
タル）が広く用いられている。（例：特開昭56−
154074号、特開昭57−102373号）このTa2O5層の
形成は、保護膜を形成すべき基板をO2ガスを含
むアルゴンガス中に置き、Ta2O5を焼結ターゲツ
トに用いてスパツタリングを行つていた。
摩耗膜）としては、従来よりTa2O5（五酸化タン
タル）が広く用いられている。（例：特開昭56−
154074号、特開昭57−102373号）このTa2O5層の
形成は、保護膜を形成すべき基板をO2ガスを含
むアルゴンガス中に置き、Ta2O5を焼結ターゲツ
トに用いてスパツタリングを行つていた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
上記Ta2O5膜は、耐熱衝撃性に優れているとい
う利点がある反面、膜硬度がHv700程度であると
ころから走行方向に傷が入り易く、ヘツドの寿
命を加速度的に短くすること。上記を防止す
るため膜厚を大きく（通常10μm程度）形成する
が、このため熱応答性が悪くなる。という欠点が
あつた。
う利点がある反面、膜硬度がHv700程度であると
ころから走行方向に傷が入り易く、ヘツドの寿
命を加速度的に短くすること。上記を防止す
るため膜厚を大きく（通常10μm程度）形成する
が、このため熱応答性が悪くなる。という欠点が
あつた。
この発明は、上記に鑑み、膜硬度が高く、それ
でいて耐熱衝撃性に優れた保護膜を持つサーマル
プリントヘツドを提供することを目的としてい
る。
でいて耐熱衝撃性に優れた保護膜を持つサーマル
プリントヘツドを提供することを目的としてい
る。
(ニ) 問題点を解決するための手段及び作用
この発明のサーマルプリントヘツドは、上記目
的を達成するために、保護膜層として、窒化ケイ
素化合物（例：Si3N4）と五酸化タンタル化合物
（例：Ta2O5）の混合物を使用するようにしてい
る。
的を達成するために、保護膜層として、窒化ケイ
素化合物（例：Si3N4）と五酸化タンタル化合物
（例：Ta2O5）の混合物を使用するようにしてい
る。
窒化ケイ素化合物は、高い硬度を有するが、そ
の内部応力のためクラツクが入り易く、単体では
保護膜として使用する難があるが、五酸化タンタ
ル化合物を混ぜることにより、内部応力が緩和さ
れ、五酸化タンタル化合物単体より膜硬度の高
い、かつ耐熱衝撃性に優れたものが得られる。
の内部応力のためクラツクが入り易く、単体では
保護膜として使用する難があるが、五酸化タンタ
ル化合物を混ぜることにより、内部応力が緩和さ
れ、五酸化タンタル化合物単体より膜硬度の高
い、かつ耐熱衝撃性に優れたものが得られる。
(ホ) 実施例
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
第１図は、この発明の１実施例を示すサーマル
プリントヘツドの断面図である。このサーマルプ
リントヘツド１は、セラミツク等の基板２上に、
発熱抵抗体３が形成され、この発熱抵抗体３の上
部にドツト形成部分４を除いて、共通導体電極５
と個別の導体電極６が形成され、さらに発熱抵抗
体３及び導体電極５，６上に保護膜層７が形成さ
れている。この保護膜層７はSi3N4とTa2O5の混
合物である。
プリントヘツドの断面図である。このサーマルプ
リントヘツド１は、セラミツク等の基板２上に、
発熱抵抗体３が形成され、この発熱抵抗体３の上
部にドツト形成部分４を除いて、共通導体電極５
と個別の導体電極６が形成され、さらに発熱抵抗
体３及び導体電極５，６上に保護膜層７が形成さ
れている。この保護膜層７はSi3N4とTa2O5の混
合物である。
この保護膜層７は形成方法は、発熱抵抗体３及
び導体電極５，６が形成された基板２をアルゴン
ガス雰囲気中におき、Si3N4とTa2O5を適宜な混
合比（例70：30）とした混合焼結体をスパツター
リングターゲツトとしてスパツタリングを行う。
び導体電極５，６が形成された基板２をアルゴン
ガス雰囲気中におき、Si3N4とTa2O5を適宜な混
合比（例70：30）とした混合焼結体をスパツター
リングターゲツトとしてスパツタリングを行う。
以上のようにして形成される保護膜層７の
Ta2O5の混合比と膜硬度の関係を図示すると、第
２図に示す通りである。この図によるとTa2O5の
混合比が30％で、硬度がHv1350程度となる。図
より、Ta2O5の混合比は20〜50％が実用的であ
る。
Ta2O5の混合比と膜硬度の関係を図示すると、第
２図に示す通りである。この図によるとTa2O5の
混合比が30％で、硬度がHv1350程度となる。図
より、Ta2O5の混合比は20〜50％が実用的であ
る。
保護膜層７を形成するためのスパツタリングタ
ーゲツトの他の例としては、第４図に示すよう
に、Si3N4板８にTa2O5板を貼り付けた焼結ター
ゲツト１０を用いてもよい。この場合、Si3N4板
８とTa2O5板９の面積比によつて混合比が決ま
る。この面積比を70：30にしてスパツタリングを
行い、保護膜層７を形成した場合のサーマルプリ
ントヘツドの熱衝撃性テスト結果を第３図に示し
ている。第３図において、横軸はドツト毎に印加
電力、縦軸は抵抗値変化率である。図中曲線ａは
従来のTa2O5膜であり、曲線ｂは本実施例の
Si3N4系膜の場合である。この図によると、曲線
ｂの方がより高印加電力まで、抵抗値変化率が±
10％内に入つており、本実施例のSi3N4系膜の方
が耐熱衝撃性が強いことがわかる。
ーゲツトの他の例としては、第４図に示すよう
に、Si3N4板８にTa2O5板を貼り付けた焼結ター
ゲツト１０を用いてもよい。この場合、Si3N4板
８とTa2O5板９の面積比によつて混合比が決ま
る。この面積比を70：30にしてスパツタリングを
行い、保護膜層７を形成した場合のサーマルプリ
ントヘツドの熱衝撃性テスト結果を第３図に示し
ている。第３図において、横軸はドツト毎に印加
電力、縦軸は抵抗値変化率である。図中曲線ａは
従来のTa2O5膜であり、曲線ｂは本実施例の
Si3N4系膜の場合である。この図によると、曲線
ｂの方がより高印加電力まで、抵抗値変化率が±
10％内に入つており、本実施例のSi3N4系膜の方
が耐熱衝撃性が強いことがわかる。
さらに、この実施例サーマルプリントヘツド
は、従来設けられていた発熱抵抗体電極と保護膜
間の耐酸化防止膜（例：SiO2）を設ける必要が
なく、保護膜層の厚さを従来の２分の１以下とす
ることができる。
は、従来設けられていた発熱抵抗体電極と保護膜
間の耐酸化防止膜（例：SiO2）を設ける必要が
なく、保護膜層の厚さを従来の２分の１以下とす
ることができる。
(ヘ) 発明の効果
この発明のサーマルプリントヘツドによれば、
保護膜の硬度が大きく改善されたので、走行方向
の傷等が生じることなく、従つてサーマルプリン
トヘツドの寿命が伸びる。また保護膜の硬度が大
となつた分、膜厚を小さくすることができ、熱応
答性が向上する。また耐酸化防止層を設ける必要
がないので、小型化、コストダウンが実現する。
保護膜の硬度が大きく改善されたので、走行方向
の傷等が生じることなく、従つてサーマルプリン
トヘツドの寿命が伸びる。また保護膜の硬度が大
となつた分、膜厚を小さくすることができ、熱応
答性が向上する。また耐酸化防止層を設ける必要
がないので、小型化、コストダウンが実現する。
第１図はこの発明の１実施例を示すサーマルプ
リントヘツドの断面図、第２図は同サーマルプリ
ントヘツドに使用される保護膜層のTa2O5混合比
と膜硬度の関係を示す図、第３図は同サーマルプ
リントヘツドの熱衝撃性を示す図、第４図は同サ
ーマルプリントヘツドの保護膜を形成する際のス
パツタリングターゲツトの１例を示す図である。 １：サーマルプリントヘツド、２：基板、３：
発熱抵抗体、４：ドツト部分、５，６：導体電
極、７：保護膜層。
リントヘツドの断面図、第２図は同サーマルプリ
ントヘツドに使用される保護膜層のTa2O5混合比
と膜硬度の関係を示す図、第３図は同サーマルプ
リントヘツドの熱衝撃性を示す図、第４図は同サ
ーマルプリントヘツドの保護膜を形成する際のス
パツタリングターゲツトの１例を示す図である。 １：サーマルプリントヘツド、２：基板、３：
発熱抵抗体、４：ドツト部分、５，６：導体電
極、７：保護膜層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に、ドツト部分を含む発熱抵抗体が形
成されて、この発熱抵抗体の上部に、ドツト形成
部分を除いて１対の導体電極が積層され、さら
に、少なくとも前記ドツト形成部分及び導体電極
を覆つて保護膜層が形成されてなるサーマルプリ
ントヘツドにおいて、 前記保護腹層が窒化ケイ素化合物と五酸化タン
タル化合物の混合物で形成されたものであること
を特徴とするサーマルプリントヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228426A JPS61106271A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | サ−マルプリントヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59228426A JPS61106271A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | サ−マルプリントヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61106271A JPS61106271A (ja) | 1986-05-24 |
| JPH0139912B2 true JPH0139912B2 (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=16876292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59228426A Granted JPS61106271A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | サ−マルプリントヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61106271A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007164526A (ja) | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Canon Inc | 情報処理装置及び方法 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59228426A patent/JPS61106271A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61106271A (ja) | 1986-05-24 |
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