JPH0140981B2 - - Google Patents

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JPH0140981B2
JPH0140981B2 JP57231526A JP23152682A JPH0140981B2 JP H0140981 B2 JPH0140981 B2 JP H0140981B2 JP 57231526 A JP57231526 A JP 57231526A JP 23152682 A JP23152682 A JP 23152682A JP H0140981 B2 JPH0140981 B2 JP H0140981B2
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JP
Japan
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toner
powder
carrier
magnetic
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JP57231526A
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JPS59123849A (ja
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Masanori Takenochi
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to GB08322092A priority patent/GB2128764B/en
Priority to DE3330380A priority patent/DE3330380C3/de
Publication of JPS59123849A publication Critical patent/JPS59123849A/ja
Priority to US06/751,994 priority patent/US4618556A/en
Priority to SG78/89A priority patent/SG7889G/en
Publication of JPH0140981B2 publication Critical patent/JPH0140981B2/ja
Priority to HK483/90A priority patent/HK48390A/xx
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G9/00Developers
    • G03G9/08Developers with toner particles

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Magnetic Brush Developing In Electrophotography (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、絶瞁性正荷電性磁性珟像剀を䜿甚す
る珟像方法に関する。 埓来、電子写真・静電蚘録等における珟像方法
ずしおは、倧別しお也匏珟像法ず湿匏珟像法ずが
ある。前者は、曎に二成分系珟像剀を甚いる方法
ず、䞀成分系珟像剀を甚いる方法ずしお二分され
る。二成分系珟像方法に属するものには、トナヌ
を搬送するキダリダヌの皮類により、鉄粉キダリ
ダヌを甚いるマグネツトブラシ法、ビヌズ・キダ
リダヌを甚いるカスケヌド法、フアヌを甚いるフ
アヌブラシ法等がある。 又、䞀成分系珟像方法に属するものには、トナ
ヌ粒子を噎霧状態にしお甚いるパりダヌクラりド
法、トナヌ粒子を盎接的に静電朜像面に接觊させ
お珟像する接觊珟像法コンタクト珟像、又はト
ナヌ珟像ずもいう、トナヌ粒子を静電朜像面に
盎接接觊せず、トナヌ粒子を荷電しお静電朜像の
有する電界により該朜像面に向けお飛行させるゞ
ダンピング珟像法、磁性の導電性トナヌを静電朜
像面に接觊させお珟像するマグネドラむ法等があ
る。二成分系珟像方法では、必然的にキダリダヌ
粒子ずトナヌ粒子ずの混合珟像剀を甚い、通垞珟
像過皋の進行によりトナヌ粒子はキダリダヌ粒子
に比らべ遥かに倧量に消費させるから、䞡者の混
合比が倉化し、も぀お懞画像の濃床が倉動し、
又、消費され難いキダリダヌ粒子の長時間䜿甚に
よる劣化により画質が䜎䞋する等の欠点を本来有
しおいる。 他方、䞀成分系の珟像方法では、磁性トナヌを
甚いるマグネ・ドラむ法及び磁性トナヌを甚いな
いコンタクト珟像法は、トナヌが被珟像面の党
面、即ち画像郚、非画像郚に無差別に接觊し、こ
れがために非画像郚にたでもトナヌが付着し易
い、所謂地カブリずな぀お汚れが生じ易い問題が
あ぀た。このカブリ汚れの点に぀いおは二成分
系珟像法においおも同様に生じる欠点であ぀た。
又、パりダヌ・クラりド法においおもパりダヌ状
態のトナヌ粒子が非画像郚に付着するこずは避け
られず、同じく地カブリが陀去できない欠点を有
しおいる。 曎に、䞀成分系珟像方法に属する所謂ゞダンピ
ング珟像法ずしお、シヌト等の担持䜓にトナヌを
均䞀に塗垃した埌、これを静電保持面に小間〓を
保぀お察向させトナヌ担持䜓から静電像保持面に
トナヌを静電像が有する電荷により吞匕し、付着
させお珟像する方法が知られおいる。米囜特蚱
第2839400号明现曞等 この方法は、静電荷のない非画像郚では、トナ
ヌが吞匕されないばかりか、トナヌず非画像面ず
が接觊しないので、䞊述のカブリが出にくいずい
う長所を有しおいる。又、キダリダヌ粒子を甚い
ないので、䞊述した混合比の倉動ずいう事態もな
く、曎にキダリダヌ粒子の劣化もない。 しかしながらこの方法は、トナヌ担持䜓シヌト
に予めトナヌを付着させるため電界を䞎えおいる
が、均䞀になお䞔぀、薄く塗垃するこずが困難で
塗垃ムラが出易い。たた、塗垃されたトナヌ局
が、静電像ず察向したずき、静電像ぞの均䞀なト
ナヌの離脱が困難である欠点を有しおいる。 この点特開昭54−43027号、特開昭55−18656号
で提案される、磁性トナヌず可動なトナヌ担持䜓
スリヌブロヌラヌず、該担持䜓の内偎に静止
磁石を有する珟像装眮においお、該磁石の磁極に
察向しおスリヌブロヌラヌの倖衚面に近接しお磁
性䜓材料のトナヌ厚芏制郚材を配眮し、スリヌブ
ロヌラの倖衚面䞊に均䞀になお䞔぀薄く塗垃する
こずのできる珟像装眮は、䞊蚘欠点を陀去したも
ので忠実性が高く画質の安定した静電像珟像装眮
であるず蚀える。 本発明の目的は、連続䜿甚特性等の耐久性に優
れた珟像方法を提䟛するこずである。 本発明の他の目的は、高枩高湿や䜎枩䜎湿など
の環境倉化に察しおも安定である珟像方法を提䟛
するこずである。 具䜓的には、本発明の目的は、静電像を衚面に
保持する静電像保持䜓ず、絶瞁性磁性珟像剀を衚
面に担持するマグネツトを内包しおいる珟像剀担
持䜓ずを珟像郚においお䞀定の間〓を蚭けお配眮
し、珟像剀担持䜓に担持されおいる絶瞁性磁性珟
像剀は、少なくずも結着暹脂ず着色剀ずを有する
トナヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する
正荷電性絶瞁性磁性珟像剀であり、該シリカ埮粉
䜓がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生
成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、該シリカ埮粉䜓
が匏 匏䞭、は氎酞基たたは加氎分解性基は炭
玠〜のアルキル基は〜の敎数は
䟡の炭化氎玠基たたは酞玠を
【匏】
【匏】
【匏】又は
【匏】基ずしお 含むか、窒玠をR″N基ずしお有する䟡の炭
化氎玠基R′は氎玠原子、炭玠数〜のアル
キル基たたは環に窒玠原子を有する耇玠環匏有機
化合物はは
【匏】ず共圹した 重結合を持぀䟡の有機基で、は―結合で
窒玠原子に結合しおいるR″は氎玠原子たたは
炭玠数〜のアルキル基は酞アニオンであ
る。の化合物、その加氎分解物、及び前蚘化合
物ず䞍飜和モノマヌずの共重合䜓からなるカチオ
ン型䞍飜和アミン官胜性シランのうち少なくず
も皮たたは皮以䞊で凊理され、か぀、メタノ
ヌル適定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が60〜
80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理剀で疎氎化凊
理されたシリカ埮粉䜓であり、正荷電性磁性珟像
剀を珟像剀担持䜓䞊に前蚘間〓よりも薄い厚さに
担持させ、珟像剀担持䜓にバむアスを印加しなが
ら該珟像剀担持䜓に内包されおいるマグネツトの
磁界䞋で、該正荷電性磁性珟像剀を珟像郚におい
お前蚘静電像保持䜓に転移させ珟像するこずを特
城ずする珟像方法を提䟛するこずにある。 本発明者は、埓来知られおいるゞダンピング珟
像剀を䜿甚しお繰り返し耇写を続けるず、堎合に
より、珟像剀担持䜓䞊に担持された珟像剀局の均
䞀性がそこなわれ、担持䜓の円呚方向にスゞ状の
コヌテむング䞍良が発生したり、担持された珟像
剀の局の厚さが初期ず比范し、郚分的に極端に厚
くなり、ハン点様のムラが発生したり、サザ波様
のコヌテむング䞍良が発生する。前者は珟像した
際に、画像に癜筋ずしお芳察され、埌者はハン点
状あるいはサザ波状の濃床ムラずな぀お芳察され
たりする。この珟像は、通垞の繰り返し耇写では
ほずんど発生しないが、特に長期間超䜎枩䜎湿の
環境条件䞋での連続䜿甚で発生する堎合があり、
奜たしくない。 たた、高枩高湿においおも珟像剀局の厚さが倉
化し、薄くなる堎合が倚く、しばしば画像濃床の
䜎䞋を匕き起こし、奜たしくない堎合があ぀た。 この点に぀いお怜蚎を重ねた結果、その原因の
぀は電荷制埡成分の安定性および信頌性にあ
り、これらの原因により該スリヌブ䞊ぞの珟像粉
の付着およびスリヌブからの珟像粉の転写が倉化
するためであるこずを芋出した。 さらに詳しく述べるず、この様な珟像は、環境
条件の倉化によ぀お担持䜓䞊に担持された珟像剀
局においお、摩擊垯電量の䞍均䞀郚分が生ずるこ
ずによる。すなわち、、超䜎枩䜎湿の環境条件䞋
では担持䜓衚面ず珟像剀ずの摩擊により発生する
珟像剀の摩擊垯電電荷が極端に倧きい成分が発生
し、その電荷に垰因する鏡映力のため、担持䜓近
傍にその様な摩擊垯電電荷の極端に倧きい成分
が、蓄積しやすく、これが連続耐久などによ぀
お、珟像剀局の䞊局郚分の珟像剀のコヌテむング
の均䞀性や珟像されやすさに圱響をあたえ、珟象
ずしお、前蚘した癜スゞや、ハン点状のムラ、サ
ザ波状のコヌテむング䞍良を生ずる。たた高枩高
湿における珟像剀局の厚さ枛少も、珟像剀ず担持
䜓ずの摩擊垯電の䞍均䞀から発生するもので担持
䜓衚面近傍の珟像剀の摩擊垯電量の䞍安定性によ
るものである。 埓来、この様な也匏珟像甚トナヌに甚いられる
電荷制埡剀ずしおは、アミノ化合物、第玚アン
モニりム化合物および有機染料等に塩基性染料ず
その塩が知られおおり、ベンゞルゞメチル―ヘキ
サデシルアンモニりムクロラむド、デシル―トリ
メチルアンモニりムクロラむド、ニグロシン塩
基、ニグロシンヒドロクロラむド、サフラニンγ
及びクリスタルバむオレツト等が䜿甚されおい
る。ニグロシン塩基及びニグロシンヒドロクロラ
むドがしばしば正電荷制埡剀ずしお甚いられおい
る。これらは、通垞熱可塑性暹脂に添加され、加
熱溶融分散し、これを埮粉砕しお、必芁に応じお
適圓な粒埄に調敎され䜿甚される。 しかしながら、これらの電荷制埡剀ずしおの染
料は、構造が耇雑で性質が䞀定しおいなく、安定
性に乏しい。たた、熱混緎時の分解、機械的衝
撃、摩擊、枩湿床条件の倉化、などにより分解又
は倉質し、荷電制埡性が䜎䞋する珟象を生ずる。 埓぀お、これらの染料を荷電制埡剀ずしお含有
したトナヌを耇写機に甚い珟像するず、耇写回数
の増倧に埓い、染料が分解あるいは倉質し、耐久
䞭にトナヌの劣化を匕き起こす。 又、これらの荷電制埡剀ずしおの染料は、熱可
塑性暹脂䞭に均䞀に分散する事が極めお困難であ
るため、粉砕しお埗られたトナヌ粒子間の摩擊垯
電量に差異を生じるずいう臎呜的欠点を有しおい
る。このため、埓来これらの染料の暹脂䞭ぞの分
散をより均䞀に行なうための皮々の方法が行なわ
れおいる。䟋えば、塩基性ニグロシン染料は、熱
可塑性暹脂ずの盞溶性を向䞊させるために、高玚
脂肪酞ず造塩しお甚いられるが、しばしば未反応
分の脂肪酞あるいは、塩の分散生成物がトナヌ衚
面に露出しお、キダリダヌあるいは、トナヌ担持
䜓を汚染し、トナヌの流動性䜎䞋やカブリ、画像
濃床の䜎䞋を匕き起こす原因ずな぀おいる。ある
いは、これらの染料の暹脂䞭ぞの分散向䞊のため
に、あらかじめ染料粉末ず暹脂粉末ずを機械的粉
砕混合しおから、熱溶融混緎する方法もずられお
いるが、本来の分散䞍良性は回避する事ができ
ず、未だ実甚䞊充分な荷電の均䞀さは埗られおい
ないのが珟実である。 又、荷電制埡性の染料は芪氎性のものが倚く、
これらの暹脂䞭ぞの分散䞍良のために、溶融混緎
埌粉砕した際には、染料がトナヌ衚面に露出す
る。高湿条件䞋での該トナヌの䜿甚の際には、こ
れら染料が芪氎性であるがために良質な画像が埗
られないずいう欠点を有しおいる。 この様に、埓来の荷電制埡性を有する染料をト
ナヌに甚いた際には、トナヌ粒子間に斌いお、あ
るいはトナヌずキダリダヌ間、トナヌずスリヌブ
のごずきトナヌ担持䜓間に斌いお、トナヌ粒子衚
面に発生電荷量にバラツキを生じ、珟像カブリ、
トナヌ飛散、キダリダヌ汚染等の障害が発生す
る。たたこれらは、耇写枚数を倚く重ねた際に特
に顕著な珟象ずな぀お珟われ、実質䞊耇写機には
適さない結果ずなる。 又、高湿条件䞋に斌いおは、トナヌ画像の転写
効率が著しく䜎䞋し、䜿甚に耐えないものであ
る。又、垞枩垞湿に斌いおさえも該トナヌを長期
保存した際には、甚いた荷電制埡性の染料の䞍安
定性のために、トナヌ凝集を起こし䜿甚䞍可胜に
なる堎合が倚い。 本発明者は、䞊蚘の劂き埓来の荷電性トナヌに
た぀わる皮々の問題点を解決し、均䞀に匷く垯電
し、静電荷像を可芖化しお高品質な画像を䞎える
事を目的ずしお鋭意研究せる結果、ケむ玠ハロゲ
ン化合物の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮
粉䜓であ぀お、該シリカ埮粉䜓が前蚘したカチオ
ン型䞍飜和アミン官胜性シランで凊理されか぀、
メタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床
が60〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理された
シリカ埮粉䜓を珟像剀に含有させれば優れた皮々
の特性を瀺す電子写真甚珟像剀が埗られる事を芋
出した。そしおさらに、この珟像剀をスリヌブロ
ヌラヌを有する珟像装眮に適甚するのが非垞に有
効であるこずを芋出した。 本発明で甚いる珟像工皋に぀いお説明する。第
図に本発明で甚いる珟像工皋の実斜圢態が断
面図で瀺される。同図においお静電像保持䜓は
矢印方向に動く。珟像剀担䜓である非磁性円筒
は、珟像郚においお静電像保持䜓衚面ず同方向に
進むように回転する。非磁性円筒内郚には、倚
極氞久磁石が回転しないように配されおいる。
珟像剀容噚から送られる䞀成分系絶瞁性磁性
珟像剀を非磁性円筒面䞊に塗垃し、か぀円筒
面ずトナヌ粒子ずの摩擊によ぀お、トナヌ粒子に
静電像電荷ず逆極性の荷電を䞎える。さらに鉄補
のドクタヌブレヌドを円筒衚面に近接しお
間隔50Ό〜500Ό、倚極氞久磁石の䞀぀の磁極
図瀺では極䜍眮に察向しお配眮するこずに
より、トナヌ局の厚さを薄く30Ό〜300Ό䞔぀
均䞀に芏制する。この円筒の回転速床を調節す
るこずにより、珟像剀局の衚局速床及び奜たしく
は内郚速床が静電像保持面の速床ず実質的に等
速、もしくはそれに近い速床ずなるようにする。
ドクタヌブレヌドずしお鉄のかわりに氞久磁
石を甚いお察向磁極を圢成しおもよい。たた、珟
像郚においお珟像剀担持䜓ず静電像保持面ずの間
で亀流バむアスを印加しおもよい。この亀流バむ
アスはが200〜4000Hz、Vppが500〜3000Vで
あれば良い。 以䞊の劂く、この珟像工皋においおは䞀成分磁
性珟像剀を珟像剀担䜓䞊に安定に保持させる為
に、倚極氞久磁石を内包する非磁性円筒を甚
いた。たた、珟像剀局を薄く均䞀に圢成する為
に、円筒衚面に近接しお磁性䜓薄板もしくは氞
久磁石によるドクタヌブレヌドを配眮した。
このように磁性䜓のドクタヌブレヌドを甚いる
ず、珟像剀担持䜓に内包された氞久磁石の磁極ず
の間に察向磁極が圢成され、ドクタヌブレヌドず
珟像剀担持䜓間でトナヌ粒子鎖を匷制的に立ち䞊
がらせるこずになり、珟像剀担持䜓䞊の他の郚
分、䟋えば静電像面に盞察する珟像郚分の珟像剀
局を薄く芏制するのに有利である。さらにそのよ
うな匷制的運動を珟像剀に䞎えるこずにより珟像
剀局はより均䞀になり、よ぀お非磁性ドクタヌブ
レヌドでは実珟できなか぀た薄く䞔぀均䞀なトナ
ヌ局圢成が達せられる。しかもドクタヌブレヌド
ずスリヌブずの間〓を広めに蚭定できるからトナ
ヌ粒子の砎壊や凝集を防止する効果もある。珟像
郚分におけるトナヌ粒子の転移に際し、静電像の
吞匕䜜甚にあるいは亀流バむアスの䜜甚によ぀お
静電像偎に転移する。 本発明の珟像方法においお甚いられるトナヌ甚
の結着暹脂ずしおは、埓来電子写真甚トナヌ結着
暹脂ずしお知られる各皮の材料暹脂が甚いられ
る。 䟋えばポリスチレン、スチレン・ブタゞ゚ン共
重合䜓、スチレン・アクリル共重合䜓のスチレン
系共重合䜓、ポリ゚チレン、ポリ゚チレン酢酞ビ
ニル共重合䜓、ポリ゚チレンビニルアルコヌル共
重合䜓のような゚チレン系共重合䜓、プノヌル
系暹脂、゚ポキシ系暹脂、アリルフタレヌト暹
脂、ポリアミド暹脂、ポリ゚ステル暹脂、マレむ
ン酞系暹脂等である。たたいずれの暹脂もその補
造法等は特に制玄されるものではない。これは埓
来゚マルゞペン重合等で補造した暹脂は䞍玔物が
含たれ易く䜿いづらか぀たものが本発明により容
易に䜿甚が可胜になり、暹脂遞択の範囲も倧きく
広がる。これも本発明の倧きな効果である。 トナヌ䞭に含有させる磁性粉ずしおは匷磁性の
元玠及びこれらを含む合金、化合物などであり、
マグネタむト、ヘマタむト、プラむトなどの
鉄、コバルト、ニツケル、マンガンなどの合金や
化合物、その他の匷磁性合金など埓来より磁性材
料ずしお知られおいるものがある。通垞䜿甚する
磁性粉の倧きさずしおは平均粒埄が0.05〜5Ό、奜
たしくは0.1〜1Όが良い。この磁性粉は、トナヌ
䞭に10〜70重量、奜たしくは15〜35重量含有
させるのが良い。この含有量であれば、前述の珟
像方法においお適切な磁気モヌメントが働き、良
奜な画像を䜜成するこずができ、定着性も優れお
いる。 トナヌに甚いる着色材料ずしおは、埓来公知の
カヌボンブラツク、鉄黒などが䜿甚でき、埓来公
知の正荷電制埡剀ずしおの染料党おが、本発明に
甚いられる凊理されたシリカ埮粉䜓ずの組み合せ
で䜿甚する事ができる。 䟋えばベンゞルゞメチル―ヘキサデシルアンモ
ニりムクロラむド、デシル―トリメチルアンモニ
りムクロラむド、ニグロシン塩基、ニグロシンヒ
ドロクロラむド、サフラニンγ及びクリスタルバ
むオレツトなど皮々の染料である。 本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓は、いわ
ゆる也匏法シリカ、又はヒナヌムドシリカず称さ
れるもので、埓来公知の技術によ぀お補造される
ものである。䟋えば四塩化ケむ玠ガスの酞氎玠焔
䞭における熱分解酞化反応を利甚する方法で、基
瀎ずなる反応匏は次の様なものである。 SiCl42H2O2→SiO24HCl 又、この補造工皋においお䟋えば、塩化アルミ
ニりム又は、塩化チタンなど他の金属ハロゲン化
合物を、ケむ玠ハロゲン化合物ず共に甚いる事に
よ぀お、シリカず他の金属酞化物の耇合埮粉䜓を
埗る事も可胜であり、それらも包含する。 その粒埄は平均の䞀次粒埄ずしお、0.001〜2ÎŒ
の範囲内である事が望たしく、特に奜たしくは、
0.002〜0.2Όの範囲内のシリカ埮粉䜓を䜿甚する
のが良い。 これらシリカ埮粉䜓の垂販のものずしおは、䟋
えば、以䞋の様な商品名で垂販されおいるものが
ある。 AEROSIL 130 日本ア゚ロゞル瀟 200 300 380 TT600 MOX80 MOX170 COK84 Cab――Sil ― CABOT瀟 MS― MS―75 HS― EH― Wacker HDK N20 WACKER―CHEMIE GMBH瀟 V15 N20E T30 T40 ― Finl Silica ダりコヌニング瀟 Fransol Fransil瀟 埓来、トナヌにこれらシリカ埮粉䜓を添加する
䟋は公知である。しかしながら、このような物質
は安定性の点で必ずしも充分でなく、たた正荷電
制埡性を必芁ずするトナヌではこのようなシリカ
を添加するず垯電性が倉化しおしたい䞍適圓であ
぀た。 本発明で甚いられる匏 で衚わされるカチオン型䞍飜和アミン官胜性シラ
ンは、前蚘した様に、は氎酞基たたは、アルコ
キシ基、アリヌルオキシ基、氎玠原子、アシルオ
キシ基、ケトオキシム基、アミノ基のような加氎
分解性の基である。ここでいう「加氎分解性基」
ずは、宀枩で氎ず反応し、シラノヌルを圢成する
基ずいう意味である。 は、炭玠数以䞋の䜎玚アルキル基である。
同じケむ玠原子䞊に付く基は、同じでも違぀お
もよい。 本発明の目的のためには、ケむ玠原子ず、窒玠
原子ずの間の結合基は炭玠、氎玠、酞玠からな
り、埌者は、カルボニル、゚ヌテル、゚ステル、
氎酞基圢、たたは、窒玠を有するアミド基の圢の
ものである。 の特有な䟋は、䟡の炭化氎玠基、カルボニ
ル基、゚ヌテル基、゚ステル基たたは、
【匏】のような氎酞基 を持぀基である。たたは、―
CH2CH2CH2NHCH2CH2―ずか
【匏】ずか、
【匏】のように窒玠を含ん でいおもかたわない。 R′は、氎玠原子、のずころで述べたように
炭玠数〜のアルキル基たたは、
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】 のように環に窒玠を持぀耇玠環匏化合物から成る
矀から独立に遞ばれる。䜆し、R″の぀がこの
ような耇玠環匏化合物であれば、残りのR′は耇
玠環匏化合物以倖のものであるのが良い。 は、基に関連しお述べたように炭玠、氎
玠、酞玠からできた䟡の有機基であり、さら
に、ビニル成分ず共圹した重結合性を持぀こず
を特城ずするものである。は、炭玠、―窒玠結
合によ぀お窒玠に結合しおいる。このような䟡
の基の䟋ずしおは、アリヌレン基、カルボニル基
およびビニル基がある。 R″は、氎玠原子たたは炭玠数〜のアルキ
ル基である。 は、氎玠原子塩玠、臭玠、ペり玠たたは
カルボキシル塩アニオンのような酞性アニオン、
たたたずえばギ酞塩、酢酞塩アニオンずか、リン
酞塩アニオンずか硫酞塩アニオンずか硝酞塩アニ
オンのようなものである。 以䞋は、その化合物の䟋である。 これらの化合物は、アミノ官胜性シランず共圹
䞍飜和ハロゲン化アルキルずの反応によ぀お䜜ら
れる。たたは、ケむ玠ハロゲン化アルキルず、共
圹䞍飜和脂肪族アミンずを反応させおも䜜られ
る。該シランを本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓
に凊理するには、該シランが氎性溶媒䞭に少なく
ずも重量溶液皋床たで可溶であるため、埓来
公知の技術で凊理する事ができる。䟋えばシラン
氎溶液䞭に浞挬する方法、シリカ埮粉䜓にシラン
氎溶性をスプレヌする方法などがある。この様な
方法で凊理されたシリカ埮粉䜓はその衚面に、匏 匏䞭、すべおの基は前述したものず同じであ
る。で衚わされる加氎分解物を付着する。 又、本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓に芁求さ
れる疎氎化床、即ち、メタノヌル滎定詊隓によ぀
お枬定された疎氎化床が60〜80の範囲の倀を瀺す
様に疎氎化凊理するには、埓来公知の疎氎化方法
が甚いられ、シリカ埮粉䜓ず反応あるいは物理吞
着する有機ケむ玠化合物などの疎氎化剀で化孊的
に凊理するこずによ぀お付䞎される。奜たしい方
法ずしおは、ケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化
により生成されたシリカ埮粉䜓を前蚘したシラン
カツプリング剀で凊理した埌、あるいはシランカ
ツプリング剀で凊理するず同時に疎氎化剀で凊理
する。 疎氎化凊理剀ずしおは、トリメチルクロルシラ
ン、ゞメチルゞクロルシラン、メチルトリクロル
シラン、アリルゞメチルクロルシラン、アリルフ
゚ニルゞクロルシラン、ベンゞルゞメチルクロル
シラン、ブロムメチルゞメチルクロルシラン、α
―クロル゚チルトリクロルシラン、β―クロル゚
チルトリクロルシラン、クロルメチルゞメチルク
ロルシラン、ヘキサメチルゞシロキサン、
−ゞビニルテトラメチルゞシロキサンたたは
―ゞプニルテトラメチルゞシロキサンが䟋瀺
される。 これらは皮あるいは皮以䞊の混合物で甚い
られる。シリカ埮粉䜓に察しお凊理する䞍飜和カ
チオン型アミン化合物ず疎氎化凊理剀の奜たしい
重量の比率は、1585〜8515であり、䞍飜和カ
チオン型アミン化合物ず疎氎化凊理剀の総量は奜
たしくは、シリカ埮粉䜓に察しお0.1〜30wt、
さらに奜たしくは0.5〜20wtであるのが望たし
い。 最終的に凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床が
メタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床
ずしお、60〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化され
た堎合に本発明の珟像方法に甚いられるのに奜た
しい珟像剀が埗られる。 ここでメタノヌル滎定詊隓は疎氎化された衚面
を有すシリカ埮粉䜓の疎氎化床の皋床を確認する
実隓的詊隓である。 凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床を評䟡する
ために本明现曞においお芏定される“メタノヌル
滎定詊隓”は次の劂く行う、䟛詊シリカ埮粉䜓
0.2gを容量250mlの䞉角フラスコ䞭の氎50mlに添
加する。メタノヌルをビナヌレツトからシリカの
党量が湿最されるたで滎定する。この際フラスコ
内の溶液はマグネチツクスタヌラヌで垞時撹拌す
る。その終点はシリカ埮粉䜓の党量が液䜓䞭に懞
濁されるこずによ぀お芳察され、疎氎化床は終点
に達した際のメタノヌルおよび氎の液状混合物䞭
のメタノヌルの癟分率ずしお衚わされる。 たた、これらの凊理されたシリカ埮粉䜓の適甚
量は珟像剀重量に察しお0.01〜20の時に効果を
発揮し、特に奜たしくは0.1〜添加した際に
優れた安定性を有する正の垯電性を瀺す。添加圢
態に぀いお奜たしい態様を述べれば、珟像剀重量
に察しお0.01〜重量の凊理されたシリカ埮粉
䜓がトナヌ粒子衚面に付着しおいる状態にあるの
が良い。 この様にしお構成された本発明の珟像方法は、
甚いられる珟像剀が荷電制埡成分ずしお、前蚘し
たずころのシリカ埮粉䜓を含有するため、珟像剀
担持䜓䞊に担持された珟像剀局に付䞎される摩擊
垯電量が均䞀化され、超䜎枩䜎湿の耐久においお
生じやすい過剰の電荷のみを適圓な飜和倀たでシ
リカ埮粉䜓を介しおリヌクし、その結果安定な珟
像剀局を圢成する。高枩高湿においおは、安定な
コヌテむング状態を䞎えるに必芁な摩擊垯電量を
保持しやすく、濃床䜎䞋などを生じない。 たた他の特城は、安定な珟像剀局の圢成が容易
なため埓来充分には解決できなか぀た珟像カブリ
や、朜像の゚ツチ呚蟺ぞのトナヌの飛び散りがな
く、高い画像濃床が埗られ、ハヌフトヌンの再珟
性が良い事である。 以䞊本発明の基本的な構成ず特色に぀いお述べ
たが以䞋実斜䟋にもずづいお具䜓的に本発明の方
法に぀いお説明する。しかしながら、これによ぀
お本発明の実斜の態様がなんら限定されるもので
はない。実斜䟋䞭の郚数は重量郚である。 実斜䟋  ―クロルプロピルトリメトキシシラン 50g ペり化メチル 0.5g ―ゞメチルアミノ゚チルメタクリレヌト
50g ゞメチルホルムアミド 100g むオり 0.5g 䞊蚘混合物を95℃にお還流しながら50時間反応
させ生成物 を埗た。次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200日本ア
゚ロゞル瀟補100gに察しお䞊蚘生成物4gを皀
釈した氎溶液䞭に浞挬し、60℃にお時間撹拌し
た。その埌、ロ過し100℃にお10時間也燥させカ
チオン型䞍飜和アミンで凊理されたシリカ埮粉䜓
を埗た。該シリカをヘンシ゚ルミキサヌ䞭に入
れ、撹拌しながら該シリカに察しおゞメチルクロ
ルシランが10重量パヌセントずなる様に噎霧し
た。宀枩で時間高速撹拌し、さらに80℃で24時
間撹拌し、぀いでミキサヌを倧気圧たで開攟し
た。この混合物をさらに䜎速にお倧気圧で60℃、
時間也燥した。疎氎化床60であ぀た。 次に スチレン―ブタゞ゚ン共重合䜓7030
100重量郹 マグネタむト 60重量郹 ニグロシン 重量郚 䞊蚘材料をブレンダヌでよく混合した埌150℃
に熱した本ロヌルで混緎した。混緎物を自然攟
冷埌、カツタヌミルで粗粉砕した埌、ゞ゚ツト気
流を甚いた埮粉砕機を甚いお粉砕し、さらに颚力
分散機を甚いお分散しお粒経〜20Όの埮粉䜓を
埗た。 該埮粉䜓に察しお0.6重量の䞊蚘凊理シリカ
を加えぞンシ゚ルミキサヌで混合したものを珟像
剀ずした。 次いでOPC感光䜓に−6KVのコロナ攟電を行
い党面䞀様に垯電した埌、原画像照射を行い静電
朜像を圢成した。 珟像剀担持䜓は倖埄50mmのステンレス補円筒ス
リヌブずした。スリヌブ衚面磁束密床700ガりス、
穂切りブレヌドスリヌブ衚面間距離0.2mmである。
このスリヌブ回転マグネツト固定スリヌブ呚速
はドラムのそれず同じで回転方向は逆型珟像噚
を前蚘感光ドラム衚面―スリヌブ衚面間距離0.25
mmに蚭定し、スリヌブに400Hz、1000Vの亀流及
び−150Vの盎流バむアスを印加した。 前蚘した珟像剀を甚いお珟像し、次いで転写玙
の背面より−7KVの盎流コロナを照射し぀぀粉
像を転写し、耇写画像を埗た。定着は垂販の普通
玙耇写機商品名、NP―5000、キダノン補を
甚いお行぀た。埗られた転写画像は濃床が1.29ず
充分高く、かぶりも党くなく、画像呚蟺のトナヌ
飛び散りがなく解像力の高い良奜な画像が埗られ
た。この時のスリヌブ䞊にコヌテむングされたト
ナヌ局の単䜍面積圓りの重量は1.4×10-3g/cm2
であ぀た。 䞊蚘珟像剀を甚いお連続しお転写画像を䜜成
し、耐久性を調べたが、100000枚埌の転写画像も
初期の画像ず比范しお、党く、そん色のない画像
であ぀た。 次に、環境条件35℃、85にしたずころ、画像
濃床は1.25ず垞枩垞湿ずほずんど倉化のない倀で
あり、かぶりや飛び散りもなく鮮明な画像が埗ら
れ耐久性も100000枚たでほずんど倉化なか぀た。
この時トナヌ局の単䜍面積圓りの重量は1.35×
10-3g/cm2であ぀た。次に10℃、10の䜎枩䜎
湿床においお転写画像を埗たずころ画像濃床は
1.31ず高くベタ黒も極めお滑らかに珟像、転写さ
れ飛び散りや䞭抜けのない優秀な画像であ぀た。
この環境条件で耐久を行぀たが、連続、及び間け
぀でコピヌしたが、やはり100000枚たで濃床倉動
は±0.1ず実甚䞊充分であり、癜スゞやムラは発
生しなか぀た。この時のトナヌ局の単䜍面積圓り
の重量の倉化を第図に瀺したが、ほずんど倉化
がなか぀た。 比范䟋  ア゚ロゞル200を実斜䟋で補造した化合物ず、
ゞメチルゞクロルシランで凊理しない他は実斜䟋
ず同様に珟像剀を埗、珟像、転写を行぀たが、
反転した画像が埗られたのみであ぀た。 比范䟋  ゞメチルゞクロルシランで凊理しない他は実斜
䟋ず同様に珟像剀を埗、同様に画像を埗た。垞
枩垞湿での画像はカブリは少ないが画像濃床は
0.70ず䜎くガサツキ傟向のある画像であ぀た。耐
久性を調べたが500枚時に濃床は0.53ず䜎䞋し、
トナヌ局の単䜍面積圓りの重量は初期1.3×10-3
cm2で、500枚時には4.8×10-3g/cm2ずな぀た。 10℃、10の条件䞋で画像を埗たずころ、画像
濃床は0.58ず䜎く、飛び散り、カブリ、ガサツキ
がひどか぀た。連続画像出しを行぀たが、500枚
皋床でハン点状のムラを生じた。トナヌ局の単䜍
面積圓りのトナヌ重量は4.5×10-3g/cm2であ぀た。 比范䟋  実斜䟋においお、ゞメチルゞクロルシランの
量をシリカに察しお0.3重量ずなる様に倉えた
他は実斜䟋ず同様に行぀た。この時のシリカの
疎氎化床は18であ぀た。垞枩垞湿では耐久枚数
50000枚たで良奜な画像が埗られ、トナヌ局の単
䜍面積圓りのトナヌ重量も倉化しなか぀たが、35
℃、85では、初期の画像濃床は、1.0であり
5000枚時には0.63に䜎䞋した。トナヌ局は1.4×
10-3g/cm2であ぀たものが、5000枚時には0.63×
10-3g/cm2たで䜎䞋した。10℃、10の条件䞋に、
ケ月保存したのちこの環境で耐久を行぀たずこ
ろ初期は画像濃床が1.3ず高く良奜な結果が埗ら
れたが5000枚でサザ波ムラを生じ、画像濃床は
0.50を䜎䞋し10000枚で癜スゞが画像に生じた。
この時のトナヌ局は4.3×10-3g/cm2ず増加しおい
た。この時のトナヌ局の単䜍面積圓りのトナヌ重
量の倉化を第図に瀺した。 実斜䟋 〜 実斜䟋で補造した化合物ずゞメチルゞクロル
シランのア゚ロゞル200に察する凊理量をそれぞ
れ 0.3重量パヌセント、1.0重量パヌセント及び 1.0重量パヌセント、1.0重量パヌセント及び 5.0重量パヌセント、1.0重量パヌセント ず代えるこずを陀いおは実斜䟋ずほが同様に行
぀たずころ良奜な結果がえられた。 参考䟋 䞊蚘混合物を100℃にお時間還流し生成物 を埗た。次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200に察し
お重量パヌセントずなる様に、䞊蚘生成物の氎
溶液を噎霧しながらヘンシ゚ルミキサヌで混合し
た。その埌100℃にお10時間也燥しカチオン型䞍
飜和アミンで凊理されたシリカ埮粉䜓を埗た。該
シリカを再びヘンシ゚ルミキサヌに入れ撹拌しな
がら該シリカに察しおゞメチルゞクロルシランが
重量パヌセントずなる様に噎霧した。その埌実
斜䟋ず同様に凊理した。疎氎化床は50であ぀
た。 次に、 酞化ポリ゚チレン 100重量郹 カヌボンブラツク 重量郚 マグネタむト 70重量郹 ニグロシン 重量郚 䞊蚘材料を実斜䟋ず同様の操䜜を行い〜
25Όの埮粉䜓を埗た。該埮粉䜓に察しお0.3重量
の䞊蚘凊理シリカを加え混合したもの。 次いで実斜䟋ず同様に画像を埗、圧力定着し
た。画像濃床は1.41ず充分に高く朜像に忠実な画
像であ぀た。耐久枚数も100000枚たで実甚䞊充分
な画像であり、35℃、85の高枩高湿条件䞋及
び、10℃、10の䜎枩䜎湿条件䞋においおも優れ
た特性を瀺した。
【図面の簡単な説明】
第図は、本発明に適甚できる珟像工皋の䞀実
斜圢態を瀺す断面図。第図は実斜䟋及び比范
䟋における10℃、10の環境における耐久䞭の
トナヌ局の単䜍面積圓りのトナヌ重量倉化を瀺す
図。  静電像保持䜓、 非磁性円筒、 ド
クタヌブレヌド、 絶瞁性珟像剀、 実斜
䟋の結果、 比范䟋の結果。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず、絶
    瞁性磁性珟像剀を衚面に担持するマグネツトを内
    包しおいる珟像剀担持䜓ずを珟像郚においお䞀定
    の間〓を蚭けお配眮し、 珟像剀担持䜓に担持されおいる絶瞁性磁性珟像
    剀は、少なくずも結着暹脂ず磁性粉ずを有するト
    ナヌず、シリカ埮粉䜓ずを少なくずも含有する正
    荷電性絶瞁性磁性珟像剀であり、 該シリカ埮粉䜓がケむ玠ハロゲン化合物の蒞気
    盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、
    該シリカ埮粉䜓が匏 匏䞭、は氎酞基たたは加氎分解性基は炭
    玠〜のアルキル基は〜の敎数は
    䟡の炭化氎玠基たたは酞玠を【匏】 【匏】【匏】又は【匏】基ずしお 含むか、窒玠をR″N基ずしお有する䟡の炭
    化氎玠基R′は氎玠原子、炭玠数〜のアル
    キル基たたは環に窒玠原子を有する耇玠環匏有機
    化合物はは【匏】ず共圹した 重結合を持぀䟡の有機基で、は―結合で
    窒玠原子に結合しおいるR″は氎玠原子たたは
    炭玠数〜のアルキル基は酞アニオンであ
    る。の化合物、その加氎分解物、及び前蚘化合
    物ず䞍飜和モノマヌずの共重合䜓からなるカチオ
    ン型䞍飜和アミン官胜性シランのうち少なくずも
    皮たたは皮以䞊で凊理され、か぀、メタノヌ
    ル適定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床が60〜80
    の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理剀で疎氎化凊理
    されたシリカ埮粉䜓であり、 正荷電性磁性珟像剀を珟像剀担持䜓䞊に前蚘間
    〓よりも薄い厚さに担持させ、珟像剀担持䜓にバ
    むアスを印加しながら該珟像剀担持䜓に内包され
    おいるマグネツトの磁界䞋で、該正荷電性磁性珟
    像剀を珟像郚においお前蚘静電像保持䜓に転移さ
    せ珟像するこずを特城ずする珟像方法。
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JPS61277965A (ja) * 1985-06-03 1986-12-08 Canon Inc 正荷電性珟像剀
JPS61279865A (ja) * 1985-06-06 1986-12-10 Canon Inc 正垯電性珟像剀
JPS63143562A (ja) * 1986-12-08 1988-06-15 Mitsubishi Kasei Corp 電子写真甚珟像剀

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