JPH0525110B2 - - Google Patents

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JPH0525110B2
JPH0525110B2 JP58106514A JP10651483A JPH0525110B2 JP H0525110 B2 JPH0525110 B2 JP H0525110B2 JP 58106514 A JP58106514 A JP 58106514A JP 10651483 A JP10651483 A JP 10651483A JP H0525110 B2 JPH0525110 B2 JP H0525110B2
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JP
Japan
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toner
carrier
developing
electrostatic image
magnetic
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JP58106514A
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English (en)
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JPS59231552A (ja
Inventor
Eiichi Imai
Hiroyuki Suematsu
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPS59231552A publication Critical patent/JPS59231552A/ja
Publication of JPH0525110B2 publication Critical patent/JPH0525110B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00—Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/06—Developing
    • G03G13/08—Developing using a solid developer, e.g. powder developer

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dry Development In Electrophotography (AREA)
  • Developing Agents For Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、静電像保持䜓面䞊に圢成された静電
像を珟像する方法、特にトナヌ担持䜓䞊に薄くお
均䞀な絶瞁性非磁性トナヌ局を圢成しお珟像する
方法に関するものである。
埓来䞀成分系非磁性トナヌを甚いお静電像保持
䜓衚面䞊の静電像を珟像する方法ずしおは以䞋の
ものが知られおいる。第䞀の方法は、トナヌを担
持しお搬送し朜像静電像保持䜓に䟛絊する可
動トナヌ担持手段ず、トナヌ補絊手段ず、このト
ナヌ補絊手段からトナヌの補絊を受け䞊蚘可動ト
ナヌ担持手段にトナヌを塗垃する可動塗垃手段で
あ぀お、衚面にトナヌを担持する繊維ブラシを有
し、䞊蚘可動トナヌ担持手段に圓接しおこの圓接
郚に斌いお可動トナヌ担持手段ず同方向に可動ト
ナヌ担持手段よりも高速で移動する可動塗垃手段
を蚭け、該可動塗垃手段で䞊蚘可動トナヌ担持手
段衚面にトナヌを均䞀に塗垃しおトナヌ塗垃局を
圢成し、この塗垃局を静電朜像郚に近接させるこ
ずにより珟像を行う方法である。
第二の方法は、䞀成分系非磁性トナヌ粒子を垯
電するための磁性キダリアを吞着しお磁気ブラシ
を圢成する回転可胜な磁気ロヌラヌず、該ロヌラ
ヌのトナヌ粒子を移し取り、静電像保持䜓䞊の静
電像を珟像するための珟像ロヌラヌを備え、珟像
郚に斌いお静電像保持䜓ず珟像ロヌラヌずの間隙
を保ち、該間隙長は珟像ロヌラヌ䞊のトナヌ塗垃
局厚よりも倧きく蚭定し、静電像を珟像する方法
である。
第䞉の方法は、トナヌ貯蔵手段に蓄えられたト
ナヌ担持䜓䞋のトナヌをトナヌ担持䜓䞊に汲み䞊
げるに圓り、その汲み䞊げ郚分のトナヌのみに振
動を䞎えお掻性化させおトナヌ担持䜓衚面に所定
の厚さのトナヌ局を圢成しこのトナヌ局を衚面に
担持したトナヌ担持䜓を静電像保持䜓に察向させ
お静電像保持䜓䞊の静電像を珟像する方法であ
る。
しかしながら、これらの方法は絶瞁性非磁性ト
ナヌを珟像郚においお非磁気力により担持䜓䞊に
担持し、珟像する方法であ぀お、これら方法では
珟像郚呚蟺においおトナヌ担持䜓䞊に非磁性トナ
ヌを担持させる力ずしお䞻に静電気的匕力及び物
理的付着力が支配的であり、その点磁性力及び静
電気力等によ぀お担持䜓䞊にトナヌを担持させる
埓来の絶瞁性磁性トナヌを甚いる珟像方法に比べ
お皮々の欠点が生じる。䟋えば倚くのトナヌが担
持䜓䞊に比范的薄く均䞀に塗垃されない珟像が生
じる。さらに䟋えば比范的均䞀に塗垃されおいお
も非画像郚にトナヌが付着するいわゆる地カブリ
が生じる。さらに薄く均䞀に塗垃されおいおも画
像郚におけるトナヌ付着量が䞍足し、濃床の䜎い
画像が生じる。さらに倚くのトナヌは薄く均䞀に
塗垃されおいおも忠実性が䜎く䜎解像力の極めお
貧匱な画像を生じるこずがある。さらに倚くのト
ナヌは繰返し䜿甚しおいくず画像濃床の䜎䞋や䜎
品質の画像を生じる。さらに倚くのトナヌは、高
枩高湿や䜎枩䜎湿などの環境倉化に察しおある時
は画像濃床の䜎䞋をたねいたり又ある時は地カブ
リを生じたりするずいうような欠点を有しおい
た。
たた䞀成分磁性トナヌを䜿甚する珟像方法にお
いおは磁性トナヌ粒子内に磁性粉䜓を倚量に含ん
でいるために、非磁性トナヌに比しお高䟡ずなる
ばかりでなく、矎しい色のカラヌ化は困難であ
る。
本発明の目的は、以䞊のような欠点を改良した
絶瞁性非磁性トナヌを䜿甚する新芏な珟像方法を
提䟛するこずにある。すなわち、本発明の目的
は、忠実性が高く画質の安定した珟像方法を提䟛
するこずである。さらには、地カブリ珟象を陀去
し、画像郚には均䞀で濃床が十分な高解像力画像
を䞎える、絶瞁性非磁性トナヌを䜿甚する新芏な
珟像方法を提䟛するこずである。
本発明の他の目的は、連続䜿甚特性等の耐久性
に優れた絶瞁性非磁性トナヌ䜿甚の珟像方法を提
䟛するこずである。
本発明の他の目的は、高枩高湿や䜎枩䜎湿など
の環境倉化に察しおも安定である絶瞁性非磁性ト
ナヌ䜿甚の珟像方法を提䟛するこずである。
本発明の他の目的は鮮明な色盞を有する画像を
䞎える䞊蚘珟像方法を提䟛するこずにある。
本発明の珟像方法の特城は、静電像を衚面に保
持する静電像保持䜓ず、絶瞁性非磁性トナヌを衚
面に担持するトナヌ担持䜓ずを珟像郚においお䞀
定の間隙を蚭けお配眮し、ケむ玠ハロゲン化合物
の蒞気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓であ
぀お、400℃以䞊の枩床で熱凊理された埌䞀般匏 SnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子、は〜
の敎数、は、アミノ基を含有する炭化氎玠
基、は〜の敎数で瀺されるアミノシラン
カプリング剀ず疎氎化凊理剀ずで凊理され、か
぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎
化床が30〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理さ
れたシリカ埮粉䜓ず、正荷電性絶瞁性非磁性トナ
ヌ粒子ずから圢成された正荷電性絶瞁性非磁性ト
ナヌをトナヌ担持䜓䞊に前蚘間隙よりも薄い厚さ
に担持させ、該トナヌを珟像郚においお前蚘静電
保持䜓に転移させお珟像する珟像方法にある。
䞊蚘本発明の珟像方法においお奜たしくは必芁
に応じお珟像郚においおトナヌ担持䜓ず静電像保
持䜓ずの間に亀流及び又は盎流バむアスを印加
するのがよい。
本発明者らは、埓来知られおいる非磁性トナヌ
を䜿甚した珟像方法を皮々怜蚎した結果、前述し
た欠点を解決する為には、磁性トナヌを䜿甚する
珟像方法に比べお珟像郚においおトナヌ担持䜓䞊
のトナヌが有する静電荷量のより粟密な制埡が重
芁であるこずを芋出した。すなわち、絶瞁性非磁
性トナヌを甚いる珟像方法においおは、䟋えば電
荷量が䜎いずトナヌ担持䜓䞊にトナヌが均䞀に塗
垃されない珟象が生じおもちろん珟像できず、た
た電荷量を䞊げお、たずえ均䞀に塗垃される状態
を぀く぀おもその倀が適切でない堎合は地かぶり
が生じやすくなり、逆にその倀が高すぎるずトナ
ヌ担持䜓ずの静電的匕力が匷すぎおトナヌが静電
像保持䜓ぞ転移しにくくなり、その結果、画像濃
床の䜎䞋、䜎品䜍画像の出珟を匕起こすこずにな
぀おしたう。さらに同様な理由により、くり返し
䜿甚あるいは環境倉動に䌎うトナヌ電荷量の倉化
により画像の質は倧きい圱響を受ける。それ故、
その電荷量の安定性の確保が極めお重芁である。
たたトナヌずトナヌ担持䜓ずの物理的付着力がト
ナヌ担持䜓からトナヌを転移させるのに明らかに
圱響を及がし、䟋えばトナヌ個々の自由床が小さ
くトナヌ担持䜓䞊のトナヌ局䞭のトナヌ塗垃密床
が倧きい堎合には画像密床が䜎く䜎解像力の䜎品
䜍画像にな぀おしたうので、その物理的付着力の
増倧の防止も極めお重芁である。
本発明は絶瞁性非磁性トナヌを珟像郚においお
非磁気力によりトナヌ担持䜓䞊に担持しお珟像す
る方法においお、これらの重芁事項を特定のシリ
カ埮粉末を含有するトナヌを䜿甚するこずより達
成するものである。
本発明に甚いられるケむ玠ハロゲン化合物の蒞
気盞酞化により生成されたシリカ埮粉䜓は、いわ
ゆる也匏法シリカ、又はヒナヌムドシリカず称さ
れるもので、埓来公知の技術によ぀お補造される
ものである。䟋えば四塩化ケむ玠ガスの酞氎玠焔
䞭における熱分解酞化反応を利甚する方法で、基
瀎ずなる反応匏は次の様なものである。
SiCl42H2O2→SiO24HCl 又、この補造工皋においお䟋えば、塩化アルミニ
りム又は、塩化チタンなど他の金属ハロゲン化合
物を、ケむ玠ハロゲン化合物ず共に甚いる事によ
぀お、シリカず、他の金属酞化物の耇合埮粉䜓を
埗る事も可胜であり、本発明はそれらも包含す
る。その粒埄は平均の䞀次粒埄ずしお0.001〜2ÎŒ
の範囲内である事が望たしく、特に奜たしくは、
0.002〜0.2Όの範囲内のシリカ埮粉䜓を䜿甚する
のが良い。
これらシリカ埮粉䜓の垂販のものずしおは、䟋
えば、以䞋の様な商品名で垂販されおいるものが
ある。
AEROSIL 130 日本ア゚ロゞル瀟 200 AEROSIL 300 日本ア゚ロゞル瀟 380 TT600 MOX80 MOX170 COK84 Cab−−Sil − CABOT瀟 MS− MS75 HS− EH− Wacker HDK N20 WACKER−CHEMIE V15 GMBH瀟 N20E T30 T40 − Fine Silica ダりコヌニング瀟 Fransol Fransil瀟 埓来、トナヌにこれらシリカ埮粉䜓を添加する
䟋は公知である。しかしながら、このような物質
は安定性の点で必ずしも充分でなく、たた正荷電
制埡性を必芁ずするトナヌではこのようなシリカ
を添加するず垯電性が倉化しおしたい䞍適圓であ
぀た。
これらの埮粉䜓を400℃以䞊の枩床で熱凊理し
たものが本発明に䜿甚するシリカ埮粉䜓である
が、熱凊理は䟋えば電気炉䞭にシリカ埮粉䜓を入
れ400℃以䞊の枩床で適圓な時間䟋えば10分〜10
時間攟眮しお行なえばよい。トナヌの特性を著し
く䜎䞋させないものならば、熱凊理法に特に制限
はなくいずれの方法も適甚できる。たた熱凊理枩
床は450℃〜1500℃が奜たしく、特に、500〜1000
℃であるのが奜たしい。これらの埮粉末の熱凊理
は特に環境倉動に察する安定性の維持に効果が認
められる。
本発明珟像方法に䜿甚される熱凊理シリカ埮粉
䜓は䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子、は〜
の敎数、は、アミノ基を含有する炭化氎玠
基、は〜の敎数で瀺されるシランカツプ
リング剀で凊理され、か぀メタノヌル滎定詊隓に
よ぀お枬定された疎氎化床が30〜80の範囲の倀を
瀺す様に疎氎化凊理される。該凊理シリカ埮粉䜓
のトナヌに含有させるこずによ぀お本発明の珟像
方法に甚いられる珟像剀が埗られる。
本発明で甚いられるシランカツプリング剀は、
䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基、たたは塩玠原子、は〜
の敎数、は、アミノ基を含有する炭化氎玠
基、は〜の敎数で瀺される化合物で次の
様な化孊匏で衚わされる化合物である。
特に本発明に甚いるのに奜たしいシランカツプ
リング剀はアミノ基を含有する化合物で次の様な
構造匏で瀺されるものである。
H2NCH2CH2CH2SiOCH33 H2NCH2CH2CH2Si-OC2H53 H2NCONHCH2CH2CH2SiOC2H53 H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2SiOCH33 H2NCH2CH2NHCH2CH2NHCH2CH2CH2Si
OCH33 H5C2OCOCH2CH2NHCH2CH2CH2SiOCH3
3 H5C2OCOCH2CH2NHCH3CH2NHCH2CH2
CH2SiOCH33 H5C2OCOCH2CH2NHCH2CH2NHCH2CH2
NHCH2CH2NH・・CH2CH2CH2SiOCH33 H3COCOCH2CH2NHCH2CH2NHCH2CH2
CH2−SiOCH33 H3CNHCH2CH2CH2SiOC2H53 H2CH2CH2NH2CH2CH2CH2SiOCH33 などが挙げられる。又、䞊蚘化合物のアルコキシ
基が塩玠原子であ぀おもよい。これらは皮たた
は皮以䞊の混合系で甚いられおよい。
又、本発明に甚いられるシリカ埮粉䜓に芁求さ
れる疎氎化床、即ち、メタノヌル滎定詊隓によ぀
お枬定された疎氎化床が30〜80の範囲の倀を瀺す
様に疎氎化凊理するには、埓来公知の疎氎化方法
が甚いられ、シリカ埮粉䜓ず反応あるいは物理吞
着する有機ケむ玠化合物などで化孊的に凊理する
こずによ぀お付䞎される。奜たしい方法ずしお
は、ケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生
成されたシリカ埮粉䜓を前蚘したシランカツプリ
ング剀で凊理した埌、あるいはシランカツプリン
グ剀で凊理するず同時に有機ケむ玠化合物で凊理
する。その様な有機ケむ玠化合物の䟋は、ヘキサ
メチルゞシラザン、トリメチルシラン、トリメチ
ルクロルシラン、トリメチル゚トキシシラン、ゞ
メチルゞクロルシラン、メチルトリクロルシラ
ン、アリルゞメチルクロルシラン、アリルプニ
ルゞクロルシラン、ベンゞルゞメチルクロルシラ
ン、ブロムメチルゞメチルクロルシラン、α−ク
ロル゚チルトリクロルシラン、−クロル゚チル
トリクロルシラン、クロルメチルゞメチルクロル
シラン、クロルメチルゞメチルクロルシラン、ト
リオルガノシリルメルカプタン、䟋えばトリメチ
ルシリルメルカプタン、トリオルガノシリルアク
リレヌト、䟋えばビニルゞメチルアセトキシシラ
ン、曎に、ゞメチル゚トキシシラン、ゞメチルゞ
メトキシシラン、ヘキサメチルゞシロキサン、
−ゞビニルテトラメチルゞシロキサン、
−ゞプニルテトラメチルゞシロキサン、
および分子圓りから12個のシロキサン単䜍を
有し末端に䜍眮する単䜍にそれぞれ個宛のSiに
結合した氎酞基を含有するゞメチルポリシロキサ
ンがある。これらは皮あるいは皮以䞊の混合
物で甚いられる。
シリカ埮粉䜓に察しお凊理するシランカツプリ
ング剀化合物ず疎氎化凊理剀の奜たしい重量の比
率は、1585〜8515であり、シランカツプリン
グ剀ず疎氎化凊剀の総量は奜たしくは、シリカ埮
粉䜓に察しお0.1〜30wt、さらに奜たしくは0.5
〜20wtであるのが望たしい。
最終的に凊理されたシリカ埮粉䜓の疎氎化床が
メタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎化床
ずしお、30〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化され
た堎合に本発明の珟像方法に甚いられるのに奜た
しい珟像剀が埗られる。
ここで、メタノヌル滎定詊隓は、疎氎化された
衚面を有するシリカ埮粉䜓の疎氎化床の皋床を確
認する実隓的詊隓である。凊理されたシリカ埮粉
䜓の疎氎化床を評䟡するために本明现曞においお
芏定される“メタノヌル滎定詊隓”は次の劂く行
なう。䟛詊シリカ埮粉䜓0.2を容量250mlの䞉角
フラスコ䞭の氎50mlに添加する。メタノヌルをビ
ナヌレツトからシリカの党量が湿最されるたで滎
定する。この際フラスコ内の溶液はマグネチツク
スタヌラヌで垞時攪拌する。その終点はシリカ埮
粉䜓の党量が液䜓䞭に懞濁されるこずによ぀お芳
察され、疎氎化床は終点に達した際のメタノヌル
および氎の液状混合物䞭のメタノヌルの癟分率ず
しお衚わされる。
たた、これらの凊理されたシリカ埮粉䜓の適甚
量はトナヌ重量に察しお、0.01〜20のずきに効
果を発揮し、特に奜しくは0.1〜添加したず
きに優れた安定性を有する正の垯電性を瀺す。添
加圢態に぀いお奜たしい態様を述べれば、トナヌ
重量に察しお0.01〜重量の凊理されたシリカ
埮粉䜓がトナヌ粒子衚面に付着しおいる状態にあ
るのが良い。
本発明の珟像方法においお甚いられるトナヌ甚
の結着暹脂ずしおは、埓来電子写真甚トナヌ結着
暹脂ずしお知られる各皮の材料暹脂が甚いられ
る。䟋えばポリスチレン、ポリスチレン・ブタゞ
゚ン共重合䜓、スチレン・アクリル共重合䜓等の
スチレン系共重合䜓、ポリ゚チレン、ポリ゚チレ
ン酢酞ビニル共重合䜓、ポリ゚チレンビニルアル
コヌル共重合䜓のような゚チレン系共重合䜓、フ
゚ノヌル系暹脂、゚ポキシ系暹脂、アリルフタレ
ヌト暹脂、ポリアミド暹脂、ポリ゚ステル暹脂、
マレむン酞系暹脂等である。たたいずれの暹脂も
その補造法等は特に制玄されるものではない。こ
れは埓来゚マルゞペン重合等で補造した暹脂は䞍
玔物が含たれ易く䜿いずらか぀たものが本発明に
より容易に䜿甚が可胜になり、暹脂遞択の範囲も
倧きく広がる。これも本発明の倧きな効果であ
る。
トナヌに甚いる着色材料ずしおは、埓来公知の
カヌボンブラツク、染料顔料などの色材が䜿甚で
き、埓来公知の正荷電制埡剀ずしおの染料党お
が、本発明に甚いられる凊理シリカ埮粉䜓ずの組
み合せで䜿甚する事ができる。
以䞋本発明を実斜態様䟋にもずづき図を甚いお
詳现に説明する。
第図は本発明で特定した絶瞁性非磁性トナヌ
を甚いた静電朜像珟像法及び珟像装眮の実斜態様
の䞀䟋を瀺す。図䞭は円筒状の静電像保持䜓で
あり、䟋えば公知の電子写真法であるカヌル゜ン
法又はNP法によ぀おこれに静電朜像を圢成せし
めお、トナヌ䟛絊手段であるホツパヌ内の絶瞁
性非磁性トナヌをトナヌ担持䜓䞊にトナヌ局
の局厚を芏制しお塗垃する塗垃手段により塗垃
されたトナヌで珟像する。トナヌ担持䜓は円
筒状のステンレス鋌からなる珟像ロヌラである。
この珟像ロヌラの材質ずしおアルミニりムを甚い
おも良いし、他の金属でも良い。たた金属ロヌラ
の䞊にトナヌをより所望の極性に摩擊垯電させる
ため暹脂等を被芆したものを甚いおもよい。さら
にこの珟像ロヌラは導電性の非金属材料からでき
おいおもよい。このトナヌ担持䜓の䞡端には図
瀺されおいないが、その軞に高密床ポリ゚チレン
からなるスペヌサ・コロが入れおある。このスペ
ヌサ・コロを静電像保持䜓の䞡端に぀き圓おお
珟像噚を固定するこずにより、静電像保持䜓ず
トナヌ担持䜓ずの間隔をトナヌ担持䜓䞊に塗
垃されたトナヌ局の厚み以䞊に蚭定し保持する。
この間隔は䟋えば100Ό〜500Ό、奜たしくは150ÎŒ
〜300Όである。この間隔が倧きすぎるず静電像
保持䜓䞊の静電朜像がトナヌ担持䜓䞊に塗垃
された非磁性トナヌに及がす静電力は匱くなり、
画質は䜎䞋し、特に现線の珟像による可芖化は困
難ずなる。たたこの間隔が狭すぎるずトナヌ担持
䜓䞊に塗垃されたトナヌがトナヌ担持䜓ず静
電像保持䜓ずの間で圧瞮され凝集されおしたう
危険性が倧ずなる。は珟像バむアス電源であ
り、導電性トナヌ担持䜓ず静電像保持䜓の背
面電極ずの間に電圧を印加できるようにしおあ
る。この珟像バむアス電圧は特願昭53−92108号
に蚘茉した劂き珟像バむアス電圧である。
第図の実斜態様の他の䞀䟋を瀺す図である。
同図においお、は静電像保持䜓、はトナヌ担
持䜓、は本発明で特定した絶瞁性非磁性トナ
ヌ、はホツパ、はクリヌニングブレヌド、
はトナヌ䟛絊郚材を瀺す。は振動郚材、
は振動発生手段、は氞久磁石、は
支持バネ、は鉄心、は巻線である。
巻線に亀流を加えお、振動郚材を適圓
な振幅、振動数で振動させ、等速回転䞭のトナヌ
担持䜓の䞊に均䞀なトナヌ塗垃局を圢成させ、
トナヌ担持䜓ず静電像保持䜓ずをトナヌ塗垃
局の厚みより倧きな間隙を保぀お察局させ非磁性
トナヌを静電像ぞ飛翔せしめお珟像するのであ
る。振動郚材の振動はトナヌ担持䜓に盎接
接しない皋床であればどの皋床でも良いが、トナ
ヌ塗垃局の厚みが〜100Ό皋床で均䞀になるよ
うに振動数、振幅を制埡するのが良い。又、トナ
ヌ担持䜓ず静電像保持䜓ずの間に亀流又は
及び盎流の珟像バむアス電圧を印加するこずも可
胜である。
第図は実斜態様の他の䞀䟋を瀺す図である。
同図においおは静電像保持䜓、はトナヌ担持
䜓、は珟像容噚、は本発明で特定した絶瞁性
非磁性トナヌ、は珟像バむアス電源、はトナ
ヌクリヌニング郚材、は塗垃ロヌラ、は
その衚面に固着せしめた繊維ブラシ、は塗垃
甚バむアス電源を瀺す。トナヌを塗垃ロヌラヌ
を回転させブラシで搬送しおトナヌ担持
䜓の䞊に均䞀に塗垃し、静電像保持䜓の静電
像ぞ飛翔させお珟像する。トナヌ担持䜓ず塗垃
ロヌラヌずの間隙はトナヌ担持䜓䞊に〜
100Ό皋床の均䞀なトナヌ局を圢成するように調
敎し、均䞀なトナヌ塗垃のために塗垃甚バむアス
電源でバむアス電圧を印加しおもよい。静電
像保持䜓ずトナヌ担持䜓ずの間隙は䞊蚘トナ
ヌ局厚より倧きくなるようにし、珟像に際しおは
珟像甚バむアス電源より珟像バむアスを印加し
おもよい。
第図は実斜態様の他の䞀䟋を瀺す図である。
同図においおは静電像保持䜓、はトナヌ担持
䜓、は本発明で特定した䞀成分非磁性トナヌ、
は珟像容噚、は磁気ロヌラヌではそ
の非磁性スリヌブ、は磁石、は磁気ブラ
シ、は䞀成分非磁性トナヌ又は非磁性トナヌ
ず磁性キダリダヌずが混合された二成分珟像剀を
瀺す。非磁性スリヌブ䞊に磁性キダリアを磁
力で保持しおブラシ化し、非磁性スリヌブを
回転させるこずにより、トナヌあるいは珟像剀
を䞊蚘キダリアブラシで汲み䞊げおトナヌ担持
䜓䞊に接觊塗垃するこずにより均䞀なトナヌ局
を圢成する。その際、キダリアは磁力により磁
気ロヌラヌ䞊に保持されおいるためトナヌ担
持䜓䞊に移るこずはない。次いでトナヌ担持䜓
䞊から静電像保持䜓䞊ぞ飛翔珟像する。磁気
ロヌラヌずトナヌ担持䜓の間隙はトナヌ担
持䜓䞊のトナヌ局厚が〜100Ό皋床になるよ
うに調敎する。トナヌ担持䜓ず静電像保持䜓
ずの間隙はトナヌ局厚より倧きくなるようにし、
トナヌ担持䜓には珟像バむアス電圧を印加しお
もよい。
第図は実斜態様の曎に他の䞀䟋を瀺す図であ
る。同図においおは静電像保持䜓、はトナヌ
担持䜓、はホツパヌ、は珟像甚バむアス電
源、は本発明で特定した䞀成分非磁性トナヌ、
は固定磁石、はキダリアヌ、トナヌ混合
物による磁気ブラシ、はトナヌ厚芏制甚ブレ
ヌドを瀺す。トナヌ担持䜓䞊に圢成された磁気
ブラシをトナヌ担持䜓を回転させるこずで
埪環させ、ホツパヌ䞭のトナヌをずり蟌んでト
ナヌ担持䜓䞊に均䞀に薄局コヌトさせる。トナ
ヌ担持䜓ず静電像保持䜓ずをトナヌ局厚より
倧きな間隙で察局させトナヌ担持䜓䞊の䞀成分
非磁性トナヌを静電像保持䜓䞊の静電荷像䞊
ぞず飛翔珟像させる。トナヌ局の厚さは磁気ブラ
シの倧きさ、即ちキダリア量及び芏制ブレヌ
ドで制埡する。静電像保持䜓ずトナヌ担持
䜓ずの間隙はトナヌ局厚より倧きめにずる。珟
像バむアス電源により珟像バむアスを印加しお
も良い。
〔実斜䟋 〕 スチレン−BMA共重合䜓100重量郚、フタロ
シアニン系青色顔料10重量郚およびベンゟクアナ
ミン−ホルムアルデヒド瞮合物10重量郚なる材料
をブレンダヌでよく混合した埌150℃に熱した
本ロヌルで混緎した。混緎物を自然攟冷埌、カツ
タヌミルで粗粉砕した埌、ゞ゚ツト気流を甚いた
埮粉砕機を甚いお粉砕し、さらに颚力分散機を甚
いお分玚しお粒埄〜20Όの埮粉䜓を埗た。
次にシリカ埮粉䜓ア゚ロゞル200日本ア゚ロゞ
ル瀟補を800℃で時間熱凊理しお生成したシ
リカ埮粉䜓を70℃に加熱した密閉型ヘンシ゚ルミ
キサヌ䞭に入れ、シリカに察しおシランカツプリ
ング剀が10重量パヌセントの凊理量ずなる様にア
ルコヌルで垌釈したγ−アミノプロピルトリ゚ト
キシシランを滎䞋しながら高速で攪拌した。埗ら
れた埮粉䜓を120℃にお也燥した埌、再びヘンシ
゚ルミキサヌ䞭に入れ、攪拌しながら該シリカに
察しおゞメチルゞクロルシランが10重量パヌセン
トずなる様に噎霧した。宀枩で時間高速攪拌
し、さらに80℃で24時間攪拌し、次いでミキサヌ
を倧気圧たで開攟した。この混合物をさらに䜎速
にお倧気圧で60℃時間也燥した。疎氎化床は58
であ぀た。該凊理シリカ埮粉䜓を䞊蚘埮粉䜓に察
し0.6重量加え、ヘンシ゚ルミキサヌで混合し
たものをトナヌずした。
䞀方、酞化亜鉛100重量郚、スチレン−ブタゞ
゚ン共重合䜓20重量郚、−ブチルメタクリレヌ
ト40重量郚、トル゚ン120重量郚、ロヌズベンガ
ルメタノヌル溶液重量郚からなる混合物を
ボヌルミルにお時間分散混合した。これを0.05
mm厚のアルミニりム板に也燥塗垃厚が40Όになる
ようにワむダヌバヌにお塗垃し、枩颚にお溶剀を
蒞散させ酞化亜鉛バむンダヌ系感光䜓を䜜成しお
ドラム状ずした。この感光䜓に−6kVのコロナ攟
電を行ない党面䞀様に垯電した埌、原画像照射を
行ない静電朜像を圢成した。
前蚘トナヌを第図に瀺したような珟像装眮に
入れ、䞊蚘圢成された静電朜像を珟像した。この
堎合トナヌ担持䜓は倖埄50mmのステンレス補円
筒スリヌブずし前蚘感光ドラム衚面−スリヌブ衚
面間距離0.25mmに蚭定し、スリヌブに400Hz
1000Vの亀流及び−150Vの盎流バむアスを印加
した。
次いで転写玙の背面より−7kVの盎流コロナを
照射し぀぀粉像を転写し、耇写画像を埗た。定着
は垂販の普通玙耇写機商品名、NP−5000、キ
ダノン補を甚いお行な぀た。
埗られた転写画像は濃床が1.46ず充分高く、か
ぶりも党くなく、画像呚蟺のトナヌ飛び散りがな
く、解像力の高い良奜な画像であ぀た。䞊蚘トナ
ヌを甚いお連続しお耐久性を調べたが10000枚埌
の転写画像も初期の画像ず比范しお党くそん色の
ない画像であ぀た。
たた、環境条件を35℃、85にしたずころ、画
像濃床は1.40ず垞枩垞湿ずほずんど倉化のない倀
であり、かぶりや飛び散りもなく鮮明な青色画像
が埗られ耐久性も10000枚時はもちろん30000枚時
たでほずんど倉化なか぀た。次に10℃、10の䜎
枩䜎湿床においお転写画像を埗たずころ画像濃床
は1.47ず高く、ベタ黒郚も極めお滑らかに珟像、
転写され飛び散りや䞭抜けのない優秀な画像であ
぀た。この環境条件で連続、及び間け぀モヌドで
耐久テストを行぀たがやはり10000枚たで濃床倉
動は±0.2ず、実甚䞊充分であ぀た。
〔比范䟋 〕 ア゚ロシル200をγ−アミノプロピルトリニト
キシシランず、ゞメチルゞクロルシランで凊理し
ない他は実斜䟋ず同様にトナヌを埗、珟像、転
写を行な぀たが、反転した画像が埗られたのみで
あ぀た。
〔比范䟋 〕 ゞメチルゞクロルシランで凊理しない他は実斜
䟋ず同様に珟像剀を埗、同様に画像を埗た。垞
枩垞湿ではカブリは少ないが画像濃床が0.72ず䜎
く、線画も飛び散り、ベタ黒郚はガサツキが目立
぀た。耐久性を調べたが、5000枚時に濃床は0.58
ず䜎䞋した。35℃、湿床85の条件䞋で画像を埗
たずころ画像濃床は0.60ず䜎くなり、カブリ、飛
び散り、ガサツキが増倧し、䜿甚に耐えないもの
であ぀た。10℃、湿床10の条件䞋で画像を埗た
ずころ、画像濃床は0.70ず䜎く飛び散り、カブ
リ、ガサツキがひどく転写ぬけが目立぀た。連続
画像出しを行な぀たが、500枚皋床で濃床は0.37
ずなり、実甚䞍可ずな぀た。
〔比范䟋 〕 実斜䟋においお、ゞメチルゞクロルシランの
量をシリカに察しお0.1重量ずなる様に倉えた
他は実斜䟋ず同様に行な぀た。この時のシリカ
の疎氎化床は14であり、垞枩垞湿では耐久枚数
10000枚たで良奜な画像が埗られ、トナヌ局の単
䜍䜓積圓りのトナヌ重量も倉化しなか぀たが、35
℃、湿床85では、初期の画像濃床は1.2であり
5000枚時に、0.70に䜎䞋しカブリも増倧した。10
℃、湿床10の条件䞋にケ月保存したのちこの
環境で耐久を行぀たずころ初期は画像濃床が1.4
ず高く良奜な結果が埗られたが、5000枚で塗垃䞍
良が生じ画像濃床は0.62ず䜎䞋した。
〔実斜䟋 〕 γ−アミノプロピルトリ゚トキシシランを
−ゞメチルアミノプニルトリ゚トキシシラン
に代えるこずを陀いおは実斜䟋ずほが同様に行
぀たずころコヌテむングは安定で良奜な結果が埗
られた。このずきのシリカの疎氎化床は74であ぀
た。
〔実斜䟋 〕 γ−アミノプロピルトリ゚トキシシランをアミ
ノ゚チルアミノメチルプネチルトリメトキシシ
ランに代えるこずを陀いおは実斜䟋ずほが同様
に行぀たずころコヌテむングは安定で良奜な結果
が埗られた。この時のシリカの疎氎化床は48であ
぀た。
〔実斜䟋 〕 ア゚ロゞル200の熱凊理枩床を500℃に代えるこ
ずを陀いおは実斜䟋ずほが同様に行぀たずころ
良奜な結果が埗られた。
〔実斜䟋 〕 実斜䟋のトナヌを第図に瀺す装眮に投入
し、振動郚材を振動数玄50Hz、振幅0.2mmで
振動させ、トナヌ担持䜓を呚速120mmsecで回
転させるずトナヌ担持䜓䞊には玄50Ό厚の均䞀な
トナヌ塗垃局が圢成し、トナヌ担持䜓ず静電像
保持䜓ずを玄300Όの間隙を保぀お察向させお、
トナヌ担持䜓に呚波数100〜数キロHz、マむナ
スピヌク倀−660〜−1200V及びプラスピヌク倀
400〜800Vのバむアス亀流電界を䞎えお珟像
を行぀たずころ、同様の良奜な結果が埗られた。
䞀方、比范䟋〜のトナヌを䞊蚘のように珟像
するず比范䟋〜に蚘茉したような欠点が目立
぀た。
〔実斜䟋 〕 実斜䟋で瀺すトナヌを、トナヌ保持䜓ず塗
垃ロヌラの間隙を玄mm、繊維ブラシの
長さを玄mmず蚭定した第図に瀺す珟像装眮に
投入し、珟像ロヌラヌず静電像保持䜓ずの間隙を
300Όに保ち、玄80Όのトナヌ局を珟像ロヌラヌ䞊
に圢成させ亀流波圢ずしお、呚波数200Hz電圧の
ピヌク倀±450Vに盎流成分250Vを加えお、電圧
のピヌク倀700V及び−200Vを䞎えお珟像した
ずころ、同様の良奜な結果が埗られた。
〔実斜䟋 〕 実斜䟋のトナヌを、トナヌ担持䜓ず磁気ロ
ヌラヌずの間隙が玄mm、磁気ブラシの
最高厚玄mmずなるように蚭定した第図に瀺す
珟像装眮に投入し、珟像ロヌラヌず静電像保持䜓
ずの間隙を300Όに保ち、玄80Όのトナヌ局を珟像
ロヌラヌ䞊に圢成させ亀流波圢ずしお、呚波数
200Hz電圧のピヌク倀±450Vに盎流成分250Vを
加えお、電圧のピヌク倀700V及び−200Vを䞎
えお珟像したずころ、同様の良奜な結果が埗られ
た。
〔実斜䟋 〕 実斜䟋のトナヌ20を予め鉄粉キダリア20
ず混合し、その混合物を芏制ブレヌドずトナ
ヌ担持䜓ずの間隙が玄250Όずなるように蚭定
した第図の珟像噚に投入し、珟像ロヌラヌず静
電像保持䜓ずの間隙を300Όに保ち、玄80Όのトナ
ヌ局を珟像ロヌラヌ䞊に圢成させ亀流波圢ずし
お、呚波数200Hz電圧のピヌク倀±450Vに盎流成
分250Vを加えお、電圧のピヌク倀700V及び−
200Vを䞎えお珟像したずころ、同様の良奜な結
果が埗られた。
このようにしお構成された本発明の珟像方法の
特城は高解像力を有する絶瞁性非磁性トナヌ画像
が埗られるこずにあり、さらに耐久䜿甚による劣
化がなく高品質な画像を長期間䜿甚できるこずに
ある。たた枩床、湿床等の環境倉化による電荷量
の珟象がほずんどなく、安定した画像が埗られる
こずにある。さらに各色の鮮明なカラヌ画像を埗
るこずができる。他の特城は、本発明に甚いられ
るシリカ埮粉䜓ず暹脂ずの間には遞択性がなく、
いかなる暹脂ずも組み合せる事ができ、応甚可胜
なトナヌの構成が広く遞択できる事にある。たず
えば熱定着甚トナヌの他に、圧力定着性トナヌ、
カプセルトナヌに甚いる事ができる。
【図面の簡単な説明】
第図ないし第図は倫々本発明に係る珟像方
法の実斜に甚いる異る圢態の珟像装眮を瀺す断面
図である。   静電像保持䜓、  トナヌ担持䜓、
  ホツパヌ、  トナヌ塗垃手段、  䞀
成分非磁性トナヌ、  珟像バむアス電源、
  トナヌクリヌニングブレヌド、  トナ
ヌ䟛絊郚材、  振動郚材、  振動発
生手段、  塗垃ロヌラ、  繊維ブラ
シ、  塗垃甚バむアス電源、  磁気
ロヌラ、  非磁性スリヌブ、  氞久
磁石、  磁気ブラシ、  䞀成分非磁
性トナヌ又はそれず磁性キダリダずの混合した二
成分珟像剀、  芏制ブレヌド。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  静電像を衚面に保持する静電像保持䜓ず、絶
    瞁性非磁性トナヌを衚面に担持するトナヌ担持䜓
    ずを珟像郚においお䞀定の間隙を蚭けお察向配眮
    し、ケむ玠ハロゲン化合物の蒞気盞酞化により生
    成されたシリカ埮粉䜓であ぀お、400℃以䞊の枩
    床で熱凊理された埌、䞀般匏 RnSiYo はアルコキシ基たたは塩玠原子、は〜
    の敎数、は、アミノ基を含有する炭化氎玠
    基、は〜の敎数で瀺されるアミノシラン
    カツプリング剀ず疎氎化凊理剀ずで凊理され、か
    ぀、メタノヌル滎定詊隓によ぀お枬定された疎氎
    化床が30〜80の範囲の倀を瀺す様に疎氎化凊理さ
    れたシリカ埮粉䜓ず、正荷電性絶瞁性非磁性トナ
    ヌ粒子ずから圢成された正荷電性絶瞁性非磁性ト
    ナヌをトナヌ担持䜓䞊に前蚘間隙よりも薄い厚さ
    に担持させ、該トナヌを珟像郚においお前蚘静電
    像保持䜓に転移させ珟像するこずを特城ずする珟
    像方法。  珟像郚においお、トナヌ担持䜓ず静電像保持
    䜓ずの間で亀流及びたたは盎流バむアスが印加
    される特蚱請求の範囲第項蚘茉の珟像方法。
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