JPH0141972B2 - - Google Patents

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JPH0141972B2
JPH0141972B2 JP15601582A JP15601582A JPH0141972B2 JP H0141972 B2 JPH0141972 B2 JP H0141972B2 JP 15601582 A JP15601582 A JP 15601582A JP 15601582 A JP15601582 A JP 15601582A JP H0141972 B2 JPH0141972 B2 JP H0141972B2
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JP
Japan
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polyene
composition
iii
acid
components
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JP15601582A
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JPS5924844A (ja
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Purosuko Suteiibun
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EIDP Inc
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
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Publication date
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Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPS5924844A publication Critical patent/JPS5924844A/ja
Publication of JPH0141972B2 publication Critical patent/JPH0141972B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/0275—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with dithiol or polysulfide compounds

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は不飽和重合体、メルカプト酸およびラ
ジカル開始系を含有する光感受性組成物、前記組
成物から製造されたエレメント、および前記エレ
メントの光画像形成法に関する。 発明の技術的背景としては次のものがあげられ
る。 米国特許第4179531号明細書は、モノアルケニ
ル芳香族ジエン共重合体樹脂、光交叉結合性Ｃ＝
Ｃ含有単量体、ポリチオールおよび光開始剤を包
含する硬化性組成物を開示している。 米国特許第4234676号明細書は不飽和重合体、
単量体、チオールおよび硬化剤を含有する硬化性
組成物を開示している。 米国特許第4248960号明細書はその下側薄層組
成物が好ましくは光硬化性重合体組成物であるレ
リーフ生成性積層体を開示している。 米国特許第4266004号明細書は酸素および光増
感剤の存在下におけるある種の有機サルフアイド
含有重合体の光画像形成法を開示している。 英国特許第1390711号および米国特許第3767398
号明細書は、メチルビニルエーテル／マレイン酸
無水物共重合体のモノアリルエステル反復単位を
有する重合体およびポリチオールよりなりそして
光硬化速度促進剤を含有するかまたはこれを含有
していない硬化性組成物を開示している。 米国特許第3809633号明細書は分子内に反応性
不飽和炭素−炭素官能基および／または反応性チ
オール基を含有する鎖延長ポリチオエーテル含有
重合体組成物を開示している。 米国特許第3660088号明細書は、ポリエン、ポ
リチオールおよび光硬化速度促進剤よりなる光硬
化性組成物を使用する金属エツチグ法を開示して
いる。 米国特許第3936530号明細書はスチレン−アリ
ルアルコール共重合体ベースのポリエンおよびポ
リチオール成分よりなる硬化性コーテイング組成
物を開示している。 米国特許第3627529号明細書はエチレン性不飽
和ポリエン、ポリチオールおよび光硬化性速度促
進剤の光硬化性組成物から石版印刷プレートを製
造する方法を開示している。 米国特許第4179295号明細書は、分子中に脂肪
族不飽和結合を有する有機ポリシロキサンおよび
メルカプト含有有機ポリシロキサンを含有してお
りそしてその有機ポリシロキサンが交叉結合形成
を行わせる紫外線照射により硬化される光感受性
組成物を開示している。 米国特許第4130469号明細書は、懸垂メルカプ
タン基を含有する重合体およびビスマレイミド交
叉結合剤を含有する硬化性コーテイング組成物を
開示している。 米国特許第1179252号明細書は熱可塑性弾性体
組成物の製造におけるカルボキシル基を含有する
ブタジエン重合体の使用を開示している。 米国特許第2589151号明細書は、遊離ラジカル
開始剤を使用して溶液中で製造されたブタジエン
重合体のチオグリコール酸アダクト（付加物）を
開示しており、そしてそのアダクトの構造は「J.
Am.Chem.Soc.」第70巻第1804〜1808頁（1948）
中に更に論じられている。 「Ind.Eng.Chem.」第45巻第2090〜2093頁
（1953）は極性基含有チオール例えばメルカプト
酢酸の添加によつてポリブタジエンを変性せしめ
て改善された耐油性の重合体を生成させることを
開示している。 「Research Disclosure」第143巻第24頁
（1976）は液体エレクトログラフイー展開剤中の
成分としての不飽和重合体のメルカプト酸誘導体
の使用を開示している。 米国特許第3857822号および同第3905820号明細
書は、Ｎ−アリルマレイミド単位含有共重合体お
よび前記共重合体を含有する光感受性複写組成物
を開示しており、前記共重合体は先駆体たる無水
物含有共重合体と脂肪酸アミンとの反応により製
造されている。 本発明は次の成分すなわち (i) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約10〜90％
の、約1000〜25000の数平均分子量を有し、し
かも(a)ポリエン100ｇ当り約20〜1000ミリ当量
の反応性不飽和炭素−炭素基と(b)約10〜50モル
％のＮ−アルケニルマレイミド単位（ただしそ
のアルケニル基は約３〜18個の炭素原子を含有
するものである）とを含有するポリエン、 (ii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約５〜50％
の
反応性メルカプト酸、および (iii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約0.1〜50
％
の、活性線放射によつて活性化されてポリエン
へのメルカプト酸の付加を開始せしめうる放射
感受性ラジカル生成系 を包含する光感受性組成物に関する。 本発明はまた0.1μｍ〜7600μｍまたはそれ以上
の範囲の厚さを有する光感受性組成物の層をコー
テイングした基質を包含する光感受性エレメント
にも関する。好ましい光感受性エレメントはホト
レジストおよびプルーフ系に使用される。その基
質は任意の天然または合成支持体好ましくは可撓
性または剛性のフイルムまたはシートの形態で存
在しうるものでありうる。 本発明はまた、画像含有透明体を通して2000〜
5000Åの波長を含有する活性線放射に光感受性エ
レメントを像様露光させ、そしてその像を現像処
理することを包含する光画像形成法にも関する。 「反応性」不飽和炭素−炭素基なる表現は、活
性線放射の下で光増感剤の存在下にメルカプト酸
のチオール基と反応してチオエーテル結合、
【式】を生成する基を意味しており、こ れは芳香核例えばベンゼン、ピリジン、ナフタレ
ンその他に例示される環状構造中に見出される、
同一条件下にチオール基と反応してチオエーテル
結合を生成させない「非反応性」基
【式】 に対立するものである。 「不飽和炭素炭素基」なる語は −CH＝CH−、−Ｃ≡CH
【式】および を意味している。ポリエンはそのような不飽和基
の一つのタイプを含有しうるし、またはそれは２
種またはそれ以上のそのようなタイプを含有しう
る。 光感受性組成物の成分(i)のポリエンは、約1000
〜10000の好ましい数平均分子量、およびポリエ
ン100ｇ当り約50〜500ミリ当量の好ましい程度の
反応性不飽和炭素−炭素基を含有している。好ま
しいポリエン量は成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の
約40〜80％である。 反応性不飽和炭素−炭素基の実質的にすべてが
Ｎ−アルケニルマレイミド単位中に含有されてい
ることが好ましい。好ましくはこれらの不飽和基
は「末端」すなわちＮ−アルケニル鎖の端に位置
する。 好ましいポリエンは
〔方法Ａ〕
凝縮器および分液漏斗を備えた100mlの３頚丸
底フラスコに、無水物共重合体10ｇおよび氷酢酸
50mlを入れた。フラスコを窒素でパージしそして
存在する無水物基に基づいて1.2当量のアミンを
を室温で滴加した。発熱反応が静まつたら、反応
混合物を３時間還流加熱した。重合体は加熱期間
の間に溶解した。溶液を室温まで冷却し、２，６
−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール５mgを加
えそして反応混合物を水400ml中にゆつくり注い
だ。沈殿した重合体を過により分離し、水洗し
そして風乾しした。重合体を約200〜300mlのアセ
トン中の溶解しそして１当り５mlの塩酸を加え
て酸性にした水中に再沈殿させた。得られた重合
体を紙上で一夜乾燥させそして最後に室温で真
空下に乾燥させた。重合体はIR、NMRおよび元
素分析によつて特徴づけられた。 方法Ａによつて製造された重合体を表１に示
す。
【表】 例 １ Ｎ−アリルマレイミド共重合体の製造 アリルアミン7.1ｇを10分かけて滴加しながら、
市販のスチレン／無水マレイン酸共重合体（１／
１モル比、o1600）25ｇおよび氷酢酸250mlの混
合物を窒素化に撹拌した。次に混合物を114℃で
２時間加熱した。透明溶液を冷却し、２，６−ジ
第３ブチル−４−メチルフエノール0.125ｇで処
理しそして撹拌しながら約2500mlの水に加えた。
沈殿した重合体を過し、洗浄し、約700mlのア
セトン中に再溶解しそして１当り10mlの濃塩酸
で酸性にした過剰の水に再び沈殿させた。得られ
た重合体を真空下に一定の重量に乾燥させた。Ｎ
−アリルマレイミド重合体が重量25.4ｇの白色粉
末として得られた。赤外スペクトルは1705cm-1お
よび1775cm-1でイミドの吸収を示しそして特に無
水物またはアミドの吸収はみられなかつた。ま
た、nmrスペクトルはスチレン／Ｎ−アリルマレ
イミドの構造と一致した。窒素分析およびnmrス
ペクトルは無水物基のＮ−アリルマレイミド基へ
の約75％変換率を示しそして無水物単位の残りに
対して完全な加水分解が示された。実測値N4.38
％。 光感受性組成物の製造および使用 光感受性組成物の被覆液を次のようにして調製
した。 Ｎ−アリルマレイミド共重合体 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.19ｇ ベンジルジメチルケタール 0.15ｇ エチレングリコールジカプリレート可塑剤0.04ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール抑
制剤 0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.18ｇ 得られた透明な溶液を８ミル（200μｍ）のド
クターナイフを用いて25μｍの配向ポリエステル
フイルム基体に被覆した。被覆フイルムを55℃の
空気炉中で30分間乾燥して厚さ約38μｍの被覆を
与えた。次に、フイルムと板とを機械駆動式ロー
ルラミネーターに120゜／2.5f.p.m.で通して塗膜を
新たに軽石研磨したブランク銅積層板に積層し
た。 被覆板の試料を真空焼枠中の√２階段くさびプ
ロセス透明画を通して、3600Å〜4500Åのスペク
トル範囲に及ぶハロゲン化金属ランプからの照射
に、38cmの距離で22単位の照射線量と透明画の露
光面に入射する190のｊ／cm2の積算光強度に相当
する時間の間露光した。ポリエステルカバシート
を除去しそして露光パネルを水2700ml、２−（２
−ブトキシエトキシ）エタノール300ｇおよび炭
酸ナトリウム24ｇから調製した溶液を用いて
35゜／45psi（310kPa）で噴露現した。現像中板を
噴霧ノズルから27cmの距離においた。１分後、パ
ネルの露光部分の段階７（30ｍｊ／cm2）への現像
を銅表面まで行つた。 被覆板の第２の試料を上述のようにして露光し
そして同じ操作で２分間現像した。パネルを55℃
で５分間乾燥しそして露光された銅を60℃の塩化
第二銅浴中で５分間フアイバーグラスの裏材（バ
ツキング）からエツチングした。次に、エツチン
グされた板をプロセス透明画を通してさらに22単
位の照射に再露光しそして露光された板を再び２
分間現像した。第２の露光部分の現像を表面まで
行つた。この実験は、現像およびエツチング後に
未露光組成物がいまなお機能を果たすので光感受
性被覆がアドオン（addon）能力を有することを
示している。露光された像はすぐれた接着性とエ
ツチング抵抗性を示した。 例 ２ この例は全水性現像液による現像を示す。 光感受性組成物の25％固形分被覆液を次のよう
にして調製した。 例１のＮ−アリルマレイミド共重合体 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.30ｇ ベンジルジメチルケタール 0.10ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.12ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.60ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、銅板に積層しそして露光した。板を水3000ml
および炭酸ナトリウム30ｇから調製した溶液を用
いて50゜／310kPaで噴霧現像した。３分後、パネ
ルの露光部分の段階４（87ｍｊ／cm2）への現像を
銅表面まで行つた。例１で用いた溶液での35゜／
310kPaにおける現像は１分後に階段13（11ｍｊ／
cm2）までの現像を与えたが、未露光部分の溶剤に
よるいくらかの攻撃が認められた。 例 ３ 光感受性組成物の被覆液を次のようにして調製
した。 例１のＮ−アリルマレイミド共重合体 1.00ｇ メルカプトこはく酸 0.30ｇ ベンジルジメチルケタール 0.10ｇ パラプレツクス Ｇ−30可塑剤 0.08ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.48ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、積層し、露光しそして現像した。４分後、階
段３（120ｍｊ／cm2）までの板の露光部分の現像は
銅表面まで完全であつた。 被覆板の第２の試料を露光し、現像し、エツチ
ングしそしてプロセス透明画を通してさらに22単
位の照射に再露光した。露光板は例１に述べたよ
うにして２分間現像されそして第２の露光部分の
現像は表面まで完全であつた。エツチング後、被
覆は端部がぼろぼろになりかくして例１の被覆よ
りエツチング剤に対する抵抗が小さかつた。 例 ４ 調合にエチレングリコールジカプリレート0.10
ｇ、ベンゾトリアゾール0.12ｇおよび２，６−ジ
第３ブチル−４−メチルフエノール0.012ｇを用
いた以外には、例２に述べたようにして光感受性
組成物の25％固形分被覆液を調製した。組成物を
例１に述べたようにして被覆し、乾燥し、積層し
そして露光した。２−（２−ブトキシエトキシ）
エタノール120mlと炭酸ナトリウム30ｇおよび水
2970mlから調製した溶液2880mlとを混合して調製
した溶液を用いて板を40゜／310kPaで噴霧現像し
た。１分後、階段４（87ｍｊ／cm2）までの板の露
光部分の現像は銅表面まで完全であつた。第２の
像形成を例１に述べたようにして試験した場合被
覆は良好なアドオン（add−on）能力を示した。 例 ５ アルミニウム基体を次のようにして用いた。調
合にエチレングリコールジカプリレート0.10ｇを
用いた以外には例２に述べたようにして光感受性
組成物の25％固形分被覆液を調製した。組成物を
被覆し、乾燥しそして軽石で研磨したアルミニウ
ムシート上に積層した。露光および40゜／310kPa
における噴霧現像例４述べたようにして行つた。
１分後、階段６（42ｍｊ／cm2）までの板の露光部
分の現像はアルミニウム表面まで完全であつた。 例 ６ 光感受性組成物の被覆液を次のようにして調製
した。 例１のＮ−アリルマレイミド共重合体 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.20ｇ メルカプトこはく酸 0.10ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.10ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール抑
制剤 0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.54ｇ 例４に述べたようにして組成物を被覆し、乾燥
し、積層し、露光しそして現像した。２分後、階
段５（57ｍｊ／cm2）までの板の露光部分の現像は
銅表面まで完全であつた。第２の像形成を例１に
述べたようにして試験した場合、被覆はかなりの
アド−オン能力を示した。 例 ７ 調合にベンジルジメチルケタール0.15ｇおよび
エチレングリコールジカプリレート0.10ｇを用い
た以外には、例２に述べたようにして光感受性組
成物の25％固形分被覆液を調製した。例４に述べ
たようにして組成物を被覆し、乾燥し、積層し、
露光しそして現像した。１分後、階段４（87ｍ
ｊ／cm2）までの板の露光部分の現像は銅表面まで
完全であつた。 第２の未露光板を現像液で２分間、40゜／
310kPaにおいて噴霧現像し、60℃の塩化第二銅
エツチング浴中へ３分間浸漬し次に√２階段くさ
びを通して例２に述べたようにして露光した。配
向ポリエステルフイルムカバーシートを露光の間
被覆と階段くさびとの間に挿入した。次に、板を
噴霧現像して組成物の感光速度を決定した。１分
後、階段５（577ｍｊ／cm2）までの板の露光部分の
現像は銅表面まで完全であつた。これは組成物の
アド−オン感光速度が最初のプリント−エツチ像
を作成するために用いられた処理段階によつて実
質的に変更されないことを示している。 第３のパネルを解像ターゲツトを通して10単位
（87ｍｊ／cm2）の照射に露光しそして上述したよ
うにして現像した。２ミル（51μｍ）の線および
間隔の解像力が達成された。続いて被覆のアンダ
ーカツテイングまたは接着損失を伴わずに、露光
された銅を60゜の塩化第二銅浴中でパネルからエ
ツチングした。 例 ８ Ｎ−アリルマレイミド共重合体の製造 市販のスチレン／無水マレイン酸共重合体
（２／１モル比、o1700）25ｇ、氷酢酸250mlお
よびアリルアミン4.65ｇの混合物を調製しそして
例１で共重合体について述べた方法によつて処理
した。全体で23.4ｇの乾燥Ｎ−アリルマレイミド
共重合体が得られた。赤外スペクトルは無水物ま
たはアミドの痕跡量の吸収を示した。窒素分析お
よびnmrスペクトルは無水物基のイミド基への約
85％変換率を示しそして無水物単位の残りに対し
て完全な加水分解が示された。実測値N3.34％ 光感受性組成物の製造および使用 光感受性組成物の25％固形分被覆液を次のよう
にして製造した。 Ｎ−アリルマレイミド共重合体 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.30ｇ ベンジルジメチルケタール 0.15ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.10ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.60ｇ 組成物を例４に述べたようにして被覆し、乾燥
し、積層し、露光しそして現像した。１分後、パ
ネルの露光部分の階段５（57ｍｊ／cm2）までの現
像は銅表面まで完全であつた。 第２の未露光パネルを例７に述べたようにして
予現像し、エツチングし、露光しそして現像し
た。２分後、パネルの露光部分の階段６（42ｍ
ｊ／cm2）までの現像は銅表面まで完全であつた。
現像時間１分後、段階損失のない部分現像だけが
認められた。 第３のパネルを上述したようにして解像ターゲ
ツトを通じて10単位（187ｍｊ／cm2）の照射に露
光しそして現像した。現像１分後、２ミル（51μ
ｍ）の線および間隔が認められた。被覆のエツチ
ング抵抗性および接着性は例７に述べた被覆と同
様であつた。 例 ９〜14 光感受性組成物の被覆液を次のようにして調製
した。 表１に記載した表示の共重合体 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.30ｇ ベンジルジメチルケタール 0.15ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.10ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
4.60ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、銅板に積層しそして露光した。現像後、追加
（アド・オン）像の解像力、エツチング抵抗性お
よび感光速度を例７に述べたようにして測定し
た。解像力および耐エツチング性の測定のために
露光された被覆パネル（第３のパネル）を例９、
例10、例11および例14における130ｍｊ／cm2の光
強度および例12および例13に対する87ｍｊ／cm2の
強度に相当する時間露光した。これらの結果を表
２および３に示す。
【表】
【表】 例 15 光感受性組成物の被覆を次のようにして調製し
た。 共重合体Ｇ 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.30ｇ ベンジルジメチルケタール 0.15ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.12ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
3.7ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、銅板に積層しそして200ｍｊ／cm2の積算光強
度に相当する照射線量に露光した。２−（２−ブ
トキシエトキシ）エタノール120mlと炭酸ナトリ
ウム30ｇおよび水2970mlから調製した溶液2880ml
とを混合して調整された溶液を用いて板を室温／
310kPaで噴霧現像した。50秒後、階段２までの
パネルの露光部分の現像が認められた。 例 16 光感受性組成物の被覆を次のようにして調製し
た。 共重合体Ｈ 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.22ｇ ベンゾフエノン 0.18ｇ ミヒラーのケトン 0.02ｇ ４−メチル−４−トリクロロメチル−２，５−シ
クロヘキサジエノン 0.02ｇ エチレングリコールジカプリレート 0.12ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ メチレンクロライド／メタノール（90／10）溶剤
3.6ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、銅板に積層しそして200ｍｊ／cm2の積算光強
度に相当する照射線量に露光した。２−（２−ブ
トキシエトキシ）エタノール120mlと炭酸ナトリ
ウム30ｇおよび水2970mlから調製した溶液2880ml
とを混合して調製した溶液を用いて板を35゜／
310kpaで噴霧現像した。２分後、この現像は基
板まで完成に洗去されないレリーフ像を生じた。 例 17 光感受性組成物の被覆を次のようにして調製し
た。 共重合体Ｉ 1.00ｇ 11−メルカプトウンデカン酸 0.20ｇ ベンジルジメチルケタール 0.15ｇ ２，６−ジ第３ブチル−４−メチルフエノール
0.004ｇ ベンゾトリアゾール 0.004ｇ C.I.ソルベント赤色染料＃109 0.004ｇ アセトン溶剤 2.77ｇ 組成物を例１に述べたようにして被覆し、乾燥
し、銅板に積層し、露光しそして現像した。35゜
で30秒間現像後、可視像が認められたが、大部分
の段階が洗去されていた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 次の成分すなわち (i) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約10〜90％
    の、約1000〜25000の数平均分子量を有し、し
    かも (a)ポリエン100ｇ当り約20〜1000ミリ当量の
    反応性不飽和炭素−炭素基と(b)約10〜50モル％
    のＮ−アルケニルマレイミド単位（ただしアル
    ケニル基は約３〜18個の炭素原子を含有するも
    のである）とを含有するポリエン、 (ii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約５〜50％
    の
    反応性メルカプト酸、および (iii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約0.1〜50
    ％
    の、活性線放射によつて活性化されてポリエン
    へのメルカプト酸の付加を開始せしめうる放射
    感受性ラジカル生成系 を包含する光感受性組成物。 ２ ポリエンが−Ｃ‐＝CH2および−CH＝CH2よ
    り選ばれた少くとも１個の基を含有している、前
    記特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３ ポリエンが、実質的にスチレン、α−メチル
    スチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−メチルスチ
    レン、ｐ−ブロモスチレン、メチルアクリレー
    ト、エチルアクリレート、メチルメタクリレー
    ト、アリルメタクリレートおよびブチルメタクリ
    レートからなる群の少くとも一員、ブタジエン、
    エチレン、メチルビニルエーテル、エチルビニル
    エーテル、イソプロピルビニルエーテル、２−エ
    チルヘキシルビニルエーテルおよびブチルビニル
    エーテルとマレイン酸無水物との共重合体から誘
    導されたものである、前記特許請求の範囲第２項
    記載の組成物。 ４ ポリエンが実質的にスチレンとマレイン酸無
    水物との共重合体のＮ−アルケニルマレイミド誘
    導体からなる前記特許請求の範囲第３項記載の組
    成物。 ５ ポリエンの分子量が約1000〜10000でありそ
    してポリエン100ｇ当り約50〜500ミリ当量の反応
    性不飽和炭素−炭素基が存在している、前記特許
    請求の範囲第１項記載の組成物。 ６ メルカプト酸がメルカプトカルボン酸であ
    る、前記特許請求の範囲第１項記載の組成物。 ７ メルカプト酸がHS−Ｒ−CO2H（ただし、Ｒ
    は未置換のまたはカルボキシルないしアルコキシ
    カルボニル基で置換された１〜18個の炭素原子を
    有するアルキレンである）の構造をもちそしてラ
    ジカル生成系がベンゾインエーテルを包含してい
    る、前記特許請求の範囲第５項記載の組成物。 ８ メルカプト酸が11−メルカプトウンデカン酸
    でありそしてラジカル生成系がベンジルジメチル
    ケタール化合物である、前記特許請求の範囲第４
    項記載の組成物。 ９ ラジカル生成系が４−メチル−４−トリクロ
    ロメチル−２，５−シクロヘキサジエノン、ベン
    ゾフエノンおよびミヒラーのケトンを包含する、
    前記特許請求の範囲第４項記載の組成物。 １０ 次の成分すなわち (i) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約10〜90％
    の、約1000〜25000の数平均分子量を有し、し
    かも (a)ポリエン100ｇ当り約20〜1000ミリ当量の
    反応性不飽和炭素−炭素基と(b)約10〜50モル％
    のＮ−アルケニルマレイミド単位（ただしアル
    ケニル基は約３〜18個の炭素原子を含有するも
    のである）とを含有するポリエン、 (ii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約５〜50％
    の
    反応性メルカプト酸、および (iii) 成分(i)、(ii)および(iii)の全重量の約0.1〜50
    ％
    の、活性線放射によつて活性化されてポリエン
    へのメルカプト酸の付加を開始させうる放射感
    受性ラジカル生成系 からなる光感受性組成物でコーテイングされた光
    感受性エレメントを活性線放射に像様露光させそ
    して像を現像させることからなる、光画像形成方
    法。
JP15601582A 1982-07-27 1982-09-09 光重合体組成物 Granted JPS5924844A (ja)

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US06/400,660 US4415652A (en) 1982-01-04 1982-07-27 Aqueous processable, positive-working photopolymer compositions
US400660 1982-07-27

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JPS5924844A JPS5924844A (ja) 1984-02-08
JPH0141972B2 true JPH0141972B2 (ja) 1989-09-08

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JPS5924844A (ja) 1984-02-08
EP0099949B1 (en) 1985-12-11
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EP0099949A1 (en) 1984-02-08

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