JPH0142131B2 - - Google Patents
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- JPH0142131B2 JPH0142131B2 JP62012367A JP1236787A JPH0142131B2 JP H0142131 B2 JPH0142131 B2 JP H0142131B2 JP 62012367 A JP62012367 A JP 62012367A JP 1236787 A JP1236787 A JP 1236787A JP H0142131 B2 JPH0142131 B2 JP H0142131B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- mark
- wafer
- alignment
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的に既に形成されている第１の図
形と新たにその上に形成すべき第２の図形との位
置関係を整合し、第２の図形の光学像を第１の図
形の上に所定の位置関係をもつて露光する装置、
更に具体的に云えば集積回路製造工程においてウ
エハ上に回路パターンを焼付ける投影型露光装置
の校正方法に関するものである。
形と新たにその上に形成すべき第２の図形との位
置関係を整合し、第２の図形の光学像を第１の図
形の上に所定の位置関係をもつて露光する装置、
更に具体的に云えば集積回路製造工程においてウ
エハ上に回路パターンを焼付ける投影型露光装置
の校正方法に関するものである。
従来、半導体集積回路等に用いられるパターン
露光方法には大別して、密着露光法と投影露光法
の二つの方法が用いられている。前者は古くから
用いられている方法であり露光装置の構成が簡
単、ウエハ全面を一括露光でき生産的であるなど
の利点がある反面、ウエハ全面にマスクを完全に
密着することが困難であり、そのため間隙ができ
ると光の回折現象により微細な回路パターンが転
写できない、また密着の際にウエハ表面を損傷し
やすい、などの欠点がある。これに対し後者では
ウエハに非接触で露光できるためウエハさらには
マスクをも損傷することがないという利点を有し
ている。しかしながら投影露光法によつて微細パ
ターンを焼付けるためには、その投影レンズの製
作上の困難さから通常縮小率を大きくしなければ
ならず、必然的に露光面積が小さくなつてしま
う。例えば1μｍ幅のパターンを解像できる高解
像力レンズでは倍率1/10で露光範囲14mmφ程度が
限界である。そのためそれより大きなウエハに焼
付けるためにはウエハを順時ステツプ送りし、何
回かに分割して露光しなければならない。従来の
投影露光装置ではこのウエハの１ステツプ送りご
とに、ウエハ上の位置決めマークとマスク上の位
置決めマークを投影レンズを介して光学的に観察
し、通常マスクを微動させて両マークの位置合わ
せをして露光を行なつていた。そのため一枚のウ
エハを露光するために数回ないし数十回の位置合
せ操作を必要とし、生産的な装置でなかつた。ま
た、両マークの位置合わせ時にはウエハ上に塗布
されているホトレジストに感光しないように露光
時の光の波長と異なる波長の光を用いなければな
らず、それに伴なう波長補正レンズ、フイルタな
どの切換え機構など装置自体も複雑なものであつ
た。この従来の投影露光装置における欠点を改良
した装置、すなわち各ウエハにつき１回の操作の
みで位置合わせを完了する投影露光装置として、
IBM Technical Disclosure Bulletin 13巻７号
P1816に提案されている方式がある。すなわち、
投影露光光学系外部にウエハ位置決め専用の顕微
鏡観察装置を設け、ウエハをこの顕微鏡装置の光
学軸に対して位置決めした後ある決められた距離
だけこのウエハを移動して露光光学系内に導びき
間接的にマスクとウエハの位置合わせを行なう。
その後はウエハをある決められた絶対的な量づつ
XYに精密にステツプ送りし、露光を行なつて一
枚のウエハ全面の露光を完了する。この方式によ
ればウエハの位置決めは露光前１度のみで済み、
非常に生産的であるがその反面、前記顕微鏡装置
と露光光学系の空間的絶対位置関係を長期間一定
に保つことが困難であり、マスクとウエハの相対
位置合わせ精度不良が生じやすい。
露光方法には大別して、密着露光法と投影露光法
の二つの方法が用いられている。前者は古くから
用いられている方法であり露光装置の構成が簡
単、ウエハ全面を一括露光でき生産的であるなど
の利点がある反面、ウエハ全面にマスクを完全に
密着することが困難であり、そのため間隙ができ
ると光の回折現象により微細な回路パターンが転
写できない、また密着の際にウエハ表面を損傷し
やすい、などの欠点がある。これに対し後者では
ウエハに非接触で露光できるためウエハさらには
マスクをも損傷することがないという利点を有し
ている。しかしながら投影露光法によつて微細パ
ターンを焼付けるためには、その投影レンズの製
作上の困難さから通常縮小率を大きくしなければ
ならず、必然的に露光面積が小さくなつてしま
う。例えば1μｍ幅のパターンを解像できる高解
像力レンズでは倍率1/10で露光範囲14mmφ程度が
限界である。そのためそれより大きなウエハに焼
付けるためにはウエハを順時ステツプ送りし、何
回かに分割して露光しなければならない。従来の
投影露光装置ではこのウエハの１ステツプ送りご
とに、ウエハ上の位置決めマークとマスク上の位
置決めマークを投影レンズを介して光学的に観察
し、通常マスクを微動させて両マークの位置合わ
せをして露光を行なつていた。そのため一枚のウ
エハを露光するために数回ないし数十回の位置合
せ操作を必要とし、生産的な装置でなかつた。ま
た、両マークの位置合わせ時にはウエハ上に塗布
されているホトレジストに感光しないように露光
時の光の波長と異なる波長の光を用いなければな
らず、それに伴なう波長補正レンズ、フイルタな
どの切換え機構など装置自体も複雑なものであつ
た。この従来の投影露光装置における欠点を改良
した装置、すなわち各ウエハにつき１回の操作の
みで位置合わせを完了する投影露光装置として、
IBM Technical Disclosure Bulletin 13巻７号
P1816に提案されている方式がある。すなわち、
投影露光光学系外部にウエハ位置決め専用の顕微
鏡観察装置を設け、ウエハをこの顕微鏡装置の光
学軸に対して位置決めした後ある決められた距離
だけこのウエハを移動して露光光学系内に導びき
間接的にマスクとウエハの位置合わせを行なう。
その後はウエハをある決められた絶対的な量づつ
XYに精密にステツプ送りし、露光を行なつて一
枚のウエハ全面の露光を完了する。この方式によ
ればウエハの位置決めは露光前１度のみで済み、
非常に生産的であるがその反面、前記顕微鏡装置
と露光光学系の空間的絶対位置関係を長期間一定
に保つことが困難であり、マスクとウエハの相対
位置合わせ精度不良が生じやすい。
本発明は上述したこれら従来の投影露光装置の
欠点を解消するためになされたものであり、一枚
のウエハ露光に際して１度のウエハ位置決めで済
み、さらに長期間安定して高精度のマスクとウエ
ハの相対的位置合わせが行なえるように校正する
投影露光装置の校正方法を提供するものである。
欠点を解消するためになされたものであり、一枚
のウエハ露光に際して１度のウエハ位置決めで済
み、さらに長期間安定して高精度のマスクとウエ
ハの相対的位置合わせが行なえるように校正する
投影露光装置の校正方法を提供するものである。
本発明の前提となる従来技術、及び本発明の作
動原理を第１図によつて説明する。第１図は１軸
のみについて示してあるが、XY2軸についても
同様である。ここにおいて目的は、マスク１上の
回路パターン２の縮小レンズ３による光学像をウ
エハ４上のパターン５上に正確に重ねて結像させ
ることにある。従来の装置では、縮小レンズ３に
対して堅固に固着されている対物レンズ６、反射
鏡７、接眼レンズ８および図中には示されていな
い落射照明系からなるマーク検出用光学系たとえ
ば顕微鏡光学系（以後顕微鏡光学系で説明する）
によりウエハ４上のパターン５を観察し、顕微鏡
光学系の中心光軸l1と縮小レンズ３の結像面Ｐの
交点Ａに前記パターン５が一致するようウエハ４
をアライニングする。一方、マスク１上の回路パ
ターン２が縮小レンズ３の中心光軸l2上にあれ
ば、該中心光軸l2と前記平面Ｐの交点０にウエハ
４上のパターン５が一致するように該ウエハ４を
移動する、すなわちある一定の距離AO＝L1だけ
ウエハ４を移動することにより回路パターン２の
縮小レンズ３による光学像をウエハ４上のパター
ン５に一致させることができる。この場合、マス
ク１上の回路パターン２を前記光軸l2上に配置せ
しめるには、マスク１上にあらかじめマスク位置
決め用マーク９を設けておき、前記顕微鏡光学系
および縮小レンズ３とから決定される静止座標系
上の固有位置１０に対して前記マーク９を一致さ
せることにより行ない得る。しかしながら実際の
装置においては縮小レンズ３とマスク１の間の距
離は300〜600mm程度と大きく離れており、これら
を結合する部材を剛性高く製作しても温度変化や
外部振動などにより前記静止座標系に対する固有
位置１０は数日間程度で５〜10μｍ程度も変化
し、長期間にわたつて0.1〜0.2μｍ精度のマスク
合わせをすることは困難である。しかしながらこ
の変位の生じかたは急激なものではなく徐々に生
ずることから、前記静止座標系に対する前記固有
位置１０の関係を随時知り、これを補正すること
により正しいマスク合わせを行なうことができ
る。
動原理を第１図によつて説明する。第１図は１軸
のみについて示してあるが、XY2軸についても
同様である。ここにおいて目的は、マスク１上の
回路パターン２の縮小レンズ３による光学像をウ
エハ４上のパターン５上に正確に重ねて結像させ
ることにある。従来の装置では、縮小レンズ３に
対して堅固に固着されている対物レンズ６、反射
鏡７、接眼レンズ８および図中には示されていな
い落射照明系からなるマーク検出用光学系たとえ
ば顕微鏡光学系（以後顕微鏡光学系で説明する）
によりウエハ４上のパターン５を観察し、顕微鏡
光学系の中心光軸l1と縮小レンズ３の結像面Ｐの
交点Ａに前記パターン５が一致するようウエハ４
をアライニングする。一方、マスク１上の回路パ
ターン２が縮小レンズ３の中心光軸l2上にあれ
ば、該中心光軸l2と前記平面Ｐの交点０にウエハ
４上のパターン５が一致するように該ウエハ４を
移動する、すなわちある一定の距離AO＝L1だけ
ウエハ４を移動することにより回路パターン２の
縮小レンズ３による光学像をウエハ４上のパター
ン５に一致させることができる。この場合、マス
ク１上の回路パターン２を前記光軸l2上に配置せ
しめるには、マスク１上にあらかじめマスク位置
決め用マーク９を設けておき、前記顕微鏡光学系
および縮小レンズ３とから決定される静止座標系
上の固有位置１０に対して前記マーク９を一致さ
せることにより行ない得る。しかしながら実際の
装置においては縮小レンズ３とマスク１の間の距
離は300〜600mm程度と大きく離れており、これら
を結合する部材を剛性高く製作しても温度変化や
外部振動などにより前記静止座標系に対する固有
位置１０は数日間程度で５〜10μｍ程度も変化
し、長期間にわたつて0.1〜0.2μｍ精度のマスク
合わせをすることは困難である。しかしながらこ
の変位の生じかたは急激なものではなく徐々に生
ずることから、前記静止座標系に対する前記固有
位置１０の関係を随時知り、これを補正すること
により正しいマスク合わせを行なうことができ
る。
そこで、本発明では新たにマスク１上に検出マ
ーク１１が設けられており、反射鏡１２および接
眼レンズ１３により上記検出マーク１１を拡大し
て観察することができる。さらに、ウエハ４をＡ
位置よりＢ位置に移動するとウエハ４上のパター
ン５からの反射光は縮小レンズ３により逆に拡大
され前記検出マーク１１上に結像し、前記反射鏡
１２と接眼レンズ１３からなる拡大観察系によ
り、たとえば第２図のように十型をしたウエハ４
上のパターン５の像１４とそれを囲む形をした検
出マーク１１の像１５が同一視野内に観察でき
る。以後の説明では、ウエハパターン５のような
十型パターンの中心と検出マーク１１のようなそ
れをとり囲む形状のパターンの中心が一致した時
に両パターンが一致したと定義する。いま、第１
図中Ｂ位置においてウエハパターン像１４と検出
マーク像１５が一致したとすれば、マスク１上の
回路パターン２と検出マーク１１間の距離は既知
であることから該距離に縮小レンズ３の縮小率を
乗算することによりOB＝L2を知ることが出来
る。そこでABすなわち、前記顕微鏡光学系によ
りウエハパターン５の中心を割り出した後から該
ウエハパターンの拡大像１４が検出マーク像１５
と一致するまでウエハ５を移動した距離を測るこ
とにより、AO＝L1を知ることが可能となり、こ
れによつて、前記固有位置１０の変化にかかわら
ずウエハパターン５とマスク１上の回路パターン
２のマスク合わせを行なうことができる。
ーク１１が設けられており、反射鏡１２および接
眼レンズ１３により上記検出マーク１１を拡大し
て観察することができる。さらに、ウエハ４をＡ
位置よりＢ位置に移動するとウエハ４上のパター
ン５からの反射光は縮小レンズ３により逆に拡大
され前記検出マーク１１上に結像し、前記反射鏡
１２と接眼レンズ１３からなる拡大観察系によ
り、たとえば第２図のように十型をしたウエハ４
上のパターン５の像１４とそれを囲む形をした検
出マーク１１の像１５が同一視野内に観察でき
る。以後の説明では、ウエハパターン５のような
十型パターンの中心と検出マーク１１のようなそ
れをとり囲む形状のパターンの中心が一致した時
に両パターンが一致したと定義する。いま、第１
図中Ｂ位置においてウエハパターン像１４と検出
マーク像１５が一致したとすれば、マスク１上の
回路パターン２と検出マーク１１間の距離は既知
であることから該距離に縮小レンズ３の縮小率を
乗算することによりOB＝L2を知ることが出来
る。そこでABすなわち、前記顕微鏡光学系によ
りウエハパターン５の中心を割り出した後から該
ウエハパターンの拡大像１４が検出マーク像１５
と一致するまでウエハ５を移動した距離を測るこ
とにより、AO＝L1を知ることが可能となり、こ
れによつて、前記固有位置１０の変化にかかわら
ずウエハパターン５とマスク１上の回路パターン
２のマスク合わせを行なうことができる。
第３図は本発明の詳細な実施例を示した俯瞰図
である。前処理工程で位置決めパターン５が形成
されているウエハ４は、駆動機構１６，１７によ
りXYに移動する移動台１８上に真空吸着されて
いる。この移動台１８の移動量は反射鏡１９，２
０とレーザ干渉測定器２１からなる測長系により
0.1μｍ精度で測定される。
である。前処理工程で位置決めパターン５が形成
されているウエハ４は、駆動機構１６，１７によ
りXYに移動する移動台１８上に真空吸着されて
いる。この移動台１８の移動量は反射鏡１９，２
０とレーザ干渉測定器２１からなる測長系により
0.1μｍ精度で測定される。
一方マスク１はパルスモータ２２，２３によ
り、XYに±50μｍ程度移動可能な微動台２４上
に真空吸着され、静止座標系に対して固着されて
いる２つの振動スリツト型光電顕微鏡２５，２６
の中心光軸に２つのマスク位置決め用マーク２
７，２８の中心が一致するよう前記微動台２４を
移動させ、マスク１を前記静止座標系の一定位置
に配置する。マスク１のパターンをウエハ４上に
１／１０に微小投影する縮小レンズ３の周囲にはそれ
ぞれ対物レンズ２９，３０、反射鏡３１，３２、
接眼レンズ３３，３４および視野十字マーク３
５，３６からなる２本の顕微鏡光学系が設けられ
ておりウエハ４上の２つのウエハ位置決めマーク
３７，３８の中心位置を割り出す。この顕微鏡光
学系の２つの視野十字マーク３５，３６に対し前
記２つのウエハ位置決めマーク３７，３８が一致
するよう移動台１８を移動し、一致した時にレー
ザ測定器２１をリセツトしてXY座標の原点とす
る。その後は前工程で処理されているウエハ上の
回路パターン（図には示していない）にマスク１
上の新回路パターン３９を重ねるべくあらかじめ
決定されている座標に、レーザ干渉測長器２１を
基準として移動台１８を位置決めする。位置決め
が完了されるとシヤツタ４０が開き、水銀ランプ
４１の光はコンデンサレンズ４２により平行光と
されてマスク１を照射し、縮小レンズ３を介して
ウエハ４上のホトレジストを露光する。その後は
次々と新なたな座標に移動台１８が位置決めさ
れ、その度々に露光が繰り返えされる。この移動
台１８の目標座標に対する位置決めに関しては、
既に本発明者らによつて提案されている露光原理
によりそれほど高い精度は要求されない。すなわ
ち移動台１８の目標座標に対する位置決め誤差が
ある場合には、制御回路５４の指令に従つてその
誤差の10倍の量だけ微動台２４が反対方向に移動
し、露光光学系とした場合等価的にその位置決め
誤差を補正してウエハ４上の正しい位置にマスク
１の回路パターン３９を露光する。
り、XYに±50μｍ程度移動可能な微動台２４上
に真空吸着され、静止座標系に対して固着されて
いる２つの振動スリツト型光電顕微鏡２５，２６
の中心光軸に２つのマスク位置決め用マーク２
７，２８の中心が一致するよう前記微動台２４を
移動させ、マスク１を前記静止座標系の一定位置
に配置する。マスク１のパターンをウエハ４上に
１／１０に微小投影する縮小レンズ３の周囲にはそれ
ぞれ対物レンズ２９，３０、反射鏡３１，３２、
接眼レンズ３３，３４および視野十字マーク３
５，３６からなる２本の顕微鏡光学系が設けられ
ておりウエハ４上の２つのウエハ位置決めマーク
３７，３８の中心位置を割り出す。この顕微鏡光
学系の２つの視野十字マーク３５，３６に対し前
記２つのウエハ位置決めマーク３７，３８が一致
するよう移動台１８を移動し、一致した時にレー
ザ測定器２１をリセツトしてXY座標の原点とす
る。その後は前工程で処理されているウエハ上の
回路パターン（図には示していない）にマスク１
上の新回路パターン３９を重ねるべくあらかじめ
決定されている座標に、レーザ干渉測長器２１を
基準として移動台１８を位置決めする。位置決め
が完了されるとシヤツタ４０が開き、水銀ランプ
４１の光はコンデンサレンズ４２により平行光と
されてマスク１を照射し、縮小レンズ３を介して
ウエハ４上のホトレジストを露光する。その後は
次々と新なたな座標に移動台１８が位置決めさ
れ、その度々に露光が繰り返えされる。この移動
台１８の目標座標に対する位置決めに関しては、
既に本発明者らによつて提案されている露光原理
によりそれほど高い精度は要求されない。すなわ
ち移動台１８の目標座標に対する位置決め誤差が
ある場合には、制御回路５４の指令に従つてその
誤差の10倍の量だけ微動台２４が反対方向に移動
し、露光光学系とした場合等価的にその位置決め
誤差を補正してウエハ４上の正しい位置にマスク
１の回路パターン３９を露光する。
以上の機構において、前記固有点１０に相等す
る２つの光電顕微鏡２５，２６が縮小レンズ３お
よびレーザ干渉測長系を基準とした静止座標系に
対して変化しなければ常に正確なマスク合わせが
なされるわけであるが前述したように実際には変
化が生ずるためその校正が必要である。校正時に
は、水銀ランプ４３、コンデンサレンズ４４、オ
プチカルフアイバ４５からなる照明系を移動台１
８に設けられている挿入口４６に挿入し、フアイ
バによつて導びかれた光で反射鏡４７、集光レン
ズ４８を介してターゲツトマーク４９を照明す
る。このターゲツトマーク４９は通常一般に用い
られているホトマスク作成工程によつて作られ、
幅2μｍの十字パターン部のみ金属クロム膜が付
着している。一方、マスク１の周縁には前記ター
ゲツトマーク４９と合わせるべき検出マーク５０
が設けられている。この検出マーク５０の位置は
マスク位置決めマーク２７，２８に対し全てのマ
スク共通の位置に設けられている。検出マーク５
０の上方には反射鏡５１、対物レンズ５２、接眼
レンズ５３からなる拡大光学系が設けられてい
る。今、前記オプチカルフアイバ４５により導び
かれた光でターゲツトマーク４９を照明しつつ、
該ターゲツトマーク４９が対物レンズ２９を含む
顕微鏡光学系の真下に来るように移動台１８を移
動し、顕微鏡光学系視野内の十字マーク３５と該
ターゲツトマーク４９の像を一致させる。この時
の移動台のXY座標位置をレーザ干渉測定器２１
により読み取り記録しておく。次に該ターゲツト
マーク４９が縮小レンズ３の下に来るように再び
移動台１８を移動させ、今度は対物レンズ５２を
含む拡大光学系を観察する。視野内にはターゲツ
トマーク４９の十字像と共にマスク１上の検出マ
ーク５０が観察されるので、これらが一致するよ
うに移動台１８を微動させ、一致した時の移動台
１８のXY座標位置を再び記録する。
る２つの光電顕微鏡２５，２６が縮小レンズ３お
よびレーザ干渉測長系を基準とした静止座標系に
対して変化しなければ常に正確なマスク合わせが
なされるわけであるが前述したように実際には変
化が生ずるためその校正が必要である。校正時に
は、水銀ランプ４３、コンデンサレンズ４４、オ
プチカルフアイバ４５からなる照明系を移動台１
８に設けられている挿入口４６に挿入し、フアイ
バによつて導びかれた光で反射鏡４７、集光レン
ズ４８を介してターゲツトマーク４９を照明す
る。このターゲツトマーク４９は通常一般に用い
られているホトマスク作成工程によつて作られ、
幅2μｍの十字パターン部のみ金属クロム膜が付
着している。一方、マスク１の周縁には前記ター
ゲツトマーク４９と合わせるべき検出マーク５０
が設けられている。この検出マーク５０の位置は
マスク位置決めマーク２７，２８に対し全てのマ
スク共通の位置に設けられている。検出マーク５
０の上方には反射鏡５１、対物レンズ５２、接眼
レンズ５３からなる拡大光学系が設けられてい
る。今、前記オプチカルフアイバ４５により導び
かれた光でターゲツトマーク４９を照明しつつ、
該ターゲツトマーク４９が対物レンズ２９を含む
顕微鏡光学系の真下に来るように移動台１８を移
動し、顕微鏡光学系視野内の十字マーク３５と該
ターゲツトマーク４９の像を一致させる。この時
の移動台のXY座標位置をレーザ干渉測定器２１
により読み取り記録しておく。次に該ターゲツト
マーク４９が縮小レンズ３の下に来るように再び
移動台１８を移動させ、今度は対物レンズ５２を
含む拡大光学系を観察する。視野内にはターゲツ
トマーク４９の十字像と共にマスク１上の検出マ
ーク５０が観察されるので、これらが一致するよ
うに移動台１８を微動させ、一致した時の移動台
１８のXY座標位置を再び記録する。
以上述べた操作により前述したL1−L2の距離
を各Ｘ，Ｙ軸について知ることができたわけであ
り、マスク１上における検出マーク５０の位置よ
り各Ｘ，Ｙ軸についてのL2がわかつているから
容易に各Ｘ，Ｙ軸についてのL1を知ることがで
きる。これによつて縮小レンズ３およびレーザ干
渉測長系を基準とした静止座標系に対するマスク
１の空間的な位置関係を校正することができたわ
けである。
を各Ｘ，Ｙ軸について知ることができたわけであ
り、マスク１上における検出マーク５０の位置よ
り各Ｘ，Ｙ軸についてのL2がわかつているから
容易に各Ｘ，Ｙ軸についてのL1を知ることがで
きる。これによつて縮小レンズ３およびレーザ干
渉測長系を基準とした静止座標系に対するマスク
１の空間的な位置関係を校正することができたわ
けである。
上記実施例ではターゲツトマーク４９は１つと
なつているが、これを対物レンズ２９，３０の中
心間距離だけ離れた２つのマークとすることは明
らかに可能である。しかしこの場合にはフアイバ
照明系が若干複雑になる。またこれら専用のター
ゲツトマークを移動台１８上に設けず、ウエハ位
置決めマーク３７，３８が形成されている基準ウ
エハを用いても同様の校正を行なうことが可能で
あるが、この場合ターゲツトマークの照明光は当
然縮小レンズ３を介した反射照明となり、高いタ
ーゲツト像コントラストが得られないためマスク
１上の検出マーク５０との合致精度が低下する欠
点である。
なつているが、これを対物レンズ２９，３０の中
心間距離だけ離れた２つのマークとすることは明
らかに可能である。しかしこの場合にはフアイバ
照明系が若干複雑になる。またこれら専用のター
ゲツトマークを移動台１８上に設けず、ウエハ位
置決めマーク３７，３８が形成されている基準ウ
エハを用いても同様の校正を行なうことが可能で
あるが、この場合ターゲツトマークの照明光は当
然縮小レンズ３を介した反射照明となり、高いタ
ーゲツト像コントラストが得られないためマスク
１上の検出マーク５０との合致精度が低下する欠
点である。
以上説明したごとく本発明によれば、ウエハと
マスクの相対位置合わせが１枚のウエハにつき１
回で完了すると共にその合わせ精度の確認が容易
にできるため、非常に生産的な縮小投影露光が可
能となる。
マスクの相対位置合わせが１枚のウエハにつき１
回で完了すると共にその合わせ精度の確認が容易
にできるため、非常に生産的な縮小投影露光が可
能となる。
第１図は従来装置の作動原理と共に本発明の原
理を示す図、第２図はウエハパターンとマスク上
の検出マークが一致した場合の顕微鏡視野像を示
す図、第３図は本発明の実施例の俯瞰図である。 １……マスク、３……縮小レンズ、４……ウエ
ハ、６……対物レンズ、８……接眼レンズ、１２
……反射鏡、１３……接眼レンズ、１８……移動
台、５４……制御回路。
理を示す図、第２図はウエハパターンとマスク上
の検出マークが一致した場合の顕微鏡視野像を示
す図、第３図は本発明の実施例の俯瞰図である。 １……マスク、３……縮小レンズ、４……ウエ
ハ、６……対物レンズ、８……接眼レンズ、１２
……反射鏡、１３……接眼レンズ、１８……移動
台、５４……制御回路。
Claims (1)
- １ 一連のマスク図形を露光光学系内の投影レン
ズを介して感光性基板の所望位置に結像露光する
場合、前記一連のマスクは前記投影レンズに対し
て常に同一関係位置におく一方、前記投影レンズ
光路外に固着されているマーク検出用光学系によ
り前記感光性基板上に設けられている基準マーク
中心を検出することにより前記一連のマスクと前
記感光性基板の光学的相対位置合わせを行ない、
前記投影レンズにより前記マスク面上に結像せら
れた前記投影レンズ焦点面内の位置合せマークの
実像と前記一連のマスクの位置合せ用図形を同時
に観察すべく拡大光学系を備えた露光光学系とマ
ーク検出用光学系の空間的位置関係を校正する方
法であつて、前記マーク検出用光学系により上記
位置合せマークの中心を検出してマーク検出用光
学系の光軸中心に対応する上記位置合せマークの
位置を求め、上記位置合せマークが移動されて上
記拡大光学系により位置合せマークの実像と位置
合せ用図形の一致が検出された状態における上記
位置合せマークの位置を求め、上記マスクの中心
から位置合せ用図形までの距離と前記投影レンズ
の倍率に基づいて上記拡大光学系により位置合せ
マークの実像と位置合せ用図形の一致が検出され
た状態における上記位置合せマークの位置と上記
露光光学系の中心位置との間の距離を求めること
により前記露光光学系と前記マーク検出用光学系
の空間的位置関係を求めて校正するようにしたこ
とを特徴とする露光装置の校正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012367A JPS62181430A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 露光装置の校正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62012367A JPS62181430A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 露光装置の校正方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51130482A Division JPS602772B2 (ja) | 1976-11-01 | 1976-11-01 | 露光装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214273A Division JPH03123017A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 露光装置 |
| JP2214272A Division JPH03123016A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181430A JPS62181430A (ja) | 1987-08-08 |
| JPH0142131B2 true JPH0142131B2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=11803298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012367A Granted JPS62181430A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 露光装置の校正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181430A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2588860B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-03-12 | ウシオ電機株式会社 | プリント基板製作の露光方法 |
| JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
| US5874820A (en) * | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
-
1987
- 1987-01-23 JP JP62012367A patent/JPS62181430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62181430A (ja) | 1987-08-08 |
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