JPH03123016A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH03123016A JPH03123016A JP2214272A JP21427290A JPH03123016A JP H03123016 A JPH03123016 A JP H03123016A JP 2214272 A JP2214272 A JP 2214272A JP 21427290 A JP21427290 A JP 21427290A JP H03123016 A JPH03123016 A JP H03123016A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mark
- wafer
- optical system
- mask
- image
- Prior art date
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的に既に形成されている第１の図形と新た
にその上に形成すべき第２の図形との位置関係を整合し
、第２の図形の光学像を第１の図形の上に所定の位置関
係をもって露光する装置、２ 更に具体的に云えば集積回路製造工程においてウェハ上
に回路パターンを焼付ける投影型露光装置の校正方法に
関するものである。
にその上に形成すべき第２の図形との位置関係を整合し
、第２の図形の光学像を第１の図形の上に所定の位置関
係をもって露光する装置、２ 更に具体的に云えば集積回路製造工程においてウェハ上
に回路パターンを焼付ける投影型露光装置の校正方法に
関するものである。
従来、半導体集積回路等に用いられるパターン露光方法
には大別して、密着露光法と投影露光法の二つの方法が
用いられている。前者は古くから用いられている方法で
あり露光装置の構成が簡単、ウェハ全面を一括露光でき
生産的あるなどの利点がある反面、ウェハ全面にマスク
を完全に密着することが困難であり、そのため間隙がで
きると光の回折現象により微細な回路パターンが転写で
きない、また密着の際にウェハ表面を損傷しやすい、な
どの点がある。これに対し後者ではウェハに非接触で露
光できるためウェハさらにはマスクをも損傷することが
ないという利点を有している。しかしながら投影露光法
によって微細パターンを焼付けるためには、その投影レ
ンズの製作上の困難さから通常縮小率を大きくしなけれ
ばならず、必然的に露光面積が小さくなってしまう。例
えば１μｍＩＷのパターンを解像できる高解像力レンズ
では倍率１／１０で露光範囲］、 ４． ｍ ｍφ程度
が限界である。そのためそれより大きなウェハに焼付け
るためにはウェハを順時ステップ送りし、何回かに分割
して露光しなければならない。従来の投影露光装置では
このウェハの１ステップ送りごとに。
には大別して、密着露光法と投影露光法の二つの方法が
用いられている。前者は古くから用いられている方法で
あり露光装置の構成が簡単、ウェハ全面を一括露光でき
生産的あるなどの利点がある反面、ウェハ全面にマスク
を完全に密着することが困難であり、そのため間隙がで
きると光の回折現象により微細な回路パターンが転写で
きない、また密着の際にウェハ表面を損傷しやすい、な
どの点がある。これに対し後者ではウェハに非接触で露
光できるためウェハさらにはマスクをも損傷することが
ないという利点を有している。しかしながら投影露光法
によって微細パターンを焼付けるためには、その投影レ
ンズの製作上の困難さから通常縮小率を大きくしなけれ
ばならず、必然的に露光面積が小さくなってしまう。例
えば１μｍＩＷのパターンを解像できる高解像力レンズ
では倍率１／１０で露光範囲］、 ４． ｍ ｍφ程度
が限界である。そのためそれより大きなウェハに焼付け
るためにはウェハを順時ステップ送りし、何回かに分割
して露光しなければならない。従来の投影露光装置では
このウェハの１ステップ送りごとに。
ウェハ上の位置決めマークとマスク上の位置決めマーク
を投影レンズを介して光学的に観察し、通常マスクを微
動させて両マークの位置合わせをして露光を行なってい
た。そのため−枚のウェハを露光するために数回ないし
数千回の位置合せ操作を必要とし、生産的な装置でなか
った。また、両マークの位置合わせ時にはウェハ上に塗
布されているホトレジストに感光しないように露光時の
光の波長と異なる波長の光を用いなければならず、それ
に伴なう波長補正レンズ、フィルタなどの切換え機構な
ど装置自体も複雑なものであった。この従来の投影露光
装置における欠点を改良した装置、すなわち各ウェハに
つき１回の操作のみで位置合わせを完了する投影露光装
置として、ＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓ
ｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ １３巻７号Ｐ １８’ｌ
６に提案されている方式がある。すなわち、投影露光光
学系外部にウェハ位置決め専用の顕微鏡観察装置を設け
、ウェハをこの顕微鏡装置の光学軸に対して位置決めし
た後ある決められた距離だけこのウェハを移動して露光
光学系内に心びき間接的にマスクとウェハの位置合わせ
を行なう。その後はウェハをある決められた絶対的な量
づつＸＹに精密にステップ送りし、露光を行なって一枚
のウェハ全面の露光を完了する。この方式によればウェ
ハの位置決めは露光前１度のみで済み、非常に生産的で
あるがその反面、前記顕微鏡装置と露光光学系の空間的
絶対位置関係を長期間一定に保つことが困難であり、マ
スクとウェハの相対位置合わせ精度不良が生じやすい。
を投影レンズを介して光学的に観察し、通常マスクを微
動させて両マークの位置合わせをして露光を行なってい
た。そのため−枚のウェハを露光するために数回ないし
数千回の位置合せ操作を必要とし、生産的な装置でなか
った。また、両マークの位置合わせ時にはウェハ上に塗
布されているホトレジストに感光しないように露光時の
光の波長と異なる波長の光を用いなければならず、それ
に伴なう波長補正レンズ、フィルタなどの切換え機構な
ど装置自体も複雑なものであった。この従来の投影露光
装置における欠点を改良した装置、すなわち各ウェハに
つき１回の操作のみで位置合わせを完了する投影露光装
置として、ＩＢＭＴｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌｏｓ
ｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ １３巻７号Ｐ １８’ｌ
６に提案されている方式がある。すなわち、投影露光光
学系外部にウェハ位置決め専用の顕微鏡観察装置を設け
、ウェハをこの顕微鏡装置の光学軸に対して位置決めし
た後ある決められた距離だけこのウェハを移動して露光
光学系内に心びき間接的にマスクとウェハの位置合わせ
を行なう。その後はウェハをある決められた絶対的な量
づつＸＹに精密にステップ送りし、露光を行なって一枚
のウェハ全面の露光を完了する。この方式によればウェ
ハの位置決めは露光前１度のみで済み、非常に生産的で
あるがその反面、前記顕微鏡装置と露光光学系の空間的
絶対位置関係を長期間一定に保つことが困難であり、マ
スクとウェハの相対位置合わせ精度不良が生じやすい。
本発明は上述したこれら従来の投影露光装置の欠点を解
消するためになされたものであり、−枚のウェハ露光に
際して１度のウェハ位置決めで済み、さらに長期間安定
して高精度のマスクとウェハの相対的位置合わせが行な
えるように校正する投影露光装置の校正方法を提供する
ものである。
消するためになされたものであり、−枚のウェハ露光に
際して１度のウェハ位置決めで済み、さらに長期間安定
して高精度のマスクとウェハの相対的位置合わせが行な
えるように校正する投影露光装置の校正方法を提供する
ものである。
本発明の前提となる従来技術、及び本発明の作動原理を
第１図によって説明する。第１図は１軸のみについて示
しであるが、Ｘ、Ｙ２軸についても同様である。ここに
おいて目的は、マスク１」二の回路パターン２の縮小レ
ンズ３による光学像をウェハ４上のパターン５上に正確
に重ねて結像させることにある。従来の装置では、縮小
ンズ３に対して堅固に固着されている対物レンズ６、反
射鏡７、接眼レンズ８および図中には示されていない落
射照明系からなるマーク検出用光学系たとえば顕微鏡光
学系（以後顕微鏡光学系で説明する）によりウェハ４上
のパターン５を観察し、顕微鏡光学系の中心光軸ｌ工と
縮小レンズ３の結像面Ｐの交点Ａに前記パターン５が一
致するようウェハ４をアライニングする。一方、マスク
１上の回路パターン２が縮小レンズ３の中心光軸１□上
にあれば、該中心光軸１□と前記平面Ｐの交点Ｏにウェ
ハ４上のパターン５が一致するように該ウェハ４を移動
する、すなわちある一定の距離Ａ○＝Ｌ□だけウェハ４
を移動することにより回路パタ− ６ ン２の縮小レンズ３による光学像をウェハ４上のパター
ン５に一致させることができる。この場合、マスク１上
の回路パターン２を前記光軸１２上にｉ′！［！置せし
めるには、マスク１上にあらかしめマスク位置決め用マ
ーク９を設けておき、前記顕微鏡光学系および縮小レン
ズ３とから決定される静止座標系−にの固有位置１０に
対して前記マーク９を一致させることにより行ない得る
。しかしながら実際の装置においては縮小レンズ３とマ
スク１の間の距離は３００〜６００ｍｍ程度と大きく錐
れでおり、これらを結合する部材を鋼性高く製作しても
温度変化や外部振動などにより前記静止座標系に対して
固有位置１ｏは数日間程度で５〜］Ｏμｍ程度も変化し
、長期間にわたって０．１〜０．２μｍ精度のマスク合
わせをすることは困難である。しかしながらこの変位の
生しかたは急激なものではなく徐々に生ずることから、
前記静止座標系に対する前記固有位置１０の関係を随時
知り、これを補正することにより正しいマスク合わせを
行なうことができる。
第１図によって説明する。第１図は１軸のみについて示
しであるが、Ｘ、Ｙ２軸についても同様である。ここに
おいて目的は、マスク１」二の回路パターン２の縮小レ
ンズ３による光学像をウェハ４上のパターン５上に正確
に重ねて結像させることにある。従来の装置では、縮小
ンズ３に対して堅固に固着されている対物レンズ６、反
射鏡７、接眼レンズ８および図中には示されていない落
射照明系からなるマーク検出用光学系たとえば顕微鏡光
学系（以後顕微鏡光学系で説明する）によりウェハ４上
のパターン５を観察し、顕微鏡光学系の中心光軸ｌ工と
縮小レンズ３の結像面Ｐの交点Ａに前記パターン５が一
致するようウェハ４をアライニングする。一方、マスク
１上の回路パターン２が縮小レンズ３の中心光軸１□上
にあれば、該中心光軸１□と前記平面Ｐの交点Ｏにウェ
ハ４上のパターン５が一致するように該ウェハ４を移動
する、すなわちある一定の距離Ａ○＝Ｌ□だけウェハ４
を移動することにより回路パタ− ６ ン２の縮小レンズ３による光学像をウェハ４上のパター
ン５に一致させることができる。この場合、マスク１上
の回路パターン２を前記光軸１２上にｉ′！［！置せし
めるには、マスク１上にあらかしめマスク位置決め用マ
ーク９を設けておき、前記顕微鏡光学系および縮小レン
ズ３とから決定される静止座標系−にの固有位置１０に
対して前記マーク９を一致させることにより行ない得る
。しかしながら実際の装置においては縮小レンズ３とマ
スク１の間の距離は３００〜６００ｍｍ程度と大きく錐
れでおり、これらを結合する部材を鋼性高く製作しても
温度変化や外部振動などにより前記静止座標系に対して
固有位置１ｏは数日間程度で５〜］Ｏμｍ程度も変化し
、長期間にわたって０．１〜０．２μｍ精度のマスク合
わせをすることは困難である。しかしながらこの変位の
生しかたは急激なものではなく徐々に生ずることから、
前記静止座標系に対する前記固有位置１０の関係を随時
知り、これを補正することにより正しいマスク合わせを
行なうことができる。
そこで、本発明では新たにマスク１上に検出マーク１１
が設けられており、反射鏡１２および接眼レンズ１３に
よりト記検出マーク］１を拡大して観察することができ
る。さらに、ウェハ４をＡ位置よりＢ位置に移・Ｉ’Ｊ
Ｉするとウェハ／１−１−のパタン５からの反射光は２
ｉｈ小レンズ３により逆に拡大され前記検出マーク］１
１−に結像し、前記反射鏡］２と接眼レンズ１３か１も
なる拡大観察系により、たとえは第２図のように中型を
したウェハ４」−のパターン５の像１４とそれを囲む形
をした検出マク１１の像１５か同−視野内に観察できる
。以後の説明では、ウェハパターン５のような中型パタ
ーンの中心と検出マーク］１のようなそれをとり囲む形
状のパターンの中心が一致した時に両パターンが一致し
たと定義する。いま、第１図中Ｂ位首においてウェハパ
ターン像１・１と検出マーク像１５が一致したどすれは
、マスク１− Ｊ−の回路パターン２と検出マーク１１
間の距ぼけ既知であることから該距離に縮小レンズ３の
縮小牢を乗算することにより○ＩＩ ＝ Ｌ 、、を知
ることか出来る。そ８ こで八Ｂすなわち、前記顕微鏡光学系によりウェハパタ
ーン５の中心を割り出した後から該ウェハパターンの拡
大像１４が検出マーク像１５と一致するまてウェハ５を
移動した距離を測ることにより、Ａ○＝Ｌ工を知ること
か可能となり、これによって、前記固有位置］Ｏの変化
にかかわらずウェハパターン５とマスク１上の回路パタ
ーン２のマスク合わせを行なうことができる。
が設けられており、反射鏡１２および接眼レンズ１３に
よりト記検出マーク］１を拡大して観察することができ
る。さらに、ウェハ４をＡ位置よりＢ位置に移・Ｉ’Ｊ
Ｉするとウェハ／１−１−のパタン５からの反射光は２
ｉｈ小レンズ３により逆に拡大され前記検出マーク］１
１−に結像し、前記反射鏡］２と接眼レンズ１３か１も
なる拡大観察系により、たとえは第２図のように中型を
したウェハ４」−のパターン５の像１４とそれを囲む形
をした検出マク１１の像１５か同−視野内に観察できる
。以後の説明では、ウェハパターン５のような中型パタ
ーンの中心と検出マーク］１のようなそれをとり囲む形
状のパターンの中心が一致した時に両パターンが一致し
たと定義する。いま、第１図中Ｂ位首においてウェハパ
ターン像１・１と検出マーク像１５が一致したどすれは
、マスク１− Ｊ−の回路パターン２と検出マーク１１
間の距ぼけ既知であることから該距離に縮小レンズ３の
縮小牢を乗算することにより○ＩＩ ＝ Ｌ 、、を知
ることか出来る。そ８ こで八Ｂすなわち、前記顕微鏡光学系によりウェハパタ
ーン５の中心を割り出した後から該ウェハパターンの拡
大像１４が検出マーク像１５と一致するまてウェハ５を
移動した距離を測ることにより、Ａ○＝Ｌ工を知ること
か可能となり、これによって、前記固有位置］Ｏの変化
にかかわらずウェハパターン５とマスク１上の回路パタ
ーン２のマスク合わせを行なうことができる。
第３図は本発明の詳細な実施例を示した俯陥図である。
前処理工程で位置決めパターン５が形成されているウェ
ハ４は、駆動機構１６．１７によりＸＹに移動する移動
台１８上に真空吸着されている。この移動台１８の移動
量は反射鏡１９゜２０とレーザ干渉測定器２１からなる
測長系により０．１μｍ精度で測定される。
ハ４は、駆動機構１６．１７によりＸＹに移動する移動
台１８上に真空吸着されている。この移動台１８の移動
量は反射鏡１９゜２０とレーザ干渉測定器２１からなる
測長系により０．１μｍ精度で測定される。
一方マスク］はパルモータ２２．２３により、Ｘ、 Ｙ
に±５０μｍ程度移動可能な微動台２４上に真空吸着さ
れ、静止座標系に対して固着されている２つの振動スリ
ット型光電顕微鏡２５．２６の中心光軸に２つのマスク
位置決め用マーク２７゜２８の中心か一致するよう前記
微動台２４を移動させ、マスク１をｒＮｆ記静止座標系
の一定位置に配置する。マスタ１のパターンをウェハ４
−にに１／１０に縮小投影する縮小レンズ３の周囲には
それぞれ対物レンズ２ｒｒ、３ｏ、反射鏡３１．＋＋２
、接眼レンズ３３，３４および視野−１字マーク３３５
゜３６からなる２本の顕微鏡光学系か設けられておリウ
エハｌＩ 、１−の２″′）のウェハ位置決めマーク３
７３８の中心位置を割り出す９．この顕微鏡光学系の２
つの視野１−字マーク’ ５ ＋ ３６に対し前記２−
）のウェハ位置決めマーク３７．３８が一致するよう移
動台１８を移動し、一致した時にレーザ測定器２１をリ
セットしてＸＹ座標の原点どする。その後は前工程で処
理されているウェハーにの回路パターン（図には示して
いない）にマスク］上の断回路パターン３９を重ねるへ
くあらかじめ決定されている座標に、レーザ干渉ａｌｌ
長器２１を基僧として移動台１８を位置決めする。位置
決めか完了されるとシャッタ４０が開き、水銀ランプ４
］の光はコンチン刀゛レンス−′＋２により）１４行光
とさＡしで０ マスク１を照射し、縮小レンズ３を介してウェハ４上の
ホ１〜レジストを露光する。その後は次々と新らたな座
標に移動台１８が位置決めされ、その度々に露光が繰り
返えされる。この移動台１８の目標座標に対する位置決
めに関しては、既に本発明者らによって提案されている
露光原理によりそれほど高い精度は要求されない。すな
わち移動台１８の目標座標に対する位置決め誤差がある
場合には、制御回路５４の指令に従ってその誤差の１０
倍の量だけ微動台２４が反対方向に移動し、露光光学系
とした場合等価的にその位置決め誤差を補正してウェハ
４上の正しい位置にマスク１の回路パターン３９を露光
する。
に±５０μｍ程度移動可能な微動台２４上に真空吸着さ
れ、静止座標系に対して固着されている２つの振動スリ
ット型光電顕微鏡２５．２６の中心光軸に２つのマスク
位置決め用マーク２７゜２８の中心か一致するよう前記
微動台２４を移動させ、マスク１をｒＮｆ記静止座標系
の一定位置に配置する。マスタ１のパターンをウェハ４
−にに１／１０に縮小投影する縮小レンズ３の周囲には
それぞれ対物レンズ２ｒｒ、３ｏ、反射鏡３１．＋＋２
、接眼レンズ３３，３４および視野−１字マーク３３５
゜３６からなる２本の顕微鏡光学系か設けられておリウ
エハｌＩ 、１−の２″′）のウェハ位置決めマーク３
７３８の中心位置を割り出す９．この顕微鏡光学系の２
つの視野１−字マーク’ ５ ＋ ３６に対し前記２−
）のウェハ位置決めマーク３７．３８が一致するよう移
動台１８を移動し、一致した時にレーザ測定器２１をリ
セットしてＸＹ座標の原点どする。その後は前工程で処
理されているウェハーにの回路パターン（図には示して
いない）にマスク］上の断回路パターン３９を重ねるへ
くあらかじめ決定されている座標に、レーザ干渉ａｌｌ
長器２１を基僧として移動台１８を位置決めする。位置
決めか完了されるとシャッタ４０が開き、水銀ランプ４
］の光はコンチン刀゛レンス−′＋２により）１４行光
とさＡしで０ マスク１を照射し、縮小レンズ３を介してウェハ４上の
ホ１〜レジストを露光する。その後は次々と新らたな座
標に移動台１８が位置決めされ、その度々に露光が繰り
返えされる。この移動台１８の目標座標に対する位置決
めに関しては、既に本発明者らによって提案されている
露光原理によりそれほど高い精度は要求されない。すな
わち移動台１８の目標座標に対する位置決め誤差がある
場合には、制御回路５４の指令に従ってその誤差の１０
倍の量だけ微動台２４が反対方向に移動し、露光光学系
とした場合等価的にその位置決め誤差を補正してウェハ
４上の正しい位置にマスク１の回路パターン３９を露光
する。
以上の機構において、前記固有点１０に相等する２つの
光電顕微鏡２５．２６が縮小レンズ３およびレーザ干渉
測長系を基準とした静止座標系に対して変化しなければ
常に正確なマスク合わせがなされるわけであるが前述し
たように実際には変化が生ずるためその校正が必要であ
る。校正時には、水銀ランプ４３．コンデンサレンズ４
４．オプチカルファイバ４５からなる照明系を移動台１
８に設けられている挿入［１４６に挿入し、ファイバに
よって導ひかれた光で反射鏡４７、集光レンズ４８を介
してターゲラ１−マーク４９を照明する。このターゲッ
トマーク４９は通常一般に用いられているホ１−マスク
作成工程によって作られ、幅２μｍの十字パターン部の
み金属クロム膜が付着している。一方、マスク１の周縁
には前記ターゲットマーク４９と合わせるへき検出マー
ク５０が設けられている。この検出マーク５０の位置は
マスク位置決めマーク２７．２８に対し全てのマスク共
通の位置に設けられているゎ検出マーク５０の上方には
反射鏡５１．対物レンズ５２．接眼レンズ５３からなる
拡大光学系が設けられている。今、前記オプチカルファ
イバ４５により導びかれた光でターゲットマーク４９を
照明しつつ、該ターゲットマーク４９が対物レンズ２９
を含む顕微鏡光学系の真下に来るように移動台１８を移
動し、顕微鏡光学系視野内の十字マーク３５と該ターゲ
ットマーク４９の像を一致させる。この時−１１＝ ２ の移動台のＸＹ座標位置をレーザ干渉測定器２１により
読み取り記録しておく。次に該ターゲットマーク４９が
縮小レース３の下に来るように再び移動台１８を移動さ
せ、今度は対物レンズ５２を含む拡大光学系を観察する
。視野内にはターゲットマーク４９の十字像と共にマス
ク１上の検出マーク５０が観察されるので、これらが一
致するように移動台１８を微動させ、一致した時の移動
台１８のｘｙ座標位置を再び記録する。
光電顕微鏡２５．２６が縮小レンズ３およびレーザ干渉
測長系を基準とした静止座標系に対して変化しなければ
常に正確なマスク合わせがなされるわけであるが前述し
たように実際には変化が生ずるためその校正が必要であ
る。校正時には、水銀ランプ４３．コンデンサレンズ４
４．オプチカルファイバ４５からなる照明系を移動台１
８に設けられている挿入［１４６に挿入し、ファイバに
よって導ひかれた光で反射鏡４７、集光レンズ４８を介
してターゲラ１−マーク４９を照明する。このターゲッ
トマーク４９は通常一般に用いられているホ１−マスク
作成工程によって作られ、幅２μｍの十字パターン部の
み金属クロム膜が付着している。一方、マスク１の周縁
には前記ターゲットマーク４９と合わせるへき検出マー
ク５０が設けられている。この検出マーク５０の位置は
マスク位置決めマーク２７．２８に対し全てのマスク共
通の位置に設けられているゎ検出マーク５０の上方には
反射鏡５１．対物レンズ５２．接眼レンズ５３からなる
拡大光学系が設けられている。今、前記オプチカルファ
イバ４５により導びかれた光でターゲットマーク４９を
照明しつつ、該ターゲットマーク４９が対物レンズ２９
を含む顕微鏡光学系の真下に来るように移動台１８を移
動し、顕微鏡光学系視野内の十字マーク３５と該ターゲ
ットマーク４９の像を一致させる。この時−１１＝ ２ の移動台のＸＹ座標位置をレーザ干渉測定器２１により
読み取り記録しておく。次に該ターゲットマーク４９が
縮小レース３の下に来るように再び移動台１８を移動さ
せ、今度は対物レンズ５２を含む拡大光学系を観察する
。視野内にはターゲットマーク４９の十字像と共にマス
ク１上の検出マーク５０が観察されるので、これらが一
致するように移動台１８を微動させ、一致した時の移動
台１８のｘｙ座標位置を再び記録する。
以上述へた操作により前述したしよ〜Ｌ２の距離を各Ｘ
、Ｙ軸について知ることができたわけであり、マスク１
上における検出マーク５０の位置より各Ｘ、Ｙ軸につい
てのＬ２がわかっているから容易に各Ｘ、Ｙ軸について
のＬｌを知ることができる。これによって縮小レンズ３
およびレーザ干渉測長系を基準とした静止ｓ４１系に対
するマスク１の空間的な位置関係を校正することができ
たわけである。
、Ｙ軸について知ることができたわけであり、マスク１
上における検出マーク５０の位置より各Ｘ、Ｙ軸につい
てのＬ２がわかっているから容易に各Ｘ、Ｙ軸について
のＬｌを知ることができる。これによって縮小レンズ３
およびレーザ干渉測長系を基準とした静止ｓ４１系に対
するマスク１の空間的な位置関係を校正することができ
たわけである。
上記実施例ではターゲットマーク４９は１つとなってい
るが、これを対物レンズ２９．３０の中心間距離だけ離
れた２つのマークとすることは明らかに可能である。し
かしこの場合にはファイバ照明系が若干複雑になる。ま
たこれら専用のターゲットマークを移動台１８上に設け
ず、ウェハ位置決めマーク３７．３８が形成されている
基準ウェハを用いても同様の校正を行なうことが可能で
あるが、この場合ターゲットマークの照明光は当然縮小
レンズ３を介した反射照明となり、高いターゲツト像コ
ントラストが得られないためマスク１上の検出マーク５
０との合致精度が低下する欠点がある。
るが、これを対物レンズ２９．３０の中心間距離だけ離
れた２つのマークとすることは明らかに可能である。し
かしこの場合にはファイバ照明系が若干複雑になる。ま
たこれら専用のターゲットマークを移動台１８上に設け
ず、ウェハ位置決めマーク３７．３８が形成されている
基準ウェハを用いても同様の校正を行なうことが可能で
あるが、この場合ターゲットマークの照明光は当然縮小
レンズ３を介した反射照明となり、高いターゲツト像コ
ントラストが得られないためマスク１上の検出マーク５
０との合致精度が低下する欠点がある。
以上説明したごとく本発明によれば、ウェハとマクスの
相対位置合わせが１枚のウェハにつき１回で完了すると
共にその合わせ精度の確認が容易にできるため、非常に
生産的な縮小投影露光が可能となる。
相対位置合わせが１枚のウェハにつき１回で完了すると
共にその合わせ精度の確認が容易にできるため、非常に
生産的な縮小投影露光が可能となる。
第１図は従来装置の作動原理と共に本発明の原理を示す
図、第２図はウェハパターンとマスク上の検出マークが
一致した場合の顕微鏡視野像を示３ ４ す図、第３図は本発明の実施例の俯轍図である。 １ マスク、３・縮小レンズ、４・・ウェハ、６・・・
対物レンズ、８・・接眼レンズ、１２・・反射鏡、１３
・接眼レンズ、１８・移動台、５４ 制御回路。 ５
図、第２図はウェハパターンとマスク上の検出マークが
一致した場合の顕微鏡視野像を示３ ４ す図、第３図は本発明の実施例の俯轍図である。 １ マスク、３・縮小レンズ、４・・ウェハ、６・・・
対物レンズ、８・・接眼レンズ、１２・・反射鏡、１３
・接眼レンズ、１８・移動台、５４ 制御回路。 ５
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、露光光学系の光軸外に設けられたマーク検出用光学
系で移動台上にあるマークを検出する工程と、露光光学
系の縮小投影レンズを含む拡大光学系で移動台上にある
マークを検出する工程と、上記両マーク検出する工程で
得られた検出結果に基づいて、前記移動台上に搭載され
ているウェハを所定の位置に位置決めする工程と露光す
る工程とを含む露光方法。 ２、請求項１記載の露光方法において、上記露光光学系
の光軸外に設けられたマークを検出光学系でマーク検出
をする工程が顕微鏡光学系でマークを検出する工程であ
ることを特徴とする露光方法。 ３、請求項２記載の露光方法において、上記顕微鏡光学
系でマークを検出する工程が上記顕微鏡光学系の視野内
のマークと前記移動台上に設けたマークの像とを一致さ
せる前記移動台の位置をレーザ干渉測長系で読み取る工
程から成ることを特徴とする露光方法。 ４、請求項１記載の露光方法において、上記露光光学系
の縮小投影レンズを含む拡大光学系で移動台上にあるマ
ークを検出する工程が上記拡大光学系の視野内のレティ
クルマークの像と前記移動台上に設けられたマークの像
とを一致させるべく前記移動台の位置をレーザ干渉測長
系で読み取る工程を含むことを特徴とする露光方法。 ５、請求項１記載の露光方法において、上記ウェハを所
定の位置に位置決めする工程が上記顕微鏡光学系により
上記ウェハ上に設けてある位置決めマークの中心位置を
求める工程を含むことを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214272A JPH03123016A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2214272A JPH03123016A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62012367A Division JPS62181430A (ja) | 1987-01-23 | 1987-01-23 | 露光装置の校正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03123016A true JPH03123016A (ja) | 1991-05-24 |
| JPH0546088B2 JPH0546088B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=16652986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2214272A Granted JPH03123016A (ja) | 1990-08-15 | 1990-08-15 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03123016A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3476476A (en) * | 1967-03-28 | 1969-11-04 | Optomechanisms Inc | Alignment means for photo repeat machine |
| JPS5022577A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 | ||
| DE2557675A1 (de) * | 1974-12-23 | 1976-07-01 | Ibm | Verfahren zur ausrichtung zweier planarer werkstuecke, z.b. einer maske zu einem wafer oder umgekehrt |
-
1990
- 1990-08-15 JP JP2214272A patent/JPH03123016A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3476476A (en) * | 1967-03-28 | 1969-11-04 | Optomechanisms Inc | Alignment means for photo repeat machine |
| JPS5022577A (ja) * | 1973-06-26 | 1975-03-11 | ||
| DE2557675A1 (de) * | 1974-12-23 | 1976-07-01 | Ibm | Verfahren zur ausrichtung zweier planarer werkstuecke, z.b. einer maske zu einem wafer oder umgekehrt |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546088B2 (ja) | 1993-07-13 |
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