JPH0142610B2 - - Google Patents
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- JPH0142610B2 JPH0142610B2 JP58158274A JP15827483A JPH0142610B2 JP H0142610 B2 JPH0142610 B2 JP H0142610B2 JP 58158274 A JP58158274 A JP 58158274A JP 15827483 A JP15827483 A JP 15827483A JP H0142610 B2 JPH0142610 B2 JP H0142610B2
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Landscapes
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化亜鉛を主成分とした低電圧用のバ
リスタの製造方法に関する。
リスタの製造方法に関する。
従来酸化亜鉛を主成分としこれをBi2O3、
MgO、Cr2O3、Fe2O3、Sb2O3、CoO、MnO、
NiOなどの電圧敏感性酸化物および電導性酸化物
を加えた組成を成形焼結してなる酸化亜鉛系バリ
スタはそのすぐれた非直線性のために広く用いら
れている。これらの酸化亜鉛系バリスタでは焼結
体厚さ1mmにおける立上り電圧をV1mA/mmと
し種々の立上り電圧のものが製造されているが、
この立上り電圧は焼結体中の酸化亜鉛を主成分と
する結晶粒の大きさによつて決まる。すなわち低
い立上り電圧を得るためには結晶粒を大きく成長
させることが必要であり、逆に高い立上り電圧を
得るためには結晶粒の成長を抑え、小さな結晶粒
から構成することが必要である。前記酸化亜鉛を
主成分としBi2O3、MgO、Cr2O3、Fe2O3、
Sb2O3、CoO、MnO、NiOなどを加えてなる酸化
亜鉛系バリスタでは結晶粒の大きさが15μm程度
であり、立上り電圧は組成により約80〜300Vで
ある。また前記組成からSb2O3を除いたものは結
晶粒の大きさが50μm程度、立上り電圧は20〜
40V程度となることも知られている。近年とくに
酸化亜鉛系バリスタの低電圧化の要求が強まり前
記結晶粒の大きなものを含む酸化亜鉛系バリスタ
を得ることが重要な課題となつてきた。この大き
な結晶粒を得る手段としてたとえば特公昭56−
11203号公報に提案された技術がある。これは酸
化亜鉛99.9〜99.5モル%とBaOまたはSrO0.1〜0.5
モル%を混合したのち仮焼し加水熱分解を行つて
70μm程度の結晶粒を得、該結晶粒を酸化亜鉛を
主成分とする粉末に0.1〜60重量%添加混合した
のち焼結してなるものである。しかしながらこの
ように加水熱分解によつて結晶粒を得るには前記
酸化亜鉛にBaOまたはSrOを調合しバインダを加
えて成形し、1300℃程度の高温で仮焼し粉砕した
のち加水熱分解しなければならず、工程数が非常
に多くなる欠点がある。また成形後の仮焼温度を
高くしないと大きな結晶粒が得られず、たとえば
結晶粒の大きさ70μmのものを得るには1300℃程
度の高い仮焼温度を要し、温度管理ならびにこれ
にともなう焼結炉の材料の選択などの技術的、価
格的問題点もあつた。また特性的にもこの結晶粒
を得るための仮焼温度が高いと結晶粒自体の成長
が進んでしまうため活性度が小さくなり、かつこ
の結晶粒を酸化亜鉛を主成分とするものに加え混
合焼結して焼結体を得るときの焼結温度と前記仮
焼温度とが近くなるので結晶粒の成長は限界近く
なり、したがつて焼結体を得るときの焼結過程に
おいて結晶粒がほとんど成長せず焼結後も前記加
水熱分解により得た結晶粒とあまり変わらない大
きさのものしか得られないという欠点を有してい
た。
MgO、Cr2O3、Fe2O3、Sb2O3、CoO、MnO、
NiOなどの電圧敏感性酸化物および電導性酸化物
を加えた組成を成形焼結してなる酸化亜鉛系バリ
スタはそのすぐれた非直線性のために広く用いら
れている。これらの酸化亜鉛系バリスタでは焼結
体厚さ1mmにおける立上り電圧をV1mA/mmと
し種々の立上り電圧のものが製造されているが、
この立上り電圧は焼結体中の酸化亜鉛を主成分と
する結晶粒の大きさによつて決まる。すなわち低
い立上り電圧を得るためには結晶粒を大きく成長
させることが必要であり、逆に高い立上り電圧を
得るためには結晶粒の成長を抑え、小さな結晶粒
から構成することが必要である。前記酸化亜鉛を
主成分としBi2O3、MgO、Cr2O3、Fe2O3、
Sb2O3、CoO、MnO、NiOなどを加えてなる酸化
亜鉛系バリスタでは結晶粒の大きさが15μm程度
であり、立上り電圧は組成により約80〜300Vで
ある。また前記組成からSb2O3を除いたものは結
晶粒の大きさが50μm程度、立上り電圧は20〜
40V程度となることも知られている。近年とくに
酸化亜鉛系バリスタの低電圧化の要求が強まり前
記結晶粒の大きなものを含む酸化亜鉛系バリスタ
を得ることが重要な課題となつてきた。この大き
な結晶粒を得る手段としてたとえば特公昭56−
11203号公報に提案された技術がある。これは酸
化亜鉛99.9〜99.5モル%とBaOまたはSrO0.1〜0.5
モル%を混合したのち仮焼し加水熱分解を行つて
70μm程度の結晶粒を得、該結晶粒を酸化亜鉛を
主成分とする粉末に0.1〜60重量%添加混合した
のち焼結してなるものである。しかしながらこの
ように加水熱分解によつて結晶粒を得るには前記
酸化亜鉛にBaOまたはSrOを調合しバインダを加
えて成形し、1300℃程度の高温で仮焼し粉砕した
のち加水熱分解しなければならず、工程数が非常
に多くなる欠点がある。また成形後の仮焼温度を
高くしないと大きな結晶粒が得られず、たとえば
結晶粒の大きさ70μmのものを得るには1300℃程
度の高い仮焼温度を要し、温度管理ならびにこれ
にともなう焼結炉の材料の選択などの技術的、価
格的問題点もあつた。また特性的にもこの結晶粒
を得るための仮焼温度が高いと結晶粒自体の成長
が進んでしまうため活性度が小さくなり、かつこ
の結晶粒を酸化亜鉛を主成分とするものに加え混
合焼結して焼結体を得るときの焼結温度と前記仮
焼温度とが近くなるので結晶粒の成長は限界近く
なり、したがつて焼結体を得るときの焼結過程に
おいて結晶粒がほとんど成長せず焼結後も前記加
水熱分解により得た結晶粒とあまり変わらない大
きさのものしか得られないという欠点を有してい
た。
本発明の上記の点に鑑みてなされたもので、酸
化亜鉛と酸化ビスマスとを造粒して得た粒子を、
酸化亜鉛を主成分としこれに少なくとも酸化ビス
マスを加えた粉粒中に添加混合して焼結すること
により前記粒子を焼結体内部に分散して位置さ
せ、これを核として結晶粒の成長を図るもので、
これによつて焼結体内部に大きな結晶粒を配しバ
リスタの低電圧化を図ることを目的としたもので
ある。以下本発明の詳細を実施例によつて説明す
る。
化亜鉛と酸化ビスマスとを造粒して得た粒子を、
酸化亜鉛を主成分としこれに少なくとも酸化ビス
マスを加えた粉粒中に添加混合して焼結すること
により前記粒子を焼結体内部に分散して位置さ
せ、これを核として結晶粒の成長を図るもので、
これによつて焼結体内部に大きな結晶粒を配しバ
リスタの低電圧化を図ることを目的としたもので
ある。以下本発明の詳細を実施例によつて説明す
る。
実施例 1
酸化亜鉛粉末に酸化ビスマス粉末をそれぞれ
0.003モル%、0.01モル%、0.03モル%、0.1モル
%、0.3モル%、1.0モル%、3.0モル%添加混合し
て7種の酸化亜鉛+酸化ビスマスの混合粉末を
得、これにバインダと水を加えて混合する。これ
をスプレードライヤに入れて造粒すると前記混合
粉末に加えた水が蒸発した球状粒子を得ることが
できる。この球状粒子はその粒径が約3〜200μ
mの大きさを有するが、60〜120μmの粒子がも
つとも多く20μm程度の粒子は非常に少ない。前
記酸化亜鉛+酸化ビスマスによる7種の粒子を篩
で選別して平均粒径100μmの酸化亜鉛+酸化ビ
スマスの粒子を得、これを酸化亜鉛94.5モル%+
MgO3モル%+Bi2O30.5モル%+CoO1.0モル%+
MnO0.5モル%+NiO0.5モル%からなる主組成に
対しそれぞれ0.1重量%、0.3重量%、10重量%、
30重量%、60重量%添加混合し、これを成形した
のち1100〜1400℃の温度で1〜8時間焼結した焼
結体の立上り電圧を酸化亜鉛への酸化ビスマスの
添加量との関連について表わしたのが第1図であ
り同じく非直線係数αを表わしたのが第2図であ
る。いずれも曲線Aは主組成に対する酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子の添加量が0.1重量%の場合、
同じく曲線Bは0.3重量%、曲線Cは10重量%、
曲線Dは30重量%、曲整Eは60重量%の場合であ
る。また第3図には平均粒径100μmの酸化亜鉛
+酸化ビスマス粒子を用い、前記主組成に対する
この粒子の添加量と立上り電圧との関係を示す曲
線図、第4図はこの粒子の添加量と非直線係数と
の関係を示す曲線図であるが、いずれも曲線Fは
酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の酸化亜鉛に対する
酸化ビスマスの添加量が0.003モル%の場合、曲
線Gは0.01モル%、曲線Hは0.1モル%、曲線I
は1.0モル%、曲線Jは3.0モル%の場合を示した
ものである。さらに第5図には酸化亜鉛に対し酸
化ビスマスを0.1モル%添加した酸化亜鉛+酸化
ビスマス粒子を前記主組成に対し10重量%添加し
たときの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の大きさと
立上り電圧との関係を示す曲線図であり、第6図
は粒子の大きさと非直線係数との関係を示す曲線
図である。この結果から明らかなように第1図の
立上り電圧では酸化亜鉛に添加する酸化ビスマス
の量は曲線Aを除き0.01モル%以上が良好である
が、第2図の非直線係数では曲線Eを除き酸化ビ
スマス添加量1.0モル%までは良好でありこれを
越えると急激に低下するという結果を示してい
る。この第1図および第2図の結果から酸化亜鉛
に添加する酸化ビスマスの量は0.01〜1.0モル%
が良好であり、かつこの酸化亜鉛+酸化ビスマス
粒子を主組成に添加する量は0.3〜30重量%が良
好である。そして第3図および第4図でも酸化亜
鉛+酸化ビスマス粒子中の酸化ビスマス添加量に
よる特性への影響は曲線Fが第3図の立上り電圧
特性が劣つており、また第4図の曲線Jが非直線
係数が劣つていることを示している。そして第3
図では主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒
子の添加量では0.3重量%から顕著な効果を示し、
第4図では30重量%までは良好だがこれを越える
と急激に劣化することを示している。したがつて
主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添
加量は0.3〜30重量%が良好であり、かつ前述の
ように曲線FおよびJを除外した曲線G,H,I
が良好な結果を示していることから酸化亜鉛に対
する酸化ビスマスの添加量は0.01〜1.0モル%で
ある。したがつてこの範囲は第1図および第2図
と全く同一な結果を示している。
0.003モル%、0.01モル%、0.03モル%、0.1モル
%、0.3モル%、1.0モル%、3.0モル%添加混合し
て7種の酸化亜鉛+酸化ビスマスの混合粉末を
得、これにバインダと水を加えて混合する。これ
をスプレードライヤに入れて造粒すると前記混合
粉末に加えた水が蒸発した球状粒子を得ることが
できる。この球状粒子はその粒径が約3〜200μ
mの大きさを有するが、60〜120μmの粒子がも
つとも多く20μm程度の粒子は非常に少ない。前
記酸化亜鉛+酸化ビスマスによる7種の粒子を篩
で選別して平均粒径100μmの酸化亜鉛+酸化ビ
スマスの粒子を得、これを酸化亜鉛94.5モル%+
MgO3モル%+Bi2O30.5モル%+CoO1.0モル%+
MnO0.5モル%+NiO0.5モル%からなる主組成に
対しそれぞれ0.1重量%、0.3重量%、10重量%、
30重量%、60重量%添加混合し、これを成形した
のち1100〜1400℃の温度で1〜8時間焼結した焼
結体の立上り電圧を酸化亜鉛への酸化ビスマスの
添加量との関連について表わしたのが第1図であ
り同じく非直線係数αを表わしたのが第2図であ
る。いずれも曲線Aは主組成に対する酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子の添加量が0.1重量%の場合、
同じく曲線Bは0.3重量%、曲線Cは10重量%、
曲線Dは30重量%、曲整Eは60重量%の場合であ
る。また第3図には平均粒径100μmの酸化亜鉛
+酸化ビスマス粒子を用い、前記主組成に対する
この粒子の添加量と立上り電圧との関係を示す曲
線図、第4図はこの粒子の添加量と非直線係数と
の関係を示す曲線図であるが、いずれも曲線Fは
酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の酸化亜鉛に対する
酸化ビスマスの添加量が0.003モル%の場合、曲
線Gは0.01モル%、曲線Hは0.1モル%、曲線I
は1.0モル%、曲線Jは3.0モル%の場合を示した
ものである。さらに第5図には酸化亜鉛に対し酸
化ビスマスを0.1モル%添加した酸化亜鉛+酸化
ビスマス粒子を前記主組成に対し10重量%添加し
たときの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の大きさと
立上り電圧との関係を示す曲線図であり、第6図
は粒子の大きさと非直線係数との関係を示す曲線
図である。この結果から明らかなように第1図の
立上り電圧では酸化亜鉛に添加する酸化ビスマス
の量は曲線Aを除き0.01モル%以上が良好である
が、第2図の非直線係数では曲線Eを除き酸化ビ
スマス添加量1.0モル%までは良好でありこれを
越えると急激に低下するという結果を示してい
る。この第1図および第2図の結果から酸化亜鉛
に添加する酸化ビスマスの量は0.01〜1.0モル%
が良好であり、かつこの酸化亜鉛+酸化ビスマス
粒子を主組成に添加する量は0.3〜30重量%が良
好である。そして第3図および第4図でも酸化亜
鉛+酸化ビスマス粒子中の酸化ビスマス添加量に
よる特性への影響は曲線Fが第3図の立上り電圧
特性が劣つており、また第4図の曲線Jが非直線
係数が劣つていることを示している。そして第3
図では主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒
子の添加量では0.3重量%から顕著な効果を示し、
第4図では30重量%までは良好だがこれを越える
と急激に劣化することを示している。したがつて
主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添
加量は0.3〜30重量%が良好であり、かつ前述の
ように曲線FおよびJを除外した曲線G,H,I
が良好な結果を示していることから酸化亜鉛に対
する酸化ビスマスの添加量は0.01〜1.0モル%で
ある。したがつてこの範囲は第1図および第2図
と全く同一な結果を示している。
さらに酸化亜鉛+酸化ビスマスの粒子径と立上
り電圧および非直線係数との関係を第5図および
第6図に示す。なお試料は酸化亜鉛に添加する酸
化ビスマス量を0.1モル%とし上記実施例と同じ
組成からなる主組成に対し酸化亜鉛+酸化ビスマ
スを10重量%添加混合した粒子を用いたものであ
る。第5図および第6図において従来とあるのは
主組成に直接実施例と同じ量の酸化亜鉛と酸化ビ
スマス粉末を添加し、これらを混合して1100〜
1400℃の温度で1〜8時間いつしよに焼結した場
合を示し酸化亜鉛+酸化ビスマスの造粒工程を省
いたものである。これよればスプレードライヤで
造粒した酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平均粒径
が10μmでは非直線係数が従来と変化なく、かつ
立上り電圧V1mA/mmが従来の39Vから31Vに低
下し非常に低電圧のバリスタを得られることは明
白であり、平均粒径が大となるにしたがつて立上
り電圧は急激な低下を示す。しかし非直線係数は
従来30に対し平均粒径100μmを越えると急激に
低下しはじめ、200μmでは20を示しこの値は十
分使用できる値であるが、300μmではさらに低
下して12となり使用できない数値となる。以上の
ことから酸化亜鉛+酸化ビスマスを造粒したとき
の粒径は10〜200μmが適当な範囲と定めること
ができる。
り電圧および非直線係数との関係を第5図および
第6図に示す。なお試料は酸化亜鉛に添加する酸
化ビスマス量を0.1モル%とし上記実施例と同じ
組成からなる主組成に対し酸化亜鉛+酸化ビスマ
スを10重量%添加混合した粒子を用いたものであ
る。第5図および第6図において従来とあるのは
主組成に直接実施例と同じ量の酸化亜鉛と酸化ビ
スマス粉末を添加し、これらを混合して1100〜
1400℃の温度で1〜8時間いつしよに焼結した場
合を示し酸化亜鉛+酸化ビスマスの造粒工程を省
いたものである。これよればスプレードライヤで
造粒した酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平均粒径
が10μmでは非直線係数が従来と変化なく、かつ
立上り電圧V1mA/mmが従来の39Vから31Vに低
下し非常に低電圧のバリスタを得られることは明
白であり、平均粒径が大となるにしたがつて立上
り電圧は急激な低下を示す。しかし非直線係数は
従来30に対し平均粒径100μmを越えると急激に
低下しはじめ、200μmでは20を示しこの値は十
分使用できる値であるが、300μmではさらに低
下して12となり使用できない数値となる。以上の
ことから酸化亜鉛+酸化ビスマスを造粒したとき
の粒径は10〜200μmが適当な範囲と定めること
ができる。
この結果から酸化亜鉛粉末に対し0.01〜1.0モ
ル%の酸化ビスマスを添加して造粒し平均粒径10
〜200μmの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を得、
これを酸化亜鉛+MgO+Bi2O3+CoO+MnO+
NiOからなる主組成に対し0.3〜30重量%添加し
て混合粒子とし、ともに焼結することによつて立
上り電圧や非直線係数などの特性の優れた低電圧
用バリスタを得ることができる。
ル%の酸化ビスマスを添加して造粒し平均粒径10
〜200μmの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を得、
これを酸化亜鉛+MgO+Bi2O3+CoO+MnO+
NiOからなる主組成に対し0.3〜30重量%添加し
て混合粒子とし、ともに焼結することによつて立
上り電圧や非直線係数などの特性の優れた低電圧
用バリスタを得ることができる。
実施例 2
前記実施例1では主組成として酸化亜鉛+
MgO+Bi2O3+CoO+MnO+NiOからなるもの
を使用した場合について述べたが、この実施例2
ではこれにSb2O3およびCr2O3を加えて主組成と
した場合について述べる。Sb2O3やCr2O3は酸化
亜鉛の結晶粒成長を助長させるビスマスなどの低
融点金属やこれらの酸化物の中へ早期に拡散する
ので酸化亜鉛の粒成長を阻害する性質を有してい
る。したがつてSb2O3やCr2O3を含む酸化亜鉛を
主成分とするバリスタでは酸化亜鉛の結晶粒成長
が望めず結晶が小さくなるので比較的高電圧用に
用いられ低電圧用には不適とされているものであ
る。まず酸化亜鉛粉末に酸化ビスマス粉末をそれ
ぞれ0.003モル%、0.01モル%、0.03モル%、0.1
モル%、0.3モル%、3.0モル%添加混合してスプ
レードライヤで造粒し7種の酸化亜鉛+酸化ビス
マス粒子を得、以下実施例1と同様にして平均粒
径100μmの酸化亜鉛+酸化ビスマスの球状粒子
を得た。この粒子を酸化亜鉛94モル%+MgO3モ
ル%+Bi2O30.5モル%+CoO1.0モル%+MnO0.5
モル%+NiO0.5モル%+Sb2O30.3モル%+
Cr2O30.2モル%からなる主組成に対し、0.1重量
%、0.3重量%、10重量%、30重量%、60重量%
をそれぞれ添加混合してこれを成形したのち1100
〜1400℃の温度で1〜8時間焼結したときの立上
り電圧を酸化亜鉛への酸化ビスマスの添加量との
関連において第7図、同じく非直線係数を第8図
に示した。いずれも曲線Kは主組成に対する酸化
亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量が0.1重量%の
場合、曲線Lは0.3重量%、曲線Mは10重量%、
曲線Nは30重量%、曲線Oは60重量%の場合を示
す。また第9図には平均粒径100μmの酸化亜鉛
+酸化ビスマス粒子を用い前記主組成に対するこ
の粒子の添加量と立上り電圧との関係を示す曲線
図を、そして第10図にはこの粒子の添加量と非
直線係数との関係を示す曲線図を示した。なお曲
線Pは酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の酸化亜鉛に
対する酸化ビスマスの添加量0.003モル%の場合、
曲線Qは0.01モル%、曲線Rは0.1モル%、曲線
Sは1.0モル%、曲線Tは3.0モル%の場合を示し
たものである。そして第11図には酸化亜鉛に対
し酸化ビスマスを0.1モル%添加した酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子を主組成に対し10重量%添加し
たときの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の大きさと
立上り電圧との関係を示す曲線図であり、第12
図は粒子の大きさと非直線係数との関係を示す曲
線図である。なおそれぞれの焼結は1100〜1400℃
の温度で1〜8時間行つた。
MgO+Bi2O3+CoO+MnO+NiOからなるもの
を使用した場合について述べたが、この実施例2
ではこれにSb2O3およびCr2O3を加えて主組成と
した場合について述べる。Sb2O3やCr2O3は酸化
亜鉛の結晶粒成長を助長させるビスマスなどの低
融点金属やこれらの酸化物の中へ早期に拡散する
ので酸化亜鉛の粒成長を阻害する性質を有してい
る。したがつてSb2O3やCr2O3を含む酸化亜鉛を
主成分とするバリスタでは酸化亜鉛の結晶粒成長
が望めず結晶が小さくなるので比較的高電圧用に
用いられ低電圧用には不適とされているものであ
る。まず酸化亜鉛粉末に酸化ビスマス粉末をそれ
ぞれ0.003モル%、0.01モル%、0.03モル%、0.1
モル%、0.3モル%、3.0モル%添加混合してスプ
レードライヤで造粒し7種の酸化亜鉛+酸化ビス
マス粒子を得、以下実施例1と同様にして平均粒
径100μmの酸化亜鉛+酸化ビスマスの球状粒子
を得た。この粒子を酸化亜鉛94モル%+MgO3モ
ル%+Bi2O30.5モル%+CoO1.0モル%+MnO0.5
モル%+NiO0.5モル%+Sb2O30.3モル%+
Cr2O30.2モル%からなる主組成に対し、0.1重量
%、0.3重量%、10重量%、30重量%、60重量%
をそれぞれ添加混合してこれを成形したのち1100
〜1400℃の温度で1〜8時間焼結したときの立上
り電圧を酸化亜鉛への酸化ビスマスの添加量との
関連において第7図、同じく非直線係数を第8図
に示した。いずれも曲線Kは主組成に対する酸化
亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量が0.1重量%の
場合、曲線Lは0.3重量%、曲線Mは10重量%、
曲線Nは30重量%、曲線Oは60重量%の場合を示
す。また第9図には平均粒径100μmの酸化亜鉛
+酸化ビスマス粒子を用い前記主組成に対するこ
の粒子の添加量と立上り電圧との関係を示す曲線
図を、そして第10図にはこの粒子の添加量と非
直線係数との関係を示す曲線図を示した。なお曲
線Pは酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の酸化亜鉛に
対する酸化ビスマスの添加量0.003モル%の場合、
曲線Qは0.01モル%、曲線Rは0.1モル%、曲線
Sは1.0モル%、曲線Tは3.0モル%の場合を示し
たものである。そして第11図には酸化亜鉛に対
し酸化ビスマスを0.1モル%添加した酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子を主組成に対し10重量%添加し
たときの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の大きさと
立上り電圧との関係を示す曲線図であり、第12
図は粒子の大きさと非直線係数との関係を示す曲
線図である。なおそれぞれの焼結は1100〜1400℃
の温度で1〜8時間行つた。
これらの結果から明らかなように第7図および
第8図に示した立上り電圧と非直線係数は実施例
1の第1図・第2図より顕著ではないが、曲線K
およびOを除き酸化亜鉛に添加する酸化ビスマス
の混合量が0.01〜1.0モル%の範囲で良好である。
したがつて第7図および第8図の結果から酸化亜
鉛に添加する酸化ビスマスの量は0.01〜1.0モル
%で、かつこの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を主
組成に添加する量は0.3〜30重量%の範囲が良好
である。この範囲が特性上良好な結果を示すこと
は第9図および第10図からも確認できる。そし
て実施例1と同様、酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子
の大きさと立上り電圧および非直線係数との関係
を第11図および第12図に示す。試料は酸化亜
鉛に添加する酸化ビスマス量を0.1モル%とし主
組成に対し酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を10重量
%添加したものを用いた。図において従来とある
のは主組成に直接該実施例と同じ量の酸化亜鉛と
酸化ビスマス粉末を添加混合して焼結した場合を
示したものである。この結果立上り電圧および非
直線係数とも絶対値は大きいものの実施例1と同
様の特性傾向を示しており、酸化亜鉛+酸化ビス
マス粒子の平均粒径が10〜200μmが適当な範囲
とすることができる。
第8図に示した立上り電圧と非直線係数は実施例
1の第1図・第2図より顕著ではないが、曲線K
およびOを除き酸化亜鉛に添加する酸化ビスマス
の混合量が0.01〜1.0モル%の範囲で良好である。
したがつて第7図および第8図の結果から酸化亜
鉛に添加する酸化ビスマスの量は0.01〜1.0モル
%で、かつこの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を主
組成に添加する量は0.3〜30重量%の範囲が良好
である。この範囲が特性上良好な結果を示すこと
は第9図および第10図からも確認できる。そし
て実施例1と同様、酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子
の大きさと立上り電圧および非直線係数との関係
を第11図および第12図に示す。試料は酸化亜
鉛に添加する酸化ビスマス量を0.1モル%とし主
組成に対し酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を10重量
%添加したものを用いた。図において従来とある
のは主組成に直接該実施例と同じ量の酸化亜鉛と
酸化ビスマス粉末を添加混合して焼結した場合を
示したものである。この結果立上り電圧および非
直線係数とも絶対値は大きいものの実施例1と同
様の特性傾向を示しており、酸化亜鉛+酸化ビス
マス粒子の平均粒径が10〜200μmが適当な範囲
とすることができる。
この実施例2では酸化亜鉛粉末に対し0.01〜
1.0モル%の酸化ビスマスを添加して造粒し平均
粒径10〜200μmの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子
を得、これを酸化亜鉛+MgO+Bi2O3+CoO+
MnO+NiO+Sb2O3+Cr2O3からなる主組成に対
し0.3〜30重量%添加混合し、これをいつしよに
焼結することによつて立上り電圧や非直線係数特
性の優れたバリスタを得ることができる。したが
つて酸化亜鉛の結晶粒成長を阻害するSb2O3や
Cr2O3を含む主組成に酸化亜鉛+酸化ビスマス粒
子を添加した場合でも結晶粒は成長するので低電
圧化できる効果を有する。
1.0モル%の酸化ビスマスを添加して造粒し平均
粒径10〜200μmの酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子
を得、これを酸化亜鉛+MgO+Bi2O3+CoO+
MnO+NiO+Sb2O3+Cr2O3からなる主組成に対
し0.3〜30重量%添加混合し、これをいつしよに
焼結することによつて立上り電圧や非直線係数特
性の優れたバリスタを得ることができる。したが
つて酸化亜鉛の結晶粒成長を阻害するSb2O3や
Cr2O3を含む主組成に酸化亜鉛+酸化ビスマス粒
子を添加した場合でも結晶粒は成長するので低電
圧化できる効果を有する。
以上述べたように本発明によればあらかじめ酸
化亜鉛+酸化ビスマス粉末を造粒したのちこれを
酸化亜鉛を主とする主組成に添加混合−成形し焼
結してバリスタを得るもので、このバリスタは結
晶粒径が大きいので非直線係数を低下させずに立
上り電圧を低下させる特性を有し低電圧用に適用
するものである。
化亜鉛+酸化ビスマス粉末を造粒したのちこれを
酸化亜鉛を主とする主組成に添加混合−成形し焼
結してバリスタを得るもので、このバリスタは結
晶粒径が大きいので非直線係数を低下させずに立
上り電圧を低下させる特性を有し低電圧用に適用
するものである。
また実施例では主組成として酸化亜鉛、酸化ビ
スマスにほかMgO、CoO、MnO、NiO、Sb2O3、
Cr2O3を添加した場合について述べたが、その他
の金属酸化物たとえばSiO2、CuO、Al2O3、
BaO、CaO、SrO、PbO、SnO2、Ag2O、TiO2、
ZrO2、La2O3、Pr6O11、Fe2O3、B2O3などを添加
してもよく、空気中高温で酸化物になるものなら
ばこれらに限るものではない。しかし本発明は主
組成としての酸化亜鉛と酸化ビスマスとに酸化亜
鉛+酸化ビスマス粒子を加えた焼結体からなるも
のでバリスタの低電圧化の効果を得ることができ
るものであつて、前記MgO、CoOなどの金属酸
化物はバリスタとしての特性を向上させる効果は
有するが本発明の要旨たる低電圧化という観点か
らは必須要件ではない。
スマスにほかMgO、CoO、MnO、NiO、Sb2O3、
Cr2O3を添加した場合について述べたが、その他
の金属酸化物たとえばSiO2、CuO、Al2O3、
BaO、CaO、SrO、PbO、SnO2、Ag2O、TiO2、
ZrO2、La2O3、Pr6O11、Fe2O3、B2O3などを添加
してもよく、空気中高温で酸化物になるものなら
ばこれらに限るものではない。しかし本発明は主
組成としての酸化亜鉛と酸化ビスマスとに酸化亜
鉛+酸化ビスマス粒子を加えた焼結体からなるも
のでバリスタの低電圧化の効果を得ることができ
るものであつて、前記MgO、CoOなどの金属酸
化物はバリスタとしての特性を向上させる効果は
有するが本発明の要旨たる低電圧化という観点か
らは必須要件ではない。
図面はいずれも本発明および参考例、従来例の
特性を示す曲線図で第1図は酸化亜鉛に対する酸
化ビスマスの添加量と立上り電圧の関係、第2図
は同じく酸化ビスマスの添加量と非直線係数との
関係、第3図は主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビ
スマス粒子の添加量と立上り電圧との関係、第4
図は同じく酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量
と非直線係数との関係、第5図は酸化亜鉛+酸化
ビスマス粒子の平均粒径と立上り電圧との関係、
第6図は同じく酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平
均粒径と非直線係数との関係、第7図〜第12図
は他の実施例による特性を示す曲線図であり第7
図は酸化亜鉛に対する酸化ビスマスの添加量と立
上り電圧の関係、第8図は同じく酸化ビスマスの
添加量と非直線係数との関係、第9図は主組成に
対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量と立
上り電圧との関係、第10図は同じく酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子の添加量と非直線係数との関
係、第11図は酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平
均粒径と立上り電圧との関係、第12図は同じく
酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平均粒径と非直線
係数との関係を示す曲線図である。
特性を示す曲線図で第1図は酸化亜鉛に対する酸
化ビスマスの添加量と立上り電圧の関係、第2図
は同じく酸化ビスマスの添加量と非直線係数との
関係、第3図は主組成に対する酸化亜鉛+酸化ビ
スマス粒子の添加量と立上り電圧との関係、第4
図は同じく酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量
と非直線係数との関係、第5図は酸化亜鉛+酸化
ビスマス粒子の平均粒径と立上り電圧との関係、
第6図は同じく酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平
均粒径と非直線係数との関係、第7図〜第12図
は他の実施例による特性を示す曲線図であり第7
図は酸化亜鉛に対する酸化ビスマスの添加量と立
上り電圧の関係、第8図は同じく酸化ビスマスの
添加量と非直線係数との関係、第9図は主組成に
対する酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の添加量と立
上り電圧との関係、第10図は同じく酸化亜鉛+
酸化ビスマス粒子の添加量と非直線係数との関
係、第11図は酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平
均粒径と立上り電圧との関係、第12図は同じく
酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平均粒径と非直線
係数との関係を示す曲線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 酸化亜鉛粉末と酸化ビスマス粉末とを混合し
たのち造粒し酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子を得る
工程と、該粒子を平均粒径により選別する工程
と、該工程で選別した粒子を少なくとも酸化亜鉛
と酸化ビスマスを含む主組成に添加混合して混合
粒子を得る工程と、該工程ののち混合粒子を成形
焼結する工程とを具備したことを特徴とするバリ
スタの製造方法。 2 造粒をスプレードライヤで行うことを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載のバリスタの製造
方法。 3 酸化亜鉛に添加する酸化ビスマスの混合量が
0.01〜1.0モル%であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項または第2項記載のバリスタの製
造方法。 4 酸化亜鉛+酸化ビスマス粒子の平均粒径が10
〜200μmであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項〜第3項のいずれかに記載のバリスタの
製造方法。 5 主組成に添加混合する酸化亜鉛+酸化ビスマ
ス粒子の添加量が0.3〜30重量%であることを特
徴とする特許請求の範囲第1項〜第4項のいずれ
かに記載のバリスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158274A JPS6049608A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | バリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158274A JPS6049608A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | バリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049608A JPS6049608A (ja) | 1985-03-18 |
| JPH0142610B2 true JPH0142610B2 (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=15668017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158274A Granted JPS6049608A (ja) | 1983-08-29 | 1983-08-29 | バリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049608A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0630284B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-04-20 | 富士電機株式会社 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
-
1983
- 1983-08-29 JP JP58158274A patent/JPS6049608A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6049608A (ja) | 1985-03-18 |
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