JPH0145153B2 - - Google Patents

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JPH0145153B2
JPH0145153B2 JP20576681A JP20576681A JPH0145153B2 JP H0145153 B2 JPH0145153 B2 JP H0145153B2 JP 20576681 A JP20576681 A JP 20576681A JP 20576681 A JP20576681 A JP 20576681A JP H0145153 B2 JPH0145153 B2 JP H0145153B2
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Japan
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memory
column address
word
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JPS58108080A (ja
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Masayuki Ishida
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Priority to US06/446,403 priority patent/US4516219A/en
Priority to DE3249898A priority patent/DE3249898C2/de
Priority to DE19823246254 priority patent/DE3246254A1/de
Publication of JPS58108080A publication Critical patent/JPS58108080A/ja
Publication of JPH0145153B2 publication Critical patent/JPH0145153B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、データのブロツクインターリーブ
又はデインターリーブを行う時のメモリアドレス
回路に関するものである。
PCM録音機やPCMオーデイオデイスクには、
高品質な再生音を得るために、誤り訂正符号が用
いられる。一般的にアナログ信号をサンプリング
して得た標本化信号ワード列を複数ワードのブロ
ツクに区切り、各ブロツクに誤り訂正ワードを付
加して1つの誤り訂正ブロツクを構成し、伝送路
上で誤つたワードに対し、再生時に訂正が行われ
る。しかし誤り訂正符号には限界があり、伝送路
上でバースト誤りが生じて、1つの誤り訂正ブロ
ツク内のほとんどのワードが誤つた時には訂正不
可能となる。従来バーストエラー対策として、記
録時に、訂正ブロツク内の各ワードを分散させる
インターリーブを行つて記録媒体上で各ワードを
ある間隔をおいて記録し、再生時には、もとの配
列にもどすデインターリーブを行つて誤り訂正が
行われる。
第1図は、インターリーブ、デインターリーブ
を示すブロツク図である。第1図において、10
1は標本化信号ワードに誤り訂正符号を付加した
D0からD7の8ワードからなる第n番目(nは整
数)の誤り訂正ブロツクを示し、102は1ブロ
ツク内の各ワードの遅延量を示し、dは整数を示
す。103はインターリーブ後の1伝送ブロツク
のワード構成を示しており、各ワードは異なつた
誤り訂正ブロツクのワードで構成され記録媒体に
記録される。104はデインターリーブの遅延量
を示し、105はデインターリーブ後の1訂正ブ
ロツクの構成を示し、D0〜D7はn−7d番目の誤
り訂正ブロツクのワードとなりインターリーブ前
の組み合わせにもどつた事を示している。以上の
説明のインターリーブ、デインターリーブを用い
ると、伝送路上でバースト誤りが生じ103に示
すブロツクの8ワードが誤まつたとしても、デイ
ンターリーブを行う事で誤つたワードが分散さ
れ、105に示すブロツクではD7、n−7dのみ
の誤りとなり訂正が可能となる。
このインターリーブ、デインターリーブの遅延
を実現するためには、ワードをメモリに一担貯わ
えて、所望のワードを読み出す方法が行われてい
る。以下第1図におけるd=16の場合のデインタ
ーリーブを行う時のメモリアドレス制御を例に説
明する。
第2図は、従来のメモリアドレス制御回路を示
しており、1は3ビツト出力を有するカウンター
2の入力端子に入力され、1伝送ブロツク103
内の8ワードのアドレスを決める書き込みサンプ
ルクロツク(以後WSCKという)を示し、3は
カウンター4の入力とカウンター2のリセツト端
子に入力される書き込みブロツク変更クロツク
(以後WBCKという)を示し、上記カウンタ2,
4の出力によりメモリの書き込みアドレスを決定
しており、カウンタ2の出力は下位3ビツトアド
レス、カウンタ4の出力はメモリの上位アドレス
を指定するもので夫々セレクター5の一方の入力
に入力される。82はセレクト信号を示してい
る。6は3ビツト出力を有するカウンタ7とカウ
ンター11に入力される1訂正ブロツク105内
の8ワードに対応した読み出しサンプルクロツク
(以後RSCK)を示し、8はカウンター9の入力
とカウンター7のリセツト端子に入力される読み
出しブロツク変更クロツク(以後RBCK)で、
訂正ブロツクが進むと共に1クロツク出力され
る。10はカウンター9のキヤリー出力を入力と
し、カウンター11のパラレル入力に出力するカ
ウンターを示し、12はカウンター11に入力さ
れるロードクロツクを示し、上記カウンター7,
9,11によりメモリの読み出しアドレスを決定
しており、カウンタ7の出力はアドレスの下位3
ビツトを指定し、カウンター9,11の出力は上
位アドレスを指定するもので、夫々セレクター5
の他方の入力に入力されセレクター5で書き込み
アドレスと読み出しアドレスを選択して、メモリ
アドレス信号14としてメモリに加えられる。1
3はカウンタ9,10の出力を入力とし、読み出
し上位カウンタ値(カウンタ9,10で決まる
値)が0の時、カウンター4を7dに設定する出
力を発生させる初期設定回路を示している。
第3図は書き込みアドレス系のタイムチヤート
を示し、第4図は読み出しアドレス系のタイムチ
ヤートを示し、第5図はワードの1ビツト当りの
メモリマツプを示しており、第5図において横軸
に下位3ビツトアドレス値、縦軸に上位アドレス
値をとり、この縦軸、横軸によりアドレスが決定
されている。又第5図中丸印は読み出しデータを
示し、三角印は書き込みデータを示す。
まず書き込みアドレス回路の動作を第2図、第
3図、第5図を用いて説明する。1伝送ブロツク
103中の8ワードは上位アドレスを一定にし
て、下位アドレスを0から7まで変化させて書き
込み、次のブロツクはWBCK3により上位アド
レスを1進めて書き込まれる。第3図は第1図中
103に示す伝送ブロツを書き込む時のタイムチ
ヤートである。WBCK3により時刻t1にカウン
タ2はリセツトされ、カウンター2の出力2aは
0になると共に、カウンター4の出力4aは7d
−1から7dに変化する。時刻t2には、WSCK1に
より、カウンタ2は1アツプされ1となる。先頭
のデータD0、nは時刻t1とt2の間にアドレス
(7d、0){(m、n)はmは上位アドレス値、n
は下位3ビツトアドレス値を示す}に書き込み、
次のデータD1、n−dは(7d、1)に書き込む。
以下順次下位アドレスを1アツプしてデータを書
き込む事により、時刻t3には103に示す8ワー
ドの書き込みが終了しており、WBCK3により
カウンタ4が1アツプされ、上位アドレスが7d
+1となり次のブロツクデータが書き込まれる。
次に読み出し系のアドレス回路の動作を、第2
図、第4図、第5図を用いて説明する。
第4図において時刻t1にRBCKにより、カウン
ター7が0になると共に、読み出し系が書き込み
系より7d遅れるように初期設定されているため、
カウンター10から出力される読み出し上位カウ
ンター値41は0となる。時刻t4にはロードクロ
ツク12によりカウンタ11に0がロードされ、
アドレスは(0、0)となり、この時のメモリ出
力は第5図より、D0、nに対し7dブロツク前の
データであるD0、n−7dが出力される。次に時
刻t5にはRSCK12によりカウンタ7の出力7a
は1となると共にカウンタ11が1アツプ、すな
わち読み出し上位アドレス値42がdアツプとな
り、メモリアドレスは(d、1)となりD1、n
−d−6d=D1、n−7dがメモリから出力される。
以下順次、カウンタ7とカウンター11を1アツ
プして読み出す事により105に示す第n−7d
番目の訂正ブロツクのワード配列を得る事ができ
る。以上の動作を書き込み系と読み出し系の同期
をとりかつD7のデータは書き込んでから読み出
すようクロツクの位相を合わせてメモリを巡回す
る事により、連続してデインターリーブを行う事
ができる。上記の例で103に示すブロツクのデ
ータを上位アドレス値7dに書き込んだ後、次の
ブロツクのデータを上位アドレス値が0の番地に
書き込み、読み出しは、(7d、7)のデータD7
n−7dを読んだ後、次の訂正ブロツクの先頭の
データD0、n−7d+1をアドレス(1、0)か
ら読み始める事により、ワードの1ビツト当り、
8×(7d+1)ビツトのメモリを巡回してデイン
ターリーブを行う事ができる。
従来のアドレス回路は以上のように構成されて
いたので、回路構成が簡単であるが、デインター
リーブに必要なメモリ量は、ワードの1ビツト当
り28dであるのに対し8×(7d+1)ビツト使用
するためメモリ容量が大きくなる欠点があつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、サンプル対応のア
ドレスを、途中折り返すと共に、上位アドレスを
も変化させる事により、従来のメモリ容量の約半
分で、デインターリーブを行う事ができるアドレ
ス回路を提供する事を目的としている。
以下この発明のメモリ回路の一実施例を図につ
いて説明する。第6図において、21はWSCK
1と制御回路24の出力24a,24bを入力と
し、2つの出力21a,21bを有するゲート回
路を示し、22は2ビツト出力を有するアツプダ
ウンカウンターで、ゲート回路21の1方の出力
21aをアツプ入力端子に、他方の出力21bを
ダウン入力端子に接続され、リセツト端子には
WBCK3が入力される。24はWSCK1とカウ
ンター22の出力とWBCK3が入力され、2つ
の出力24a,24bをもつ制御回路を示し、出
力21a,21bによりゲート回路21の出力と
減算器28の減算数を制御している。23は
WBCK3を入力とし、初期設定回路13の出力
でプリセツトされる、4ビツト出力を有するカウ
ンターを示し25はカウンター23のキヤリー出
力を入力とし、初期設定回路13の出力でプリセ
ツトされるカウンターを示し、26はアツプ入力
端子にゲート回路21の出力21bが接続されパ
ラレルロード入力に、カウンター25の出力が接
続され書き込みロードクロツク(以後WLDCK)
27によりカウンター25の出力がロードされる
カウンターを示し28は制御回路24の出力24
aが1の時0、0の時4d+1をカウンタ23と
26で示される値から減算する減算器を示し、カ
ウンター22の出力と減算器28の出力はセレク
ターに入力されカウンター22によりメモリの下
位2ビツトアドレスが指定され、減算器28の出
力により上位アドレスが指定される。以上書き込
みアドレス回路の構成である。
次に読み出しアドレス回路の構成を説明する。
31はRSCK6と制御回路33の出力33a,3
3bを入力とし、2つの出力31a,31bを有
するゲート回路を示し、32は2ビツト出力を有
するアツプダウンカウンターで、ゲート回路31
の1方の出力31aをアツプ入力端子に、他方の
出力31bをダウン入力端子に接続され、リセツ
ト端子には、RBCK8が入力される。33は
RSCK6とカウンター32の出力とRBCK8が入
力され、2つの出力33a,33bをもつ制御回
路を示し、出力33a,33bによりゲート回路
31の出力と減算器34の減算数を制御してい
る。34は制御回路33の出力33aが1の時
0、0の時3d+1をカウンター9と11で示さ
れる値から減算する減算器を示し、カウンター3
2の出力によりメモリアドレスの下位2ビツトを
セレクター5を介して指定し、減算器34の出力
によりメモリアドレスの上位がセレクター5を介
して指定する。
第7図は第6図のゲート回路21と制御回路2
4の一実施例で、201はカウンター22の出力
22aを入力とし3を検出すると0を出力するナ
ンドゲートを示し、202はナンドゲート201
の出力201aとWSCK1を入力とするオアゲ
ートを示し、203はクロツク入力端子にオアゲ
ート202の出力202aが入力され、リセツト
端子に、WBCK3が入力され、D入力端子は電
源に接続されたD―フリツプフロツプ(以後
DFF)を示し、204はナンドゲート出力20
1aとDFF203の反転出力24aを入力とす
るナンドゲートを示しナンドゲート204の出力
24bとDFF203の反転出力24aが制御回
路の2出力となつている。ゲート回路21は、
WSCK1とゲート出力24bを入力とするオア
ゲート205とWSCK1とDFF反転出力24a
を入力とするオアゲート206の2ゲートで構成
され夫々21a,21bなる出力信号を出してい
る。
次に動作を図を用いて説明する。第8図は、第
7図の制御回路とゲート回路のタイムチヤートを
示している。時刻t1にWBCK1が0になる事に
よりカウンタ22とDFF203はリセツトされ、
ナンドゲート201の出力201aとDFF反転
出力24aは共に1とならからオアゲート204
出力24bは0となり、以後、WSCK1はゲー
ト205を介してカウンタ22のアツプ入力に入
力される。時刻t6には、オアゲート204の出力
21aの立ち上がりでカウンタ22の値22aは
3となりナンドゲート201の出力201aは0
となり、時刻t7で、オアゲート202の出力20
2aによりDFF203の反転出力24aは1か
ら0に変化するため、制御回路の1方の出力24
bは時刻tiから次のWBCK1の変化がある時刻t3
の間1となり、他方の出力24aは時刻t7から時
刻t3の間0となる。以上より、ゲート回路の1方
の出力21aは、時刻t1から時刻t6の間に入力さ
れたWSCK3を出力し、他方の出力21bは時
刻t7から時刻t3の間に入力されたWSCKを出力す
るのでカウンター22の出力22aは0から3ま
でアツプし、値3を2クロツク間維持した後0ま
でダウンする動作をくり返す。ゲート回路31と
制御回路33も上記ゲート回路21、制御回路2
4と同一構成のものである。
第9図は第6図の書き込み系アドレス回路を説
明するためのタイムチヤートを示し、第11図は
メモリマツプを示しており、第11図中、横軸に
下位2ビツトアドレス、たて軸に上位アドレスを
対応させてあり、丸印は読み出しデータ、三角印
は書き込みデータを示している。
第9図において、時刻t1にWBCK3が0とな
りカウンタ22の出力22aは0となると共に上
位カウンター値50(カウンター23とカウンタ
ー25で構成されるカウンターの値)が1アツプ
し、7d+1となる。時刻t8にWLDCK27により
カウンター26にカウンタ25の値がロードさ
れ、この時減算器28の減数は0のため、上位ア
ドレス60は7d+1となり、アドレスは(7d+
1、0)となる。時刻t2には、WSCK1の立上が
りでカウンタ22は1となる。最初のデータD0
nを時刻t8とt2の間でアドレス(7d+1、0)に
書き込む。順次カウンター22をアツプしてデー
タを書き込み、時刻t7からは制御回路出力24a
は0となり減算数は4d+1となるため、アドレ
ス80は(3d、3)に変化し、このアドレスに
D4、n−4dを書き込む。時刻t9からはゲート回路
21の出力21bよりWSCK1がカウンター2
2のダウン入力とカウンタ26のダウン入力に供
給されるため、WSCKが0から1に変化すると
下位アドレスが1ダウンすると共に、カウンタ2
6が1ダウン、すなわち上位アドレスがdダウン
する。D5、n−5dを(2d、2)に、D6、n−6d
を(d、1)にD7、n−7dを(0、0)に書き
込んで1ブロツクの書き込みが終了し、t3以降は
同様に、上位カウンター値50を1アツプして次
のブロツクの書き込みが行われる。
第10図は読み出し系アドレス回路のタイムチ
ヤートを示している。時刻t1にRBCK8が0とな
りカウンタ32の出力32aは0となると共に上
位読み出しカウンター値70(カウンター9とカ
ウンター10で構成されるカウンターの値)が1
アツプし、0から1に変化する。これは、初期設
定回路13で、上位読み出しカウンター値70が
0の時、書き込み系の上位カウンター値が7dに
設定され、さらにWBCK3とRBCK8が同一周
波数であるため、書き込み上位カウンター値50
が7d+1の時読み出し上位カウンター値70は
1となる。時刻t4では、ロードクロツク12によ
りカウンター11に0がロードされ、上位アドレ
スは(1、0)となる。第11図より(1、0)
のデータは(7d+1、1)のD0、nより7d前の
ブロツクのデータであるので、メモリからD0
n−7dなるデータが出力される。時刻t5には、ゲ
ート回路31の出力31aにより、カウンター3
2は1となると共に、カウンター11は1アツプ
し、アドレスは(d+1、1)となり、D1、n
−d−6d=D1、n−7dがメモリから出力さる。
この動作がD3、n−7dを出力するまでくり返さ
れ、時刻t10以降は制御回路33の出力33aに
より減算器34の減数が3d+1となるためアド
レスは(0、3)となり、D4、n−7dがメモリ
から出力され、時刻t5には、カウンター32のみ
が1ダウンしアドレスは(0、2)となりメモリ
よりD5、n−7dが出力され以下、カウンタ32
の値のみダウンさせてD6、n−7d、D7、n−7d
を読み出し時刻t12には第n−7d番目の誤り訂正
ブロツクの8ワードの読み出しが完了する。
第12図はセレクト信号82によりセレクター
で読み出しアドレス81と書き込みアドレス80
を選択してメモリアドレス14としてメモリに加
えられるタイムチヤートを示している。セレクト
信号82が“1”の時書き込みアドレスがメモリ
アドレス14となり、セレクト信号82が“0”
の時、読み出しアドレス81がメモリアドレス1
4となつてメモリに加えられる。このように、
WBCK3とRBCK8が同一周期で、1ブロツク
内に時分割でメモリの書き込み、読み出しを行
い、ブロツク変更すると共に上位カウンター値を
1更進してメモリアドレスを巡回させる事によ
り、連続的にデインターリーブを行う事ができ
る。
上記実施例では下位2ビツトカウンター22,
32を0からスタートさせたが、3からスタート
させる場合は、アツプ入力とダウン入力を入れ換
えかつ制御回路で3を検出しているナンドゲート
201を0を検出するオアゲートに変える事によ
り、デインターリーブを行う事ができる。またイ
ンターリーブの場合は、カウンター26をアツプ
カウンターにおき換え、カウンター11をダウン
カウンターに置換え、初期設定を0とし、減算器
28の減算数を15d+1、減算器34の減算数を
16dとする事で実現できる。
以上のように、この発明によれば、従来に比べ
若干回路規模が大きくなるがワードの1ビツト当
り4(7d+2)ビツトと従来の約半分のメモリ容
量で、デインターリーブを行う事ができるので、
装置が安価にできる。特に信号処理部をLSI化
し、メモリを外付けするような構成の場合は効果
大である。
【図面の簡単な説明】
第1図はインターリーブ、デインターリーブを
示すブロツク図、第2図は従来のメモリアドレス
回路を示す図、第3図は従来のメモリアドレス回
路の書き込み系アドレス回路を説明するためのタ
イムチヤート、第4図は従来のメモリアドレス回
路の読み出し系アドレス回路を説明するためのタ
イムチヤート、第5図は従来のメモリアドレス回
路のメモリマツプ、第6図はこの発明の一実施例
を示すメモリアドレス回路図、第7図は第6図の
ゲート回路、及び制御回路の一実施例を示す図、
第8図は第7図を説明するためのタイムチヤー
ト、第9図は第6図の書き込み系アドレス回路を
説明するためのタイムチヤート、第10図は第6
図の読み出し系アドレス回路を説明するためのタ
イムチヤート、第11図は本発明の一実施例にお
けるメモリマツプ、第12図は書き込みアドレス
と読み出しアドレスが時分割でメモリアドレスに
加えられる様子を示したタイムチヤートを示す。 図において1はWSCK、3はWBCK、6は
RSCK、8はRBCK、9,10,11,22,2
3,25,26,32はカウンタ、12はロード
カウンタ、21,31はゲート回路、24,33
は制御回路、27はWLDCK、28,34は減算
器、82はセレクタである。なお、図中同一符号
は同一又は相当部分を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 複数ワードのデータからなるブロツクを単位
    として当該ブロツク内の各ワードにそれぞれ異な
    る遅延を与えてもととは異なるデータの組み合せ
    を生成するメモリ回路であつて、メモリと、この
    メモリの書き込みアドレスの行アドレスを生成す
    る第1の行アドレス生成手段および列アドレスを
    生成する第1の列アドレス生成手段と、この列ア
    ドレスの値が所定数cになつたときこれを検出す
    る第1検出手段と、上記メモリの読み出しアドレ
    スの行アドレスを生成する第2の行アドレス生成
    手段および列アドレスを生成する第2の列アドレ
    ス生成手段と、この列アドレスが所定数cになつ
    たときこれを検出する第2の検出手段と、上記第
    1の列アドレス生成手段、第1の行アドレス生成
    手段、および第1の検出手段により生成されたデ
    ータ書き込み用アドレスと上記第2の列アドレス
    生成手段、第2の行アドレス生成手段および第2
    の検出手段により生成されたデータ読み出し用ア
    ドレスのうちいずれか一方を選択して前記メモリ
    に供給する選択回路とを備え、デインターリーブ
    時に上記メモリへ1ブロツクのデータを書き込む
    際は行アドレスを初期値bに保持したままで列ア
    ドレスを初期値pに1ワードごとに所定数aづつ
    加算してゆき、列アドレスが所定数cに達した次
    のワードの列アドレスは所定数cのままで行アド
    レスをbから所定数dを減算した値に変化させ、
    その後1ワードごとに列アドレスを所定数aづつ
    減算するとともに行アドレスを所定数eづつ減算
    してゆく手順で書き込みアドレスを発生してメモ
    リに与え、1ブロツク分のデータをメモリから読
    み出す際は列アドレスを初期値pに1ワードごと
    に所定数aづつ加算するとともに行アドレスを初
    期値fに所定数eづつ加算してゆき、列アドレス
    が所定数cに達した次のワードの列アドレスは所
    定数cのままで行アドレスを所定数gを減算した
    値に変化させ、その後行アドレスを変化させるこ
    となく1ワードごとに列アドレスを上記所定数a
    づつ減算してゆく手順で読み出しアドレスを発生
    してメモリに与えるように構成してなるメモリ回
    路。 2 インターリーブ時に上記メモリへ1ブロツク
    のデータを書き込む際は行アドレスを初期値bに
    保持したままで列アドレスを初期値pに1ワード
    ごとに所定数aづつ加算してゆき、列アドレスが
    所定数cに達した次のワードは列アドレスが所定
    数cのままで行アドレスを初期値bから所定数d
    を減算した値に変化させ、その後1ワードごとに
    列アドレスを所定数aづつ減算するとともに行ア
    ドレスを所定数eづつ加算してゆく手順で書き込
    みアドレスを発生してメモリに与え1ブロツク分
    のデータをメモリから読み出す際は列アドレスを
    初期値pに1ワードごとに所定数aづつ加算する
    とともに行アドレスを初期値fから所定数eづつ
    減算してゆき、列アドレスが所定数cに達した次
    のワードの列アドレスはその所定数cのままで行
    アドレスを所定数gを減算した値に変化させ、そ
    の後行アドレスを変化させることなく1ワードご
    とに列アドレスを所定数aづつ減算してゆく手順
    読み出しでアドレスを発生してメモリに与えるよ
    うに構成してなる特許請求の範囲第1項1に記載
    のメモリ回路。
JP20576681A 1981-12-18 1981-12-18 メモリ回路 Granted JPS58108080A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20576681A JPS58108080A (ja) 1981-12-18 1981-12-18 メモリ回路
US06/446,403 US4516219A (en) 1981-12-18 1982-12-02 Address designating method of memory and apparatus therefor
DE3249898A DE3249898C2 (ja) 1981-12-18 1982-12-14
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