JPH0145241B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145241B2 JPH0145241B2 JP56121106A JP12110681A JPH0145241B2 JP H0145241 B2 JPH0145241 B2 JP H0145241B2 JP 56121106 A JP56121106 A JP 56121106A JP 12110681 A JP12110681 A JP 12110681A JP H0145241 B2 JPH0145241 B2 JP H0145241B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- constant current
- current source
- fet
- transistor
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、直流出力オフセツト電圧を除去した
カスコード増幅回路の直流安定性を向上した負帰
環増幅回路に関する。
カスコード増幅回路の直流安定性を向上した負帰
環増幅回路に関する。
従来のカスコード増幅回路の出力端子に現われ
る高い直流オフセツト電圧を除去し、次段との直
結接続を容易にした増幅回路がある。第1図は、
かかる直流出力オフセツト電圧を除去したカスコ
ード増幅回路の従来例を示す回路図である。図に
おいて、1は入力端子、3はFET、5,8は定
電流源、6はトランジスタ、7は電源、9は出力
端子、2,4,10は抵抗である。図の如き構成
により、直流動作においては、定電流源8の直流
値I8を定電流源5の電流値I5からFET3のドレイ
ン電流I3を減じた値(I8=I5−I3)となるように
選定すると、出力端子9の直流電位をゼロVにす
ることができる。また、交流動作においては、
FET3とトランジスタ6がカスコード接続され
FET3のドレイン電圧が電源7の電圧によつて
定まるカスコード増幅回路となつている。したが
つて、第1図の回路は、カスコード増幅回路とし
て優れた広帯域低雑音特性を有するが、なお、素
子のばらつきや周囲温度の変化等によつてFET
3のドレイン電流や定電流源5あるいは8の電流
値が変動した場合、出力端子9の直流電位が変動
する欠点がある。
る高い直流オフセツト電圧を除去し、次段との直
結接続を容易にした増幅回路がある。第1図は、
かかる直流出力オフセツト電圧を除去したカスコ
ード増幅回路の従来例を示す回路図である。図に
おいて、1は入力端子、3はFET、5,8は定
電流源、6はトランジスタ、7は電源、9は出力
端子、2,4,10は抵抗である。図の如き構成
により、直流動作においては、定電流源8の直流
値I8を定電流源5の電流値I5からFET3のドレイ
ン電流I3を減じた値(I8=I5−I3)となるように
選定すると、出力端子9の直流電位をゼロVにす
ることができる。また、交流動作においては、
FET3とトランジスタ6がカスコード接続され
FET3のドレイン電圧が電源7の電圧によつて
定まるカスコード増幅回路となつている。したが
つて、第1図の回路は、カスコード増幅回路とし
て優れた広帯域低雑音特性を有するが、なお、素
子のばらつきや周囲温度の変化等によつてFET
3のドレイン電流や定電流源5あるいは8の電流
値が変動した場合、出力端子9の直流電位が変動
する欠点がある。
本発明は、直流出力オフセツト電圧を除去する
と共に上述の如き欠点のない直流安定性に優れた
カスコード増幅回路を提供しようとするものであ
る。以下、図面により本発明を具体的に説明す
る。
と共に上述の如き欠点のない直流安定性に優れた
カスコード増幅回路を提供しようとするものであ
る。以下、図面により本発明を具体的に説明す
る。
第2図は、本発明の第1の実施例を示す回路図
である。図において、第1図と対応する部分には
同一の符号を付して説明を省略する。FET11
のドレインをFET3のドレイン、トランジスタ
6のエミツタ及び定電流源5の共通接続点に接続
し、FET11のゲートをコンデンサ13を介し
て接地すると共に抵抗14を介してトランジスタ
6のコレクタと定電流源8の共通接続点である出
力端子9に接続する。
である。図において、第1図と対応する部分には
同一の符号を付して説明を省略する。FET11
のドレインをFET3のドレイン、トランジスタ
6のエミツタ及び定電流源5の共通接続点に接続
し、FET11のゲートをコンデンサ13を介し
て接地すると共に抵抗14を介してトランジスタ
6のコレクタと定電流源8の共通接続点である出
力端子9に接続する。
本回路の動作は、次のとおりである。
まず、直流動作について述べる。出力端子9の
直流電位は、第1図で説明したとおり、FET3
の特性と定電流源5及び8の各電流値によつて一
応定まるが、何らかの原因によつて出力端子9の
直流電位が上昇したと仮定すると、低抗14を介
してFET11のゲートの直流電位も上昇するか
ら、FET11のドレイン電流が増加する。した
がつて、トランジスタ6のコレクタ電流はFET
11のドレイン電流の増加分だけ減少することに
なり、出力端子9の直流電位は下降する。このよ
うに直流負帰還が行なわれることにより、出力端
子9の直流電位は一定に保たれる。よつて、素子
のばらつきや周囲温度の変化等によつてFET3
のドレイン電流や定電流源5あるいは8の電流値
が変動したとしても、出力端子9の直流電位は変
動することなく安定である。
直流電位は、第1図で説明したとおり、FET3
の特性と定電流源5及び8の各電流値によつて一
応定まるが、何らかの原因によつて出力端子9の
直流電位が上昇したと仮定すると、低抗14を介
してFET11のゲートの直流電位も上昇するか
ら、FET11のドレイン電流が増加する。した
がつて、トランジスタ6のコレクタ電流はFET
11のドレイン電流の増加分だけ減少することに
なり、出力端子9の直流電位は下降する。このよ
うに直流負帰還が行なわれることにより、出力端
子9の直流電位は一定に保たれる。よつて、素子
のばらつきや周囲温度の変化等によつてFET3
のドレイン電流や定電流源5あるいは8の電流値
が変動したとしても、出力端子9の直流電位は変
動することなく安定である。
次に、交流動作については、出力端子9に生じ
た出力信号は抵抗14とコンデンサ13の分圧回
路を介してFET11のゲートに印加されるが、
可聴周波数帯域の交流信号における上記分圧回路
の分圧比を大きくすればFET11は交流信号に
ついて関与せず、回路動作は第1図と同様とな
る。
た出力信号は抵抗14とコンデンサ13の分圧回
路を介してFET11のゲートに印加されるが、
可聴周波数帯域の交流信号における上記分圧回路
の分圧比を大きくすればFET11は交流信号に
ついて関与せず、回路動作は第1図と同様とな
る。
第3図は、本発明の第2の実施例を示す回路図
である。本例は、コンデンサ13を第2図のよう
に接地する代わりにFET3のゲートに接続した
ものである。本回路の直流動作は、第2図のもの
と同様であり、交流動作についてもほぼ同様であ
る。すなわち、出力端子9に生じた出力信号は、
抵抗14を介してFET11のゲートに印加され
るが、FET11のゲートはコンデンサ13を介
してFET3のゲートと入力端子1とに接続され
ているから、入力端子1に接続される一般に低イ
ンピーダンスの信号源抵抗、コンデンサ13及び
抵抗14によつて分圧される。そこで、コンデン
サ13に可聴周波数帯域の交流信号において短絡
とみなしうる程度の大容量のものを用い、抵抗1
4と上記信号抵抗による分圧比を大きくすれば、
出力端子9に生じた交流出力信号が、FET3及
び11に負帰還されることはない。したがつて、
交流動作においても、第1図のFET3にFET1
1を並列接続したのと等しくなり第1図や第2図
と同様となる。しかも、FETを並列動作させて
いるので、S/N比の向上が期待できる。
である。本例は、コンデンサ13を第2図のよう
に接地する代わりにFET3のゲートに接続した
ものである。本回路の直流動作は、第2図のもの
と同様であり、交流動作についてもほぼ同様であ
る。すなわち、出力端子9に生じた出力信号は、
抵抗14を介してFET11のゲートに印加され
るが、FET11のゲートはコンデンサ13を介
してFET3のゲートと入力端子1とに接続され
ているから、入力端子1に接続される一般に低イ
ンピーダンスの信号源抵抗、コンデンサ13及び
抵抗14によつて分圧される。そこで、コンデン
サ13に可聴周波数帯域の交流信号において短絡
とみなしうる程度の大容量のものを用い、抵抗1
4と上記信号抵抗による分圧比を大きくすれば、
出力端子9に生じた交流出力信号が、FET3及
び11に負帰還されることはない。したがつて、
交流動作においても、第1図のFET3にFET1
1を並列接続したのと等しくなり第1図や第2図
と同様となる。しかも、FETを並列動作させて
いるので、S/N比の向上が期待できる。
第4図は、本発明の第3の実施例を示す回路図
である。本例は、第3図と比べて、出力信号の直
流分を増幅回路15によつて増幅した後に抵抗1
4を介してFET11のゲートに加える点が異な
る。このように増幅回路15で増幅すると、直流
分の負帰還量が増加し、直流安定性が更に向上す
る。
である。本例は、第3図と比べて、出力信号の直
流分を増幅回路15によつて増幅した後に抵抗1
4を介してFET11のゲートに加える点が異な
る。このように増幅回路15で増幅すると、直流
分の負帰還量が増加し、直流安定性が更に向上す
る。
第5図は、本発明の第4の実施例を示す回路図
である。本例は、第3図の回路をダツシユ符号を
付した相補特性の増幅回路と組合わせてブツシユ
プル構成としたものである。本回路は、直流安定
性の向上と共にプツシユプル構成による周知の歪
率減少を計つたものである。
である。本例は、第3図の回路をダツシユ符号を
付した相補特性の増幅回路と組合わせてブツシユ
プル構成としたものである。本回路は、直流安定
性の向上と共にプツシユプル構成による周知の歪
率減少を計つたものである。
以上説明したとおり、本発明によれば、簡単な
回路構成で、直流出力オフセツト電圧がなく且つ
直流安定性に優れた低歪率・低雑音のカスコード
増幅回路を得ることができる。
回路構成で、直流出力オフセツト電圧がなく且つ
直流安定性に優れた低歪率・低雑音のカスコード
増幅回路を得ることができる。
なお、本発明は、特許請求の範囲に記載した発
明の要旨を逸脱しない範囲内において、上述の実
施例に限らず種々の変形、変更をしうるものであ
る。例えば、第4図のものにおいてコンデンサ1
3を接地してもよく、第5図のものにおいてコン
デンサ13を接地してもよい。また、第4図のも
のを第5図と同様のプツシユプル構成にしてもよ
い。更に、FET3,3′,11,11′を普通の
トランジスタに置き換えてもよい。
明の要旨を逸脱しない範囲内において、上述の実
施例に限らず種々の変形、変更をしうるものであ
る。例えば、第4図のものにおいてコンデンサ1
3を接地してもよく、第5図のものにおいてコン
デンサ13を接地してもよい。また、第4図のも
のを第5図と同様のプツシユプル構成にしてもよ
い。更に、FET3,3′,11,11′を普通の
トランジスタに置き換えてもよい。
第1図は直流オフセツト電圧を除去したカスコ
ード増幅回路の従来例を示す回路図、第2図は本
発明の第1実施例を示す回路図、第3図は本発明
の第2実施例を示す回路図、第4図は本発明の第
3実施例を示す回路図、第5図は本発明の第4実
施例を示す回路図である。 1……入力端子、3,3′……第1トランジス
タ、6,6′……第2トランジスタ、11,1
1′……第3トランジスタ、5……第1定電流源、
8……第2定電流源、9……出力端子、13,1
4,13,14,15……直流負帰還手段。
ード増幅回路の従来例を示す回路図、第2図は本
発明の第1実施例を示す回路図、第3図は本発明
の第2実施例を示す回路図、第4図は本発明の第
3実施例を示す回路図、第5図は本発明の第4実
施例を示す回路図である。 1……入力端子、3,3′……第1トランジス
タ、6,6′……第2トランジスタ、11,1
1′……第3トランジスタ、5……第1定電流源、
8……第2定電流源、9……出力端子、13,1
4,13,14,15……直流負帰還手段。
Claims (1)
- 1 主電流路が互いに並列に接続された第1、第
2及び第3のトランジスタの並列回路を第1の定
電流源に直列に接続し、上記第1及び第3のトラ
ンジスタはそのドレイン又はコレクタ側を上記第
1の定電流源に接続すると共に上記第1のトラン
ジスタのゲート又はベースに入力信号を印加し、
上記第2のトランジスタはそのソース又はエミツ
タ側を上記第1の定電流源に接続し、そのドレイ
ン又はコレクタ側を第2の定電流源に接続すると
共にそのドレイン又はコレクタより出力信号を取
出し、この出力信号の直流成分を上記第3のトラ
ンジスタに負帰還することを特徴とする負帰還増
幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121106A JPS5821905A (ja) | 1981-08-01 | 1981-08-01 | 負帰環増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56121106A JPS5821905A (ja) | 1981-08-01 | 1981-08-01 | 負帰環増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821905A JPS5821905A (ja) | 1983-02-09 |
| JPH0145241B2 true JPH0145241B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=14803022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56121106A Granted JPS5821905A (ja) | 1981-08-01 | 1981-08-01 | 負帰環増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5821905A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0622298B2 (ja) * | 1984-03-09 | 1994-03-23 | 松下電器産業株式会社 | 電流電圧変換装置 |
| JPH0744404B2 (ja) * | 1989-09-20 | 1995-05-15 | 三洋電機株式会社 | 増幅回路 |
-
1981
- 1981-08-01 JP JP56121106A patent/JPS5821905A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5821905A (ja) | 1983-02-09 |
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