JPH0145477B2 - - Google Patents
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- JPH0145477B2 JPH0145477B2 JP1520782A JP1520782A JPH0145477B2 JP H0145477 B2 JPH0145477 B2 JP H0145477B2 JP 1520782 A JP1520782 A JP 1520782A JP 1520782 A JP1520782 A JP 1520782A JP H0145477 B2 JPH0145477 B2 JP H0145477B2
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- methyl
- pentanone
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―
モノスルホン酸塩の製造法に関するものである。
ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスルホ
ン酸のナトリウム塩、カリウム塩またはリチウム
塩は水溶性の三置換ホスフインであり、種々の触
媒反応において金属触媒を安定化させると共に触
媒成分を含水溶媒中に溶解させることによつて生
成物と触媒を含む溶液を分離することを可能にす
る点で極めて興味ある化合物である。このうち、
ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスルホ
ン酸のナトリウム塩については、トリフエニルホ
スフインを発煙硫酸中でスルホン化し、反応混合
液を水酸化ナトリウム水溶液と接触させることに
よつて合成しうることが既に公知である〔J.
Chem.Soc.，（1958），276〕。しかしながら、文献
記載の方法ではジフエニルホスフイノベンゼン―
ｍ―モノスルホン酸のナトリウム塩が32.7％とい
う低い収率で得られるにすぎない。この方法を工
業的観点から眺めた場合次のような問題点が内在
している。
モノスルホン酸塩の製造法に関するものである。
ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスルホ
ン酸のナトリウム塩、カリウム塩またはリチウム
塩は水溶性の三置換ホスフインであり、種々の触
媒反応において金属触媒を安定化させると共に触
媒成分を含水溶媒中に溶解させることによつて生
成物と触媒を含む溶液を分離することを可能にす
る点で極めて興味ある化合物である。このうち、
ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスルホ
ン酸のナトリウム塩については、トリフエニルホ
スフインを発煙硫酸中でスルホン化し、反応混合
液を水酸化ナトリウム水溶液と接触させることに
よつて合成しうることが既に公知である〔J.
Chem.Soc.，（1958），276〕。しかしながら、文献
記載の方法ではジフエニルホスフイノベンゼン―
ｍ―モノスルホン酸のナトリウム塩が32.7％とい
う低い収率で得られるにすぎない。この方法を工
業的観点から眺めた場合次のような問題点が内在
している。
１ スルホン化工程においてトリフエニルホスフ
インの転化率を100％近くにまで高めると逐次
反応により対応するジスルホン酸およびトリス
ルホン酸の副生量が多くなり、高価なトリフエ
ニルホスフインの実質的損失を招くのみなら
ず、目的とするモノスルホン酸ナトリウムの分
離精製が極めて煩雑となり、その結果モノスル
ホン酸塩の単離収率が低下する。
インの転化率を100％近くにまで高めると逐次
反応により対応するジスルホン酸およびトリス
ルホン酸の副生量が多くなり、高価なトリフエ
ニルホスフインの実質的損失を招くのみなら
ず、目的とするモノスルホン酸ナトリウムの分
離精製が極めて煩雑となり、その結果モノスル
ホン酸塩の単離収率が低下する。
２ 反応に使用した濃硫酸を直接水酸化ナトリウ
ムによつて中和するので、硫酸および水酸化ナ
トリウムを多量に損失するだけでなく、大きな
発熱を伴うので操業性が悪い。またモノスルホ
ン酸ナトリウムを中和によつて生じる多量の硫
酸ナトリウムと分離することが困難である。
ムによつて中和するので、硫酸および水酸化ナ
トリウムを多量に損失するだけでなく、大きな
発熱を伴うので操業性が悪い。またモノスルホ
ン酸ナトリウムを中和によつて生じる多量の硫
酸ナトリウムと分離することが困難である。
３ ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノス
ルホン酸のリチウム塩は水および硫酸リチウム
水溶液中への溶解度が極めて大きいので、文献
記載の方法をリチウム塩の合成に採用すること
は困難である。
ルホン酸のリチウム塩は水および硫酸リチウム
水溶液中への溶解度が極めて大きいので、文献
記載の方法をリチウム塩の合成に採用すること
は困難である。
本発明者らはかかる背景から工業的実施に適し
たジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスル
ホン酸塩の製造法について鋭意検討を行なつた。
その結果、トリフエニルホスフインを濃硫酸中で
該トリフエニルホスフインの転化率が10〜80％と
なる範囲内で無水硫酸と反応させてスルホン化し
（工程）、工程（）で得られる反応混合液に水
を添加して該反応混合液中の硫酸濃度を40重量％
以下としたのち、４―メチル―２―ペンタノンに
よる抽出操作を施すことによつてジフエニルホス
フイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸および未反
応のトリフエニルホスフインを４―メチル―２―
ペンタノン層に抽出分離し（工程）、工程（）
で得られる４―メチル―２―ペンタノン層をナト
リウム、カリウムおよびリチウムからなる群より
選ばれる金属の水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩
の水溶液と接触させ、生成するジフエニルホスフ
イノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸塩を水層に移
行させたのち、水層より該ジフエニルホスフイノ
ベンゼン―ｍ―モノスルホン酸塩を回収する（工
程）、ことによりジフエニルホスフイノベンゼ
ン―ｍ―モノスルホン酸塩を高収率で製造しうる
ことを見出し、本発明を完成するに至つた。本発
明の方法は、反応したトリフエニルホスフイン基
準でのジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノ
スルホン酸塩の単離収率が極めて高いこと、未反
応のトリフエニルホスフイン、ならびに副生した
トリフエニルホスフインのジスルホン酸塩および
トリスルホン酸塩の分離とそれらの再使用が容易
であること、硫酸の中和工程を必要としないの
で、硫酸を再使用することができ、かつ硫酸を中
和するためのアルカリが不要であること、工程が
簡潔であること、スルホン酸のナトリウム塩のみ
ならずカリウム塩およびリチウム塩も容易に製造
しうること、などの利点を有している。
たジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスル
ホン酸塩の製造法について鋭意検討を行なつた。
その結果、トリフエニルホスフインを濃硫酸中で
該トリフエニルホスフインの転化率が10〜80％と
なる範囲内で無水硫酸と反応させてスルホン化し
（工程）、工程（）で得られる反応混合液に水
を添加して該反応混合液中の硫酸濃度を40重量％
以下としたのち、４―メチル―２―ペンタノンに
よる抽出操作を施すことによつてジフエニルホス
フイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸および未反
応のトリフエニルホスフインを４―メチル―２―
ペンタノン層に抽出分離し（工程）、工程（）
で得られる４―メチル―２―ペンタノン層をナト
リウム、カリウムおよびリチウムからなる群より
選ばれる金属の水酸化物、炭酸塩または重炭酸塩
の水溶液と接触させ、生成するジフエニルホスフ
イノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸塩を水層に移
行させたのち、水層より該ジフエニルホスフイノ
ベンゼン―ｍ―モノスルホン酸塩を回収する（工
程）、ことによりジフエニルホスフイノベンゼ
ン―ｍ―モノスルホン酸塩を高収率で製造しうる
ことを見出し、本発明を完成するに至つた。本発
明の方法は、反応したトリフエニルホスフイン基
準でのジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノ
スルホン酸塩の単離収率が極めて高いこと、未反
応のトリフエニルホスフイン、ならびに副生した
トリフエニルホスフインのジスルホン酸塩および
トリスルホン酸塩の分離とそれらの再使用が容易
であること、硫酸の中和工程を必要としないの
で、硫酸を再使用することができ、かつ硫酸を中
和するためのアルカリが不要であること、工程が
簡潔であること、スルホン酸のナトリウム塩のみ
ならずカリウム塩およびリチウム塩も容易に製造
しうること、などの利点を有している。
本発明方法にしたがうトリフエニルホスフイン
のスルホン化は濃硫酸中でトリフエニルホスフイ
ンと無水硫酸を反応させることによつて行なわれ
る。本反応は通常−10℃〜100℃、好ましくは０
〜40℃の温度下で実施される。反応温度が高くな
るにつれて反応速度は増加するが、ホスフインオ
キサイドの副生が増加する傾向が認められる。無
水硫酸源としては無水硫酸（SO3）、無水硫酸の
亜硫酸溶液、クロルスルホン酸、発煙硫酸などの
公知の無水硫酸源がそのまま適用可能である。ト
リフエニルホスフインに対する無水硫酸の仕込み
モル比は0.1〜10、好ましくは１〜５の範囲内か
ら選ぶのが実用的である。トリフエニルホスフイ
ンのスルホン化を該トリフエニルホスフインの転
化率が10〜80％、好ましくは20〜60％となる範囲
内で行なうことにより、トリフエニルホスフイン
のジスルホン酸およびトリスルホン酸の副生が抑
制されて高価なトリフエニルホスフインの実質的
損失を極小化することができる。トリフエニルホ
スフインの転化率が80％を越えるとジスルホン酸
およびトリスルホン酸の副生量が増大し、モノス
ルホン酸の収率が低下するので工業的に不利とな
る。またトリフエニルホスフインの転化率が10％
未満の場合には１回の反応操作によつて得られる
モノスルホン酸の収率が低く実用的でない。
のスルホン化は濃硫酸中でトリフエニルホスフイ
ンと無水硫酸を反応させることによつて行なわれ
る。本反応は通常−10℃〜100℃、好ましくは０
〜40℃の温度下で実施される。反応温度が高くな
るにつれて反応速度は増加するが、ホスフインオ
キサイドの副生が増加する傾向が認められる。無
水硫酸源としては無水硫酸（SO3）、無水硫酸の
亜硫酸溶液、クロルスルホン酸、発煙硫酸などの
公知の無水硫酸源がそのまま適用可能である。ト
リフエニルホスフインに対する無水硫酸の仕込み
モル比は0.1〜10、好ましくは１〜５の範囲内か
ら選ぶのが実用的である。トリフエニルホスフイ
ンのスルホン化を該トリフエニルホスフインの転
化率が10〜80％、好ましくは20〜60％となる範囲
内で行なうことにより、トリフエニルホスフイン
のジスルホン酸およびトリスルホン酸の副生が抑
制されて高価なトリフエニルホスフインの実質的
損失を極小化することができる。トリフエニルホ
スフインの転化率が80％を越えるとジスルホン酸
およびトリスルホン酸の副生量が増大し、モノス
ルホン酸の収率が低下するので工業的に不利とな
る。またトリフエニルホスフインの転化率が10％
未満の場合には１回の反応操作によつて得られる
モノスルホン酸の収率が低く実用的でない。
工程（）で得られる反応混合液は工程（）
において硫酸濃度が40重量％以下、好ましくは10
〜30重量％となるまで水で希釈される。硫酸濃度
が40重量％を越える場合には、４―メチル―２―
ペンタノンによるジフエニルホスフイノベンゼン
―ｍ―モノスルホン酸の抽出効率が低下するのみ
ならず、ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モ
ノスルホン酸とジスルホン酸、トリスルホン酸お
よび硫酸との分離が困難となる。硫酸濃度につい
て臨界的な意味での下限値はないが、約５重量％
以下にすると水層からジスルホン酸、トリスルホ
ン酸および硫酸を回収する際に多大のスチームを
要するので経済的に不利となる。水により希釈さ
れた反応混合液に対して４―メチル―２―ペンタ
ノンによる抽出操作が施される。この抽出操作に
よりジスルホン酸の一部、モノスルホン酸および
未反応のトリフエニルホスフインは４―メチル―
２―ペンタノン層に、また大半のジスルホン酸お
よびトリスルホン酸は水層（硫酸水溶液）に抽出
分離される。該水層から水を留去したのちジスル
ホン酸およびトリスルホン酸を含む残留物を工程
（）のスルホン化工程に循環し、そこで不均化
反応によつて該ジスルホン酸およびトリスルホン
酸をモノスルホン酸に変換することができる。
において硫酸濃度が40重量％以下、好ましくは10
〜30重量％となるまで水で希釈される。硫酸濃度
が40重量％を越える場合には、４―メチル―２―
ペンタノンによるジフエニルホスフイノベンゼン
―ｍ―モノスルホン酸の抽出効率が低下するのみ
ならず、ジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モ
ノスルホン酸とジスルホン酸、トリスルホン酸お
よび硫酸との分離が困難となる。硫酸濃度につい
て臨界的な意味での下限値はないが、約５重量％
以下にすると水層からジスルホン酸、トリスルホ
ン酸および硫酸を回収する際に多大のスチームを
要するので経済的に不利となる。水により希釈さ
れた反応混合液に対して４―メチル―２―ペンタ
ノンによる抽出操作が施される。この抽出操作に
よりジスルホン酸の一部、モノスルホン酸および
未反応のトリフエニルホスフインは４―メチル―
２―ペンタノン層に、また大半のジスルホン酸お
よびトリスルホン酸は水層（硫酸水溶液）に抽出
分離される。該水層から水を留去したのちジスル
ホン酸およびトリスルホン酸を含む残留物を工程
（）のスルホン化工程に循環し、そこで不均化
反応によつて該ジスルホン酸およびトリスルホン
酸をモノスルホン酸に変換することができる。
工程（）で得られる４―メチル―２―ペンタ
ノン層を必要に応じて少量の水で洗浄したのち、
工程（）において水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸リチウム、重炭酸ナトリウム、重
炭酸カリウムまたは重炭酸リチウムの水溶液と接
触させることにより、該４―メチル―２―ペンタ
ノン層中に含まれるスルホン酸類をこれに対応す
るスルホン酸塩として水層側に移行させる。この
場合、系中の水の量について特別な制限はない
が、一般には水の量は、スルホン酸塩が約100℃
における水に対する飽和溶解度を越えないように
するに必要な量であることが好ましい。未反応の
トリフエニルホスフインを含む４―メチル―２―
ペンタノン層を必要に応じて水洗したのち、該４
―メチル―２―ペンタノン層から蒸留により４―
メチル―２―ペンタノンが回収される。蒸留残査
として回収されるトリフエニルホスフインはその
ままあるいは再結晶により精製したのち、工程
（）のスルホン化工程に循環し再使用される。
水層に含まれるモノスルホン酸塩は水を留去する
ことによつて単離することができるが、さらに次
のようにして高純度のスルホン酸塩を単離するこ
とができる。すなわち、本発明者らの詳細な検討
によるとモノスルホン酸のナトリウム塩およびカ
リウム塩は水への溶解度の温度依存性が極めて大
きいことが見出されたので、水層に対して再結晶
操作を施すことによつて高純度のモノスルホン酸
のナトリウム塩またはカリウム塩を高収率で単離
することができる。もし必要ならば水からの再結
晶操作を繰り返すことによつて精製することもで
きる。また、モノスルホン酸のリチウム塩は水層
から水を留去することによつて取得することがで
き、さらに必要に応じて４―メチル―２―ペンタ
ノン、酢酸ｎ―ブチル、ジフエニルエーテルまた
はジフエニルエーテルとトルエン、キシレン、ジ
フエニルなどの芳香族炭化水素との混合溶媒から
の再結晶操作によりその純度を上げることができ
る。
ノン層を必要に応じて少量の水で洗浄したのち、
工程（）において水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸リチウム、重炭酸ナトリウム、重
炭酸カリウムまたは重炭酸リチウムの水溶液と接
触させることにより、該４―メチル―２―ペンタ
ノン層中に含まれるスルホン酸類をこれに対応す
るスルホン酸塩として水層側に移行させる。この
場合、系中の水の量について特別な制限はない
が、一般には水の量は、スルホン酸塩が約100℃
における水に対する飽和溶解度を越えないように
するに必要な量であることが好ましい。未反応の
トリフエニルホスフインを含む４―メチル―２―
ペンタノン層を必要に応じて水洗したのち、該４
―メチル―２―ペンタノン層から蒸留により４―
メチル―２―ペンタノンが回収される。蒸留残査
として回収されるトリフエニルホスフインはその
ままあるいは再結晶により精製したのち、工程
（）のスルホン化工程に循環し再使用される。
水層に含まれるモノスルホン酸塩は水を留去する
ことによつて単離することができるが、さらに次
のようにして高純度のスルホン酸塩を単離するこ
とができる。すなわち、本発明者らの詳細な検討
によるとモノスルホン酸のナトリウム塩およびカ
リウム塩は水への溶解度の温度依存性が極めて大
きいことが見出されたので、水層に対して再結晶
操作を施すことによつて高純度のモノスルホン酸
のナトリウム塩またはカリウム塩を高収率で単離
することができる。もし必要ならば水からの再結
晶操作を繰り返すことによつて精製することもで
きる。また、モノスルホン酸のリチウム塩は水層
から水を留去することによつて取得することがで
き、さらに必要に応じて４―メチル―２―ペンタ
ノン、酢酸ｎ―ブチル、ジフエニルエーテルまた
はジフエニルエーテルとトルエン、キシレン、ジ
フエニルなどの芳香族炭化水素との混合溶媒から
の再結晶操作によりその純度を上げることができ
る。
以下実施例によつて本発明の方法を具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
温度計、撹拌装置、滴下ロートおよび窒素ガス
出入口を備えた内容500mlの四ツ口フラスコにト
リフエニルホスフイン80ｇ（0.3モル）および濃
硫酸36ｇを仕込み、系内を窒素ガスで置換しなが
ら、内温が30℃となるまで加温した。この混合液
に内温を30℃に保ちながら撹拌下にSO3を20wt.
％含む発煙硫酸320ｇを30分間かけて滴下した。
発煙硫酸滴下終了後、30℃で３時間撹拌を継続し
た。反応混合液の少量を取り出し、含まれる未反
応トリフエニルホスフインをヨードメトリー法に
より分析したところ、トリフエニルホスフインの
転化率は60％であつた。反応混合液に冷却しなが
ら氷水約1500mlを加えることによつて約20wt.％
の硫酸水溶液とした。水希釈後の硫酸水溶液に１
回につき700mlの４―メチル―２―ペンタノンを
用いて合計２回の抽出操作を施した。４―メチル
―２―ペンタノン層に約4wt・％の水酸化ナトリ
ウム水溶液を加えることにより、系全体を中性
（約150mlの水酸化ナトリウム水溶液を要した）に
したのち、80℃まで加温し水層と４―メチル―２
―ペンタノン層とに分液した。４―メチル―２―
ペンタノン層からロータリーエバポレーターを利
用して４―メチル―２―ペンタノンを留去したと
ころ31ｇの未反応トリフエニルホスフインが回収
された。一方、水層を15℃まで冷却したところ白
色の結晶が析出した。過により結晶を捕集し
た。液からロータリーエバポレーターを利用し
て水を留去することにより３倍程度濃縮したの
ち、15℃まで冷却したところ白色結晶が析出し
た。過により結晶を捕集した。捕集した結晶を
蒸留水に溶解させ、得られる水溶液から再結晶を
行なつた。最終的に白色の結晶が45ｇ得られた。
この結晶を元素分析、ヨードメトリー、および液
体クロマトグラフイーなどで分析したところ、結
晶中にはジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モ
ノスルホン酸ナトリウム・２水和物が98.5wt.％
および対応するジスルホン酸ナトリウム・４水和
物が1.5wt.％含まれていることがわかつた。
出入口を備えた内容500mlの四ツ口フラスコにト
リフエニルホスフイン80ｇ（0.3モル）および濃
硫酸36ｇを仕込み、系内を窒素ガスで置換しなが
ら、内温が30℃となるまで加温した。この混合液
に内温を30℃に保ちながら撹拌下にSO3を20wt.
％含む発煙硫酸320ｇを30分間かけて滴下した。
発煙硫酸滴下終了後、30℃で３時間撹拌を継続し
た。反応混合液の少量を取り出し、含まれる未反
応トリフエニルホスフインをヨードメトリー法に
より分析したところ、トリフエニルホスフインの
転化率は60％であつた。反応混合液に冷却しなが
ら氷水約1500mlを加えることによつて約20wt.％
の硫酸水溶液とした。水希釈後の硫酸水溶液に１
回につき700mlの４―メチル―２―ペンタノンを
用いて合計２回の抽出操作を施した。４―メチル
―２―ペンタノン層に約4wt・％の水酸化ナトリ
ウム水溶液を加えることにより、系全体を中性
（約150mlの水酸化ナトリウム水溶液を要した）に
したのち、80℃まで加温し水層と４―メチル―２
―ペンタノン層とに分液した。４―メチル―２―
ペンタノン層からロータリーエバポレーターを利
用して４―メチル―２―ペンタノンを留去したと
ころ31ｇの未反応トリフエニルホスフインが回収
された。一方、水層を15℃まで冷却したところ白
色の結晶が析出した。過により結晶を捕集し
た。液からロータリーエバポレーターを利用し
て水を留去することにより３倍程度濃縮したの
ち、15℃まで冷却したところ白色結晶が析出し
た。過により結晶を捕集した。捕集した結晶を
蒸留水に溶解させ、得られる水溶液から再結晶を
行なつた。最終的に白色の結晶が45ｇ得られた。
この結晶を元素分析、ヨードメトリー、および液
体クロマトグラフイーなどで分析したところ、結
晶中にはジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モ
ノスルホン酸ナトリウム・２水和物が98.5wt.％
および対応するジスルホン酸ナトリウム・４水和
物が1.5wt.％含まれていることがわかつた。
実施例 ２
実施例１と同一の条件下および操作でトリフエ
ニルホスフインのスルホン化反応を合計2.5時間
行なつた。2.5時間後におけるトリフエニルホス
フインの転化率は40％であつた。反応混合液を氷
水で希釈することにより、25wt.％の硫酸水溶液
としたのち、１回につき700mlの４―メチル―２
―ペンタノンを用いて実施例１と同様な抽出操作
を行なつた。４―メチル―２―ペンタノン層に室
温下で約4wt.％の水酸化リチウム水溶液を加える
ことによつて系全体を中性としたのち両層を分液
した。４―メチル―２―ペンタノン層から４―メ
チル―２―ペンタノンを留去したところ未反応ト
リフエニルホスフインが45.2ｇ回収された。水層
からロータリーエバポレーターを利用して含まれ
る水の大半を留去し、さらに残液に４―メチル―
２―ペンタノン400mlを加えて、残存する水を共
沸により留去し、さらに４―メチル―２―ペンタ
ノンを留去したところ白色沈澱が40.5ｇ得られ
た。この白色結晶について実施例１と同様な分析
を行なつたところ、この白色結晶はジフエニルホ
スフイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸リチウ
ム・１水和物98wt.％および対応するジスルホン
酸リチウム・２水和物2wt.％の混合物であること
が結論された。
ニルホスフインのスルホン化反応を合計2.5時間
行なつた。2.5時間後におけるトリフエニルホス
フインの転化率は40％であつた。反応混合液を氷
水で希釈することにより、25wt.％の硫酸水溶液
としたのち、１回につき700mlの４―メチル―２
―ペンタノンを用いて実施例１と同様な抽出操作
を行なつた。４―メチル―２―ペンタノン層に室
温下で約4wt.％の水酸化リチウム水溶液を加える
ことによつて系全体を中性としたのち両層を分液
した。４―メチル―２―ペンタノン層から４―メ
チル―２―ペンタノンを留去したところ未反応ト
リフエニルホスフインが45.2ｇ回収された。水層
からロータリーエバポレーターを利用して含まれ
る水の大半を留去し、さらに残液に４―メチル―
２―ペンタノン400mlを加えて、残存する水を共
沸により留去し、さらに４―メチル―２―ペンタ
ノンを留去したところ白色沈澱が40.5ｇ得られ
た。この白色結晶について実施例１と同様な分析
を行なつたところ、この白色結晶はジフエニルホ
スフイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸リチウ
ム・１水和物98wt.％および対応するジスルホン
酸リチウム・２水和物2wt.％の混合物であること
が結論された。
実施例 ３
実施例１と同一の条件下および操作でトリフエ
ニルホスフインのスルホン化反応を合計2.75時間
行なつた。2.75時間後におけるトリフエニルホス
フインの転化率は45％であつた。反応混合液を氷
水で希釈することにより、20wt.％の硫酸水溶液
としたのち、実施例１と同様な４―メチル―２―
ペンタノン抽出を行なつた。４―メチル―２―ペ
ンタノン層に室温下で約5wt.％の炭酸カリウム水
溶液を加えることによつて系全体を中性としたの
ち両層を分液した。水層について実施例１の場合
と同様な再結晶操作を行ない、最終的に純度99％
のジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスル
ホン酸カリウム・２水和物を43ｇ得た。
ニルホスフインのスルホン化反応を合計2.75時間
行なつた。2.75時間後におけるトリフエニルホス
フインの転化率は45％であつた。反応混合液を氷
水で希釈することにより、20wt.％の硫酸水溶液
としたのち、実施例１と同様な４―メチル―２―
ペンタノン抽出を行なつた。４―メチル―２―ペ
ンタノン層に室温下で約5wt.％の炭酸カリウム水
溶液を加えることによつて系全体を中性としたの
ち両層を分液した。水層について実施例１の場合
と同様な再結晶操作を行ない、最終的に純度99％
のジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノスル
ホン酸カリウム・２水和物を43ｇ得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （） トリフエニルホスフインを濃硫酸中
で該トリフエニルホスフインの転化率が10〜80
％となる範囲内で無水硫酸と反応させてスルホ
ン化し、 （） 工程（）で得られる反応混合液に水を
添加して該反応混合液中の硫酸濃度を40重量％
以下としたのち、４―メチル―２―ペンタノン
による抽出操作を施すことによつてジフエニル
ホスフイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸およ
び未反応のトリフエニルホスフインを４―メチ
ル―２―ペンタノン層に抽出分離し、 （） 工程（）で得られる４―メチル―２―
ペンタノン層をナトリウム、カリウムおよびリ
チウムからなる群より選ばれる金属の水酸化
物、炭酸塩または重炭酸塩の水溶液と接触さ
せ、生成するジフエニルホスフイノベンゼン―
ｍ―モノスルホン酸塩を水層に移行させたの
ち、水層より該ジフエニルホスフイノベンゼン
―ｍ―モノスルホン酸塩を回収する ことを特徴とするジフエニルホスフイノベンゼン
―ｍ―モノスルホン酸塩の製造法。 ２ 工程（）におけるトリフエニルホスフイン
の転化率が20〜60％である特許請求の範囲第１項
記載の方法。 ３ 工程（）において反応混合液を該反応混合
液中の硫酸濃度が10〜30重量％となるまで水で希
釈する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ４ 工程（）において４―メチル―２―ペンタ
ノン層を水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム
の水溶液と接触させ、生成するジフエニルホスフ
イノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸のナトリウム
塩またはカリウム塩を水層に移行させたのち、水
層から再結晶操作によりジフエニルホスフイノベ
ンゼン―ｍ―モノスルホン酸のナトリウムまたは
カリウム塩を回収し、４―メチル―２―ペンタノ
ン層から４―メチル―２―ペンタノンを留去する
ことによつて未反応のトリフエニルホスフインを
回収する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ５ 工程（）において４―メチル―２―ペンタ
ノン層を水酸化リチウム水溶液と接触させ、生成
するジフエニルホスフイノベンゼン―ｍ―モノス
ルホン酸のリチウム塩を水層に移行させたのち、
水層から水を留去することによつてジフエニルホ
スフイノベンゼン―ｍ―モノスルホン酸を取得
し、４―メチル―２―ペンタノン層から４―メチ
ル―２―ペンタノンを留去することによつて未反
応のトリフエニルホスフインを回収する特許請求
の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1520782A JPS58131994A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | ジフエニルホスフイノベンゼン−ｍ−モノスルホン酸塩の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1520782A JPS58131994A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | ジフエニルホスフイノベンゼン−ｍ−モノスルホン酸塩の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58131994A JPS58131994A (ja) | 1983-08-06 |
| JPH0145477B2 true JPH0145477B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=11882419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1520782A Granted JPS58131994A (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | ジフエニルホスフイノベンゼン−ｍ−モノスルホン酸塩の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58131994A (ja) |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP1520782A patent/JPS58131994A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58131994A (ja) | 1983-08-06 |
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