JPH0145968B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145968B2 JPH0145968B2 JP58210102A JP21010283A JPH0145968B2 JP H0145968 B2 JPH0145968 B2 JP H0145968B2 JP 58210102 A JP58210102 A JP 58210102A JP 21010283 A JP21010283 A JP 21010283A JP H0145968 B2 JPH0145968 B2 JP H0145968B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferrite
- single crystal
- polycrystalline
- crystal
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、VTR映像用の記録・再生ヘツドの
素材として好適な単結晶フエライトの製造方法に
関するものである。
素材として好適な単結晶フエライトの製造方法に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
一般的に、磁気ヘツドに用いられる単結晶フエ
ライトに要求される特性としては、透磁率が大き
いこと、飽和磁束密度等の磁気特性が高いことが
必要である。
ライトに要求される特性としては、透磁率が大き
いこと、飽和磁束密度等の磁気特性が高いことが
必要である。
従来前記特性を満足する単結晶フエライトの製
造法としては、ある適当な温度勾配をもつた電気
炉内で溶融した原料を収容したるつぼを相対的に
垂直方向に移動させ、徐々にるつぼ先端部から固
化させ単結晶化させるブリツジマン法や単結晶フ
エライト基板上に多結晶フエライトを貼り合せ、
ある温度範囲で焼成し固相反応を利用し全体を単
結晶化する固相反応法などがある。
造法としては、ある適当な温度勾配をもつた電気
炉内で溶融した原料を収容したるつぼを相対的に
垂直方向に移動させ、徐々にるつぼ先端部から固
化させ単結晶化させるブリツジマン法や単結晶フ
エライト基板上に多結晶フエライトを貼り合せ、
ある温度範囲で焼成し固相反応を利用し全体を単
結晶化する固相反応法などがある。
しかしながらこれらの製造法では、前者におい
ては組成偏析が大きいこと、後者においては組成
偏析が極めて小さいが原料の多結晶が完全に単結
晶化せず結晶粒が所々に残つてしまう等の欠点が
ある。
ては組成偏析が大きいこと、後者においては組成
偏析が極めて小さいが原料の多結晶が完全に単結
晶化せず結晶粒が所々に残つてしまう等の欠点が
ある。
発明の目的
本発明は、以上のような従来の問題点を解決し
良質の単結晶を育成する方法を提供することを目
的とするものである。
良質の単結晶を育成する方法を提供することを目
的とするものである。
発明の構成
本発明は上記目的を達成するためになされたも
ので、単結晶フエライト基板と微細結晶粒径の多
結晶フエライトとを密着させる工程と、前記単結
晶フエライト基板と多結晶フエライトとの間に矩
形波状電流を継続的に流しながら、前記多結晶フ
エライトの単結晶化をはかる単結晶フエライトの
製造方法を提供するものである。
ので、単結晶フエライト基板と微細結晶粒径の多
結晶フエライトとを密着させる工程と、前記単結
晶フエライト基板と多結晶フエライトとの間に矩
形波状電流を継続的に流しながら、前記多結晶フ
エライトの単結晶化をはかる単結晶フエライトの
製造方法を提供するものである。
実施例の説明
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。第１図に本発明の一実施例である単結晶フエ
ライトの製造方法を説明するための概略断面図を
示す。図において、１は単結晶フエライト基板、
２は多結晶フエライト、３はグラフアイト製電
極、４，４′は電極端子であり、単結晶フエライ
ト基板１の一面に接触して多結晶フエライト２を
設け、多結晶フエライト２と単結晶フエライト基
板１との間に電流を流すための電極としてグラフ
アイト製電極３を設けてある。電極端子４，４′
としては白金線を用い、電極３との接続には銀ペ
ーストを用いた。単結晶フエライト基板１として
はブリツジマン法により作製されたインゴツトか
ら切り出したもので、多結晶フエライト２として
は結晶粒径が20μｍ以下、気孔率が0.01％以下の
ものである。単結晶フエライト基板１と多結晶フ
エライト２とは鏡面研磨した面を互いに密着させ
る。かかる構成において単結晶フエライト基板１
側の電極端子４′をアースし、多結晶フエライト
２側の電極端子４にピーク値を8A／cm2の矩形波
状電流を流しながら電気炉内で1300℃〜1450℃の
温度範囲でかつフエライトの平衡酸素分圧に近い
雰囲気中で焼成を行つた結果、多結晶フエライト
２が一つの結晶粒径を残すことなく全く単結晶化
した。
る。第１図に本発明の一実施例である単結晶フエ
ライトの製造方法を説明するための概略断面図を
示す。図において、１は単結晶フエライト基板、
２は多結晶フエライト、３はグラフアイト製電
極、４，４′は電極端子であり、単結晶フエライ
ト基板１の一面に接触して多結晶フエライト２を
設け、多結晶フエライト２と単結晶フエライト基
板１との間に電流を流すための電極としてグラフ
アイト製電極３を設けてある。電極端子４，４′
としては白金線を用い、電極３との接続には銀ペ
ーストを用いた。単結晶フエライト基板１として
はブリツジマン法により作製されたインゴツトか
ら切り出したもので、多結晶フエライト２として
は結晶粒径が20μｍ以下、気孔率が0.01％以下の
ものである。単結晶フエライト基板１と多結晶フ
エライト２とは鏡面研磨した面を互いに密着させ
る。かかる構成において単結晶フエライト基板１
側の電極端子４′をアースし、多結晶フエライト
２側の電極端子４にピーク値を8A／cm2の矩形波
状電流を流しながら電気炉内で1300℃〜1450℃の
温度範囲でかつフエライトの平衡酸素分圧に近い
雰囲気中で焼成を行つた結果、多結晶フエライト
２が一つの結晶粒径を残すことなく全く単結晶化
した。
この場合電流を流す方向はこの逆であつても良
いことはもちろんである。
いことはもちろんである。
この現象が生じる理由は必ずしも明らかでない
が、次のように考えることができる。結晶粒の境
界面には、単位面積当り一定の値の界面エネルギ
ーが付随するから面積が小さいほど全界面エネル
ギーが小さくなる。従つて結晶粒径が小さいほど
その結晶粒が持つ全界面エネルギーが小さいので
小さな結晶粒ほど固相反応により単結晶化しやす
くなる。それに反し、大きな結晶粒は界面エネル
ギーが大きいので単結晶化しにくい。また、固相
反応を起こす温度はあまり高くすぎると、多結晶
中で結晶粒の増大が起り、その矩形波は最後まで
残ることになることが知られているので非常にク
リテイカルな温度で結晶を焼成する必要がある。
が、次のように考えることができる。結晶粒の境
界面には、単位面積当り一定の値の界面エネルギ
ーが付随するから面積が小さいほど全界面エネル
ギーが小さくなる。従つて結晶粒径が小さいほど
その結晶粒が持つ全界面エネルギーが小さいので
小さな結晶粒ほど固相反応により単結晶化しやす
くなる。それに反し、大きな結晶粒は界面エネル
ギーが大きいので単結晶化しにくい。また、固相
反応を起こす温度はあまり高くすぎると、多結晶
中で結晶粒の増大が起り、その矩形波は最後まで
残ることになることが知られているので非常にク
リテイカルな温度で結晶を焼成する必要がある。
したがつて結晶粒の大きさが一定でない場合に
は大きな結晶粒が単結晶化せず残つてしまう場合
が生じてくる。この時、矩形波状の電流を多結晶
中に流すことにより結晶粒にエネルギーが与えら
れ、結晶粒の界面を消滅させるのに足りうるエネ
ルギーに達した時、この大きな結晶粒も消滅し完
全な単結晶となると推定される。流す電流が正弦
波的な場合には、徐々にエネルギーが変化するた
め効果は矩形波程ではないと推定され、また実際
にも結晶粒が残つてしまう例があつた。
は大きな結晶粒が単結晶化せず残つてしまう場合
が生じてくる。この時、矩形波状の電流を多結晶
中に流すことにより結晶粒にエネルギーが与えら
れ、結晶粒の界面を消滅させるのに足りうるエネ
ルギーに達した時、この大きな結晶粒も消滅し完
全な単結晶となると推定される。流す電流が正弦
波的な場合には、徐々にエネルギーが変化するた
め効果は矩形波程ではないと推定され、また実際
にも結晶粒が残つてしまう例があつた。
他の実施例として、第２図に示すように、多結
晶フエライト２を単結晶フエライト基板１により
両側からはさんで焼成した場合においても、グラ
フアイト製電極３を介して焼成中に電流を流すこ
とにより第一の実施例同様の効果が得られた。
晶フエライト２を単結晶フエライト基板１により
両側からはさんで焼成した場合においても、グラ
フアイト製電極３を介して焼成中に電流を流すこ
とにより第一の実施例同様の効果が得られた。
発明の効果
以上要するに本発明は、単結晶フエライト基板
上に多結晶フエライトを貼り合せ、ある温度範囲
で焼成し全体を単結晶化するに際し、単結晶フエ
ライト基板と多結晶フエライト間に継続的に基板
側あるいは多結晶側より電流を流して多結晶フエ
ライトの単結晶化を行う単結晶フエライトの製造
方法を提供するもので、組成偏析が極めて小さ
く、且つ結晶粒の残存がまつたくない良質の単結
晶を得ることができ、産業上極めて有用なもので
ある。
上に多結晶フエライトを貼り合せ、ある温度範囲
で焼成し全体を単結晶化するに際し、単結晶フエ
ライト基板と多結晶フエライト間に継続的に基板
側あるいは多結晶側より電流を流して多結晶フエ
ライトの単結晶化を行う単結晶フエライトの製造
方法を提供するもので、組成偏析が極めて小さ
く、且つ結晶粒の残存がまつたくない良質の単結
晶を得ることができ、産業上極めて有用なもので
ある。
第１図は本発明の一実施例による単結晶フエラ
イトの製造方法を示す概略断面図、第２図は本発
明の他の実施例による単結晶フエライトの製造方
法を示す概略断面図である。 １……単結晶フエライト基板、２……多結晶フ
エライト、３……グラフアイト製電極、４，４′
……白金製電極端子。
イトの製造方法を示す概略断面図、第２図は本発
明の他の実施例による単結晶フエライトの製造方
法を示す概略断面図である。 １……単結晶フエライト基板、２……多結晶フ
エライト、３……グラフアイト製電極、４，４′
……白金製電極端子。
Claims (1)
- １ 単結晶フエライト基板と微細結晶粒径からな
る多結晶フエライトとを密着させる工程と、前記
単結晶フエライト基板と多結晶フエライト間に矩
形波状電流を継続的に印加しながら焼成を行う工
程とを少なくとも有することを特徴とする単結晶
フエライトの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210102A JPS60102722A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210102A JPS60102722A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102722A JPS60102722A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0145968B2 true JPH0145968B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=16583843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210102A Granted JPS60102722A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 単結晶フエライトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60102722A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5792599A (en) * | 1980-11-28 | 1982-06-09 | Ngk Insulators Ltd | Production of single crystal of ferrite |
| JPS5827238B2 (ja) * | 1980-12-23 | 1983-06-08 | 日本電信電話株式会社 | 単結晶の製造方法 |
| JPS57106594A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Single crystal producing device |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP58210102A patent/JPS60102722A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60102722A (ja) | 1985-06-06 |
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