JPH0147784B2 - - Google Patents
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- JPH0147784B2 JPH0147784B2 JP622982A JP622982A JPH0147784B2 JP H0147784 B2 JPH0147784 B2 JP H0147784B2 JP 622982 A JP622982 A JP 622982A JP 622982 A JP622982 A JP 622982A JP H0147784 B2 JPH0147784 B2 JP H0147784B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- arsenolite
- claudite
- present
- ppm
- Prior art date
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/10—Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Measuring tape travel
- G11B27/34—Indicating arrangements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明は、Se・As系の電子写真用感光体に関
する。 現在広く用いられている電子写真感光体は、ア
ルミニウム等の導電性支持体上にセレンないしセ
レン系合金を真空蒸着して光導電層を設けたもの
が一般的である。これは、セレン系感光体が光導
電効果、耐久性等で総合的に優れた特性を示すた
めである。とくに、Se・As系感光体は長波長領
域にも優れた光感度を有すること等から注目され
ている。 これら感光体の特性を左右する因子は種々ある
が、このうち、感光体原材料中の溶存酸素が及ぼ
す影響は大きい。 即ち、溶存酸素が多いと残留電位が増大し複写
の画像品質に大きな影響を与える。このため、真
空蒸溜等により溶存酸素を極力除去する手段がと
られていた。 感光体原材料が純粋Se若しくはSe・Te系合金
の場合は、上記手段を施すことは望ましい。 しかしながら、Se・As系、特にAs2Se3に近い
組成の原材料を用いた感光体の場合は、溶存酸素
を除去すると帯電電位がのらなくなり、たとえ帯
電しても暗減衰の増大を招く。 逆に、必要以上の溶存酸素量が増加すると純粋
Se若しくはSe・Te系感光体と同様に疲労しやす
くなり残留電位が増加する。又、溶存酸素の多い
合金を真空蒸着すると感光体表面に突起が発生し
やすく外観不良となる。 本発明の目的は、上記問題を解決することにあ
り、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、本発明
を完成した。 即ち、本発明の電子写真用感光体は、Se・As
系感光層中に、As酸化物の二種の形態であるア
ルセノライト（Arsenolite；等軸晶系）、クロー
ドタイト（Claudetite；単斜晶系）含有し、該
As酸化物の全含有量が1.0〜500ppmであること
を特徴とするものである。 As酸化物つまりAs2O3は、圧力、温度等によ
つて形態変化するが、本発明の感光層へはアルセ
ノライトとクロードタイトを同時に含有させる。
これにより、適切な溶融粘度、蒸発速度が得ら
れ、感光体表面の突起の発生が少なく、帯電電位
の向上及び暗減衰の低減が図れる。 感光層中に、アルセノライトとクロードタイト
の両者が存在しない場合はもちろんのこと、いず
れか一種しか存在しない場合、つまりアルセノラ
イトだけの場合は感光体としての抵抗が満足でき
ず、突起が増加し、逆にクロードタイトだけの場
合は蒸発速度が極めて遅くなる等の理由によつて
本発明の目的は達成されない。アルセノライトと
クロードタイトとの全含有量は１〜500ppm好ま
しくは30〜200ppmであり、1ppm以下であると帯
電電位がのりにくく暗減衰が増大し、500ppm以
上であると感光体が疲労しやすく残留電位が増大
する上、感光体表面に突起が発生しやすくなる。
又、両者の適切な混合割合は、アルセノライト：
クロードタイト＝５：95〜80：20である。 更に、前記As酸化物の添加は、特にAsの含有
率が20〜40重量％のSe・As系感光体に効果的で
ある。 次に、アルセノライトとクロードタイトを感光
層に含有せしめるには、 (1) 原材料として用いる合金中にあらかじめAs
酸化物をドープしておき、感光層作成条件の制
御により、アルセノライトとクロードタイトを
混在せしめる。 (2) 合金蒸着後、例えば次式に示されるように光
酸化反応、コロナチヤージ等の処理を施して感
光層、特に表層部にアルセノライトとクロード
タイトを形成させる。 等の方法があり、両方法を併用すると制御しよ
い。 以下に実施例を示す。 実施例 ガラスアンプル中にAs〔36重量部〕及びSe〔64
重量部〕を、更にAs2O3を40ppm添加、真空封入
後、650℃にて５時間溶融し本発明の合金を得た。
他に、As2O3が無添加（比較例１）及びAs2O3を
700ppm添加（比較例２）した合金を作製した。 次に、各々の合金を以下の手順に従いAl支持
体に真空蒸着し、本発明及び比較用感光体を作製
した。 (1) 120〓mm×400mmのAl支持体ドラムをパークレ
ン（120℃）で２分間洗浄した。 (2) 次に、5wt％Na3PO4水溶液（80℃）中にて
60秒間アルカリエツチングし、その後水洗を２
度行つた。 (3) 次いで、80℃温水により表面乾燥を行つた
後、蒸着釜にセツトし10-5Torrまで排気した。 (4) 更に、蒸着源温度400℃、支持体温度200℃の
条件下で、上記合金を35分間支持体上に蒸着し
て、膜厚約60μｍの感光体を得た。 以上の感光体の表面を負のコロナ放電電流値−
0.35μA／cm2の条件で約30分間室温でチヤージし
た。 チヤージアツプ後のAs2O3濃度及び帯電特性を
求め、結果を第２表に示した。
する。 現在広く用いられている電子写真感光体は、ア
ルミニウム等の導電性支持体上にセレンないしセ
レン系合金を真空蒸着して光導電層を設けたもの
が一般的である。これは、セレン系感光体が光導
電効果、耐久性等で総合的に優れた特性を示すた
めである。とくに、Se・As系感光体は長波長領
域にも優れた光感度を有すること等から注目され
ている。 これら感光体の特性を左右する因子は種々ある
が、このうち、感光体原材料中の溶存酸素が及ぼ
す影響は大きい。 即ち、溶存酸素が多いと残留電位が増大し複写
の画像品質に大きな影響を与える。このため、真
空蒸溜等により溶存酸素を極力除去する手段がと
られていた。 感光体原材料が純粋Se若しくはSe・Te系合金
の場合は、上記手段を施すことは望ましい。 しかしながら、Se・As系、特にAs2Se3に近い
組成の原材料を用いた感光体の場合は、溶存酸素
を除去すると帯電電位がのらなくなり、たとえ帯
電しても暗減衰の増大を招く。 逆に、必要以上の溶存酸素量が増加すると純粋
Se若しくはSe・Te系感光体と同様に疲労しやす
くなり残留電位が増加する。又、溶存酸素の多い
合金を真空蒸着すると感光体表面に突起が発生し
やすく外観不良となる。 本発明の目的は、上記問題を解決することにあ
り、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、本発明
を完成した。 即ち、本発明の電子写真用感光体は、Se・As
系感光層中に、As酸化物の二種の形態であるア
ルセノライト（Arsenolite；等軸晶系）、クロー
ドタイト（Claudetite；単斜晶系）含有し、該
As酸化物の全含有量が1.0〜500ppmであること
を特徴とするものである。 As酸化物つまりAs2O3は、圧力、温度等によ
つて形態変化するが、本発明の感光層へはアルセ
ノライトとクロードタイトを同時に含有させる。
これにより、適切な溶融粘度、蒸発速度が得ら
れ、感光体表面の突起の発生が少なく、帯電電位
の向上及び暗減衰の低減が図れる。 感光層中に、アルセノライトとクロードタイト
の両者が存在しない場合はもちろんのこと、いず
れか一種しか存在しない場合、つまりアルセノラ
イトだけの場合は感光体としての抵抗が満足でき
ず、突起が増加し、逆にクロードタイトだけの場
合は蒸発速度が極めて遅くなる等の理由によつて
本発明の目的は達成されない。アルセノライトと
クロードタイトとの全含有量は１〜500ppm好ま
しくは30〜200ppmであり、1ppm以下であると帯
電電位がのりにくく暗減衰が増大し、500ppm以
上であると感光体が疲労しやすく残留電位が増大
する上、感光体表面に突起が発生しやすくなる。
又、両者の適切な混合割合は、アルセノライト：
クロードタイト＝５：95〜80：20である。 更に、前記As酸化物の添加は、特にAsの含有
率が20〜40重量％のSe・As系感光体に効果的で
ある。 次に、アルセノライトとクロードタイトを感光
層に含有せしめるには、 (1) 原材料として用いる合金中にあらかじめAs
酸化物をドープしておき、感光層作成条件の制
御により、アルセノライトとクロードタイトを
混在せしめる。 (2) 合金蒸着後、例えば次式に示されるように光
酸化反応、コロナチヤージ等の処理を施して感
光層、特に表層部にアルセノライトとクロード
タイトを形成させる。 等の方法があり、両方法を併用すると制御しよ
い。 以下に実施例を示す。 実施例 ガラスアンプル中にAs〔36重量部〕及びSe〔64
重量部〕を、更にAs2O3を40ppm添加、真空封入
後、650℃にて５時間溶融し本発明の合金を得た。
他に、As2O3が無添加（比較例１）及びAs2O3を
700ppm添加（比較例２）した合金を作製した。 次に、各々の合金を以下の手順に従いAl支持
体に真空蒸着し、本発明及び比較用感光体を作製
した。 (1) 120〓mm×400mmのAl支持体ドラムをパークレ
ン（120℃）で２分間洗浄した。 (2) 次に、5wt％Na3PO4水溶液（80℃）中にて
60秒間アルカリエツチングし、その後水洗を２
度行つた。 (3) 次いで、80℃温水により表面乾燥を行つた
後、蒸着釜にセツトし10-5Torrまで排気した。 (4) 更に、蒸着源温度400℃、支持体温度200℃の
条件下で、上記合金を35分間支持体上に蒸着し
て、膜厚約60μｍの感光体を得た。 以上の感光体の表面を負のコロナ放電電流値−
0.35μA／cm2の条件で約30分間室温でチヤージし
た。 チヤージアツプ後のAs2O3濃度及び帯電特性を
求め、結果を第２表に示した。
【表】
As2O3濃度は、FTIR（フーリエ変換赤外吸光光
度計）により定量を行い、実施例１及び比較例２
には、アルセノライト（790cm-1とクロードタイ
ト（650cm-1）が混在していたが、比較例１では
クロードタイトが極微量認められたもののアルセ
ノライトは全く認められなかつた。添付図面は実
施例１で得られたサンプルの赤外線吸収スペクト
ル図である。 以上から明らかなように、本発明による感光体
は帯電電位が高く、繰り返し時の残留電位は低く
安定しており、立上り特性、感度（光減衰）も極
めて良好で感光体表面に突起は発生せず、総合的
に優れた非常に実用性の高いものであることが判
明した。比較例１の感光体は、帯電電位が低く暗
減衰が大きかつた。比較例２の感光体は、残留電
位が繰り返しと共に増大していく上に、感光体表
面に突起が発生して使用に耐えなかつた。
度計）により定量を行い、実施例１及び比較例２
には、アルセノライト（790cm-1とクロードタイ
ト（650cm-1）が混在していたが、比較例１では
クロードタイトが極微量認められたもののアルセ
ノライトは全く認められなかつた。添付図面は実
施例１で得られたサンプルの赤外線吸収スペクト
ル図である。 以上から明らかなように、本発明による感光体
は帯電電位が高く、繰り返し時の残留電位は低く
安定しており、立上り特性、感度（光減衰）も極
めて良好で感光体表面に突起は発生せず、総合的
に優れた非常に実用性の高いものであることが判
明した。比較例１の感光体は、帯電電位が低く暗
減衰が大きかつた。比較例２の感光体は、残留電
位が繰り返しと共に増大していく上に、感光体表
面に突起が発生して使用に耐えなかつた。
第１図は実施例１で得られたサンプルの赤外線
吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル図である。
Claims (1)
- １ Se・As系感光層中に、As酸化物の二種の形
態であるアルセノライト（等軸晶系）とクロード
タイト（単斜晶系）を同時に含有し、該As酸化
物の全含有量が１〜500ppmであることを特徴と
する電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP622982A JPS58123543A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP622982A JPS58123543A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123543A JPS58123543A (ja) | 1983-07-22 |
| JPH0147784B2 true JPH0147784B2 (ja) | 1989-10-16 |
Family
ID=11632681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP622982A Granted JPS58123543A (ja) | 1982-01-19 | 1982-01-19 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123543A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168260A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
-
1982
- 1982-01-19 JP JP622982A patent/JPS58123543A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58123543A (ja) | 1983-07-22 |
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