JPH0147852B2 - - Google Patents
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- JPH0147852B2 JPH0147852B2 JP58156167A JP15616783A JPH0147852B2 JP H0147852 B2 JPH0147852 B2 JP H0147852B2 JP 58156167 A JP58156167 A JP 58156167A JP 15616783 A JP15616783 A JP 15616783A JP H0147852 B2 JPH0147852 B2 JP H0147852B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- deflection
- type
- electrostatic
- electrodes
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
- H01J29/74—Deflecting by electric fields only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
- H01J31/28—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen
- H01J31/34—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output with electron ray scanning the image screen having regulation of screen potential at cathode potential, e.g. orthicon
- H01J31/38—Tubes with photoconductive screen, e.g. vidicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/465—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement for simultaneous focalisation and deflection of ray or beam
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、例えば静電集束・静電偏向型の撮像
管に関する。
管に関する。
背景技術とその問題点
従来、撮像管としては電磁集束・電磁偏向型、
静電集束・電磁偏向型等のものが知られている。
これらの撮像管においては、一般に管長の長い方
が良好な特性が得られるとされている。しかしな
がら、例えば小型のビデオカメラに使用する場合
には、この管長は短かい方が好都合である。これ
によりビデオカメラ全体としての小型化を図れる
からである。
静電集束・電磁偏向型等のものが知られている。
これらの撮像管においては、一般に管長の長い方
が良好な特性が得られるとされている。しかしな
がら、例えば小型のビデオカメラに使用する場合
には、この管長は短かい方が好都合である。これ
によりビデオカメラ全体としての小型化を図れる
からである。
また、例えば小型のビデオカメラに使用する場
合には、消費電力は小さいことが望ましい。
合には、消費電力は小さいことが望ましい。
発明の目的
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、特性
を悪化させることなく小型軽量で消費電力の小な
るものを提供せんとするものである。
を悪化させることなく小型軽量で消費電力の小な
るものを提供せんとするものである。
発明の概要
本発明は上記目的を達成するため、電子ビーム
通路に沿つて配された円筒状の第１の電極、円筒
状の第２の電極、円筒状の第３の電極及びメツシ
ユ状の電極とを備え、上記第１、第２及び第３の
電極によつて電子ビームの集束を行なう静電レン
ズ系が形成され、上記第２の電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローまたはジグザグのパター
ンの偏向電極とされるものである。
通路に沿つて配された円筒状の第１の電極、円筒
状の第２の電極、円筒状の第３の電極及びメツシ
ユ状の電極とを備え、上記第１、第２及び第３の
電極によつて電子ビームの集束を行なう静電レン
ズ系が形成され、上記第２の電極は上記電子ビー
ムの偏向を行なうアローまたはジグザグのパター
ンの偏向電極とされるものである。
実施例
以下、第１図を参照しながら本発明の一実施例
について説明しよう。本例は静電集束・静電偏向
型（Ｓ・Ｓ型）の撮像管に適用した例である。
について説明しよう。本例は静電集束・静電偏向
型（Ｓ・Ｓ型）の撮像管に適用した例である。
同図において、１はガラスバルブ、２はフエー
スプレート、３はターゲツト面（光電変換面）、
４は冷封止用のインジウム、５は金属リングであ
る。ターゲツト面３には、バイアス電圧として例
えば＋50Vが印加されている。また、６はフエー
スプレート２を貫通してターゲツト面３に接触す
るようになされている信号取出用の金属電極であ
る。また、G6はメツシユ状電極であり、メツシ
ユホルダー７に取付けられる。この電極G6はメ
ツシユホルダー７、インジウム４を介して金属リ
ング５に接続される。そして、この金属リング５
を介してメツシユ電極G6に所定電圧、例えば＋
950Vが印加される。
スプレート、３はターゲツト面（光電変換面）、
４は冷封止用のインジウム、５は金属リングであ
る。ターゲツト面３には、バイアス電圧として例
えば＋50Vが印加されている。また、６はフエー
スプレート２を貫通してターゲツト面３に接触す
るようになされている信号取出用の金属電極であ
る。また、G6はメツシユ状電極であり、メツシ
ユホルダー７に取付けられる。この電極G6はメ
ツシユホルダー７、インジウム４を介して金属リ
ング５に接続される。そして、この金属リング５
を介してメツシユ電極G6に所定電圧、例えば＋
950Vが印加される。
また、第１図において、Ｋ，G1及びG2は、
夫々電子銃を構成するカソード、第１グリツド電
極及び第２グリツド電極である。G1電極及びG2
電極には、夫々例えば＋4V及び＋320Vが印加さ
れる。また、８はこれらを固定するためのビード
ガラスである。また、LAはビーム制限開孔であ
る。
夫々電子銃を構成するカソード、第１グリツド電
極及び第２グリツド電極である。G1電極及びG2
電極には、夫々例えば＋4V及び＋320Vが印加さ
れる。また、８はこれらを固定するためのビード
ガラスである。また、LAはビーム制限開孔であ
る。
また、第１図において、G3，G4及びG5は、
夫々第３、第４及び第５グリツド電極であつて、
本発明の円筒状の第１、第２及び第３の電極に相
当する。これらの電極G3〜G5は、夫々ガラスバ
ルブ１の内面にクロム、アルミニウム等の金属が
蒸着あるいはメツキされた後、例えばレーザーに
よるカツテイング、フオトエツチング等により所
定パターンに形成される。本発明においては電極
G3，G4及びG5により集束用の電極系を構成する
と共に、G4は偏向兼用の電極でもある。
夫々第３、第４及び第５グリツド電極であつて、
本発明の円筒状の第１、第２及び第３の電極に相
当する。これらの電極G3〜G5は、夫々ガラスバ
ルブ１の内面にクロム、アルミニウム等の金属が
蒸着あるいはメツキされた後、例えばレーザーに
よるカツテイング、フオトエツチング等により所
定パターンに形成される。本発明においては電極
G3，G4及びG5により集束用の電極系を構成する
と共に、G4は偏向兼用の電極でもある。
電極G5は、例えばガラスバルブ１の端部にフ
リツトシール９され、表面に導電性部分１０が形
成されたセラミツクリング１１に接続される。導
電性部分１０は、例えば銀ペーストが焼結されて
形成される。電極G5には、このセラミツクリン
グ１１を介して所定電圧、例えば＋500Vが印加
される。
リツトシール９され、表面に導電性部分１０が形
成されたセラミツクリング１１に接続される。導
電性部分１０は、例えば銀ペーストが焼結されて
形成される。電極G5には、このセラミツクリン
グ１１を介して所定電圧、例えば＋500Vが印加
される。
また、第１図において、電極G3，G4及びG5は、
第２図にその展開図を示すように形成される。即
ち、電極G4は絶縁されて入り組んでいる４つの
電極H+，H-，V+，V-が交互に配されたパター
ン（アローパターン）とされる。そして、これら
電極H+，H-，V+，V-からのリード（12H+）、
（12H-）、（12V+）及び（12V-）が、これらの電
極が形成されると同時にガラスバルブ１の内面に
同様に形成される。そしてこれらのリード
（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）は、電
極G3と絶縁され、かつこれを横切るように形成
される。この第２図において、SLは、真空排気
のためにG1及びG2電極を管外から加熱するに際
し、G3電極を加熱しないようにするためにもう
けられたスリツトである。
第２図にその展開図を示すように形成される。即
ち、電極G4は絶縁されて入り組んでいる４つの
電極H+，H-，V+，V-が交互に配されたパター
ン（アローパターン）とされる。そして、これら
電極H+，H-，V+，V-からのリード（12H+）、
（12H-）、（12V+）及び（12V-）が、これらの電
極が形成されると同時にガラスバルブ１の内面に
同様に形成される。そしてこれらのリード
（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）は、電
極G3と絶縁され、かつこれを横切るように形成
される。この第２図において、SLは、真空排気
のためにG1及びG2電極を管外から加熱するに際
し、G3電極を加熱しないようにするためにもう
けられたスリツトである。
また、第１図において、１３はその一端がステ
ムピン１４に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１３の他端は上述したリ
ード〔（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）〕
に接触される。このスプリング及びステムピンは
リード（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）
の夫々に対して設けられる。そして、ステムピ
ン、スプリング及びリード（12H+）、（12H-）、
（12V+）及び（12V-）を介して、電極G4を構成
する電極Ｈ＋及びＨ−には、所定電圧、例えば＋
13Vを中心に夫々＋50V及び−50Vの範囲内で対
称的に変化する水平偏向電圧が印加される。ま
た、電極Ｖ＋及びＶ−にも所定電圧、例えば＋
13Vを中心に夫々＋50V及び50Vの範囲内で対称
的に変化する垂直偏向電圧が印加される。
ムピン１４に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１３の他端は上述したリ
ード〔（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）〕
に接触される。このスプリング及びステムピンは
リード（12H+）、（12H-）、（12V+）及び（12V-）
の夫々に対して設けられる。そして、ステムピ
ン、スプリング及びリード（12H+）、（12H-）、
（12V+）及び（12V-）を介して、電極G4を構成
する電極Ｈ＋及びＨ−には、所定電圧、例えば＋
13Vを中心に夫々＋50V及び−50Vの範囲内で対
称的に変化する水平偏向電圧が印加される。ま
た、電極Ｖ＋及びＶ−にも所定電圧、例えば＋
13Vを中心に夫々＋50V及び50Vの範囲内で対称
的に変化する垂直偏向電圧が印加される。
また、第１図において、１５はその一端がステ
ムピン１６に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１５の他軸は上述した電
極G3に接触される。そして、このステムピン１
６及びスプリング１５を介して電極G3に所定電
圧、例えば＋500Vが印加される。
ムピン１６に接続されたコンタクタースプリング
を示し、このスプリング１５の他軸は上述した電
極G3に接触される。そして、このステムピン１
６及びスプリング１５を介して電極G3に所定電
圧、例えば＋500Vが印加される。
第３図において、破線で示すものは、電極G3
〜G6で形成される静電レンズの等電位面を示す
もので、これら形成される静電レンズにより電子
ビームBmの集束が行われる。そして、電極G5及
びG6間に形成される静電レンズによりランデイ
ングエラーの補正が行われる。尚、この第３図に
おいて破線で示される電位は、電極G4による偏
向電界Ｅ→を除いたものである。
〜G6で形成される静電レンズの等電位面を示す
もので、これら形成される静電レンズにより電子
ビームBmの集束が行われる。そして、電極G5及
びG6間に形成される静電レンズによりランデイ
ングエラーの補正が行われる。尚、この第３図に
おいて破線で示される電位は、電極G4による偏
向電界Ｅ→を除いたものである。
また、電子ビームBmの偏向は電極G4による偏
向電界Ｅ→によつて行われる。
向電界Ｅ→によつて行われる。
尚、上述の例では、静電集束を行う電極群を
G3，G4，G5の３つとしたが、電極の数はこれに
限られない。
G3，G4，G5の３つとしたが、電極の数はこれに
限られない。
この第１図に示すようなＳ・Ｓ型のものにおい
ては、他の型のものに比べ何等不都合を生ぜずに
管長を短かすることが可能である。
ては、他の型のものに比べ何等不都合を生ぜずに
管長を短かすることが可能である。
例えば、静電集束・電磁偏向型（Ｓ・Ｍ型）及
び電磁集束・電磁偏向型（Ｍ・Ｍ型）の場合、磁
界によつて偏向が行われる。磁界によつて電子を
曲げた場合電子の運動エネルギーは不変であり、
偏向時には管軸方向の速度成分が減少、像面わん
曲が生じ、ターゲツト面においては周辺部程デフ
オーカスとなる。通常このデフオーカスはダイナ
ミツクスフオーカスにより補正しているが、管長
を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん
曲が増し、より大きな補正が必要となる。また、
磁界偏向の場合、偏向量によつて偏向中心が変動
するが、管長を短かくすると偏向角が増加するの
で、この偏向中心変動が大となり、コリメーシヨ
ンレンズによつてランデイングエラーを補正しよ
うとする場合、ランデイング角特性が悪化する。
また、これらＳ・Ｍ型及びびＭ・Ｍ型の場合、偏
向電力は大略１／（管長）2に比例し、管長を短か
くすると、偏向に要する消費電力が大幅に増大す
る。
び電磁集束・電磁偏向型（Ｍ・Ｍ型）の場合、磁
界によつて偏向が行われる。磁界によつて電子を
曲げた場合電子の運動エネルギーは不変であり、
偏向時には管軸方向の速度成分が減少、像面わん
曲が生じ、ターゲツト面においては周辺部程デフ
オーカスとなる。通常このデフオーカスはダイナ
ミツクスフオーカスにより補正しているが、管長
を短かくすると、偏向角が増加するので像面わん
曲が増し、より大きな補正が必要となる。また、
磁界偏向の場合、偏向量によつて偏向中心が変動
するが、管長を短かくすると偏向角が増加するの
で、この偏向中心変動が大となり、コリメーシヨ
ンレンズによつてランデイングエラーを補正しよ
うとする場合、ランデイング角特性が悪化する。
また、これらＳ・Ｍ型及びびＭ・Ｍ型の場合、偏
向電力は大略１／（管長）2に比例し、管長を短か
くすると、偏向に要する消費電力が大幅に増大す
る。
これに対して、電磁集束・静電偏向型（Ｍ・Ｓ
型）及び静電集束・静電偏向型（Ｓ・Ｓ型）の場
合、電界によつて偏向が行われるので、管長を短
かくしても上述したような磁界偏向のとき生ずる
不都合は生じない。
型）及び静電集束・静電偏向型（Ｓ・Ｓ型）の場
合、電界によつて偏向が行われるので、管長を短
かくしても上述したような磁界偏向のとき生ずる
不都合は生じない。
また、Ｍ・Ｍ型及びＭ・Ｓ型の場合、フオーカ
ス電力は１／（管長）2に比例し、管長を短かくす
ると、集束に要する消費電力が大幅に増大する。
ス電力は１／（管長）2に比例し、管長を短かくす
ると、集束に要する消費電力が大幅に増大する。
以上のことから、Ｓ・Ｓ型の場合のみ、原理的
に何等不合をぜずに管長を短かくすることができ
る。
に何等不合をぜずに管長を短かくすることができ
る。
このＳ・Ｓ型のものにおいて、本願の発明者が
さらに検討した結果、“管長をある程度短かくし
ないと特性が悪化する”という結論を得た。
さらに検討した結果、“管長をある程度短かくし
ないと特性が悪化する”という結論を得た。
このことを第４図を参照して説明しよう。
Ｓ・Ｓ型の特性を決定するパラメータは、G4
電極（偏向電極）の長さｘ、ビーム制限開孔LA
からG4電極の中心までの距離ｙ及び管長ｌ（ビー
ム制限開孔LAからメツシユ電極G6までの距離）
である。
電極（偏向電極）の長さｘ、ビーム制限開孔LA
からG4電極の中心までの距離ｙ及び管長ｌ（ビー
ム制限開孔LAからメツシユ電極G6までの距離）
である。
管長ｌが長い場合、第４図Ａに示すように静電
レンズに電子ビームBmが入射するとき、発散角
γによつてその径が拡がつており、レンズ収差に
よるターゲツト面上に集束したときの電子ビーム
収差が増大する。これを改善するためには、電子
ビームBmが大きく発散する前に静電レンズに入
射させることが必要である。例えば第４図Ｂに示
すように距離ｙを小さくする。しかしながらこの
場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔LA側
に片寄り投影倍率が大きく（例えば2.0以上）な
り、そのため、ビーム制限開孔LAの径を小さく
する必要が生じ製造上好ましくない。
レンズに電子ビームBmが入射するとき、発散角
γによつてその径が拡がつており、レンズ収差に
よるターゲツト面上に集束したときの電子ビーム
収差が増大する。これを改善するためには、電子
ビームBmが大きく発散する前に静電レンズに入
射させることが必要である。例えば第４図Ｂに示
すように距離ｙを小さくする。しかしながらこの
場合、静電レンズの中心がビーム制限開孔LA側
に片寄り投影倍率が大きく（例えば2.0以上）な
り、そのため、ビーム制限開孔LAの径を小さく
する必要が生じ製造上好ましくない。
これに対し、管長ｌが短かい場合、電子ビーム
Bmは大きく発散する前に静電レンズに入射し、
収差が抑えられる。
Bmは大きく発散する前に静電レンズに入射し、
収差が抑えられる。
しかしながら、あまり管長ｌを短かくすると、
偏向角が大きなりコリメーシヨンを強くしてラン
デイングエラーを補正する必要がじ、コリメーシ
ヨンレンズの歪による収差が増大する。
偏向角が大きなりコリメーシヨンを強くしてラン
デイングエラーを補正する必要がじ、コリメーシ
ヨンレンズの歪による収差が増大する。
以上からＳ・Ｓ型の場合には管長をある程度短
かくしなければ特性が悪化する。
かくしなければ特性が悪化する。
第５図は所定のｘ，ｙに対して、管長ｌを変化
させたときの収差特性を示したものである。ここ
で、φは管径である。同図実線Ａ、破線Ｂ、一点
鎖線Ｃ及び二点鎖線Ｄは、夫々〔ｘ＝１／３ｌ−１／10 ｌ、ｙ＝１／２ｌ−１／10ｌ〕、〔ｘ＝１／３ｌ＋１／
10ｌ、ｙ ＝１／２ｌ−１／10ｌ〕、〔ｘ＝１／３ｌ１／10ｌ、ｙ
＝１／２ｌ〕 及び〔ｘ＝１／３ｌ＋１／10ｌ、ｙ＝１／２ｌ〕のとき
の 収差特性を示している。
させたときの収差特性を示したものである。ここ
で、φは管径である。同図実線Ａ、破線Ｂ、一点
鎖線Ｃ及び二点鎖線Ｄは、夫々〔ｘ＝１／３ｌ−１／10 ｌ、ｙ＝１／２ｌ−１／10ｌ〕、〔ｘ＝１／３ｌ＋１／
10ｌ、ｙ ＝１／２ｌ−１／10ｌ〕、〔ｘ＝１／３ｌ１／10ｌ、ｙ
＝１／２ｌ〕 及び〔ｘ＝１／３ｌ＋１／10ｌ、ｙ＝１／２ｌ〕のとき
の 収差特性を示している。
この第５図から、Ｓ・Ｓ型のものにおいては、
管長ｌとして2φ〜4φ程度が望ましい。
管長ｌとして2φ〜4φ程度が望ましい。
Ｓ・Ｓ型がこのようであるのに対し、実用的な
現行のＭ・Ｍ型はｌ＝4φ以上、Ｓ・Ｍ型はｌ＝
4φ〜5φである。Ｍ・Ｓ型はｌ＝3φのものもでき
るが、集束のための電力は無視できない。結局、
特性を悪化させず、消費電力を少なくするという
ことを考慮するならば、Ｓ・Ｓ型とすることで管
長を最も短かすることができる。
現行のＭ・Ｍ型はｌ＝4φ以上、Ｓ・Ｍ型はｌ＝
4φ〜5φである。Ｍ・Ｓ型はｌ＝3φのものもでき
るが、集束のための電力は無視できない。結局、
特性を悪化させず、消費電力を少なくするという
ことを考慮するならば、Ｓ・Ｓ型とすることで管
長を最も短かすることができる。
以上のことより第１図例によれば、Ｓ・Ｓ型の
構成であるから、特性を悪化させることなく管長
ｌを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で、小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされ
るので、消費電力が少なくて済む。
構成であるから、特性を悪化させることなく管長
ｌを短かくすることができ、しかも偏向コイル、
集束コイルが不要で、小型軽量のものを得ること
ができる。また、偏向及び集束は静電的になされ
るので、消費電力が少なくて済む。
また、第１図例によれば、電極はガラスバルブ
内面に金属がパターン状に被着されて形成される
ので、コリメーシヨンレンズの口径を略ガラスバ
ルブの内径と等しく大きくできる。管長を短かく
することにより偏向が増大し、コリメーシヨンレ
ンズを強くする必要を生じるが、上述したように
コリメーシヨンレンズの口径を大とでき、コリメ
ーシヨンレンズを強しても収差は大とならず、ラ
ンデイング角特性は悪化しない。
内面に金属がパターン状に被着されて形成される
ので、コリメーシヨンレンズの口径を略ガラスバ
ルブの内径と等しく大きくできる。管長を短かく
することにより偏向が増大し、コリメーシヨンレ
ンズを強くする必要を生じるが、上述したように
コリメーシヨンレンズの口径を大とでき、コリメ
ーシヨンレンズを強しても収差は大とならず、ラ
ンデイング角特性は悪化しない。
尚、G5電極への電圧印加方法として、第６図
に示すように、G5電極に対応するガラスバルブ
１の中途にフリツトシール１７され、表面が銀ペ
ースト等により導電処理を施されたセラミツクリ
ング１８を設け、これを介して印加するようにし
てもよい。また図示せずも、G5電極に対応する
ガラスバルブに穴を空け、金属ピンを半田付け
し、あるいは導電フリツトを設け、これら金属ピ
ンあるいは導電フリツトを介して印加するように
してもよい。
に示すように、G5電極に対応するガラスバルブ
１の中途にフリツトシール１７され、表面が銀ペ
ースト等により導電処理を施されたセラミツクリ
ング１８を設け、これを介して印加するようにし
てもよい。また図示せずも、G5電極に対応する
ガラスバルブに穴を空け、金属ピンを半田付け
し、あるいは導電フリツトを設け、これら金属ピ
ンあるいは導電フリツトを介して印加するように
してもよい。
また、上述実施例は、本発明をＳ・Ｓ型の撮像
管に適用した例であるが、本発明はこれに限ら
ず、蓄積管、スキヤンコンバータ等に同様に適用
することができる。
管に適用した例であるが、本発明はこれに限ら
ず、蓄積管、スキヤンコンバータ等に同様に適用
することができる。
発明の効果
以上述べた本発明によれば、Ｓ・Ｓ型構成とさ
れるので、特性を悪化させることなく管長ｌを短
かくすることができ、しかも偏向コイル、集束コ
イルが不要で、小型軽量のものを得ることができ
る。また、偏向及び集束は静電的になされるの
で、消費電力が少なくて済む。
れるので、特性を悪化させることなく管長ｌを短
かくすることができ、しかも偏向コイル、集束コ
イルが不要で、小型軽量のものを得ることができ
る。また、偏向及び集束は静電的になされるの
で、消費電力が少なくて済む。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２
図〜第５図は夫々その説明のための図、第６図は
本発明の他の実施例を示す要部の断面図である。 １はガラスバルブ、２はフエースプレート、３
はターゲツト面、G3，G4及びG5は夫々第３、第
４及び第５グリツド電極、G6はメツシユ電極、
LAはビーム制限開孔である。
図〜第５図は夫々その説明のための図、第６図は
本発明の他の実施例を示す要部の断面図である。 １はガラスバルブ、２はフエースプレート、３
はターゲツト面、G3，G4及びG5は夫々第３、第
４及び第５グリツド電極、G6はメツシユ電極、
LAはビーム制限開孔である。
Claims (1)
- １ 電子ビーム通路に沿つて配された、円筒状の
第１の電極、円筒状の第２の電極、円筒状の第３
の電極とメツシユ状の電極及びターゲツトとを備
え、上記第１、第２及び第３の電極によつて電子
ビームの集束を行なう静電レンズ系が形成され、
且つ上記第２の電極は上記電子ビームの偏向を行
なうアローまたはジグザグのパターンの静電偏向
電極ともされた構成を有する撮像管。
Priority Applications (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156167A JPS6047351A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 撮像管 |
| AU32069/84A AU568868B2 (en) | 1983-08-26 | 1984-08-20 | Cathode ray tube |
| CA000461326A CA1219304A (en) | 1983-08-26 | 1984-08-20 | Cathode ray tube |
| AU32230/84A AU568870B2 (en) | 1983-08-26 | 1984-08-21 | Cathode ray tube |
| US06/643,545 US4910429A (en) | 1983-08-26 | 1984-08-23 | Cathode ray tube which is small and uses a small amount of power |
| KR1019840005142A KR910007801B1 (ko) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | 음극선관 |
| GB08421504A GB2145874B (en) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Cathode ray tubes |
| DE19843431241 DE3431241C2 (de) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Kathodenstrahlröhre |
| FR8413214A FR2551264B1 (fr) | 1983-08-26 | 1984-08-24 | Tube a rayons cathodiques |
| NL8402609A NL8402609A (nl) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodestraalbuis. |
| NL8402610A NL8402610A (nl) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodestraalbuis. |
| AT0273784A AT393759B (de) | 1983-08-26 | 1984-08-27 | Kathodenstrahlroehre |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156167A JPS6047351A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 撮像管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047351A JPS6047351A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0147852B2 true JPH0147852B2 (ja) | 1989-10-17 |
Family
ID=15621812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156167A Granted JPS6047351A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 撮像管 |
Country Status (9)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6047351A (ja) |
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| AU (1) | AU568868B2 (ja) |
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| FR (1) | FR2551264B1 (ja) |
| GB (1) | GB2145874B (ja) |
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Family Cites Families (10)
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-
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-
1984
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