JPH0149662B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0149662B2 JPH0149662B2 JP61254076A JP25407686A JPH0149662B2 JP H0149662 B2 JPH0149662 B2 JP H0149662B2 JP 61254076 A JP61254076 A JP 61254076A JP 25407686 A JP25407686 A JP 25407686A JP H0149662 B2 JPH0149662 B2 JP H0149662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- chipping
- porcelain
- zro
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010454 slate Substances 0.000 description 1
- -1 steatite Chemical compound 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘツド止め具用磁器組成物に関す
るものである。 従来の構成とその問題点 従来より磁気ヘツド止め具用磁器としてアルミ
ナ、フオルステライト、ステアタイト、チタン酸
バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸マグネシウム磁器等が利用さ
れていた。アルミナ、フオルステライト、ステア
タイト磁器は、熱膨張係数を変化させることが非
常に困難であり、このためフエライト素子さらに
はガラス質と組合わせて使用する場合、これらの
熱膨張係数が種々異なつていたので、その選択が
著しく困難であつた。またチタン酸系磁器におい
ては、その磁器とフエライト素子間のガラス接合
時に窒素雰囲気下で熱処理する場合があり、この
時成分中のTiO2が還元されチタン酸系磁器が変
色し、著しく商品価値を低下させる。さらにアル
ミナ、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチ
ウムは機械加工時にピツチが発生しやすく、精密
加工用セラミツクに不適である。 発明の目的 本発明は、熱膨張係数を自由に変化させること
が可能で、熱衝撃性が強く、また機械的強度が高
く、高温窒素雰囲気下に安定な磁気ヘツド止め具
用磁器組成物を提供するものである。 発明の構成 本発明に係る磁気ヘツド止め具用磁器組成物
は、CaO、BaO、SrOの１種または２種以上を合
計26〜85重量％、SiO2：14〜73重量％、鉱石
分：0.1〜５重量％になる組成物に対し、Al2O3、
ZrO2の１種または両者を0.2〜７重量％を加える
かまたは加えないで焼結した。 上記範囲内の成分割合を変化させることにより
熱膨張係数を＋95〜＋125×10-7／℃の範囲で自
由に選択することができ、これら止め具用磁器素
体は機械加工時のチツピング発生が非常に少な
く、フエライト素子−ガラス−止め具用磁器と組
合わせた場合のN2雰囲気下での高温熱処理にお
いても色調変化がなく、かつ再現性が高いもので
ある。 CaO、BaO、SrOの１種または２種以上が26重
量％未満では、ポア分布が悪くなりチツピング発
生率も増加し、また85重量％を超えると機械的強
度が増加し、チツピング発生率が高くなる。
SiO2が14重量％未満では機械的強度が増加し、
チツピングが発生しやすく、73重量％を超えると
熱膨張係数のコントロールが困難であり、またセ
ラミツク中のガラス相が多く発生し、ポア分布が
悪化する。鉱石分については、成型性向上のため
加えるのであるが、これが５重量％を超えると鉱
石中のアルカリ酸化物によりセラミツク中にガラ
ス相が生成し、鏡面研摩時にチツピングが発生し
やすくなり、0.1重量％未満では成型性が悪くな
る。 またAl2O3、ZrO2の１種または両者を加えない
場合もあるが、加えた場合、その添加量の合計が
0.2重量％未満の場合は、鏡面の面粗さが悪くな
り、６または７重量％を越えるとチツピング発生
率が高くなる。 実施例 試料の調整工程として工業用原料（純度99％以
上）であるAl2O3、CaCO3、SrCO3、BaCO3、
SiO2、ZrO2を用い、鉱石分は天然スレート又は
天草陶石を用いた。混合は不純物混入を防止する
ためウレタン内張ポツトミルを用い湿式混合し
た。試料作成の順序としては第１表に示す組成比
になるよう原料を調合し、成型は機械プレスを用
い50×150×15mmの試料を成型し、成型品のラミ
ネーシヨン発生率を第１図に示す。焼成は電気炉
を用い温度1300〜1400℃の間で焼成を行つた。得
られた素子は第２図および第２表のような各諸特
性を示した。 第２図は鏡面における光の反射率を基に作つた
従来フオルステ品と本発明の特性比較図である。
面粗さと光の反射率には比例関係がある。これを
みると、Al2O3、ZrO2の添加量が0.2〜７重量％
の場合がもつとも面粗さがよい。Al2O3、ZrO2を
添加しない場合(イ)でも従来のフオルステ(ロ)に比較
し10％程度向上している。0.2重量％未満では非
常に不安定さがあり量産に不敵である。ここで鉱
石分中にもAl2O3、ZrO2が含有されていることも
あるが、これらはフリーなAl2O3、ZrO2としてで
はなく、各種低融点酸化物等との化合物として存
在し、影響はかなり少ないものと思われる。特に
Al2O3、ZrO2を単独の型で加えると、セラミツク
中に存在するフリーなSiO2と反応し、SiO2によ
る液相発生を防止しチツピングや異常なポア成長
を防止する作用が働く。
るものである。 従来の構成とその問題点 従来より磁気ヘツド止め具用磁器としてアルミ
ナ、フオルステライト、ステアタイト、チタン酸
バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸マグネシウム磁器等が利用さ
れていた。アルミナ、フオルステライト、ステア
タイト磁器は、熱膨張係数を変化させることが非
常に困難であり、このためフエライト素子さらに
はガラス質と組合わせて使用する場合、これらの
熱膨張係数が種々異なつていたので、その選択が
著しく困難であつた。またチタン酸系磁器におい
ては、その磁器とフエライト素子間のガラス接合
時に窒素雰囲気下で熱処理する場合があり、この
時成分中のTiO2が還元されチタン酸系磁器が変
色し、著しく商品価値を低下させる。さらにアル
ミナ、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチ
ウムは機械加工時にピツチが発生しやすく、精密
加工用セラミツクに不適である。 発明の目的 本発明は、熱膨張係数を自由に変化させること
が可能で、熱衝撃性が強く、また機械的強度が高
く、高温窒素雰囲気下に安定な磁気ヘツド止め具
用磁器組成物を提供するものである。 発明の構成 本発明に係る磁気ヘツド止め具用磁器組成物
は、CaO、BaO、SrOの１種または２種以上を合
計26〜85重量％、SiO2：14〜73重量％、鉱石
分：0.1〜５重量％になる組成物に対し、Al2O3、
ZrO2の１種または両者を0.2〜７重量％を加える
かまたは加えないで焼結した。 上記範囲内の成分割合を変化させることにより
熱膨張係数を＋95〜＋125×10-7／℃の範囲で自
由に選択することができ、これら止め具用磁器素
体は機械加工時のチツピング発生が非常に少な
く、フエライト素子−ガラス−止め具用磁器と組
合わせた場合のN2雰囲気下での高温熱処理にお
いても色調変化がなく、かつ再現性が高いもので
ある。 CaO、BaO、SrOの１種または２種以上が26重
量％未満では、ポア分布が悪くなりチツピング発
生率も増加し、また85重量％を超えると機械的強
度が増加し、チツピング発生率が高くなる。
SiO2が14重量％未満では機械的強度が増加し、
チツピングが発生しやすく、73重量％を超えると
熱膨張係数のコントロールが困難であり、またセ
ラミツク中のガラス相が多く発生し、ポア分布が
悪化する。鉱石分については、成型性向上のため
加えるのであるが、これが５重量％を超えると鉱
石中のアルカリ酸化物によりセラミツク中にガラ
ス相が生成し、鏡面研摩時にチツピングが発生し
やすくなり、0.1重量％未満では成型性が悪くな
る。 またAl2O3、ZrO2の１種または両者を加えない
場合もあるが、加えた場合、その添加量の合計が
0.2重量％未満の場合は、鏡面の面粗さが悪くな
り、６または７重量％を越えるとチツピング発生
率が高くなる。 実施例 試料の調整工程として工業用原料（純度99％以
上）であるAl2O3、CaCO3、SrCO3、BaCO3、
SiO2、ZrO2を用い、鉱石分は天然スレート又は
天草陶石を用いた。混合は不純物混入を防止する
ためウレタン内張ポツトミルを用い湿式混合し
た。試料作成の順序としては第１表に示す組成比
になるよう原料を調合し、成型は機械プレスを用
い50×150×15mmの試料を成型し、成型品のラミ
ネーシヨン発生率を第１図に示す。焼成は電気炉
を用い温度1300〜1400℃の間で焼成を行つた。得
られた素子は第２図および第２表のような各諸特
性を示した。 第２図は鏡面における光の反射率を基に作つた
従来フオルステ品と本発明の特性比較図である。
面粗さと光の反射率には比例関係がある。これを
みると、Al2O3、ZrO2の添加量が0.2〜７重量％
の場合がもつとも面粗さがよい。Al2O3、ZrO2を
添加しない場合(イ)でも従来のフオルステ(ロ)に比較
し10％程度向上している。0.2重量％未満では非
常に不安定さがあり量産に不敵である。ここで鉱
石分中にもAl2O3、ZrO2が含有されていることも
あるが、これらはフリーなAl2O3、ZrO2としてで
はなく、各種低融点酸化物等との化合物として存
在し、影響はかなり少ないものと思われる。特に
Al2O3、ZrO2を単独の型で加えると、セラミツク
中に存在するフリーなSiO2と反応し、SiO2によ
る液相発生を防止しチツピングや異常なポア成長
を防止する作用が働く。
【表】
【表】
第１表、第２表より明らかなように、本発明範
囲内の実施例はNo.１〜No.５であり、他は範囲外の
比較例である。またNo.10は従来例である。本発明
範囲内の試料は、機械加工時のチツピング発生率
が著しく低くポア分布等、諸特性において優秀な
特性を示している。また範囲外の比較例は機械加
工時のチツピング発生率等悪いものであつた。 本実施例においてチツピング発生数の測定方法
は50×150×15mmの試料を横方向（長さ50mm）に
向つて、ダイヤモント高速回転切断機を用いて切
断し、その切断面のチツピング数をマイクロメー
タ付顕微鏡によつてカウントした。切断機の使用
条件は一定とし個数は100個テストとし、チツピ
ング数は切断断面積10cm2当りの平均値とする。 発明の効果 本発明は組成の調整によつて、 高温雰囲気下においても色調が安定である。 熱膨張係数を添加物で広範囲にコントロール
できる。 機械加工時のチツピング性が向上する。 成型性が改善され、品質の安定化が図れる。 鏡面状態が著しく改善される等の効果があ
る。 このように本発明の磁気ヘツド止め具用磁器組
成物は非常に優れた性能を備えており、工業的量
産化においても著しく安定であり産業的価値が大
きい。
囲内の実施例はNo.１〜No.５であり、他は範囲外の
比較例である。またNo.10は従来例である。本発明
範囲内の試料は、機械加工時のチツピング発生率
が著しく低くポア分布等、諸特性において優秀な
特性を示している。また範囲外の比較例は機械加
工時のチツピング発生率等悪いものであつた。 本実施例においてチツピング発生数の測定方法
は50×150×15mmの試料を横方向（長さ50mm）に
向つて、ダイヤモント高速回転切断機を用いて切
断し、その切断面のチツピング数をマイクロメー
タ付顕微鏡によつてカウントした。切断機の使用
条件は一定とし個数は100個テストとし、チツピ
ング数は切断断面積10cm2当りの平均値とする。 発明の効果 本発明は組成の調整によつて、 高温雰囲気下においても色調が安定である。 熱膨張係数を添加物で広範囲にコントロール
できる。 機械加工時のチツピング性が向上する。 成型性が改善され、品質の安定化が図れる。 鏡面状態が著しく改善される等の効果があ
る。 このように本発明の磁気ヘツド止め具用磁器組
成物は非常に優れた性能を備えており、工業的量
産化においても著しく安定であり産業的価値が大
きい。
第１図は本発明の一実施例として示した鉱石分
添加率と本発明組成物による成型時のラミネーシ
ヨン発生率との関係図、第２図は本発明の実施例
として示した鏡面反射率とAl2O3、ZrO2の添加率
の関係図である。
添加率と本発明組成物による成型時のラミネーシ
ヨン発生率との関係図、第２図は本発明の実施例
として示した鏡面反射率とAl2O3、ZrO2の添加率
の関係図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ CaO、BaO、SrOの１種または２種以上を合
計26〜85重量％、SiO2：14〜73重量％、鉱石
分：0.1〜５重量％の成分範囲より成り合計が100
重量％になる組成物を焼結して成る磁気ヘツド止
め具用磁器組成物。 ２ 組成物100重量％に対してAl2O3、ZrO2の１
種または両者を0.2〜７重量％加えて焼結して成
る特許請求の範囲１項記載の磁気ヘツド止め具用
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61254076A JPS6296363A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気ヘツド止め具用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61254076A JPS6296363A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気ヘツド止め具用磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296363A JPS6296363A (ja) | 1987-05-02 |
| JPH0149662B2 true JPH0149662B2 (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=17259886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61254076A Granted JPS6296363A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 磁気ヘツド止め具用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296363A (ja) |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP61254076A patent/JPS6296363A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6296363A (ja) | 1987-05-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4268311A (en) | High strength cordierite ceramic | |
| JP4343270B2 (ja) | 高強度の磁器およびそのための方法 | |
| JP2540676B2 (ja) | 化学的に安定化されたクリストバライト | |
| JPS649266B2 (ja) | ||
| KR890003857B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법 | |
| JPS59152266A (ja) | ジルコニア質耐火物 | |
| US2154069A (en) | Ceramic body | |
| EP0672633A1 (en) | Body containing deposited corundum and process for producing the body | |
| JPH0149662B2 (ja) | ||
| JPS6222945B2 (ja) | ||
| JPH0335257B2 (ja) | ||
| JPS6251224B2 (ja) | ||
| JP3226056B2 (ja) | 低誘電率高強度ガラスセラミックス組成物 | |
| JPH0132184B2 (ja) | ||
| US4816429A (en) | Temperature compensating dielectric ceramic composition | |
| RU2710341C1 (ru) | Керамический материал с низкой температурой спекания на основе системы диоксида циркония - оксида алюминия - оксида кремния | |
| JPS58143427A (ja) | 磁気ヘツド止め具用磁器素体 | |
| JPS62187162A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03192606A (ja) | マイクロ波誘電体セラミックス | |
| JPS6152101B2 (ja) | ||
| JPH0577625B2 (ja) | ||
| JPH0577624B2 (ja) | ||
| JP3180969B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH02145473A (ja) | 快削性セラミックス及びその製造方法 | |
| JPH11130460A (ja) | グレーズ組成物 |