JPH0132184B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132184B2 JPH0132184B2 JP16301783A JP16301783A JPH0132184B2 JP H0132184 B2 JPH0132184 B2 JP H0132184B2 JP 16301783 A JP16301783 A JP 16301783A JP 16301783 A JP16301783 A JP 16301783A JP H0132184 B2 JPH0132184 B2 JP H0132184B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- weight
- chipping
- magnetic head
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は熱膨張係数が＋90×10-7／℃〜＋100
×10-7／℃で、機械的強度、硬度及び耐熱特性さ
らには、機械加工時のチツピング性、ポア分布が
著しく良好な磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物
に関する。 従来例の構成とその問題点 従来より磁気ヘツド止め具用磁器としてアルミ
ナ、フオルステライト、ステアタイト、チタン酸
バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸マグネシウム磁器などが利用
されていた。この中でフオルステライト磁器は、
結晶粒界近傍に析出したSiO2リツチなガラス相
のため、ポア分布、チツピング性が悪いものであ
つた。特に前記ガラス相により焼結体の鏡面加工
時に結晶粒の剥離現象がおこるため磁気ヘツド止
め具用磁器としては不適当であつた。 発明の目的 本発明は従来の欠点を除去するため、焼結体中
のSiO2を主成分とするガラス相を著しく減少さ
せ、チツピング、ポア及び結晶粒剥離現象を減少
させた磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物を得る
ことを目的とする。 発明の構成 本発明は前記の目的を達成するために2MgO・
SiO2100重量部にZrO2、Al2O3、CaCO3、BaCO3
の１種又は２種以上を８重量部以下、BaZrO3を
３〜10重量部、クレイ分を１〜10重量部よりなる
ことを特徴とする。 前記磁器組成物は磁気ヘツドの組立支持体とし
て用いる。 本発明は前記の成分割合を変化させることによ
り、熱膨張係数値を＋90×10-7／℃〜＋100×
10-7／℃の範囲内で調整でき、これら磁器組成物
は加工時のチツピング発生率が少なく、機械的強
度が高く、またポア分布が良好であり、フエライ
ト素体―ガラス―止め具用磁器と組合せた場合、
亀裂が全く起らず安定で、且つ再現性の高いもの
となる。 実施例の説明 本発明を実施例にもとづいて説明する。 試料の調整工程としては工業用原料（純度99％
以上）である2MgO・SiO2、BaZrO3、ZrO2、
CaCO3、BaCO3、Al2O3及び市販のクレイを用
い、混合時に不純物混入を防止するためにウレタ
ン内張ポツトミルを用いて湿式混合した。 試料作製の順序としては、下記第１表に示す組
成比になるよう原料を配合し、成型には機械プレ
スを用い、50mm×150mm×15mmの寸法の試料を成
型した。本焼成には電気炉を用い、1300〜1350℃
の間で行つた。 すなわち試料No.１〜13までは本発明の実施例範
囲の組成になるよう配合し、試料No.14〜19までは
前記以外の組成比になるよう原料を配合したもの
である。 また第１表の組成比により得られた素体の各諸
特性を第２表に示す。
×10-7／℃で、機械的強度、硬度及び耐熱特性さ
らには、機械加工時のチツピング性、ポア分布が
著しく良好な磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物
に関する。 従来例の構成とその問題点 従来より磁気ヘツド止め具用磁器としてアルミ
ナ、フオルステライト、ステアタイト、チタン酸
バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム、チタン酸マグネシウム磁器などが利用
されていた。この中でフオルステライト磁器は、
結晶粒界近傍に析出したSiO2リツチなガラス相
のため、ポア分布、チツピング性が悪いものであ
つた。特に前記ガラス相により焼結体の鏡面加工
時に結晶粒の剥離現象がおこるため磁気ヘツド止
め具用磁器としては不適当であつた。 発明の目的 本発明は従来の欠点を除去するため、焼結体中
のSiO2を主成分とするガラス相を著しく減少さ
せ、チツピング、ポア及び結晶粒剥離現象を減少
させた磁気ヘツド止め具用原料粉末組成物を得る
ことを目的とする。 発明の構成 本発明は前記の目的を達成するために2MgO・
SiO2100重量部にZrO2、Al2O3、CaCO3、BaCO3
の１種又は２種以上を８重量部以下、BaZrO3を
３〜10重量部、クレイ分を１〜10重量部よりなる
ことを特徴とする。 前記磁器組成物は磁気ヘツドの組立支持体とし
て用いる。 本発明は前記の成分割合を変化させることによ
り、熱膨張係数値を＋90×10-7／℃〜＋100×
10-7／℃の範囲内で調整でき、これら磁器組成物
は加工時のチツピング発生率が少なく、機械的強
度が高く、またポア分布が良好であり、フエライ
ト素体―ガラス―止め具用磁器と組合せた場合、
亀裂が全く起らず安定で、且つ再現性の高いもの
となる。 実施例の説明 本発明を実施例にもとづいて説明する。 試料の調整工程としては工業用原料（純度99％
以上）である2MgO・SiO2、BaZrO3、ZrO2、
CaCO3、BaCO3、Al2O3及び市販のクレイを用
い、混合時に不純物混入を防止するためにウレタ
ン内張ポツトミルを用いて湿式混合した。 試料作製の順序としては、下記第１表に示す組
成比になるよう原料を配合し、成型には機械プレ
スを用い、50mm×150mm×15mmの寸法の試料を成
型した。本焼成には電気炉を用い、1300〜1350℃
の間で行つた。 すなわち試料No.１〜13までは本発明の実施例範
囲の組成になるよう配合し、試料No.14〜19までは
前記以外の組成比になるよう原料を配合したもの
である。 また第１表の組成比により得られた素体の各諸
特性を第２表に示す。
【表】
【表】
【表】
なお前記第２表においてチツピング発生数の測
定方法は50mm×150mm×15mmの試料を長さ方向
（150mm）に向つて、ダイヤモンド高速回転切断機
を用いて切断し、その切断面のチツピング数をマ
イクロメータ付光学顕微鏡によりカウントした。
ダイヤモンド高速回転切断機の使用条件（ダイヤ
モンドカツター回転速度、試料送り速度）は一定
とする。またテスト個数は10個とし、チツピング
数は切断断面積10cm2当りの平均値として記した。 以上第２表から明らかなように、試料No.１〜試
料No.13までは、機械加工時のチツピング発生率が
著しく低く、またポア分布、ポロシテイー、成型
性など、諸特性において優秀な特性を示してい
る。また、試料No.14〜No.19まではチツピング発生
率、ポロシテイーなどに悪影響が現われてくる。 すなわち、組成物において、ZrO2、Al2O3、
CaCO3、BaCO3の１種または２種以上の合計が
８重量部を越えるとチツピング発生率が増加す
る。これは前記の添加物が結晶粒界近傍に偏析
し、粒界破壊しやすい状態を作るからである。
BaZrO3が３重量部未満の場合は、フリーなSiO2
相が残りチツピング発生率の増加や鏡面研磨時の
結晶粒剥離現象によるポロシテイの低下が起こ
る。10重量部を越えるとBaZrO3が結晶粒界近傍
に偏析し、チツピング発生率が増加する。クレイ
分が１重量部未満では成型時にラミネーシヨンが
発生しやすくなる。10重量部を越えるとポア分布
の悪化、機械強度の低下が起こる。 磁気ヘツド止め具用磁器としてはフエライト素
子に接着用ガラスを媒体として磁器に埋め込むた
め、熱膨張係数、ポア分布、チツピングなどとの
関連性が非常に重要であり、これら条件を満足す
る材料として試料No.１〜試料No.13までに示される
組成物が適することがわかる。 発明の効果 本発明の組成物よりなる磁気ヘツド止め具は、
次のような効果を生ずる。 (1) ポア分布が改良される。 (2) 機械加工時のチツピング性が向上する。 (3) 成型性が改善され、品質の安定化が図れる。 以上のように本発明の磁気ヘツド止め具用原料
粉末組成物は非常に優れた性能を備えており、工
業的量産化においても著しく安定であり、産業上
利用できる効果を生ずる。
定方法は50mm×150mm×15mmの試料を長さ方向
（150mm）に向つて、ダイヤモンド高速回転切断機
を用いて切断し、その切断面のチツピング数をマ
イクロメータ付光学顕微鏡によりカウントした。
ダイヤモンド高速回転切断機の使用条件（ダイヤ
モンドカツター回転速度、試料送り速度）は一定
とする。またテスト個数は10個とし、チツピング
数は切断断面積10cm2当りの平均値として記した。 以上第２表から明らかなように、試料No.１〜試
料No.13までは、機械加工時のチツピング発生率が
著しく低く、またポア分布、ポロシテイー、成型
性など、諸特性において優秀な特性を示してい
る。また、試料No.14〜No.19まではチツピング発生
率、ポロシテイーなどに悪影響が現われてくる。 すなわち、組成物において、ZrO2、Al2O3、
CaCO3、BaCO3の１種または２種以上の合計が
８重量部を越えるとチツピング発生率が増加す
る。これは前記の添加物が結晶粒界近傍に偏析
し、粒界破壊しやすい状態を作るからである。
BaZrO3が３重量部未満の場合は、フリーなSiO2
相が残りチツピング発生率の増加や鏡面研磨時の
結晶粒剥離現象によるポロシテイの低下が起こ
る。10重量部を越えるとBaZrO3が結晶粒界近傍
に偏析し、チツピング発生率が増加する。クレイ
分が１重量部未満では成型時にラミネーシヨンが
発生しやすくなる。10重量部を越えるとポア分布
の悪化、機械強度の低下が起こる。 磁気ヘツド止め具用磁器としてはフエライト素
子に接着用ガラスを媒体として磁器に埋め込むた
め、熱膨張係数、ポア分布、チツピングなどとの
関連性が非常に重要であり、これら条件を満足す
る材料として試料No.１〜試料No.13までに示される
組成物が適することがわかる。 発明の効果 本発明の組成物よりなる磁気ヘツド止め具は、
次のような効果を生ずる。 (1) ポア分布が改良される。 (2) 機械加工時のチツピング性が向上する。 (3) 成型性が改善され、品質の安定化が図れる。 以上のように本発明の磁気ヘツド止め具用原料
粉末組成物は非常に優れた性能を備えており、工
業的量産化においても著しく安定であり、産業上
利用できる効果を生ずる。
Claims (1)
- １ 2MgO・SiO2を100重量部、ZrO2、Al2O3、
CaCO3、BaCO3の１種又は２種以上を８重量部
以下、BaZrO3を３〜10重量部、クレイ分を１〜
10重量部より成ることを特徴とする磁気ヘツド止
め具用原料粉末組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163017A JPS6054970A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 磁気ヘッド止め具用原料粉末組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163017A JPS6054970A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 磁気ヘッド止め具用原料粉末組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054970A JPS6054970A (ja) | 1985-03-29 |
| JPH0132184B2 true JPH0132184B2 (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=15765606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163017A Granted JPS6054970A (ja) | 1983-09-05 | 1983-09-05 | 磁気ヘッド止め具用原料粉末組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054970A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414137U (ja) * | 1987-07-09 | 1989-01-25 | ||
| JP6912188B2 (ja) * | 2016-11-25 | 2021-08-04 | 京セラ株式会社 | セラミック磁器、配線基板および電子部品 |
-
1983
- 1983-09-05 JP JP58163017A patent/JPS6054970A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6054970A (ja) | 1985-03-29 |
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