JPH0152325B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、高密度でかつ高強度の炭化珪素焼結
体を製造するに適した炭化珪素粉末およびその製
造方法に関し、特に本発明は、窒素を含有する焼
結用炭化珪素粉末およびその製造方法に関する。 炭化珪素は、極めて優れた化学的および物理的
性質を有しており、特に高密度の焼結体はガスタ
ービン部品、高温熱交換器のような苛酷な条件下
で使用される高温構造材の如き用途に対して好適
な材料である。 従来、炭化珪素の焼結方法としては加圧焼結法
および反応焼結法が広く知られている。しかしな
がら前者の加圧焼結法によれば、複雑な形状の焼
結体を製造し難く、生産性もあがらない欠点が、
一方後者の反応焼結法によれば高強度の焼結体を
得難く、しかも遊離珪素を多量に含有するため高
温域における使用が困難である欠点があつた。 また、酸化物セラミツクスを製造するのに一般
的に行なわれている無加圧焼結法すなわち常温で
成形した生成形体を無加圧下で焼結する方法を炭
化珪素の焼結に用いることはこれまで困難である
とされていたが、最近になつて炭化珪素、ホウ素
含有添加剤および炭素質添加剤から成る混合粉末
を成形し、不活性雰囲気中で焼結する無加圧結結
方法が報告されている。 ところで、炭化珪素はその結晶型が数多く知ら
れており、従来六方晶系のα型と立方晶系のβ型
との２種類に大別されている。このうち前者のα
型には高温例えば2000℃以上でも安定な4H、6H
型等の高温安定タイプの炭化珪素と1500℃以下で
不安定な2H型炭化珪素とが知られている。 従来、炭化珪素の無加圧焼結方法の出発原料と
しては、例えば、特開昭53−84013号公報によれ
ばアチエソン法の炉において最も普通に製造され
る炭化珪素を粉砕し、粒度分級して得られる高温
安定タイプのα型炭化珪素の粉末が使用されてい
るが、前記高温安定タイプのα型炭化珪素は焼結
に際して結晶型の変態転移を伴わず、焼結速度が
遅いため、高密度の焼結体を得ようとすると焼結
温度を高めて焼結する必要があり、さらに高温安
定タイプのα型炭化珪素を出発原料として得られ
る焼結体は異方性のない擬球状の比較的粗大な結
晶粒よりなる構造となるため高強度の焼結体を得
ることは困難であつた。 これに対し、特開昭50−160200号公報によれば
ハロゲン化珪素および炭化水素よりプラズマジエ
ツト反応によつて製造されるサブミクロン粒度の
β型炭化珪素粉末が、また特開昭54−67599号公
報によれば有機珪素高分子化合物を熱分解して得
られる高純度のβ型炭化珪素粉末の製造方法が開
示されている。さらに本発明者等は特公昭55−
40527号公報にシリカと炭素とを出発原料とする
主としてβ型結晶よりなる炭化珪素の製造方法を
提案した。しかしながら、前記諸公報記載のβ型
結晶よりなる炭化珪素粉末を無加圧焼結用の出発
原料とすると焼結に際してSiCの熱分解による気
相が生成し、この気相を介して焼結が進行するた
め、α型結晶よりなる結晶粒が急速に成長し粗大
な板状結晶が生成して焼結体の高密度化が阻害さ
れる欠点があつた。 上述の如く従来知られた炭化珪素粉末を使用し
て高密度でかつ高強度の炭化珪素無加圧焼結体を
製造することは困難であつた。 本発明は、無加圧焼結体を製造するに極めて適
した炭化珪素粉末およびその製造方法を提供する
ことを目的とするものである。 本発明によれば、0.015〜0.20重量％の窒素お
よび0.01〜1.0重量％の酸素を含有し、残部がSiC
と不可避的不純物よりなり、前記SiCのうち少な
くとも80重量％がβ型結晶よりなるSiCであり、
かつ比表面積が５〜50m²／ｇである焼結用炭化珪
素粉末およびその製造方法を提供することによつ
て前記目的を達成することができる。 次に本発明を詳細に説明する。 従来、焼結体製造用原料としての炭化珪素粉末
は、炭素含有添加剤およびホウ素含有添加剤等の
焼結助剤以外の不純物含有量のなるべく少ない高
純度の炭化珪素粉末が有利であると考えられてお
り、窒素を比較的多量に含有させた炭化珪素粉末
が焼結体製造用原料として適していることは知ら
れていなかつた。 本発明者は、β型結晶を主体とする炭化珪素粉
末を製造するに際し、反応炉中に窒素ガスを装入
して窒素を含有させた炭化珪素粉末を調製し、前
記炭化珪素粉末を焼結体製造用原料として使用し
たところ、従来、焼結体製造用原料として良好で
あるとは推測だにされなかつたところの前記窒素
を含有する炭化珪素粉末が焼結特性に優れ、しか
も該粉末を使用して製造された焼結体は窒素含有
量の少ない従来のβ型結晶を主体とする炭化珪素
粉末を使用して製造された焼結体に比較して極め
て優れた特性を有していることを新規に知見し
た。 すなわち、0.015〜0.20重量％の窒素および0.01
〜1.0重量％の酸素を含有し、残部がSiCと不可避
的不純物よりなり、前記SiCのうち少なくとも80
重量％がβ型結晶よりなるSiCであり、かつ比表
面積が５〜50m²／ｇである焼結用炭化珪素粉末を
使用することにより、焼結時における炭化珪素の
熱分解反応を抑制してβ型結晶のα型晶への相変
態を適正化し、かつ相変態に伴う粗大な板状結晶
の生成を防止することができ、高密度で均一な微
細構造を有する高強度焼結体を得ることができ
る。 本発明によれば、炭化珪素粉末は0.015〜0.20
重量％の窒素および0.01〜1.0重量％の酸素を含
有し、残部がSiCと不可避的不純物よりなること
が必要である。 前記窒素の含有量を0.015〜0.20重量％の範囲
内に限定する理由は0.15重量％より少ないとβ型
結晶のα型結晶への相変態を適正化する作用が充
分に発揮されず、α型化に伴つてα型結晶の粗大
な板状結晶が焼結初期に生成し、焼成収縮を妨害
するため高密度でかつ均一な微細構造を有する焼
結体を得ることが困難であり、一方0.20重量％よ
りも多いとSiC中のβ型結晶が著しく安定化さ
れ、焼結時におけるSiCの拡散が抑制されるた
め、焼結時の焼成収縮が生起し難く、高密度の焼
結体を得ることが困難となるからであり、0.03〜
0.10重量％の範囲でさらに好適な結果が得られ
る。 次に前記酸素の含有量を0.01〜1.0重量％の範
囲内に限定する理由を述べる。前記炭化珪素粉末
に含有される酸素は焼結助剤として添加された炭
素と焼結時に反応し、次式に示される如き機構で
除去される。 SiO₂＋Ｃ→SiO＋CO ………(1) SiO＋2C→SiC＋CO ………(2) したがつて、前記酸素が1.0重量％よりも多量
に存在すると炭素質添加剤を多量に使用しなけれ
ばならないばかりでなく、COガスが大量に発生
するため焼結時にガス抜きの必要が生じる等焼結
が困難になるばかりでなく、また高密度の焼結体
を得ることが困難になるからである。一方前記酸
素量が0.01重量％よりも少ない炭化珪素粉末は例
えば弗酸と硝酸の混酸で処理することによつて得
ることができるが、このようにして得た高純度の
炭化珪素粉末は極めて活性であり、空気雰囲気中
で乾燥したりすると常温でも容易に酸化してしま
うため、酸素量を低く維持するには酸処理後の雰
囲気を例えば非酸化性に保持しなければならず実
用的でないからであり、前記炭化珪素粉末中に含
有される酸素量は0.03〜0.4重量％の範囲内とす
ることが比較的容易であり、しかも焼結用原料と
して適している。 前記炭化珪素粉末を構成するSiCは少なくとも
80重量％がβ型結晶よりなるSiCであることが必
要な理由について次に述べる。 通常β型結晶を主体とする炭化珪素に混在する
結晶はβ型結晶より低温域で安定な2H型結晶あ
るいはβ型結晶より高温域で安定な4H、6H型等
のα型結晶である。前記2H型炭化珪素は通常の
焼結反応の生じる温度域において極めて不安定で
あり、焼結に際して異常粒成長の原因となり易い
し、一方4H、6H型の高温域で安定なα型炭化珪
素を含有すると焼結中にβ型結晶からα型結晶へ
の相変態が促進され、α型化に伴つてα型炭化珪
素の粗大な板状結晶が生成し、焼結収縮を妨害す
るため高密度でかつ均一な微細構造を有する高強
度の焼結体を得ることが困難である。したがつ
て、本発明の目的とする高強度の焼結体を得るに
は炭化珪素粉末を構成するSiCは少なくとも80重
量％がβ型結晶よりなるSiCであることが必要で
あり、なかでも90重量％以上がβ型結晶よりなる
SiCであることがより好適である。 本発明によれば、本発明の炭化珪素粉末に含有
される不可避的不純物のうち主体をなすものは．
01〜3.0重量％の遊離炭素、0.5重量％以下のアル
ミニウム、0.01〜0.5重量％の鉄、0.01〜0.5重量
％のアルカリ金属およびアルカリ土類金属であ
る。 前記不可避的不純物の含有量を前記範囲内とす
ることが好ましい理由は、遊離炭素は炭素質添加
剤としての作用効果を有するが、前記範囲よりも
多量に含有すると焼結時に焼結を著しく阻害し、
また焼結体内の介在物相が増加し、焼結体の物性
特に強度を著しく低下させるからであり、アルミ
ニウムは焼結体中に板状結晶を生成させる効果を
有するため、前記範囲よりも多量に含有すると高
密度の焼結体を得ることが困難になり、鉄やアル
カリ金属およびアルカリ土類金属は前記範囲より
も多量に含有すると焼結体の物性を著しく劣化さ
せるからである。 本発明によれば、高密度の焼結体を得る上で焼
結が開始される際に炭化珪素粉末粒子相互の接触
部に生起する焼結開始結合点すなわちネツクを均
一に発生させることが重要であり、前記炭化珪素
粉末の比表面積は５〜50m²／ｇの範囲内とするこ
とが必要である。前記比表面積を５〜50m²／ｇの
範囲内に限定する理由は、前記比表面積が５m²／
ｇより小さいと焼結開始時に形成されるネツクの
発生箇所が少なく焼結時における収縮が不均一と
なるため、本発明の目的とする高い密度と強度と
を有する焼結体を得ることが困難であるし、一方
50m²／ｇより大きな比表面積を有する炭化珪素粉
末はネツクの発生箇所も多く焼結体にも優れてい
ると考えられるが、このような炭化珪素粉末は入
手することが困難で、例え入手できたとしても極
めて高価となり実用的でないからであり、15〜35
m²／ｇの範囲内でより好適な結果が得られる。 次に本発明の炭化珪素粉末の製造方法について
説明する。 本発明の炭化珪素は、金属シリコンを炭素粉末
の混合物を加熱する方法、ハロゲン化珪素と炭化
水素のような混合ガスを気相反応させる方法によ
つて製造することもできるが、これらの方法によ
つて製造される炭化珪素はコストが非常に高い。 本発明の窒素を0.015〜0.20重量％含有し、全
SiCのうち少なくとも80重量％がβ型結晶よりな
るSiCである炭化珪素は、シリカ粉末と炭素粉末
とを混合して粒状に成形せしめた原料を間接加熱
炉へ装入し、炉内の反応温度を1700〜2150℃の範
囲内でかつ窒素分圧を５〜200mmHgの範囲内に維
持しながら加熱することによつて製造することが
できる。 前記炉内の窒素分圧を５〜200mmHgの範囲内に
限定する理由は、炉内の窒素分圧が５mmHgより
低いと本発明の目的とする窒素含有量の炭化珪素
を製造することができないばかりでなく、SiC生
成反応時に結晶粒が粗大化し易く微細な炭化珪素
粉末を製造することが困難となり、一方200mmHg
より高いと炭化珪素粉末に含有される窒素量が著
しく多くなり、本発明の目的とする窒素含有量の
範囲内とすることが困難となるばかりでなく、
SiC生成反応が著しく抑制されるため炭化珪素を
効率よく製造することが困難になるからである。 また前記反応温度を1700〜2150℃の範囲内に限
定する理由は、本発明によれば前述の如く炉内の
窒素分圧を比較的高く維持することにより、SiC
生成反応が抑制されるため、1700℃より低いと
SiC生成反応が著しく遅く効率的にSiCを製造す
ることが困難であり、一方2150℃より高いと生成
する炭化珪素の殆どがα型結晶よりなる炭化珪素
に結晶変態するため、焼結体製造用原料として適
したβ型結晶よりなるSiCを少なくとも80重量％
含有する炭化珪素を製造することが困難であるか
らである。 本発明によれば、シリカと炭素とのＣ／SiO₂
モル比が3.2〜5.0の範囲内の原料を下部に窒素ガ
スの装入手段を有する竪型の間接加熱炉へ装入
し、前記間接加熱炉内を自重降下させつつSiC生
成反応を生起させるに際し、前記装入手段より装
入された窒素ガスと向流接触させることが好まし
い。 シリカと炭素とから生成される炭化珪素の反応
式は一般に下記式(3)で示されている。 SiO₂＋3C→SiC＋2CO ………(3) しかしながら、実際の主体をなす生成機構は前
記式(1)の反応によつて生成されるSiOガスが前記
式(2)にしたがつて炭素と反応することにより炭化
珪素が生成されることが知られている。 ところで、本発明によれば炉内の窒素分圧が５
〜200mmHgの範囲内に維持される。前記炉内の窒
素は前記式(2)の反応を抑制し、炉内におけるSiO
ガス量を増加させる作用効果を有する。前記SiO
ガス量が増加すると、予熱帯において下記式(4)、
(5)、(6)に従つて生成するSiO₂、Si、SiC、Ｃ等の
混合した析出物量が増大し、炭化珪素を連続的に
製造する上で重要な原料の円滑な自重降下を阻害
するため、長期間の安定した連続操業が困難とな
る。 2SiO→SiO₂＋Si ………(4) SiO＋CO→SiO₂＋Ｃ ………(5) 3SiO＋CO→2SiO₂＋SiC ………(6) したがつて、本発明によれば、原料中の炭素量
を増加して前記式(2)の生起する箇所を増加させる
ことが望ましく、前記Ｃ／SiO₂モル比を3.2〜5.0
の範囲内とすることが好ましい。その理由は前記
Ｃ／SiO₂モル比が3.2より低いと前述の如くに原
料の円滑な自重降下を長期間にわたつて維持する
ことが難しく、他方5.0より高いと反応に寄与し
ない炭素を高温に加熱するために熱効率が低くな
り、また炭素原料に要する費用が増加するので経
済的でないからである。 なお、前記予熱帯における析出物の影響を少な
くすることを目的として、第１図に示す如き予熱
帯を形成する筒の任意の位置より上部の内部水平
断面積を加熱帯の内部水平断面積よりも大きく形
成された竪型の間接加熱炉を使用することも有利
である。 さらに、前記欠点を解決する上で、シリカの平
均粒径を75〜250μｍの範囲内となし、かつシリ
カと炭素の平均粒径の関係を下記式(7)を満足する
ように調整し、 Ｙ≦8.5×10^-2RX＋3.1×10⁴／Ｔ ………(7) 前記式(1)と(2)との反応速度を好適な範囲内に維
持することが有利である。 なお、上記式中Ｘははシリカの平均粒径（μ
ｍ）、Ｙは炭素の平均粒径（μｍ）、Ｔは反応温度
（〓）、Ｒは出発原料中のシリカと炭素のＣ／
SiO₂モル比である。 また、本発明において下部に窒素ガスの装入手
段を有する竪型の間接加熱炉の上部より原料を装
入し、加熱炉内を自重降下させつつSiC生成反応
を生起させるに際し、前記装入手段より装入され
た窒素ガスと向流接触させることが好ましい。な
ぜならば、シリカと炭素とからなるSiC生成反応
は前記式(3)に示した如くであり、反応に伴つて大
量のCOガスが生成するため炉の上部より窒素ガ
スを装入すると窒素ガスはCOガスとともに排出
されてしまい、効率的に窒素ガスを装入物と接触
させることが困難であり、また加熱炉内における
窒素分圧の制御も極めて困難となるからである。 本発明によれば、0.015〜0.20重量％の窒素を
含有し、SiCのうち少なくとも80重量％がβ型結
晶よりなる炭化珪素を製造するには炉内の窒素分
圧と反応温度とを下記の関係式(8)を満足する範囲
内とすることが有利である。 3.3×10^-4T²−1.35T＋1384≦PN₂≦8.5 ×10^-4T²−3.46T＋3593 ………(8) なお、上記式中PN₂は炉内の窒素分圧（mm
Hg）、Ｔは反応温度（〓）である。 次に、本発明の方法において使用することので
きる竪型の間接加熱炉の一例を図面を参照しなが
ら説明する。 本発明の方法で使用することのできる間接加熱
炉は、第１図に示す如く原料装入口１と予熱帯２
と加熱帯３と冷却帯４と密閉自在の生成物排出口
５とを有し、それらが縦方向にそれぞれ連接され
てなる反応容器６であつて、前記加熱帯を形成す
る筒７は黒鉛製であり、加熱帯の装入物を間接電
気加熱する手段８，９を具備し、前記反応容器下
部の冷却帯には窒素ガスの装入口１０が設けられ
たものである。 前記反応容器６は間接加熱炉の中心部に設置さ
れ、間接加熱手段８，９は黒鉛製発熱体８と前記
発熱体の外側に近接して設けられた黒鉛製反射筒
９からなり、前記黒鉛製反射筒の外側に炭素ある
いは黒鉛質微粉よりなる断熱層１１が設けられて
いる。前記加熱帯を形成する筒と黒鉛製反射筒に
囲まれた空間内には非酸化性ガス封入口１２より
例えばアルゴン、ヘリウム、窒素、一酸化炭素、
水素、その他の非酸化性ガスが封入され、空気の
侵入による黒鉛製発熱体の酸化消耗が防止され
る。 次に、本発明の炭化珪素粉末を使用する焼結体
の製造方法の一例について説明する。 本発明の炭化珪素粉末を使用する焼結体は、本
発明の炭化珪素粉末100重量部に対し、ホウ素含
有量に換算して0.1〜3.0重量部のホウ素含有添加
剤と固定炭素含有量に換算して0.1〜3.0重量部の
炭素質添加剤とを添加して均質混合し、前記均質
混合した混合物を任意の形状の生成形体に成形し
た後、前記生成形体をアルゴン、ヘリウム、ネオ
ン、クリプトン、キセノン、水素のなかから選択
されるいずれか少なくとも１種からなるガス雰囲
気中で2050〜2250℃で焼結することにより製造す
ることができる。 尚、窒素含有量の少ないβ型炭化珪素粉末を用
いて焼結体を製造する際に、その雰囲気を窒素ガ
ス雰囲気とすることにより窒素を含有する焼結体
を造ることのできることが知られているが、かゝ
る方法によると焼結体中に固溶した窒素濃度分布
が不均一であるため、焼結体は均一性に欠けその
用途が制限される。 以下、本発明の実施例について説明する。 実施例 １ 平均粒径が153μｍのシリカ粉末（SiO₂＝99.7重
量％）100重量部、平均粒径が29μｍの石油コー
クス粉（Ｃ＝98.7重量％）76重量部および平均粒
径が43μｍの高ピツチ粉（Ｃ＝50.4重量％）７重
量部を配合し、縦型スクリユー混合機にて10分間
混合した。前記配合原料にCMC0.5％水溶液をス
プレーしながらパン型造粒機を用いて成形し、篩
とバーグリズリーで整粒した後、バンド型通気乾
燥機に入れて150℃の熱風で90分間乾燥して平均
粒径が10.5mm、嵩比重が0.60ｇ／cm³、Ｃ／SiO₂モ
ル比が4.0の成形原料を得た。 この成形原料を第１図に示した如き構造でかつ
第１表に示した仕様の間接加熱炉の上部より装入
し、前記装入された原料を連続的に自重降下させ
て、黒鉛製筒の外壁温度が2150℃に制御された加
熱帯内に至らせ、前記加熱帯内で水平方向に間接
電気加熱して約１時間SiC生成反応を行なわせた
後、冷却帯に自重降下させ、排出口より反応生成
物を連続的に排出させた。

【表】

【表】 前記炉内の窒素分圧は冷却帯に設けられた窒素
ガス装入口より窒素ガスを装入することによつて
制御し、100〜130mgHgの範囲内に維持した。 得られた反応生成物より遊離炭素及びSiO₂を
除去精製したところ、窒素を0.06重量％含有し、
全SiCのうち88重量％がβ型結晶よりなる炭化珪
素粉末が得られた。 前記炭化珪素粉末をさらに粒度分級し、7μｍ
以上の粗粒を除去した。前記粒度分級した炭化珪
素粉末の特性は第２表に示した。 前記炭化珪素粉末98.7と市販の200メツシユ炭
化ホウ素粒を粉砕、粒度分級して比表面積を24.3
m²／ｇに調製した炭化ホウ素粉末1.3ｇと比表面
積123m²／ｇのカーボンブラツク1.5ｇとの混合物
に対し、水280mlと酢酸セルロース1.0ｇとモノエ
タノールアミン0.3ｇとを添加し、ボールミルに
て分散処理を行つた後、凍結乾燥を行つた。 この乾燥混合物から適量を採取し、金属製押し
型を用いて0.15t／cm²の圧力で円盤状に仮成形し
た。次にアイソスタテイツクプレス機を用いて
2.0t／cm²の圧力で成形した。前記生成形体との密
度は1.86ｇ／cm³であることが認められた。 前記生成形体をタンマン型焼結炉に装入し、ア
ルゴンガス気流中で最高温度2100℃で30分間保持
することにより焼結させた。 得られた焼結体は3.05ｇ／cm³の密度を有し、第
２図の走査型電子顕著鏡写真（750倍）に示した
如く約３〜7μｍの均一な結晶粒よりなる微細構
造を有していることがわかつた。この焼結体を３
×３×30mmの棒状に加工し、最終的に3μｍのダ
イヤモンド砥粒で研磨仕上げし、スパン20mm、ク
ロスヘツドスピード0.5mm／minの条件で３点曲
げ強度を測定したところ64Kg／mm²の平均強度を有
していた。 比較例 １ 実施例１と同様の製造方法であるが、反応炉内
へ窒素ガスを送入することなく炭化珪素を製造し
た。反応炉内の窒素ガス分圧は０〜３mmHgであ
つた。得られた炭化珪素粉末の物性を第２表に示
す。この炭化珪素粉末を使用して実施例１と同様
の操作で焼結体を得た。 得られた焼結体の密度は2.83ｇ／cm³と低く、ま
た３点曲げ強度も常温で48Kg／mm²の平均強度であ
つた。この焼結体は第３図の走査型電子顕微鏡写
真（750倍）に示した如く、粗大な板状結晶を含
んだ構造であつた。 実施例２、比較例２ 実施例１と同様の製造方法であるが、炉内の窒
素ガス分圧および反応温度を変えて炭化珪素を製
造し、第２表に示した如くの物性を有する炭化珪
素粉末を得た。この炭化珪素粉末を使用して実施
例１と同様の操作で焼結体を得た。 得られた焼結体の物性を実施例１に示した方法
と同様の方法で測定し、その結果を第２表に示
す。

【表】

【表】 第２表に示した如く、比較例２の窒素含有量の
多い炭化珪素炭化粉末を使用して得られた焼結体
は焼結収縮が劣化しており、2.90ｇ／cm³と低密度
であつた。 以上述べた如く、本発明によれば、極めて微細
で均一な結晶構造よりなる炭化珪素焼結体を製造
することのできる炭化珪素微粉を安価にかつ容易
に供給でき、産業上に寄与する効果は極めて大き
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の実施例および比較例におい
て炭化珪素を製造するのに使用した竪型連続製造
装置の縦断面図、第２図は実施例１に記載の焼結
体の走査型電子顕微鏡写真（750倍）、第３図は比
較例１に記載の焼結体の走査型電子顕微鏡写真
（750倍）である。 １……原料装入口、２……予熱帯、３……加熱
帯、４……冷却帯、５……生成物排出口、６……
反応容器、７……加熱帯を形成する筒、８……黒
鉛製発熱体、９……黒鉛製反射筒、１０……窒素
ガス装入口、１１……断熱層、１２……非酸化性
ガス封入口、１３……案内電極、１４……可とう
導体、１５……ブスバー、１６……測温パイプ、
１７……外殻、１８……耐火煉瓦、２０……排気
ダクト、１９……原料ホツパー。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 0.015〜0.20重量％の窒素および0.01〜1.0重
   量％の酸素を含有し、不純物として、0.01〜3.0
   重量％の遊離炭素、0.5重量％以下のアルミニウ
   ム、0.01〜0.5重量％の鉄および0.01〜0.5重量％
   のアルカリ金属、アルカリ土類金属を含有し、そ
   して残部のSiCは、少なくともその80重量％がβ
   型結晶よりなるものであつて、比表面積が５〜50
   m²／ｇである焼結用炭化珪素粉末。 ２ シリカ粉末と炭素粉末とを、シリカと炭素と
   のモル比Ｃ／SiO₂が3.2〜5.0となるような範囲内
   で混合し、その後粒状に成形せしめてなる原料
   を、間接加熱炉内の窒素ガス雰囲気のその中に装
   入し、炉内の反応温度を1700〜2150℃の範囲内に
   保持すると同時に窒素分圧を５〜200mmHgの範囲
   内に維持しながら加熱することにより、 0.015〜0.20重量％の窒素および0.01〜1.0重量
   ％の酸素を含有し、不純物として、0.01〜3.0重
   量％の遊離炭素、0.5重量％以下のアルミニウム、
   0.01〜0.5重量％の鉄および0.01〜0.5重量％のア
   ルカリ金属、アルカリ土類金属を含有し、そして
   残部のSiCは、少なくともその80重量％がβ型結
   晶よりなるものであつて、比表面積が５〜50m²／
   ｇである焼結用炭化珪素粉末の製造方法。