JPH0154849B2 - - Google Patents
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- JPH0154849B2 JPH0154849B2 JP10607380A JP10607380A JPH0154849B2 JP H0154849 B2 JPH0154849 B2 JP H0154849B2 JP 10607380 A JP10607380 A JP 10607380A JP 10607380 A JP10607380 A JP 10607380A JP H0154849 B2 JPH0154849 B2 JP H0154849B2
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- Japan
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- grain boundary
- porcelain
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- semiconductor
- electrodes
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- Expired
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明はチタン酸ストロンチウム（SrTiO3）
を主成分とする粒界絶縁型半導体コンデンサの電
極として、銀電極と比べて同等の電気特性と信頼
性をもち、かつ安価なメツキ電極の粒界絶縁型半
導体コンデンサの製造方法を提供するものであ
る。 従来からSrTiO3を主成分とする粒界絶縁型半
導体コンデンサは、温度特性、DCバイアスなど
にすぐれ、かつ比誘電率が極めて大きく、小型大
容量のすぐれた半導体コンデンサとして低電圧電
子回路などに多く利用されている。 しかし半導体コンデンサの電極は、従来のセラ
ミツクコンデンサおよび再酸化型半導体コンデン
サと同様に銀を主成分とする電極が通常用いられ
ているため、コスト高となつていた。 最近セラミツクコンデンサにおいては、メツキ
電極の有効性が認められ銀電極に代わる低コスト
電極として実用化されているが、粒界絶縁型半導
体コンデンサに無電解メツキを行なつてメツキ電
極を付与した場合、高温負荷試験において絶縁抵
抗の劣化が著しく、粒界絶縁型半導体コンデンサ
の無電解メツキ電極への実用化の大きな障害とな
つていた。 本発明は上記の欠点を除去したもので、チタン
酸ストロンチウムを主成分する半導体磁器に、
Bi、Cu、PB、Ｂなどの粒界絶縁化剤を拡散さ
せ、次いでガラス粉末ペーストを塗布して焼付し
たのち、無電解メツキをほどこしてメツキ電極を
形成することを特徴とした粒界絶縁型半導体コン
デンサの製造方法を提供するものである。 図面に本発明による粒界絶縁型半導体コンデン
サロと、本発明によらない粒界絶縁型半導体コン
デンサの銀電極品イおよびニツケルメツキ電極品
ハの高温負荷試験での結果を示す。 図面に示すように本発明による粒界絶縁型半導
体コンデンサは、従来の銀電極品と同等の高温負
荷試験結果を示し、安価で安定した信頼性を有し
かつすぐれた電気特性を有する。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 SrTiO3を主成分とする半導体磁器（磁器寸法
12.5mmφ、厚み0.45mmｔにBi、Cu、PB、Ｂなど
の粒界拡散を行なつて粒界絶縁化半導体磁器を得
る。 次いで、ヂオクチルフタレート、ブチルカルビ
トール、エチルセルロースからなるベヒクルに
B2O3―PBO―SiO2系からなるガラス粉末を１〜
40重量％添加混合して得られたガラスフリツトを
磁器に塗布し、600〜1200℃で焼付する。 これに通常の無電解メツキ法によりニツケルメ
ツキをほどこし、その後11.6mmφに外周研磨を行
ない、11.6mmφのニツケルメツキ電極を形成し
た。 このようにして得られた粒界絶縁型半導体コン
デンサについて、容量、誘電体損失、絶縁抵抗、
破壊電圧を測定し、さらに高温負荷試験をおこな
つた。 この結果を表に示す。 なお、容量、誘電体損失は1Vrms、1KHz、25
℃で測定した値を示し、絶縁抵抗は25℃におい
て、試料に25VDCを印加して30秒における抵抗
値を示した。 高温負荷試験では85℃±２℃の槽中で
37.5VDCを印加し、1000Hr後の絶縁抵抗値であ
る。 さらに表において、試料番号１、２および６は
本発明の最適範囲を逸脱するもので、試料番号
３、４および５は本発明の最適範囲のものであ
る。
を主成分とする粒界絶縁型半導体コンデンサの電
極として、銀電極と比べて同等の電気特性と信頼
性をもち、かつ安価なメツキ電極の粒界絶縁型半
導体コンデンサの製造方法を提供するものであ
る。 従来からSrTiO3を主成分とする粒界絶縁型半
導体コンデンサは、温度特性、DCバイアスなど
にすぐれ、かつ比誘電率が極めて大きく、小型大
容量のすぐれた半導体コンデンサとして低電圧電
子回路などに多く利用されている。 しかし半導体コンデンサの電極は、従来のセラ
ミツクコンデンサおよび再酸化型半導体コンデン
サと同様に銀を主成分とする電極が通常用いられ
ているため、コスト高となつていた。 最近セラミツクコンデンサにおいては、メツキ
電極の有効性が認められ銀電極に代わる低コスト
電極として実用化されているが、粒界絶縁型半導
体コンデンサに無電解メツキを行なつてメツキ電
極を付与した場合、高温負荷試験において絶縁抵
抗の劣化が著しく、粒界絶縁型半導体コンデンサ
の無電解メツキ電極への実用化の大きな障害とな
つていた。 本発明は上記の欠点を除去したもので、チタン
酸ストロンチウムを主成分する半導体磁器に、
Bi、Cu、PB、Ｂなどの粒界絶縁化剤を拡散さ
せ、次いでガラス粉末ペーストを塗布して焼付し
たのち、無電解メツキをほどこしてメツキ電極を
形成することを特徴とした粒界絶縁型半導体コン
デンサの製造方法を提供するものである。 図面に本発明による粒界絶縁型半導体コンデン
サロと、本発明によらない粒界絶縁型半導体コン
デンサの銀電極品イおよびニツケルメツキ電極品
ハの高温負荷試験での結果を示す。 図面に示すように本発明による粒界絶縁型半導
体コンデンサは、従来の銀電極品と同等の高温負
荷試験結果を示し、安価で安定した信頼性を有し
かつすぐれた電気特性を有する。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 SrTiO3を主成分とする半導体磁器（磁器寸法
12.5mmφ、厚み0.45mmｔにBi、Cu、PB、Ｂなど
の粒界拡散を行なつて粒界絶縁化半導体磁器を得
る。 次いで、ヂオクチルフタレート、ブチルカルビ
トール、エチルセルロースからなるベヒクルに
B2O3―PBO―SiO2系からなるガラス粉末を１〜
40重量％添加混合して得られたガラスフリツトを
磁器に塗布し、600〜1200℃で焼付する。 これに通常の無電解メツキ法によりニツケルメ
ツキをほどこし、その後11.6mmφに外周研磨を行
ない、11.6mmφのニツケルメツキ電極を形成し
た。 このようにして得られた粒界絶縁型半導体コン
デンサについて、容量、誘電体損失、絶縁抵抗、
破壊電圧を測定し、さらに高温負荷試験をおこな
つた。 この結果を表に示す。 なお、容量、誘電体損失は1Vrms、1KHz、25
℃で測定した値を示し、絶縁抵抗は25℃におい
て、試料に25VDCを印加して30秒における抵抗
値を示した。 高温負荷試験では85℃±２℃の槽中で
37.5VDCを印加し、1000Hr後の絶縁抵抗値であ
る。 さらに表において、試料番号１、２および６は
本発明の最適範囲を逸脱するもので、試料番号
３、４および５は本発明の最適範囲のものであ
る。
【表】
表に示すように本発明による無電解メツキ電極
品は、Bi、Cu、PB、Ｂなどの拡剤を粒界絶縁化
させた磁器に直接無電解メツキ電極を付与したも
のに比べ高温負荷試験においてきわめて安定であ
り、また破壊電圧はきわめて高くすぐれている。 試料番号１、２は本発明の最適範囲から逸脱し
たガラスフリツト量で、その量が少なく、高温負
荷試験での絶縁抵抗の劣化が著しい。 また試料番号６は本発明の最適範囲からガラス
フリツト量が45重量％と多いために容量の減少が
起こり不適格である。 このようにチタン酸ストロンチウムを主成分と
する半導体磁器にBi―Cu―PB―Ｂなどの粒界絶
縁化剤を拡散させ、次いで1.0〜40重量％の最適
量のガラス粉末を含むバインダを塗布焼付したの
ち、無電解メツキにより電極を付与することを特
徴とする本発明は従来の銀電極と同様安定した信
頼性を得ると共に、電気特性においても特に破壊
電圧にすぐれ高電圧回路への使用も可能ならしめ
るものである。 なお、実施例では無電解ニツケルメツキ電極に
より説明したが、他のメツキ電極、例えば銅メツ
キ電極においても同様の効果が得られる。 またガラス粉末はB2O3―SiO2―PBO系ZnO―
SiO2―B2O2など軟化度を300〜900℃の範囲にも
つガラスであれば同様の効果が得られる。 以上のように本発明は、安価で高信頼性でかつ
高い破壊電圧を有する粒界絶縁型半導体コンデン
サを提供するものであり、工業的価値大なるもの
である。
品は、Bi、Cu、PB、Ｂなどの拡剤を粒界絶縁化
させた磁器に直接無電解メツキ電極を付与したも
のに比べ高温負荷試験においてきわめて安定であ
り、また破壊電圧はきわめて高くすぐれている。 試料番号１、２は本発明の最適範囲から逸脱し
たガラスフリツト量で、その量が少なく、高温負
荷試験での絶縁抵抗の劣化が著しい。 また試料番号６は本発明の最適範囲からガラス
フリツト量が45重量％と多いために容量の減少が
起こり不適格である。 このようにチタン酸ストロンチウムを主成分と
する半導体磁器にBi―Cu―PB―Ｂなどの粒界絶
縁化剤を拡散させ、次いで1.0〜40重量％の最適
量のガラス粉末を含むバインダを塗布焼付したの
ち、無電解メツキにより電極を付与することを特
徴とする本発明は従来の銀電極と同様安定した信
頼性を得ると共に、電気特性においても特に破壊
電圧にすぐれ高電圧回路への使用も可能ならしめ
るものである。 なお、実施例では無電解ニツケルメツキ電極に
より説明したが、他のメツキ電極、例えば銅メツ
キ電極においても同様の効果が得られる。 またガラス粉末はB2O3―SiO2―PBO系ZnO―
SiO2―B2O2など軟化度を300〜900℃の範囲にも
つガラスであれば同様の効果が得られる。 以上のように本発明は、安価で高信頼性でかつ
高い破壊電圧を有する粒界絶縁型半導体コンデン
サを提供するものであり、工業的価値大なるもの
である。
図面は粒界絶縁型半導体コンデンサの絶縁抵抗
〜時間特性図である。 イは本発明によらない銀電極品、ロは本発明
品、ハは本発明によらないニツケルメツキ電極
品。
〜時間特性図である。 イは本発明によらない銀電極品、ロは本発明
品、ハは本発明によらないニツケルメツキ電極
品。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導
体磁器にビスマス、銅、鉛、ホウ素などよりなる
粒界絶縁化剤を塗布拡散し、半導体磁器の粒界を
絶縁化した磁器表面にガラスフリツトを塗布して
焼付けたのち、磁器素体に無電解メツキ電極を形
成したことを特徴とする粒界絶縁型半導体コンデ
ンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10607380A JPS5731124A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10607380A JPS5731124A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5731124A JPS5731124A (en) | 1982-02-19 |
| JPH0154849B2 true JPH0154849B2 (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14424412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10607380A Granted JPS5731124A (en) | 1980-07-31 | 1980-07-31 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5731124A (ja) |
-
1980
- 1980-07-31 JP JP10607380A patent/JPS5731124A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5731124A (en) | 1982-02-19 |
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