JPH0154848B2 - - Google Patents
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- JPH0154848B2 JPH0154848B2 JP10466180A JP10466180A JPH0154848B2 JP H0154848 B2 JPH0154848 B2 JP H0154848B2 JP 10466180 A JP10466180 A JP 10466180A JP 10466180 A JP10466180 A JP 10466180A JP H0154848 B2 JPH0154848 B2 JP H0154848B2
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- semiconductor
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Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
本発明はチタン酸ストロンチウム（以下
SrTiO3という）を主成分とする粒界絶縁型半導
体コンデンサの電極を改良したもので、従来の銀
電極を形成した粒界絶縁型半導体コンデンサと同
等あるいは遜色のない電気特性および信頼性をも
ち、かつ安価なメツキ電極を有する粒界絶縁型半
導体コンデンサ製造方法を提供するものである。 SrTiO3を主成分とする粒界絶縁型半導体コン
デンサは、温度特性、DCバイアスなどに優れ、
かつ比誘電率も極めて大きいため、小型大容量の
優れた半導体コンデンサとして低電圧電子回路に
多く使用されている。 しかしこの粒界絶縁型半導体コンデンサの電極
は従来のセラミツクコンデンサ、再酸化型半導体
コンデンサと同様に銀を主成分とする電極が通常
用いられているが、コスト高となつていた。 この銀電極のコスト高を改消するため、近年セ
ラミツクコンデンサにおいてはメツキ電極の有効
性が認められ、銀電極に代る低コスト電極として
実用化されている。 しかしながら、Bi、Cu、Pb、Ｂなどの粒界絶
縁化剤を拡散し、磁器の粒界を絶縁化してなる粒
界絶縁型半導体磁器に無電解メツキ電極を施し、
得られた半導体コンデンサを高温負荷試験したと
ころ絶縁抵抗の劣化が著しく、半導体コンデンサ
の無電解メツキ電極化への実用化の大きな障害と
なつていた。 本発明は上記の欠点を改良するもので、
SrTiO3を主成分とする半導体磁器にBi、Cu、
Pb、Ｂなどの粒界絶縁化剤と、該粒界絶縁化剤
に１〜200重量％のガラスフリツトを混合してな
る拡散剤を塗布して拡散させたのち、無電解メツ
キ電極を付与することにより得られた粒界絶縁型
半導体コンデンサは、高温負荷での絶縁抵抗劣化
現象が著しく改善されることを見い出したもの
で、第１図に高温負荷試験結果を示す。○イは銀電
極を有する粒界絶縁型半導体コンデンサ。○ロは本
発明のメツキ電極を有する粒界絶縁型半導体コン
デンサ。○ハ従来のメツキ電極を有する粒界絶縁型
半導体コンデンサを示し、この第１図からわかる
ように本発明品は従来の銀電極を有する粒界絶縁
型半導体コンデンサと同等の電気特性および信頼
性をもち、かつ従来の銀電極品に比較して極めて
安価であり、また従来のメツキ電極品の欠点を解
消したものである。 以下、本発明を実施例に基き詳細に説明する。 SrTiO3を主成分とする円板形の半導体磁器
（磁器寸法12.5mmφ、厚み0.45mm）に第１表のよ
うにBi、Cu、Pb、Ｂのうち１種または２種以上
からなる粒界絶縁化剤と、該粒界絶縁化剤に対し
て１〜200重量％のホウケイ酸鉛ガラスを混合し、
さらにバインダーを加えてペースト状にした拡散
剤を半導体磁器表面に塗布し、温度1150〜1200℃
で２時間粒界拡散を行ない粒界絶縁化半導体磁器
を得た。次いで該粒界絶縁化半導体磁器の表面に
通常の無電解メツキ法によりニツケルメツキを施
し、その後外周研磨して11.6mmφとし、ニツケル
メツキ電極を形成した。このように電極が施され
た粒界絶縁型半導体磁器に引出リードを半田接続
し外装して完成する。 このようにして得られた粒界絶縁型半導体コン
デンサについて、容量、誘電体損失、絶縁抵抗お
よび破壊電圧を測定すると共に高温負荷試験を行
ない、1000時間後の絶縁抵抗について測定した。
その結果を第１表に示す。
SrTiO3という）を主成分とする粒界絶縁型半導
体コンデンサの電極を改良したもので、従来の銀
電極を形成した粒界絶縁型半導体コンデンサと同
等あるいは遜色のない電気特性および信頼性をも
ち、かつ安価なメツキ電極を有する粒界絶縁型半
導体コンデンサ製造方法を提供するものである。 SrTiO3を主成分とする粒界絶縁型半導体コン
デンサは、温度特性、DCバイアスなどに優れ、
かつ比誘電率も極めて大きいため、小型大容量の
優れた半導体コンデンサとして低電圧電子回路に
多く使用されている。 しかしこの粒界絶縁型半導体コンデンサの電極
は従来のセラミツクコンデンサ、再酸化型半導体
コンデンサと同様に銀を主成分とする電極が通常
用いられているが、コスト高となつていた。 この銀電極のコスト高を改消するため、近年セ
ラミツクコンデンサにおいてはメツキ電極の有効
性が認められ、銀電極に代る低コスト電極として
実用化されている。 しかしながら、Bi、Cu、Pb、Ｂなどの粒界絶
縁化剤を拡散し、磁器の粒界を絶縁化してなる粒
界絶縁型半導体磁器に無電解メツキ電極を施し、
得られた半導体コンデンサを高温負荷試験したと
ころ絶縁抵抗の劣化が著しく、半導体コンデンサ
の無電解メツキ電極化への実用化の大きな障害と
なつていた。 本発明は上記の欠点を改良するもので、
SrTiO3を主成分とする半導体磁器にBi、Cu、
Pb、Ｂなどの粒界絶縁化剤と、該粒界絶縁化剤
に１〜200重量％のガラスフリツトを混合してな
る拡散剤を塗布して拡散させたのち、無電解メツ
キ電極を付与することにより得られた粒界絶縁型
半導体コンデンサは、高温負荷での絶縁抵抗劣化
現象が著しく改善されることを見い出したもの
で、第１図に高温負荷試験結果を示す。○イは銀電
極を有する粒界絶縁型半導体コンデンサ。○ロは本
発明のメツキ電極を有する粒界絶縁型半導体コン
デンサ。○ハ従来のメツキ電極を有する粒界絶縁型
半導体コンデンサを示し、この第１図からわかる
ように本発明品は従来の銀電極を有する粒界絶縁
型半導体コンデンサと同等の電気特性および信頼
性をもち、かつ従来の銀電極品に比較して極めて
安価であり、また従来のメツキ電極品の欠点を解
消したものである。 以下、本発明を実施例に基き詳細に説明する。 SrTiO3を主成分とする円板形の半導体磁器
（磁器寸法12.5mmφ、厚み0.45mm）に第１表のよ
うにBi、Cu、Pb、Ｂのうち１種または２種以上
からなる粒界絶縁化剤と、該粒界絶縁化剤に対し
て１〜200重量％のホウケイ酸鉛ガラスを混合し、
さらにバインダーを加えてペースト状にした拡散
剤を半導体磁器表面に塗布し、温度1150〜1200℃
で２時間粒界拡散を行ない粒界絶縁化半導体磁器
を得た。次いで該粒界絶縁化半導体磁器の表面に
通常の無電解メツキ法によりニツケルメツキを施
し、その後外周研磨して11.6mmφとし、ニツケル
メツキ電極を形成した。このように電極が施され
た粒界絶縁型半導体磁器に引出リードを半田接続
し外装して完成する。 このようにして得られた粒界絶縁型半導体コン
デンサについて、容量、誘電体損失、絶縁抵抗お
よび破壊電圧を測定すると共に高温負荷試験を行
ない、1000時間後の絶縁抵抗について測定した。
その結果を第１表に示す。
【表】
なお、第１表中No.15は比較のための銀電極を有
する粒界絶縁型半導体コンデンサ、No.１、２、
７、８、14は本発明の範囲外である。また容量、
誘電体損失については測定電圧1Vrms、周波数
1KHz、温度25℃で測定し、高温負荷試験は温度
85±２℃の槽中で37.5VDCを印加し、1000時間
後の絶縁抵抗値である。第１表で明らかなように
本発明の無電解メツキ電極品はBi―Cu―Pb―Ｂ
などの拡散剤のみによる従来の粒界絶縁型半導体
磁器に無電解メツキ電極を設けたものに比較して
電気的特性が安定し、高温負荷試験における絶縁
抵抗も極めて安定である。 このようにSrTiO3を主体とする半導体磁器に
Bi―CuあるいはBi―Cu―Pb―Ｂなどの粒界絶縁
化剤と、該絶縁化剤に対して1.0〜200重量％のガ
ラス粉末を混合した拡散剤を塗布して粒界に拡散
し粒界絶縁化したのち、無電解メツキ法によりメ
ツキ電極を施こした本発明の粒界絶縁型半導体コ
ンデンサで、従来の銀電極品と同等の諸特性を有
し、かつ信頼性に優れ安価なものである。 なお、上記実施例でメツキ電極を無電極ニツケ
ルメツキによる電極形成法について説明したが、
例えば銅メツキ電極などについても同様の効果を
有する。また粒界絶縁化剤をBi―CuとBi―Cu―
Pb―Ｂについて説明したが、Bi、Cu、Pb、Ｂの
１種でもよく、２種以上を組合せ混合するとなお
よく、このほかＷ、Ta、Th、Co、Ni、Mnなど
の金属酸化物においても同様の効果が得られる。
さらにこれらの粒界絶縁化剤に混合するガラス粉
末はホウケイ酸鉛ガラスに限らず、Ｂ―Si―Pb、
Zn―Si―Ｂ、Ba―Si―Ｂなど軟化度を、300〜
900℃の範囲にもつガラス組成系のものが最適で
ある。 以上のように本発明はSrTiO3を主成分とする
半導体磁器の粒界を絶縁化する粒界絶縁化剤にガ
ラス粉末を混合した拡散剤として塗布などし拡散
して粒界を絶縁化しているので、電極形成に際し
て無電解メツキを施こし、安価に電極形成ができ
ると共に信頼性に優れ、工業上有益なものであ
る。
する粒界絶縁型半導体コンデンサ、No.１、２、
７、８、14は本発明の範囲外である。また容量、
誘電体損失については測定電圧1Vrms、周波数
1KHz、温度25℃で測定し、高温負荷試験は温度
85±２℃の槽中で37.5VDCを印加し、1000時間
後の絶縁抵抗値である。第１表で明らかなように
本発明の無電解メツキ電極品はBi―Cu―Pb―Ｂ
などの拡散剤のみによる従来の粒界絶縁型半導体
磁器に無電解メツキ電極を設けたものに比較して
電気的特性が安定し、高温負荷試験における絶縁
抵抗も極めて安定である。 このようにSrTiO3を主体とする半導体磁器に
Bi―CuあるいはBi―Cu―Pb―Ｂなどの粒界絶縁
化剤と、該絶縁化剤に対して1.0〜200重量％のガ
ラス粉末を混合した拡散剤を塗布して粒界に拡散
し粒界絶縁化したのち、無電解メツキ法によりメ
ツキ電極を施こした本発明の粒界絶縁型半導体コ
ンデンサで、従来の銀電極品と同等の諸特性を有
し、かつ信頼性に優れ安価なものである。 なお、上記実施例でメツキ電極を無電極ニツケ
ルメツキによる電極形成法について説明したが、
例えば銅メツキ電極などについても同様の効果を
有する。また粒界絶縁化剤をBi―CuとBi―Cu―
Pb―Ｂについて説明したが、Bi、Cu、Pb、Ｂの
１種でもよく、２種以上を組合せ混合するとなお
よく、このほかＷ、Ta、Th、Co、Ni、Mnなど
の金属酸化物においても同様の効果が得られる。
さらにこれらの粒界絶縁化剤に混合するガラス粉
末はホウケイ酸鉛ガラスに限らず、Ｂ―Si―Pb、
Zn―Si―Ｂ、Ba―Si―Ｂなど軟化度を、300〜
900℃の範囲にもつガラス組成系のものが最適で
ある。 以上のように本発明はSrTiO3を主成分とする
半導体磁器の粒界を絶縁化する粒界絶縁化剤にガ
ラス粉末を混合した拡散剤として塗布などし拡散
して粒界を絶縁化しているので、電極形成に際し
て無電解メツキを施こし、安価に電極形成ができ
ると共に信頼性に優れ、工業上有益なものであ
る。
第１図は高温負荷試験による絶縁抵抗−時間特
性図である。
性図である。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウムを主成分とする半導
体磁器の粒界を絶縁化するビスマス、銅、鉛、ホ
ウ素などよりなる粒界絶縁化剤と該粒界絶縁化剤
に対して１〜200重量％のガラス粉末とを添加混
合してなる拡散剤を半導体磁器に塗布し、拡散し
て粒界を絶縁化したのち、無電解メツキを施して
メツキ電極を形成したことを特徴とする粒界絶縁
型半導体コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466180A JPS5730310A (en) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466180A JPS5730310A (en) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5730310A JPS5730310A (en) | 1982-02-18 |
| JPH0154848B2 true JPH0154848B2 (ja) | 1989-11-21 |
Family
ID=14386642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10466180A Granted JPS5730310A (en) | 1980-07-29 | 1980-07-29 | Grain boundary insulation type semiconductor condenser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5730310A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417332A (en) * | 1986-12-18 | 1995-05-23 | G & G Intellectual Properties, Inc. | Adjustable vehicle-carrying frame |
| US6119877A (en) | 1986-12-18 | 2000-09-19 | G & G Intellectual Properties, Inc. | Adjustable vehicle-carrying frame |
| JPH02133908A (ja) * | 1988-11-15 | 1990-05-23 | Tdk Corp | 表層形半導体磁器コンデンサおよびその製造方法 |
| US5415505A (en) * | 1991-10-30 | 1995-05-16 | G & G Intellectual Properties, Inc. | Vehicle-carrying frame |
| US5769591A (en) * | 1993-02-04 | 1998-06-23 | Kar-Tainer International, Inc. | Frame structure and method of packing vehicle bodies |
| US5454672A (en) * | 1993-03-17 | 1995-10-03 | G & G Intellectual Properties, Inc. | Adjustable load-carrying frame for fully utilizing transport enclosure space |
| US5924248A (en) * | 1995-08-02 | 1999-07-20 | Kar-Tainer International Inc. | Collapsible frame device |
-
1980
- 1980-07-29 JP JP10466180A patent/JPS5730310A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5730310A (en) | 1982-02-18 |
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