JPH0158672B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0158672B2 JPH0158672B2 JP56177415A JP17741581A JPH0158672B2 JP H0158672 B2 JPH0158672 B2 JP H0158672B2 JP 56177415 A JP56177415 A JP 56177415A JP 17741581 A JP17741581 A JP 17741581A JP H0158672 B2 JPH0158672 B2 JP H0158672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- type semiconductor
- semiconductor layer
- semiconductor
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/50—Devices controlled by mechanical forces, e.g. pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体圧力検出装置に関するもの
である。
である。
従来この種の装置として第１図に示すものがあ
つた。図において、１は中央部分の厚さが薄く形
成されているＮ形半導体基板、２はＮ形半導体基
板１の面上に複数個配設されたＰ形歪計素子、３
はＰ形歪計素子２とワイヤ４を接続する為の電
極、５はＮ型半導体基板１、Ｐ形歪計素子２の表
面を保護するSiO2，Si3N4などの絶縁膜、６はＮ
形半導体基板１を支持台７に接着する接着剤、８
は支持台７に設けられワイヤ４が接続される端
子、９はワイヤ４及び端子８を覆う保護用の樹脂
膜で、例えば電気泳動法によりコーテイングされ
たアクリル樹脂、フツ素樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド、メラミン樹脂、キシレン樹脂、シリコ
ーン樹脂、フツ素、ゴム等である。
つた。図において、１は中央部分の厚さが薄く形
成されているＮ形半導体基板、２はＮ形半導体基
板１の面上に複数個配設されたＰ形歪計素子、３
はＰ形歪計素子２とワイヤ４を接続する為の電
極、５はＮ型半導体基板１、Ｐ形歪計素子２の表
面を保護するSiO2，Si3N4などの絶縁膜、６はＮ
形半導体基板１を支持台７に接着する接着剤、８
は支持台７に設けられワイヤ４が接続される端
子、９はワイヤ４及び端子８を覆う保護用の樹脂
膜で、例えば電気泳動法によりコーテイングされ
たアクリル樹脂、フツ素樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミド、メラミン樹脂、キシレン樹脂、シリコ
ーン樹脂、フツ素、ゴム等である。
この装置は印加された圧力に応じてＮ形半導体
基板１が歪み、これに伴つてＰ形歪計素子２の電
気抵抗の変化量を端子８を介して測定することに
より印加された圧力を検出することができる。こ
の時、電極３、ワイヤー４、端子８の周辺に導電
性物質が充満するとリーク電流により、電気抵抗
の特性に変動が生じる。これを防止する為に、電
極３、ワイヤー４、端子８の表面及びＮ形半導体
基板１の端面は樹脂膜９で覆つている。
基板１が歪み、これに伴つてＰ形歪計素子２の電
気抵抗の変化量を端子８を介して測定することに
より印加された圧力を検出することができる。こ
の時、電極３、ワイヤー４、端子８の周辺に導電
性物質が充満するとリーク電流により、電気抵抗
の特性に変動が生じる。これを防止する為に、電
極３、ワイヤー４、端子８の表面及びＮ形半導体
基板１の端面は樹脂膜９で覆つている。
しかし、面積の広いＮ型半導体基板１の端面の
ピンホールを皆無にすることは極めて困難であ
り、従つて電極３、ワイヤー４および端子８を覆
う樹脂膜９にピンホールが１ケでもあると、Ｎ形
半導体基板１との間にリーク電流が流れ、特性変
動が生じるので汚染に対する信頼性が低いという
欠点があつた。
ピンホールを皆無にすることは極めて困難であ
り、従つて電極３、ワイヤー４および端子８を覆
う樹脂膜９にピンホールが１ケでもあると、Ｎ形
半導体基板１との間にリーク電流が流れ、特性変
動が生じるので汚染に対する信頼性が低いという
欠点があつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、歪計素子が形成さ
れている半導体層を異なる導電型の半導体基板を
介して支持台に支承し、この半導体基板と同じ導
電型の環状の拡散層で囲み、電気的に完全に分離
せる構造とし、また歪計素子の電極、ワイヤ、お
よび端子を電気泳動法による絶縁樹脂膜で覆うこ
とにより、圧力検出素子の側面を覆う樹脂膜を不
要とするとともに電極３、ワイヤー４及び端子８
を覆う樹脂膜に１ケのピンホールが生じてもリー
クが生じないようにしたものである。
去するためになされたもので、歪計素子が形成さ
れている半導体層を異なる導電型の半導体基板を
介して支持台に支承し、この半導体基板と同じ導
電型の環状の拡散層で囲み、電気的に完全に分離
せる構造とし、また歪計素子の電極、ワイヤ、お
よび端子を電気泳動法による絶縁樹脂膜で覆うこ
とにより、圧力検出素子の側面を覆う樹脂膜を不
要とするとともに電極３、ワイヤー４及び端子８
を覆う樹脂膜に１ケのピンホールが生じてもリー
クが生じないようにしたものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図において、１０は中央部が薄く形成さ
れたＰ型半導体基板、１ａはその基板１０上に設
けられたＮ型半導体層、１１はＮ形半導体層１ａ
に設けられ、歪計素子２を囲み、Ｐ形半導体基板
１０に達するように形成されたＰ形半導体拡散層
である。また、９は電気泳動法により形成された
絶縁樹脂膜であり、電極３、ワイヤ４、および端
子８の電気的に露出し導電性を有する部分にのみ
コーテイングされている。
る。第２図において、１０は中央部が薄く形成さ
れたＰ型半導体基板、１ａはその基板１０上に設
けられたＮ型半導体層、１１はＮ形半導体層１ａ
に設けられ、歪計素子２を囲み、Ｐ形半導体基板
１０に達するように形成されたＰ形半導体拡散層
である。また、９は電気泳動法により形成された
絶縁樹脂膜であり、電極３、ワイヤ４、および端
子８の電気的に露出し導電性を有する部分にのみ
コーテイングされている。
このように構成された装置ではＮ形半導体層１
ａのＰ形歪計素子２が形成された領域は、Ｐ形歪
計素子２とＮ形半導体層１ａよりなるPN接合
と、Ｎ形半導体層１ａとＰ形半導体基板１０より
なるNP接合により、電気的に完全に分離されて
いる。従つて、電極３、ワイヤー４、端子８の周
辺に導電性物質が充満した場合、これらの導電部
を覆う樹脂膜９のうち電位の異なる電極３、ワイ
ヤ４、端子８の部分に同時に２つ以上のピンホー
ルが発生しなければリーク電流は流れない。しか
るに樹脂膜９に１ケのピンホールが発生する確率
をＰとすると、２つのピンホールが発生する確率
はP2で表わされ、その発生する確率は非常に小
さくなり、従来装置に比べ汚染に対して信頼性の
高い検出装置となる。
ａのＰ形歪計素子２が形成された領域は、Ｐ形歪
計素子２とＮ形半導体層１ａよりなるPN接合
と、Ｎ形半導体層１ａとＰ形半導体基板１０より
なるNP接合により、電気的に完全に分離されて
いる。従つて、電極３、ワイヤー４、端子８の周
辺に導電性物質が充満した場合、これらの導電部
を覆う樹脂膜９のうち電位の異なる電極３、ワイ
ヤ４、端子８の部分に同時に２つ以上のピンホー
ルが発生しなければリーク電流は流れない。しか
るに樹脂膜９に１ケのピンホールが発生する確率
をＰとすると、２つのピンホールが発生する確率
はP2で表わされ、その発生する確率は非常に小
さくなり、従来装置に比べ汚染に対して信頼性の
高い検出装置となる。
なお上記実施例ではＰ型歪計素子２が設けられ
たＮ形半導体層１ａの裏面全面がＰ形半導体基板
１０に接したものを示したが、第３図のようにＮ
型半導体薄板１ｂで構成し、その裏面が絶縁膜５
で覆われている構造としてもよい。
たＮ形半導体層１ａの裏面全面がＰ形半導体基板
１０に接したものを示したが、第３図のようにＮ
型半導体薄板１ｂで構成し、その裏面が絶縁膜５
で覆われている構造としてもよい。
又上記実施例は、何れもＰ形半導体基板１０を
用いた場合を示したが、Ｎ形半導体基板を用いて
もよく、この場合は各半導体層のPNを反転すれ
ば同様の効果が得られる。
用いた場合を示したが、Ｎ形半導体基板を用いて
もよく、この場合は各半導体層のPNを反転すれ
ば同様の効果が得られる。
この発明は、ダイヤフラムを形成する半導体層
の面上に形成された歪計素子を備えたものにおい
て、上記半導体層を導電型の異なる半導体基板上
に形成するとともに、上記歪計素子が形成されて
いる面域をとり囲み上記半導体基板に達する当該
基板と同じ同電型の環状の拡散層と、上記歪計素
子の電極、ワイヤおよび端子を覆う電気泳動法に
より形成される絶縁樹脂皮膜とを設け、歪計素子
２の形成された半導体層を電気的に完全に分離す
るとともに電極３、ワイヤー４、端子５を樹脂膜
で被う構成としたので、汚染に対する信頼性の高
い半導体圧力検出装置が得られる効果がある。
の面上に形成された歪計素子を備えたものにおい
て、上記半導体層を導電型の異なる半導体基板上
に形成するとともに、上記歪計素子が形成されて
いる面域をとり囲み上記半導体基板に達する当該
基板と同じ同電型の環状の拡散層と、上記歪計素
子の電極、ワイヤおよび端子を覆う電気泳動法に
より形成される絶縁樹脂皮膜とを設け、歪計素子
２の形成された半導体層を電気的に完全に分離す
るとともに電極３、ワイヤー４、端子５を樹脂膜
で被う構成としたので、汚染に対する信頼性の高
い半導体圧力検出装置が得られる効果がある。
第１図は従来の半導体圧力検出装置を示す断面
側面図、第２図はこの発明の一実施例の断面側面
図、第３図はこの発明の他の実施例の断面側面図
である。 図において、１はＮ形半導体基板、１ａはＮ形
半導体層、１ｂはＮ形半導体薄板、２は歪計素
子、３は電極、４はワイヤ、５は絶縁膜、７は支
持台、８は端子、９は樹脂膜、１０はＰ形半導体
基板、１１はＰ形半導体拡散層である。なお、図
中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を示
す。
側面図、第２図はこの発明の一実施例の断面側面
図、第３図はこの発明の他の実施例の断面側面図
である。 図において、１はＮ形半導体基板、１ａはＮ形
半導体層、１ｂはＮ形半導体薄板、２は歪計素
子、３は電極、４はワイヤ、５は絶縁膜、７は支
持台、８は端子、９は樹脂膜、１０はＰ形半導体
基板、１１はＰ形半導体拡散層である。なお、図
中同一符号はそれぞれ同一、又は相当部分を示
す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイヤフラムを形成する半導体層の面上に形
成された歪計素子を備えた半導体圧力検出装置に
おいて、 その上面に上記半導体層が形成され、該半導体
層と導電型の異なる半導体基板と、 上記歪計素子が形成されている面域をとり囲み
かつ上記半導体基板に達する該基板と同じ導電型
の環状の拡散層と、 上記歪計素子の電極、ワイヤ、および端子を覆
う電気泳動法により形成された絶縁樹脂皮膜とを
備えたことを特徴とする半導体圧力検出装置。 ２ 上記半導体基板の上記ダイヤフラムを形成す
る部分はエツチングにより除去されており、該部
分の上記半導体層は絶縁膜により覆われているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
体圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177415A JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56177415A JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5878470A JPS5878470A (ja) | 1983-05-12 |
| JPH0158672B2 true JPH0158672B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=16030519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56177415A Granted JPS5878470A (ja) | 1981-11-04 | 1981-11-04 | 半導体圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5878470A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6261374A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-18 | Nec Corp | シリコンダイアフラムの形成方法 |
| JPS6381867A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Yokogawa Electric Corp | 半導体拡散ストレンゲ−ジ |
| JPH02116174A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Nec Corp | 半導体圧力センサ |
| JP3624597B2 (ja) * | 1996-12-10 | 2005-03-02 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3367458B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2003-01-14 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5938744B2 (ja) * | 1976-09-29 | 1984-09-19 | 株式会社デンソー | 圧力−電気変換装置およびその製造方法 |
| JPS5696875A (en) * | 1979-12-29 | 1981-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensing device and manufacture thereof |
-
1981
- 1981-11-04 JP JP56177415A patent/JPS5878470A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5878470A (ja) | 1983-05-12 |
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