JPH0159113B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はサーマルヘツドを製造する際に用いる
マスクパターンに関する。

サーマルヘツドは、一例として第１図に発熱抵
抗体部の一部分の平面図を示すように、例えばミ
アンダ形状で互いに平行に、長手方向（図では縦
方向）に配列された多数の発熱抵抗体１を備えて
いる。各発熱抵抗体１は、一端が共通電極２に接
続され、他端がそれぞれ対応する電極３に接続さ
れている。この発熱抵抗体１の配列に沿つて感熱
記録紙を接触させ、所定の発熱抵抗体１に共通電
極２と電極３間で通電すると感熱記録紙のその位
置が黒化する。次に、感熱記録紙を発熱抵抗体１
の配列方向（長手方向）と垂直方向に移動させ、
同様に所定の発熱抵抗体１に通電する。この操作
を繰返すことにより、感熱記録紙上に文字、図形
などの情報を記録することができる。

発熱抵抗体１の数は分解能と記録幅とに依存す
るが、例えば８ドツト／mmの記録密度でA4判
（216mm）の記録幅を有するサーマルヘツドの場合
には1728個の同一パターンの発熱抵抗体が配列さ
れることになる。

第２図は第１図のAA′線断面図で、セラミツク
基板４上に発熱抵抗体１が形成され、その上に電
極３及び共通電極２が形成されて発熱抵抗体１と
接続し、これらの上には発熱抵抗体１の耐酸化保
護層として二酸化珪素（SiO₂）層５が被覆され、
更にその上に耐磨耗層として五酸化タンタル層６
が被覆されている。

発熱抵抗体１、共通電極２、及び電極３のパタ
ーン形成は、よく知られた微細加工技術を用いて
行なうことができる。例えば、セラミツク基板４
上に発熱抵抗体層と導電体層との積層体を有する
試料表面にホトレジストを塗布し、電極パターン
用マスクを重ねて露光と現像を行なつてホトレジ
ストパターンを形成した後、このホトレジストパ
ターンをマスクとして導電体層をエツチングして
共通電極２及び電極３のパターンを形成する。次
にその上に再びホトレジストを塗布し、今度は発
熱抵抗体パターン用マスクを重ねて同様に露光、
現像及びエツチングを行なつて発熱抵抗体１のパ
ターンを形成する。

このパターン形成プロセスにおいて、発熱抵抗
体パターン用マスクは、先に形成された共通電極
パターン２及び電極パターン３の上に正しく位置
合せして重ねなければならない。そこで、従来、
位置合せのためのパターンを別途各マスクに設け
ることが行なわれている。

従来の方法を、第１図に示したパターンを形成
するためのマスクについて示すと、その発熱抵抗
体パターン用マスクは、第３図に示すように発熱
抵抗体用のパターン７の他に斜線で示した十字形
の位置合せ用パターン８を備える。また、電極パ
ターン用マスクは、第４図に示すように、共通電
極用のパターン９及び電極用のパターン１０の他
に斜線で示した四角形の位置合せ用パターン１１
を、第３図の発熱抵抗体パターン用マスクの位置
合せ用パターン８と対応する位置に備える。これ
らのマスクを用いてサーマルヘツドのパターンを
形成するには、第５図に示すように、第４図の電
極パターン用マスクにより形成された導電体層か
らなる四角形の位置合せ用パターン１１′に位置
合せ用パターン８が合致するように第３図の発熱
抵抗体パターン用マスクを重ねる。

しかしながら、第３図のような発熱抵抗体用の
多くの繰返しパターン７を有するマスクに、その
繰返し単位のパターンとは別異の形状の位置合せ
用パターン８を設けることにより以下の問題が発
生する。すなわち、発熱抵抗体用の繰返しパター
ン７部分はホトリピータにより同一パターンを繰
返し露光することにより作画するのが一般である
が、位置合せ用パターン８の部分ではホトリピー
タを使用することができない。その結果、パター
ンの作画精度が低下し、したがつてマスクの精度
が低下する。マスクの誤差は、長さが200mmにも
及ぶサーマルヘツドの歩留りに特に重大な影響を
及ぼすので、高度のマスク精度が要求される。ま
た、ホトリピータが完全に利用できないことによ
り、作画時間が長くかかり、マスクの価格を上昇
させる要因ともなる。

本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、同
一の繰返しパターンを多数有するマスクにおい
て、位置合せ精度が高く、かつ作画精度の高いマ
スクを安価に製造することのできるマスクパター
ンを提供することを目的とするものであつて、繰
返しパターンを余分に形成し、そのパターンを位
置合せ用パターンに利用することにより上記目的
を達成せんとするものである。

以下、一実施例により本発明を詳細に説明す
る。

第６図は、一実施例における発熱抵抗体パター
ン用マスクを中央部を省略して両端部を示したも
のである。内側のパターン７の両端に各２個のパ
ターン１２を介してパターン１３が配置されてい
る。これらのパターン７，１２，１３は全て同一
パターンで、かつ等間隔に配列されている。パタ
ーン７は発熱抵抗体パターンを形成するためのパ
ターン、斜線で示したパターン１３はマスクの位
置合せ用パターン、パターン１２はパターン７と
パターン１３の間隔を調整するためのダミーパタ
ーンである。

第７図は、一実施例における電極パターン用マ
スクを中央部を省略して両端部を示したものであ
る。斜線で示した位置合せ用パターン１４は、電
極パターン用マスクと発熱抵抗体パターン用マス
クとを重ねたとき、パターン１３に正確に重なり
合うような大きさと位置に設計されている。

これらのマスクを用いてサーマルヘツドのパタ
ーンを形成するプロセスは、従来例として第５図
で記述したところと全く同様である。すなわち、
第８図に示すように、第７図の電極パターン用マ
スクを用いてホトリソグラフイー技術により形成
された、図に破線で示される導電体層からなるパ
ターンの上に、ポジ型ホトレジストを塗布した
後、第６図の発熱抵抗体パターン用マスクを重ね
る。この際、導電体層からなる長方形の位置合せ
パターン１４′に、位置合せパターン１３の矩形
部分が正確に重なり合うように位置合せを行な
う。その後、電極パターンを形成したのと同じホ
トリソグラフイー技術により発熱抵抗体パターン
を形成すれば、第１図に示したサーマルヘツドが
得られる。

本実施例において、発熱抵抗体パターンとして
ミアンダ形状のものを例示したが、他の形状の発
熱抵抗体パターンであつても、それが繰返して設
けられる構造である以上、本実施例と全く同様に
扱いうることは明らかである。また、本実施例の
発熱抵抗体パターン用マスクで、両端にそれぞれ
２個のダミーパターンを設けたが、その数は適宜
定めることができ、あるいは設けなくてもよい。

更に、本実施例はポジ型ホトレジストを使用す
るマスクについて示したが、ネガ型ホトレジスト
を使用するマスクについても、パターンが反転す
る点を除いて全く同様に適用することができる。

以上詳述した如く、本発明は多数の繰返しパタ
ーンを有するマスク、特にサーマルヘツド用の発
熱抵抗体パターン用マスクにおいて、マスクの位
置合せ用パターンとして繰返し単位のパターンを
利用するように構成したので、位置合せ用パター
ンもホトリピータにより発熱抵抗体パターンと同
時に形成することを可能にし、したがつて作画精
度が高く、かつ作画時間の短かいマスク、延いて
は高精度で安価なマスクを提供することを可能に
した。

【図面の簡単な説明】

第１図はサーマルヘツドの一例の発熱抵抗体部
を示す部分平面図、第２図は第１図のAA′線断面
図、第３図は従来の位置合せ用パターンを有する
発熱抵抗体パターン用マスクを示す平面図、第４
図は同じく従来の位置合せ用パターンを有する電
極パターン用マスクを示す平面図、第５図は第３
図に示した発熱抵抗体パターン用マスクの位置合
せ状態を示す平面図、第６図は本発明の一実施例
の位置合せ用パターンを有する発熱抵抗体パター
ン用マスクを示す平面図、第７図は第６図に示さ
れた位置合せ用パターンに対応する位置合せ用パ
ターンを有する電極パターン用マスクを示す平面
図、第８図は第６図に示した発熱抵抗体パターン
用マスクの位置合せ状態を示す平面図である。 １……発熱抵抗体、２……共通電極、３……電
極、４……セラミツク基板、５……二酸化珪素
層、６……五酸化タンタル層、７……発熱抵抗体
用パターン、８，１１，１３，１４……位置合せ
用パターン、９……共通電極用パターン、１０…
…電極用パターン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 複数回のホトリソグラフイーによりサーマル
   ヘツドのパターンを形成するための発熱抵抗体パ
   ターン用マスクにおいて、多数の同一形状パター
   ンを繰返して有すると共に、位置合せ用パターン
   と調整用ダミーパターンを上記繰返しパターンに
   並べて別設し、かつ繰返しパターンの１つと同一
   形状を有するパターンを用いるようにしたことを
   特徴とするサーマルヘツドの発熱抵抗体パターン
   用マスク。