JPH0160937B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0160937B2 JPH0160937B2 JP56178374A JP17837481A JPH0160937B2 JP H0160937 B2 JPH0160937 B2 JP H0160937B2 JP 56178374 A JP56178374 A JP 56178374A JP 17837481 A JP17837481 A JP 17837481A JP H0160937 B2 JPH0160937 B2 JP H0160937B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- developer
- nozzle
- developing
- vacuum chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は、露光完了後の半導体ウエハを現像す
るデイベロツパーに関するものである。
るデイベロツパーに関するものである。
(2) 従来技術
露光完了後の半導体ウエハを現像するデイベロ
ツパーには、スプレー方式、シヤワー方式又はデ
イツプ方式がある。このうち、ポジタイプのレジ
ストを現像するのに使用されるデイベロツパー
は、第１図に示す如く、現像チヤンバー１内下方
に半導体ウエハ２を回転可能に支持する真空チヤ
ツク３を設け、現像チヤンバー１内上方に現像ノ
ズル４およびリンスノズル５を臨ませた構造を有
し、半導体ウエハ２に低速回転を与えながら、半
導体ウエハ２上に現像ノズル４から現像液を噴射
し、次いでリンスノズル５からリンス液を噴射し
て半導体ウエハ２上の現像液を除去し、次いで半
導体ウエハ２に高速回転を与え該半導体ウエハ２
を乾燥させるよう機能する。
ツパーには、スプレー方式、シヤワー方式又はデ
イツプ方式がある。このうち、ポジタイプのレジ
ストを現像するのに使用されるデイベロツパー
は、第１図に示す如く、現像チヤンバー１内下方
に半導体ウエハ２を回転可能に支持する真空チヤ
ツク３を設け、現像チヤンバー１内上方に現像ノ
ズル４およびリンスノズル５を臨ませた構造を有
し、半導体ウエハ２に低速回転を与えながら、半
導体ウエハ２上に現像ノズル４から現像液を噴射
し、次いでリンスノズル５からリンス液を噴射し
て半導体ウエハ２上の現像液を除去し、次いで半
導体ウエハ２に高速回転を与え該半導体ウエハ２
を乾燥させるよう機能する。
(3) 従来技術の問題点
然るに、このような装置では、現像液又はリン
ス液の粘度が低いため、リンス終了後ノズルに液
が溜り、それが半導体ウエハの乾燥時に該半導体
ウエハ上に滴下するなど所謂ボタ落ち現象が生
じ、完全な乾燥がなされないまま次工程に送られ
たり、又はその乾燥時間を長めにとらねばならな
いという難点があつた。
ス液の粘度が低いため、リンス終了後ノズルに液
が溜り、それが半導体ウエハの乾燥時に該半導体
ウエハ上に滴下するなど所謂ボタ落ち現象が生
じ、完全な乾燥がなされないまま次工程に送られ
たり、又はその乾燥時間を長めにとらねばならな
いという難点があつた。
(4) 発明の目的
本発明の目的は上記難点を解消することを目的
とする。
とする。
(5) 発明の構成（要約）
本発明のデイベロツパーは、現像チヤンバー内
に真空チヤツク、現像ノズルおよびリンスノズル
を備え、さらに、現像ノズルおよびリンスノズル
の各開口部から上記真空チヤツクに保持された半
導体ウエハの外方に向つて延在する垂板とを備え
る。
に真空チヤツク、現像ノズルおよびリンスノズル
を備え、さらに、現像ノズルおよびリンスノズル
の各開口部から上記真空チヤツクに保持された半
導体ウエハの外方に向つて延在する垂板とを備え
る。
(6) 発明の実施例（構成、作用、効果）
第２図において、真空チヤツク６は軸７内に貫
通した通気孔（図示せず）を介して真空ポンプ
（図示せず）に連通し、真空チヤツクの上面開口
部（図示せず）でウエハ８を吸引支持させてい
る。モータ９は軸７を介して真空チヤツク６を回
転させるもので、現像チヤンバー１０内から外部
に突出させた軸７の先端に連結させている。現像
ノズル１１およびリンスノズル１２は、その先端
をそれぞれチヤンバー１０内に臨ませ、その噴射
方向を真空チヤツク６の中心に向け、かつ噴射範
囲を真空チヤツク６上に支持させたウエハ８の全
上面を覆うようにそれぞれ調整してあり、さらに
それらノズル１１，１２をそれぞれ吐出ポンプ
（図示せず）に接続している。垂板１３，１４は、
ノズル１１，１２の開口１１ａ，１２ａの近傍か
らウエハ８の外方に向つて延びており、ノズル１
１，１２の下方に溜る液を誘導して外筒内に落と
すようになつている。
通した通気孔（図示せず）を介して真空ポンプ
（図示せず）に連通し、真空チヤツクの上面開口
部（図示せず）でウエハ８を吸引支持させてい
る。モータ９は軸７を介して真空チヤツク６を回
転させるもので、現像チヤンバー１０内から外部
に突出させた軸７の先端に連結させている。現像
ノズル１１およびリンスノズル１２は、その先端
をそれぞれチヤンバー１０内に臨ませ、その噴射
方向を真空チヤツク６の中心に向け、かつ噴射範
囲を真空チヤツク６上に支持させたウエハ８の全
上面を覆うようにそれぞれ調整してあり、さらに
それらノズル１１，１２をそれぞれ吐出ポンプ
（図示せず）に接続している。垂板１３，１４は、
ノズル１１，１２の開口１１ａ，１２ａの近傍か
らウエハ８の外方に向つて延びており、ノズル１
１，１２の下方に溜る液を誘導して外筒内に落と
すようになつている。
続いて、このデイベロツパーの作用について説
明する。
明する。
まず、ウエハ８をチヤンバー１０内の真空チヤ
ツク６上に載置し、続いて真空ポンプ（図示せ
ず）を作動させウエハ８を真空チヤツク６の上面
に吸着させる。次いで、モータ９を低速で始動さ
せ、軸７を介して真空チヤツク６を回転させる。
次いで、現像ノズル１１から現像液を噴射させ
る。すると現像液は、真空チヤツク６に伴つて回
転しているウエハ８上に均一に噴射され、ウエハ
８の現像が行われる。所定時間経過後、現像液の
噴射を止める。次いでリンスノズル１２からリン
ス液をウエハ８に噴射させ、ウエハ８の上面に付
着された現像液を除去する。ウエハ８の上面に付
着された現像液が除去されたならば、リンスノズ
ル１２のバルブ（図示せず）を閉止する。次い
で、モータを高速で回転させ、真空チヤツク６に
伴つて回転しているウエハ８を乾燥させる。
ツク６上に載置し、続いて真空ポンプ（図示せ
ず）を作動させウエハ８を真空チヤツク６の上面
に吸着させる。次いで、モータ９を低速で始動さ
せ、軸７を介して真空チヤツク６を回転させる。
次いで、現像ノズル１１から現像液を噴射させ
る。すると現像液は、真空チヤツク６に伴つて回
転しているウエハ８上に均一に噴射され、ウエハ
８の現像が行われる。所定時間経過後、現像液の
噴射を止める。次いでリンスノズル１２からリン
ス液をウエハ８に噴射させ、ウエハ８の上面に付
着された現像液を除去する。ウエハ８の上面に付
着された現像液が除去されたならば、リンスノズ
ル１２のバルブ（図示せず）を閉止する。次い
で、モータを高速で回転させ、真空チヤツク６に
伴つて回転しているウエハ８を乾燥させる。
この場合においては、リンス終了後ノズル１
１，１２に溜まる液は垂板１３，１４に誘導され
外筒内に落とされる。したがつて乾燥中にウエハ
８の上に液が滴下しない。
１，１２に溜まる液は垂板１３，１４に誘導され
外筒内に落とされる。したがつて乾燥中にウエハ
８の上に液が滴下しない。
(7) 発明の変形例
上記実施例のデイベロツパーでは、垂板１３，
１４をそれぞれノズル１１，１２の下方に固着せ
しめているが、該垂板１３，１４をノズル１１，
１２から離隔せしめて、上記垂板１３，１４の反
対面で液を外筒内に誘導せしめるようにしてもよ
い。また、その垂板１３，１４の形状は、液を外
筒内に落とせるようなものであるなら如何なる形
状であつてもよい。
１４をそれぞれノズル１１，１２の下方に固着せ
しめているが、該垂板１３，１４をノズル１１，
１２から離隔せしめて、上記垂板１３，１４の反
対面で液を外筒内に誘導せしめるようにしてもよ
い。また、その垂板１３，１４の形状は、液を外
筒内に落とせるようなものであるなら如何なる形
状であつてもよい。
(8) 発明の効果
以上の実施例からも明らかなように本発明によ
れば、垂板を設けているので、ウエハの乾燥中に
該ウエハの上に液が滴下せず十分に乾燥させた状
態で次工程にウエハを送れる。またその乾燥時間
の短縮化も図れるという利点がある。
れば、垂板を設けているので、ウエハの乾燥中に
該ウエハの上に液が滴下せず十分に乾燥させた状
態で次工程にウエハを送れる。またその乾燥時間
の短縮化も図れるという利点がある。
第１図は、従来のデイベロツパーの説明図、第
２図は本発明に係るデイベロツパーの説明図であ
る。 １，１０……現像チヤンバー、２，８……半導
体ウエハ、３，６……真空チヤツク、４，１１…
…現像ノズル、５，１２……リンスノズル、１
３，１４……垂板。
２図は本発明に係るデイベロツパーの説明図であ
る。 １，１０……現像チヤンバー、２，８……半導
体ウエハ、３，６……真空チヤツク、４，１１…
…現像ノズル、５，１２……リンスノズル、１
３，１４……垂板。
Claims (1)
- １ 現像チヤンバー内下方に半導体ウエハを回転
可能に支持する真空チヤツクを設け、現像チヤン
バー内上方に現像ノズルおよびリンスノズルを臨
ませたデイベロツパーにおいて、現像ノズルおよ
びリンスノズルの各開口部から上記真空チヤツク
に保持された半導体ウエハの外方に向つて延在す
る垂板を設けたことを特徴とするデイベロツパ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178374A JPS5880838A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | デイベロツパ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56178374A JPS5880838A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | デイベロツパ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5880838A JPS5880838A (ja) | 1983-05-16 |
| JPH0160937B2 true JPH0160937B2 (ja) | 1989-12-26 |
Family
ID=16047369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56178374A Granted JPS5880838A (ja) | 1981-11-09 | 1981-11-09 | デイベロツパ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5880838A (ja) |
-
1981
- 1981-11-09 JP JP56178374A patent/JPS5880838A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5880838A (ja) | 1983-05-16 |
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