JPH0165134U - - Google Patents
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- JPH0165134U JPH0165134U JP1987114582U JP11458287U JPH0165134U JP H0165134 U JPH0165134 U JP H0165134U JP 1987114582 U JP1987114582 U JP 1987114582U JP 11458287 U JP11458287 U JP 11458287U JP H0165134 U JPH0165134 U JP H0165134U
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- Japan
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- conductor layer
- insulator
- semiconductor device
- thin
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
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- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/547—Dispositions of multiple bond wires
- H10W72/5473—Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
第1図は本考案による絶縁物封止型半導体装置
の第一の実施例を示す斜視図、第2図は第二の実
施例を示す斜視図、第2A図は本考案に使用する
中継部材の他の実施例を示す断面図、第3図は第
二の実施例を応用した樹脂封止型複合ICを示す
平面図、第4図は従来例を示す斜視図、第5図は
ネイルヘツドボンデイング法によるリード細線の
接続方法を示す工程図であり、第5図Aはリード
細線の先端部にボールを形成する状態、第5図B
は第一の電極体に第一のボンデイング部を形成す
る状態、第5図Cはキヤピラリを移動する状態、
第5図Dは第二の電極体に第二のボンデイング部
を形成する状態、第5図Eはリード細線を切断す
る状態を示す。 1……支持電極体、2,3……配線電極体、4
……モノリシツクICチツプ、6……第一のリー
ド細線、7……第二のリード細線、8……中継部
材、8a……絶縁層、8b……第一の導体層、8
c……第二の導体層、9……パワートランジスタ
チツプ。
の第一の実施例を示す斜視図、第2図は第二の実
施例を示す斜視図、第2A図は本考案に使用する
中継部材の他の実施例を示す断面図、第3図は第
二の実施例を応用した樹脂封止型複合ICを示す
平面図、第4図は従来例を示す斜視図、第5図は
ネイルヘツドボンデイング法によるリード細線の
接続方法を示す工程図であり、第5図Aはリード
細線の先端部にボールを形成する状態、第5図B
は第一の電極体に第一のボンデイング部を形成す
る状態、第5図Cはキヤピラリを移動する状態、
第5図Dは第二の電極体に第二のボンデイング部
を形成する状態、第5図Eはリード細線を切断す
る状態を示す。 1……支持電極体、2,3……配線電極体、4
……モノリシツクICチツプ、6……第一のリー
ド細線、7……第二のリード細線、8……中継部
材、8a……絶縁層、8b……第一の導体層、8
c……第二の導体層、9……パワートランジスタ
チツプ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 第一の電極体と第二の電極体がリード細線
を介して電気的に接続された構造を有する絶縁物
封止型半導体装置において、前記リード細線は少
なくとも第一のリード細線と第二のリード細線を
有し、前記第一のリード細線は前記第一の電極体
に接続された一端とリードフレーム上に載置され
た中継部材の主面に形成された導体層に接続され
た他端とを有し、前記第二のリード細線は前記第
二の電極体に接続された一端と前記中継部材の導
体層に接続された他端とを有し、前記導体層は前
記リードフレームと電気的に絶縁されていること
を特徴とする絶縁物封止型半導体装置。 (2) 前記第一の電極体と第二の電極体は半導体
チツプの電極である実用新案登録請求の範囲第(1
)項記載の絶縁物封止型半導体装置。 (3) 前記中継部材は、前記リードフレーム上に
半導体チツプを固着する工程と同一の工程により
前記リードフレーム上に固着されたものである実
用新案登録請求の範囲第(1)項記載の絶縁物封止
型半導体装置。 (4) 前記中継部材は、樹脂片から成る絶縁層と
、該絶縁層の一方の主面に形成された金属薄層か
ら成る前記導体層と、前記絶縁層の他方の主面に
形成された金属薄層から成る導体層とを有し、前
記他方の主面に形成された導体層と前記リードフ
レームとが半田にて固着されたものである実用新
案登録請求の範囲第(1)項記載の絶縁物封止型半
導体装置。 (5) 前記中継部材は、シリコン片と、該シリコ
ン片の一方の主面に形成された酸化膜から成る絶
縁層と、該絶縁層の表面に形成された金属薄層か
ら成る前記導体層と、前記シリコン片の他方の主
面に形成された金属薄層から成る導体層とを有し
、前記シリコン片の他方の主面に形成された導体
層と前記リードフレームとが半田にて固着された
ものである実用新案登録請求の範囲第(1)項記載
の絶縁物封止型半導体装置。 (6) 前記中継部材は金属片であり、前記導体層
は前記金属片の一方の主面の表面層であり、前記
金属片の他方の主面は絶縁性の樹脂により前記リ
ードフレーム上に固着されている実用新案登録請
求の範囲第(1)項記載の絶縁物封止型半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987114582U JPH0525237Y2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-07-28 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8664387 | 1987-06-05 | ||
| JP1987114582U JPH0525237Y2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-07-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0165134U true JPH0165134U (ja) | 1989-04-26 |
| JPH0525237Y2 JPH0525237Y2 (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=31718608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987114582U Expired - Lifetime JPH0525237Y2 (ja) | 1987-06-05 | 1987-07-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0525237Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-07-28 JP JP1987114582U patent/JPH0525237Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525237Y2 (ja) | 1993-06-25 |