JPH0176035U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0176035U JPH0176035U JP1987171740U JP17174087U JPH0176035U JP H0176035 U JPH0176035 U JP H0176035U JP 1987171740 U JP1987171740 U JP 1987171740U JP 17174087 U JP17174087 U JP 17174087U JP H0176035 U JPH0176035 U JP H0176035U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- glow discharge
- cleaning
- ratio
- discharge decomposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は実施例に用いられるグロー放電分解装
置の概略図、第２図はＣＦ４ガス及びＳＦ６ガス
の混合比率とガスエツチング所要時間の関係を表
わす線図である。 １：反応室、４：グロー放電用電極板、６：ガ
ス導入口、７：ガス排出口、９：ガス排気用配管
、１０：ブースターポンプ、１１：ロータリーポ
ンプ。
置の概略図、第２図はＣＦ４ガス及びＳＦ６ガス
の混合比率とガスエツチング所要時間の関係を表
わす線図である。 １：反応室、４：グロー放電用電極板、６：ガ
ス導入口、７：ガス排出口、９：ガス排気用配管
、１０：ブースターポンプ、１１：ロータリーポ
ンプ。
Claims (1)
- アモルフアス半導体生成用ガスが導入される反
応室の内部に生成する固体状汚染物質をガス化で
きるグロー放電分解装置洗浄用エツチングガスに
おいて、前記ガスがＣＦ４ガス及びＳＦ６ガスか
ら成り、そのガス比率が１：３乃至３：１の範囲
内にあることを特徴とするグロー放電分解装置洗
浄用エツチングガス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171740U JPH0176035U (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171740U JPH0176035U (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0176035U true JPH0176035U (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=31463753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987171740U Pending JPH0176035U (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0176035U (ja) |
-
1987
- 1987-11-10 JP JP1987171740U patent/JPH0176035U/ja active Pending
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