JPH0179826U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0179826U JPH0179826U JP1987174691U JP17469187U JPH0179826U JP H0179826 U JPH0179826 U JP H0179826U JP 1987174691 U JP1987174691 U JP 1987174691U JP 17469187 U JP17469187 U JP 17469187U JP H0179826 U JPH0179826 U JP H0179826U
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- JP
- Japan
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- group gas
- reactor
- tank
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- Pending
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- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
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Description
第１図は本考案の実施例を示す模式図、第２図
は本実施例の水素ガス除去手段を説明するための
断面図、第３図は−族化合物半導体のＭＯＣ
ＶＤ成長に用いられる代表的なガスの沸点を示す
模式図、第４図は従来例を示す模式図である。 １……反応炉、４２……族ガストラツプ、４
３……水素ガス除去手段、４５……タンク。
は本実施例の水素ガス除去手段を説明するための
断面図、第３図は−族化合物半導体のＭＯＣ
ＶＤ成長に用いられる代表的なガスの沸点を示す
模式図、第４図は従来例を示す模式図である。 １……反応炉、４２……族ガストラツプ、４
３……水素ガス除去手段、４５……タンク。
Claims (1)
- 反応炉の排気側に族ガストラツプ、水素を除
去するための手段、族ガスを収納するタンクを
その順序で接続したことを特徴とする有機金属気
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987174691U JPH0179826U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987174691U JPH0179826U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0179826U true JPH0179826U (ja) | 1989-05-29 |
Family
ID=31466532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987174691U Pending JPH0179826U (ja) | 1987-11-16 | 1987-11-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0179826U (ja) |
-
1987
- 1987-11-16 JP JP1987174691U patent/JPH0179826U/ja active Pending