JPH0282027U - - Google Patents
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- JPH0282027U JPH0282027U JP16141388U JP16141388U JPH0282027U JP H0282027 U JPH0282027 U JP H0282027U JP 16141388 U JP16141388 U JP 16141388U JP 16141388 U JP16141388 U JP 16141388U JP H0282027 U JPH0282027 U JP H0282027U
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- Japan
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- gas introduction
- group
- reaction
- tube
- epitaxial growth
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- Pending
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
第１図は本考案の一実施例の反応装置の縦断面
図、第２図は第１図の装置における温度分布図、
第３図は従来装置の縦断面図である。 １……反応管、２……半導体基板、３……基板
ホルダ、４……族メタル、５……Ｖ族ガス導入
管、６……族メタル輸送用ガス導入管、７……
雰囲気ガス導入管、１１……反応管、１２……基
板、１３……基板ホルダ、１４……族メタル、
１５……雰囲気ガス＋族ガス導入管、１６……
Ｖ族ガス導入管。
図、第２図は第１図の装置における温度分布図、
第３図は従来装置の縦断面図である。 １……反応管、２……半導体基板、３……基板
ホルダ、４……族メタル、５……Ｖ族ガス導入
管、６……族メタル輸送用ガス導入管、７……
雰囲気ガス導入管、１１……反応管、１２……基
板、１３……基板ホルダ、１４……族メタル、
１５……雰囲気ガス＋族ガス導入管、１６……
Ｖ族ガス導入管。
Claims (1)
- −族のハイドライドエピタキシヤル成長に
使用される反応装置において、内部に基板と族
メタルを載置した反応管に、Ｖ族ガス導入管、
族メタル輸送用ガス導入管、及び雰囲気ガス導入
管を夫々独立して設けたことを特徴とするエピタ
キヤル成長用反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16141388U JPH0282027U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16141388U JPH0282027U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282027U true JPH0282027U (ja) | 1990-06-25 |
Family
ID=31444325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16141388U Pending JPH0282027U (ja) | 1988-12-13 | 1988-12-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282027U (ja) |
-
1988
- 1988-12-13 JP JP16141388U patent/JPH0282027U/ja active Pending