JPH0183063U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0183063U JPH0183063U JP1987175515U JP17551587U JPH0183063U JP H0183063 U JPH0183063 U JP H0183063U JP 1987175515 U JP1987175515 U JP 1987175515U JP 17551587 U JP17551587 U JP 17551587U JP H0183063 U JPH0183063 U JP H0183063U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum chamber
- evaporation material
- evaporation
- disposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第1図は実施例に係わるイオンプレーテイング
装置の概略説明図である。第2図は誘導電極に印
加される正電圧と二酸化チタン膜の屈折率との関
係を示すグラフである。第3図は従来のイオンプ
レーテイング装置の概略説明図である。 1……真空槽、2……蒸発源、3……蒸発手段
、4……放電手段、5……基板、6……直流バイ
アス印加用部材、10……正極用誘導電極、12
……ガス注入用ノズル。
装置の概略説明図である。第2図は誘導電極に印
加される正電圧と二酸化チタン膜の屈折率との関
係を示すグラフである。第3図は従来のイオンプ
レーテイング装置の概略説明図である。 1……真空槽、2……蒸発源、3……蒸発手段
、4……放電手段、5……基板、6……直流バイ
アス印加用部材、10……正極用誘導電極、12
……ガス注入用ノズル。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空槽と、該真空槽内に配置された蒸発源
と、該蒸発源に配置された蒸発材料を蒸発させる
ための蒸発手段と、蒸発され飛来される上記蒸発
材料をイオン化させるための放電手段と、イオン
化された上記蒸発材料の飛来方向に配置された基
板と、上記蒸発材料の飛来方向に対して上記基板
の背面側に配置された直流バイアス印加用部材と
、をもつイオンプレーテイング装置において、 上記真空槽の内側周面側に正極用誘導電極を設
けて、上記イオン化された蒸発材料が上記基板方
向に誘導されることを特徴とするイオンプレーテ
イング装置。 (2) 基板は基板ホルダーに保持され、上記基板
および上記基板ホルダーは他の部分と電気的に孤
立して真空槽内に保持され、バイアス印加用部材
は負電位に印加され上記真空槽内に保持される構
成である実用新案登録請求の範囲第1項記載のイ
オンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987175515U JPH0183063U (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987175515U JPH0183063U (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0183063U true JPH0183063U (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=31467306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987175515U Pending JPH0183063U (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0183063U (ja) |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP1987175515U patent/JPH0183063U/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU2933189A (en) | Procedure and apparatus for the coating of materials by means of a pulsating plasma beam | |
| JPH0183063U (ja) | ||
| JPS6414159U (ja) | ||
| JPH02106457U (ja) | ||
| JPH01160838U (ja) | ||
| JPS6373355U (ja) | ||
| JPH0322063U (ja) | ||
| JPS62110264U (ja) | ||
| JPS62157968U (ja) | ||
| JPH01142453U (ja) | ||
| JPH0242427U (ja) | ||
| JPH0444138U (ja) | ||
| JPS5647574A (en) | Plasma etching apparatus | |
| JPS6462461A (en) | Sputtering device | |
| JPS6350874U (ja) | ||
| JPH0363569U (ja) | ||
| JPH0298451U (ja) | ||
| JPS6251649U (ja) | ||
| JPS6346462U (ja) | ||
| JPS5988459U (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH0449448U (ja) | ||
| JPS577935A (en) | Method for dry etching | |
| JPS62198268U (ja) | ||
| JPS62182536U (ja) | ||
| JPS6280324U (ja) |