JPH0242427U - - Google Patents

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JPH0242427U
JPH0242427U JP12197988U JP12197988U JPH0242427U JP H0242427 U JPH0242427 U JP H0242427U JP 12197988 U JP12197988 U JP 12197988U JP 12197988 U JP12197988 U JP 12197988U JP H0242427 U JPH0242427 U JP H0242427U
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【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本考案の薄膜形成装置の1
実施例の正面図及び一部の平面図、第3図は従来
例の正面図である。 1……反応チヤンバ、2……カソード電極、3
……アノード電極、4……薄膜形成用基板、5…
…高周波電源、6……カソード側磁石、7……ア
ノード側磁石。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 反応ガスが供給される反応チヤンバと、 前記チヤンバ内に配設された平板状のカソード
    電極と、 前記チヤンバ内に前記カソード電極に平行に配
    設され、薄膜形成用基板を内面に保持した平板状
    のアノード電極と、 前記両電極に高周波電力を供給し前記両電極間
    に高周波電界を形成する高周波電源と、 前記カソード電極の外側に配設され前記カソー
    ド電極の内面近辺に前記電界にほぼ直交した磁界
    を形成するカソード側磁石と、 前記アノード電極の外側に前記カソード側磁石
    の磁極間隔より小なる磁極間隔で配設され、前記
    基板の表面近辺に前記電界にほぼ直交した磁界を
    形成するアノード側磁石と を備えた薄膜形成装置。
JP12197988U 1988-09-16 1988-09-16 薄膜形成装置 Expired - Lifetime JPH0614478Y2 (ja)

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JPH0242427U true JPH0242427U (ja) 1990-03-23
JPH0614478Y2 JPH0614478Y2 (ja) 1994-04-13

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