JPH0196086A - 化合物結晶の引上装置 - Google Patents
化合物結晶の引上装置Info
- Publication number
- JPH0196086A JPH0196086A JP25157487A JP25157487A JPH0196086A JP H0196086 A JPH0196086 A JP H0196086A JP 25157487 A JP25157487 A JP 25157487A JP 25157487 A JP25157487 A JP 25157487A JP H0196086 A JPH0196086 A JP H0196086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bell
- crucible
- pulling
- liquid sealant
- shaft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 8
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 26
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229940065285 cadmium compound Drugs 0.000 description 3
- 150000001662 cadmium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 235000009852 Cucurbita pepo Nutrition 0.000 description 1
- 241000219104 Cucurbitaceae Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホットウォール法によ）化合物結晶、列えば
ＣｄＴｅ 、 Ｃ！ｄ１ ｚＺｎｘＴＩ３ 、０ｄ１−
、ＭｎＸＴｅ ＃ＯｄＳ ８ｘＴ ｅ １−エ 等のカ
ドミウム化合物結晶を引上げる装置に関する。
ＣｄＴｅ 、 Ｃ！ｄ１ ｚＺｎｘＴＩ３ 、０ｄ１−
、ＭｎＸＴｅ ＃ＯｄＳ ８ｘＴ ｅ １−エ 等のカ
ドミウム化合物結晶を引上げる装置に関する。
従来のホットウォール法による化合物結晶の引上装置に
は、ベルとるつぼを一体化した成長チャンバ内で原料融
液から結晶を引上げるもの（特開昭５４−１２５５８５
号公報）、上下に分離可能とした成長チャンバ内のるつ
ぼから同様に結晶を引上げるもの（特開昭６０−２５５
６９２号公報）などがあり、引上軸が成長チャンバを貫
通する部分や上下成長チャンバの接続部にシール部を有
している。これらのシール部にはＥ、 ｏｌ 等の液
体シール剤が用いられるが、引上軸に清って流下したシ
、蒸気となって拡散して原料融液中にシール剤が混入し
て、引上結晶の不純物となる。
は、ベルとるつぼを一体化した成長チャンバ内で原料融
液から結晶を引上げるもの（特開昭５４−１２５５８５
号公報）、上下に分離可能とした成長チャンバ内のるつ
ぼから同様に結晶を引上げるもの（特開昭６０−２５５
６９２号公報）などがあり、引上軸が成長チャンバを貫
通する部分や上下成長チャンバの接続部にシール部を有
している。これらのシール部にはＥ、 ｏｌ 等の液
体シール剤が用いられるが、引上軸に清って流下したシ
、蒸気となって拡散して原料融液中にシール剤が混入し
て、引上結晶の不純物となる。
特に、カドミウム化合物を上記のような装置で引上げる
ときに、シール剤であるＥｔａｓ が原料融液に混入
すると次式の反応によｐＢが融液中に取込まれ、カドミ
ウム化合物結晶の不純物となって、結晶の特性を阻害す
る。
ときに、シール剤であるＥｔａｓ が原料融液に混入
すると次式の反応によｐＢが融液中に取込まれ、カドミ
ウム化合物結晶の不純物となって、結晶の特性を阻害す
る。
Ｂ、Ｏ，＋ ｓｅａ （Ｐｉｔ液中） ’Ｆ” ５ （
！ｄｏ （固体）＋２Ｅ（融液中）〔発明が解決しよう
とする問題点〕 本発明は、上記の問題点を解消し、シール剤が原料融液
中に混入することを防止する手段を付設して高純度の化
合物結晶をホントウオール法で容易に製造可能とした引
上装置を提供しようとするものである。
！ｄｏ （固体）＋２Ｅ（融液中）〔発明が解決しよう
とする問題点〕 本発明は、上記の問題点を解消し、シール剤が原料融液
中に混入することを防止する手段を付設して高純度の化
合物結晶をホントウオール法で容易に製造可能とした引
上装置を提供しようとするものである。
第１図は本発明の一具体例であって、高圧容器１内に、
原料融液２ｆｔ収容するるつぼとベルとを組合せた成長
チャンバ６を置く。るつぼは石英るつは４をカーボンる
つぼ５内に収納して形成することができる。ベルは２重
構造となし、はぼ一定の間隙を設けてるつぼに固定する
ことが好ましい。カーボンるつぼ５の周囲には液体シー
ル剤６を収容する環状溝７をるつぼ５と一体的に、また
は、はめ込み式で付設することができる。外側ベル８の
下端は上記環状溝７の液体シール剤６中に浸漬して気密
を保持する。また、カーボンるつぼ５の中程外周に環状
凸部９を設けて外側ベル８の内壁とすり合わせにより一
体化し、ベルをるつぼとともにるつぼ軸１０によって回
転可能に支持することができる。このすり合わせにより
、上記環状溝７から蒸発する液体シール剤が成長チャン
バ３内に流入することを防いでいる。内側ベル１１の下
端はカーボンるつ＃Ｙ５の上部外周１２とす夛合わせを
形成し、気密を保持している。外側ベル８上方の頚部外
周に液体シール剤１３を収容する環状溝１ｓｔ−設け、
一方、内外のべ／ｌ／８，１１の頚部上方に引上軸１６
を貫通して液体シール剤１７を収容する受皿１日をベル
から分離して設け、上記外側ペル８の環状溝１５中の液
体シール剤１３中に下端を浸漬する環状脚部１９を受皿
１８の下に付設することによ）シール部を構成する。引
上軸１６を貫通する受皿１８の開口の下には、引上軸１
６の引上げを可能とし、受皿１８から液体シール剤１７
が流下することを防止する間隙を引上軸との間に設けた
円筒２ｏを＊ｂ付けることが好ましい。ま九、内側ベル
１１の上端は外側ベル８の上端より上方に伸びチオ〕、
受皿１８の底と接するようになっている。さらに、るつ
ぼ周囲にはメインヒータ２１が、また、引上軸１６のシ
ール部周囲には補助ヒータ２２が配置されてお夛、結晶
成長の状況を監視するためのビューロッド２３が高圧チ
ャンバ１を貫通して付設されている。
原料融液２ｆｔ収容するるつぼとベルとを組合せた成長
チャンバ６を置く。るつぼは石英るつは４をカーボンる
つぼ５内に収納して形成することができる。ベルは２重
構造となし、はぼ一定の間隙を設けてるつぼに固定する
ことが好ましい。カーボンるつぼ５の周囲には液体シー
ル剤６を収容する環状溝７をるつぼ５と一体的に、また
は、はめ込み式で付設することができる。外側ベル８の
下端は上記環状溝７の液体シール剤６中に浸漬して気密
を保持する。また、カーボンるつぼ５の中程外周に環状
凸部９を設けて外側ベル８の内壁とすり合わせにより一
体化し、ベルをるつぼとともにるつぼ軸１０によって回
転可能に支持することができる。このすり合わせにより
、上記環状溝７から蒸発する液体シール剤が成長チャン
バ３内に流入することを防いでいる。内側ベル１１の下
端はカーボンるつ＃Ｙ５の上部外周１２とす夛合わせを
形成し、気密を保持している。外側ベル８上方の頚部外
周に液体シール剤１３を収容する環状溝１ｓｔ−設け、
一方、内外のべ／ｌ／８，１１の頚部上方に引上軸１６
を貫通して液体シール剤１７を収容する受皿１日をベル
から分離して設け、上記外側ペル８の環状溝１５中の液
体シール剤１３中に下端を浸漬する環状脚部１９を受皿
１８の下に付設することによ）シール部を構成する。引
上軸１６を貫通する受皿１８の開口の下には、引上軸１
６の引上げを可能とし、受皿１８から液体シール剤１７
が流下することを防止する間隙を引上軸との間に設けた
円筒２ｏを＊ｂ付けることが好ましい。ま九、内側ベル
１１の上端は外側ベル８の上端より上方に伸びチオ〕、
受皿１８の底と接するようになっている。さらに、るつ
ぼ周囲にはメインヒータ２１が、また、引上軸１６のシ
ール部周囲には補助ヒータ２２が配置されてお夛、結晶
成長の状況を監視するためのビューロッド２３が高圧チ
ャンバ１を貫通して付設されている。
なお、るつぼ材料としては、ＡｔＭ 、 ８１１Ｎ４゜
日１Ｃ，ガラス状カーボン、ＰＥＮ等のガス不透過性耐
熱材も使用でき、これらの材料で一体成形するか、表面
にこれらの材料をコーティングして用いることもできる
。
日１Ｃ，ガラス状カーボン、ＰＥＮ等のガス不透過性耐
熱材も使用でき、これらの材料で一体成形するか、表面
にこれらの材料をコーティングして用いることもできる
。
〔作用］
従来のホントウオール法による引上装置では、（１）引
上軸のシール部からの液体シール剤の流下、及び（２）
上下成長チャンバの接続部やベルとるつぼの接続部から
のシール剤蒸気の混入が問題となっていた。
上軸のシール部からの液体シール剤の流下、及び（２）
上下成長チャンバの接続部やベルとるつぼの接続部から
のシール剤蒸気の混入が問題となっていた。
（１）については、液体シール剤を収容する受皿′ の
開口部と引上軸との間隙を次の理由で充分に狭くするこ
とができなかった。即ち、引上軸と開口部の中心を完全
に一致させることができないので、中心のずれを許容す
るように引上軸と開口部に若干の遊びを必要とする。ま
た、引上軸と受皿は開口部において回転と上下の移動と
いう相対的な摺動が行なわれる。引上速度は１時間に数
日程度の摺動であるが、回転速度は１分間に１０回転を
越えるために、回転に抵抗が生ずるとシール部に歪が加
わり、破損するおそれがある。また、この抵抗は引上軸
を振動させるために結晶成長を阻害する原因ともなる。
開口部と引上軸との間隙を次の理由で充分に狭くするこ
とができなかった。即ち、引上軸と開口部の中心を完全
に一致させることができないので、中心のずれを許容す
るように引上軸と開口部に若干の遊びを必要とする。ま
た、引上軸と受皿は開口部において回転と上下の移動と
いう相対的な摺動が行なわれる。引上速度は１時間に数
日程度の摺動であるが、回転速度は１分間に１０回転を
越えるために、回転に抵抗が生ずるとシール部に歪が加
わり、破損するおそれがある。また、この抵抗は引上軸
を振動させるために結晶成長を阻害する原因ともなる。
この点からも上記の遊びを必要としている。
本発明は、受皿の環状脚部を外側ベル上部の環状溝内の
液体シール剤に浸漬する構造を採用しているので、この
構造により上記遊びの機能を代替することができ、その
結果、引上軸と受皿開口部との間隙を従来のように大き
くする必要がなく、例えば、１００〜２００ｐｍ程度１
でせばめることができるので、液体７−ル剤の流下を十
分に防止することができる。しかし、この間隔をさらに
小さくすると、引上軸が受皿を引上げて気密を破るおそ
れがある。この現象は引上軸と受皿開口部の間隙の大き
さの外に、受皿の重量や引上速度にも依存する。
液体シール剤に浸漬する構造を採用しているので、この
構造により上記遊びの機能を代替することができ、その
結果、引上軸と受皿開口部との間隙を従来のように大き
くする必要がなく、例えば、１００〜２００ｐｍ程度１
でせばめることができるので、液体７−ル剤の流下を十
分に防止することができる。しかし、この間隔をさらに
小さくすると、引上軸が受皿を引上げて気密を破るおそ
れがある。この現象は引上軸と受皿開口部の間隙の大き
さの外に、受皿の重量や引上速度にも依存する。
なお、引上軸と受皿とのシールをより確実にするために
、引上軸と十分に狭い間隙を保持する同筒を受皿の開口
部下方に付設することもできる。
、引上軸と十分に狭い間隙を保持する同筒を受皿の開口
部下方に付設することもできる。
また、上記の引上軸シール構造の採用によ）、ベル上方
の頚部の内径ｆｔ結晶よ）大きくすることができるので
、結晶生成に続いて一該頚部を介して簡単に結晶を取ル
出すことができる。
の頚部の内径ｆｔ結晶よ）大きくすることができるので
、結晶生成に続いて一該頚部を介して簡単に結晶を取ル
出すことができる。
（２）については、メインヒータに近接するシール部が
引上軸のシール部と比較して相当高温にさらされるため
にシール剤蒸発して成長チャンバ内に流入するという開
運があった。
引上軸のシール部と比較して相当高温にさらされるため
にシール剤蒸発して成長チャンバ内に流入するという開
運があった。
本発明は、ベルを２重構造となし、内側ベル下端をるつ
ぼ外周とすシ合わせにし、外側ベル下端をるつぼ周囲の
環状溝の液体シール剤に浸漬することにより、該環状溝
から発生するシール剤蒸気は２つのベルの間隙を上昇し
ても上方の比較的低温部で凝縮し、該間隙を再び流下す
るので、成長チャンバ内にシール剤蒸気が流入すること
はない。また、るつぼ周囲に環状凸部を設けて、外側ベ
ル内壁とすカ合わせることにより、上記シール剤蒸気が
ベルの間隙に上昇することを防ぐようにすることもでき
る。さらに内側ベル上端を外側ベル上端より上に伸ばし
、受皿の底に接触させることにより、シール剤蒸気が内
側ベル内、即ち、成長チャンバ内に流入することを防止
することもできる。この構造は高圧容器内と成長チャン
バ内の圧力差により外側ベル上方環状溝内の液体シール
剤を誤って押込むときにも、内側ベルの高い上端壁部に
より成長チャンバ内への流入を防ぐことができる。
ぼ外周とすシ合わせにし、外側ベル下端をるつぼ周囲の
環状溝の液体シール剤に浸漬することにより、該環状溝
から発生するシール剤蒸気は２つのベルの間隙を上昇し
ても上方の比較的低温部で凝縮し、該間隙を再び流下す
るので、成長チャンバ内にシール剤蒸気が流入すること
はない。また、るつぼ周囲に環状凸部を設けて、外側ベ
ル内壁とすカ合わせることにより、上記シール剤蒸気が
ベルの間隙に上昇することを防ぐようにすることもでき
る。さらに内側ベル上端を外側ベル上端より上に伸ばし
、受皿の底に接触させることにより、シール剤蒸気が内
側ベル内、即ち、成長チャンバ内に流入することを防止
することもできる。この構造は高圧容器内と成長チャン
バ内の圧力差により外側ベル上方環状溝内の液体シール
剤を誤って押込むときにも、内側ベルの高い上端壁部に
より成長チャンバ内への流入を防ぐことができる。
本発明はこのように引上軸の円滑な回転と引上げを可能
とし、成長結晶の取り出しを容易にし、２＞＝つ、シー
ル剤蒸気及び液体シール剤自体の成長チャンバ内への流
入を防ぐことができるので、不純物を混入することのな
い高純度化合物結晶をホットウォール法により確実に製
造することができるようになった。
とし、成長結晶の取り出しを容易にし、２＞＝つ、シー
ル剤蒸気及び液体シール剤自体の成長チャンバ内への流
入を防ぐことができるので、不純物を混入することのな
い高純度化合物結晶をホットウォール法により確実に製
造することができるようになった。
第１図の装置を用いて０ｄＴｅ結晶を引上げた。
るつぼは、表面１ｒ：ＳｉＣでコーティングした直径６
インチのカーボンるつぼの中に４インチの石英るつぼを
収納して用いた。内外のベルは石英製とした。
インチのカーボンるつぼの中に４インチの石英るつぼを
収納して用いた。内外のベルは石英製とした。
石英るつほには約ｔ２ゆの０ｄＴｅ原料をチャージし、
るつぼ外周の環状溝にｒｉ２００ｆのＢＩＯ３ｔ、受皿
には２０９のＢＩＯ，を、また、外側ベル頚部の環状溝
には５０９０Ｅ、Ｏ，をそれぞれチャージした。成長チ
ャンバ内のｃｄ蒸気圧は１．２ ａｔｍとし、高圧容器
内の１１！ ガス圧は６ ａｔｍとし念。
るつぼ外周の環状溝にｒｉ２００ｆのＢＩＯ３ｔ、受皿
には２０９のＢＩＯ，を、また、外側ベル頚部の環状溝
には５０９０Ｅ、Ｏ，をそれぞれチャージした。成長チ
ャンバ内のｃｄ蒸気圧は１．２ ａｔｍとし、高圧容器
内の１１！ ガス圧は６ ａｔｍとし念。
結晶の引上条件は、引上軸の回転速度を３ｒｐｍ 、る
つは軸の回転速度を１ Ｏｒｐｍとし、引上速度を３瓢
／Ｈｒ とした。
つは軸の回転速度を１ Ｏｒｐｍとし、引上速度を３瓢
／Ｈｒ とした。
引上げたＯｄ’Ｉ’θ単結晶は直径４８ｍで、長さ６ｃ
ｍであり、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＥ）でＢ濃度
を分析したところ、結晶全体に渡って１×１０１ｓｃＷ
１−３以下であった。
ｍであり、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＥ）でＢ濃度
を分析したところ、結晶全体に渡って１×１０１ｓｃＷ
１−３以下であった。
比較のために、上記特開昭５４−１２３５８５号公報に
記載の形式の従来装置を用いて上記と同じ引上条件の下
でＣｄＴｅ結晶を引上げた。
記載の形式の従来装置を用いて上記と同じ引上条件の下
でＣｄＴｅ結晶を引上げた。
得られた結晶をＳ工ＭＳでＢＩｌ、９度を分析したとこ
ろ、６ Ｘ １０” 〜４ Ｘ １０” ｔｖ−”であ
った。
ろ、６ Ｘ １０” 〜４ Ｘ １０” ｔｖ−”であ
った。
これらを対比すると、上記実施例のＣｄＴｅ結晶はＢ濃
度を大巾に低減することができたことが分かる。
度を大巾に低減することができたことが分かる。
本発明は、上記構成を採用することにより原料融液中へ
のシール剤の混入を防止することができ、高純度の化合
物結晶を確実に製造することができるようになった。
のシール剤の混入を防止することができ、高純度の化合
物結晶を確実に製造することができるようになった。
第１図は本発明の一具体例である結晶引上装置の概念図
である。
である。
Claims (4)
- （１）高圧容器内に原料融液を収容するるつぼとベルと
を組合せた成長チャンバを置き、ベル頂部のシール部を
貫通して設けた引上軸により化合物結晶を引上げるホッ
トウォール法に適した引上装置において、るつぼの周囲
に液体シール剤を収容する環状溝を付設し、ベルを内側
ベルと外側ベルで構成し、２つのベルの間にはほぼ一定
の間隙を設け、２つのベルは上方に引上軸を貫通する頚
部を設け、外側ベルの下端はるつぼ周囲の環状溝中の液
体シール剤に浸漬する位置に置き、外側ベル上方の頚部
には液体シール剤を収容する環状溝を付設し、内側ベル
の下端はるつぼの外周とすり合わせにより気密を保持さ
せ、２つのベルの頚部上方に引上軸を貫通させ、その周
囲に液体シール剤を収容する受皿を設け、この受皿には
外側ベル頚部の環状溝内の液体シール剤に下端を浸漬す
る環状脚部を付設することにより成長チャンバの気密を
保持するようにしたことを特徴とする化合物結晶の引上
装置。 - （２）内側ベルの上端を外側ベルの上端より長く伸ばし
、引上軸シール部の受皿の底と接触させることにより、
成長チャンバ内へのシール剤の混入を防ぐことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の引上装置。 - （３）引上軸の引上げを可能とし、液体シール剤の流下
を防ぐような間隙を引上軸との間に設けた円筒を、受皿
の引上軸貫通口の下に取り付けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の引上装置。 - （４）るつぼ中程外周に環状凸部を形成し、外側ベル内
壁とすり合せにより気密を保持することを特徴とする特
許請求の範囲第１項又は第２項又は第３項記載の引上装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25157487A JPH0196086A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 化合物結晶の引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25157487A JPH0196086A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 化合物結晶の引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196086A true JPH0196086A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17224840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25157487A Pending JPH0196086A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 化合物結晶の引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120568U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-11 |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP25157487A patent/JPH0196086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03120568U (ja) * | 1990-03-23 | 1991-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3716345A (en) | Czochralski crystallization of gallium arsenide using a boron oxide sealed device | |
| FR2840926A1 (fr) | Utilisation d'un creuset comprenant du carbone pour la croissance de cristaux comprenant un halogenure de terre rare | |
| SE465431B (sv) | Saett att framstaella zirkonium eller hafnium vid vilket en tetraklorid av metallen reduceras med magnesium | |
| KR970059318A (ko) | 단결정 인상 방법 및 그 실행 장치 | |
| US4000716A (en) | Epitaxial growth device | |
| JPH0196086A (ja) | 化合物結晶の引上装置 | |
| Scheffen-Lauenroth et al. | Growth and perfection of organic crystals from undercooled melt: I. Benzil | |
| KR910016974A (ko) | 결정 성장 방법 및 장치 | |
| Oldham et al. | The Growth and Etching of Si through Windows in SiO2 | |
| JPH0214316B2 (ja) | ||
| JPS61178495A (ja) | 単結晶の成長方法 | |
| JPS60112695A (ja) | 化合物単結晶の引上方法 | |
| JP2585276B2 (ja) | ＣｄＴｅ結晶の製造装置 | |
| JPH01108195A (ja) | 化合物結晶の引上装置 | |
| JP4154773B2 (ja) | 単結晶製造方法および装置 | |
| JPH03247582A (ja) | 化合物半導体結晶の製造装置 | |
| JPS6011298A (ja) | 高解離圧化合物単結晶の製造法及び装置 | |
| JPS6036397A (ja) | 化合物単結晶育成装置 | |
| JPS63274691A (ja) | 単結晶育成方法と装置 | |
| JPS6076119A (ja) | 化合物半導体結晶成長装置 | |
| JPS5756399A (en) | Manufacture of single crystal of compound with high decomposition pressure | |
| JPS63233100A (ja) | 高解離圧化合物単結晶の製造装置 | |
| KR940009375A (ko) | 브이비(VB)법이나 브이지에프(VGF)법에 의한 가륨아세나이드(GaAs) 단결정 성장용 관의 구조 | |
| JPS63215592A (ja) | 化合物半導体の製造方法 | |
| JPH01290588A (ja) | 化合物半導体単結晶製造用の気密容器 |