JPH0196092A - 化合物半導体単結晶育成装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶育成装置Info
- Publication number
- JPH0196092A JPH0196092A JP25219287A JP25219287A JPH0196092A JP H0196092 A JPH0196092 A JP H0196092A JP 25219287 A JP25219287 A JP 25219287A JP 25219287 A JP25219287 A JP 25219287A JP H0196092 A JPH0196092 A JP H0196092A
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- Japan
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- single crystal
- compound semiconductor
- seed
- temperature
- semiconductor single
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液体封止引上法（ＬＥＣ法）による化合物半
導体単結晶育成装置に関する。
導体単結晶育成装置に関する。
ＧａＡｓ等の■−■族化合物半導体はＳｉよりも大きな
電子移動度を有し、その性質を利用したＩＣや発光素子
の開発が進められている。 ｍ−ｖ族化合物半導体の単
結晶を成長させる方法としては、工業的に単結晶引上方
法の一種である液体封止引上法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｅｎｃ
ａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ
）法）が多く用いられている。■−Ｖ族化合物半導体は
融点近傍でＶ族元素が高い解離圧をもつため、ＬＥＣ法
は原料融液をＢ ｔ Ｏｘ等の液体状封止剤でおおい、
さらにＡｒ、Ｎｚガスなどで５〜８０ｋｇ／ｃｄに加圧
された雰囲気下で単結晶を成長させる方法である。
電子移動度を有し、その性質を利用したＩＣや発光素子
の開発が進められている。 ｍ−ｖ族化合物半導体の単
結晶を成長させる方法としては、工業的に単結晶引上方
法の一種である液体封止引上法（Ｌｉｇｕｉｄ Ｅｎｃ
ａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ
）法）が多く用いられている。■−Ｖ族化合物半導体は
融点近傍でＶ族元素が高い解離圧をもつため、ＬＥＣ法
は原料融液をＢ ｔ Ｏｘ等の液体状封止剤でおおい、
さらにＡｒ、Ｎｚガスなどで５〜８０ｋｇ／ｃｄに加圧
された雰囲気下で単結晶を成長させる方法である。
ＬＥＣ法は、単結晶引上げの際、種結晶と呼ばれる単結
晶の小片を用いて原料融液から単結晶の引上げを行って
いる。即ち、第３図に示すように、種結晶（１）を装着
したシードホルダー（２）をアウターチューブ（３）内
を通るインナーロッド（４）に取付け、下軸Ｏａｌと接
続されて圧力容器（５）内に収容されたるつぼ（９）内
の、ヒーター（６）で溶解された原料融液（８）に液体
封止剤（７）を貫いて種結晶（１）を浸し、充分なじま
せた後、融液（８）より種結晶（１）と結晶方位のそろ
った単結晶を引上げている。種結晶（１）を原ｒ［融液
（８）に浸しなじませる行為は種付けといわれている０
種付けし、単結晶を引上げるための許容温度中は１０°
Ｃ以内程度である。なお、０１）は圧力容器（５）に設
けた観測用窓を示す。
晶の小片を用いて原料融液から単結晶の引上げを行って
いる。即ち、第３図に示すように、種結晶（１）を装着
したシードホルダー（２）をアウターチューブ（３）内
を通るインナーロッド（４）に取付け、下軸Ｏａｌと接
続されて圧力容器（５）内に収容されたるつぼ（９）内
の、ヒーター（６）で溶解された原料融液（８）に液体
封止剤（７）を貫いて種結晶（１）を浸し、充分なじま
せた後、融液（８）より種結晶（１）と結晶方位のそろ
った単結晶を引上げている。種結晶（１）を原ｒ［融液
（８）に浸しなじませる行為は種付けといわれている０
種付けし、単結晶を引上げるための許容温度中は１０°
Ｃ以内程度である。なお、０１）は圧力容器（５）に設
けた観測用窓を示す。
従来、種付けし、引上げる工程は観測窓より目測により
融液面の状況を観察しながら行われている。この場合、
融液の温度を直接測定することができないため、種付は
作業を繰返して融液の温度の適否を判断する必要があり
、作業能率が悪く、かつ一定しないという問題が生じる
。本発明は以上のような点にかんがみてなされたもので
、その目的とするところは、種付は試行回数を削減して
種付は作業能率を向上させ、かつ一定にする化合物半導
体単結晶育成装置を提供することにある。
融液面の状況を観察しながら行われている。この場合、
融液の温度を直接測定することができないため、種付は
作業を繰返して融液の温度の適否を判断する必要があり
、作業能率が悪く、かつ一定しないという問題が生じる
。本発明は以上のような点にかんがみてなされたもので
、その目的とするところは、種付は試行回数を削減して
種付は作業能率を向上させ、かつ一定にする化合物半導
体単結晶育成装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明によれば、種結晶を保
持するためのシードホルダーと、シードホルダーを取付
は回転上下動させるためのインナーロッドから構成され
る引上軸を有する、液体封止法により単結晶を引上げる
化合物半導体単結晶育成装置において、測温体が引上軸
に装着されていることを特徴とする化合物半導体単結晶
育成装置が提供される。
持するためのシードホルダーと、シードホルダーを取付
は回転上下動させるためのインナーロッドから構成され
る引上軸を有する、液体封止法により単結晶を引上げる
化合物半導体単結晶育成装置において、測温体が引上軸
に装着されていることを特徴とする化合物半導体単結晶
育成装置が提供される。
種付けには最適な原料融液温度が存在し、その許容温度
中はきびしく±５℃程度以内である。従って、原料融液
温度を精度よく短時間に知ることが出来れば、種付は作
業能率は向上する。しかしながら、高温の融液温度を直
接測定することは困難であるため、本発明では、種付は
状態における引上軸の特定部分の温度を測定し、あらか
じめ測定しである前記特定部分の温度と融液温度との相
関関係から、融液温度を知る方法をとる。引上軸の測温
個所は、シードホルダーの表面或いは内部、インナーロ
ッドのるつぼ側下端の表面或いは内部が適当であり、ま
た種結晶の温度を直接測定すれば、原料融液面に近いた
め、融液温度を精度よく知ることが出来る。熱電対など
の測温体は測温個所内部に埋め込むか、または表面に接
触させておいてもよい、ただし、ＬＥＣ法では不活性ガ
ス圧力下で単結晶を育成するため、ガスの対流の影響を
うけて、表面に測温体を装着した場合は埋め込む場合は
ど測定精度はあがらない。
中はきびしく±５℃程度以内である。従って、原料融液
温度を精度よく短時間に知ることが出来れば、種付は作
業能率は向上する。しかしながら、高温の融液温度を直
接測定することは困難であるため、本発明では、種付は
状態における引上軸の特定部分の温度を測定し、あらか
じめ測定しである前記特定部分の温度と融液温度との相
関関係から、融液温度を知る方法をとる。引上軸の測温
個所は、シードホルダーの表面或いは内部、インナーロ
ッドのるつぼ側下端の表面或いは内部が適当であり、ま
た種結晶の温度を直接測定すれば、原料融液面に近いた
め、融液温度を精度よく知ることが出来る。熱電対など
の測温体は測温個所内部に埋め込むか、または表面に接
触させておいてもよい、ただし、ＬＥＣ法では不活性ガ
ス圧力下で単結晶を育成するため、ガスの対流の影響を
うけて、表面に測温体を装着した場合は埋め込む場合は
ど測定精度はあがらない。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す引上軸の部分断面図で
ある。インナーロッド（４）のシードホルダー（２）側
光端部に側面から斜め下方に中心部に向けて穴をあけ、
この穴に熱電対０２）が埋め込まれている。
ある。インナーロッド（４）のシードホルダー（２）側
光端部に側面から斜め下方に中心部に向けて穴をあけ、
この穴に熱電対０２）が埋め込まれている。
第２図は本発明の他の実施例を示す引上軸の部分断面図
である。この例では、インナーロッド（４）側面から中
心部に向けて開けられた穴はシードホルダー（２）の中
心を貫通して種結晶（１）の中はどに達し、この穴に埋
め込まれた熱電対０りの感温部分は穴の先端、種結晶（
＋）の中に位置する。この例では、原料融液に近い部分
の温度を測定するため、正確な融液温度を知ることがで
きるが、単結晶引上げことに種結晶に穴をあけ、熱電対
をセットするとともに、引上げ終了後はセットした熱電
対を取り外すという煩雑さが生じる。
である。この例では、インナーロッド（４）側面から中
心部に向けて開けられた穴はシードホルダー（２）の中
心を貫通して種結晶（１）の中はどに達し、この穴に埋
め込まれた熱電対０りの感温部分は穴の先端、種結晶（
＋）の中に位置する。この例では、原料融液に近い部分
の温度を測定するため、正確な融液温度を知ることがで
きるが、単結晶引上げことに種結晶に穴をあけ、熱電対
をセットするとともに、引上げ終了後はセットした熱電
対を取り外すという煩雑さが生じる。
以上説明したように本発明によれば、測温体が引上軸に
装着されているため、原料融液の温度管理が可能となり
、種付は作業能率が向上し、かつ安定するという優れた
効果がある。
装着されているため、原料融液の温度管理が可能となり
、種付は作業能率が向上し、かつ安定するという優れた
効果がある。
第１図は本発明にかかる引上げ軸の部分断面図、第２図
は本発明にかかる他の引上軸の部分断面図、第３図は従
来のＬＥＣ法による化合物半導体単結晶育成装置の説明
図である。 １・・・種結晶、 ２・・・シードホルダー、 ３・・
・アウターチューブ、 ４・・・インナーロッド、
５・・・圧力容器、 ６・・・ヒーター、 ７・・・
Ｂ２０１、８・・・原料融液、 ９・・・るつぼ、 １
０・・・下軸、 １１・・・観測用窓、 １２・・・熱
電対。
は本発明にかかる他の引上軸の部分断面図、第３図は従
来のＬＥＣ法による化合物半導体単結晶育成装置の説明
図である。 １・・・種結晶、 ２・・・シードホルダー、 ３・・
・アウターチューブ、 ４・・・インナーロッド、
５・・・圧力容器、 ６・・・ヒーター、 ７・・・
Ｂ２０１、８・・・原料融液、 ９・・・るつぼ、 １
０・・・下軸、 １１・・・観測用窓、 １２・・・熱
電対。
Claims (2)
- （１）種結晶を保持するためのシードホルダーと、シー
ドホルダーを取付け回転上下動させるためのインナーロ
ッドから構成される引上軸を有する、液体封止法により
単結晶を引上げる化合物半導体単結晶育成装置において
、測温体が引上軸下端近傍に装着されていることを特徴
とする化合物半導体単結晶育成装置。 - （２）測温体がシードホルダーに取付けられている種結
晶に装着されていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の化合物半導体単結晶育成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252192A JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252192A JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196092A true JPH0196092A (ja) | 1989-04-14 |
| JPH0776145B2 JPH0776145B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17233781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252192A Expired - Fee Related JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776145B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529437A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Method for discharging a charged copy sheet |
| JPS59227797A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の引上げ方法 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62252192A patent/JPH0776145B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529437A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Method for discharging a charged copy sheet |
| JPS59227797A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の引上げ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0776145B2 (ja) | 1995-08-16 |
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Legal Events
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