JPH0776145B2 - 化合物半導体単結晶育成装置 - Google Patents
化合物半導体単結晶育成装置Info
- Publication number
- JPH0776145B2 JPH0776145B2 JP62252192A JP25219287A JPH0776145B2 JP H0776145 B2 JPH0776145 B2 JP H0776145B2 JP 62252192 A JP62252192 A JP 62252192A JP 25219287 A JP25219287 A JP 25219287A JP H0776145 B2 JPH0776145 B2 JP H0776145B2
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- temperature
- pulling
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液体封止引上法（LEC法）による化合物半導
体単結晶育成装置に関する。
体単結晶育成装置に関する。
GaAs等のIII−Ｖ族化合物半導体はSiよりも大きな電子
移動度を有し、その性質を利用したICや発光素子の開発
が勧められている。III−Ｖ族化合物半導体の単結晶を
成長させる方法としては、工業的に単結晶引上方法の一
種である液体封止引上法（Liguid Encapsulated Czochr
alski（LE）法）が多く用いられている。III−Ｖ族化合
物半導体は融点近傍でＶ族元素が高い解離圧をもつた
め、LEC法は原料融液をB2O3等の液体状封止剤でおお
い、さらに、Ar、N2ガスなどで５〜80kg/cm2に加圧され
た雰囲気下で単結晶を成長させる方法である。
移動度を有し、その性質を利用したICや発光素子の開発
が勧められている。III−Ｖ族化合物半導体の単結晶を
成長させる方法としては、工業的に単結晶引上方法の一
種である液体封止引上法（Liguid Encapsulated Czochr
alski（LE）法）が多く用いられている。III−Ｖ族化合
物半導体は融点近傍でＶ族元素が高い解離圧をもつた
め、LEC法は原料融液をB2O3等の液体状封止剤でおお
い、さらに、Ar、N2ガスなどで５〜80kg/cm2に加圧され
た雰囲気下で単結晶を成長させる方法である。
LEC法は、単結晶引上げの際、種結晶と呼ばれる単結晶
の小片を用いて原料融液から単結晶の引上げを行ってい
る。即ち、第３図に示すように、種結晶（１）を装着し
たシードホルダー（２）をアウターチューブ（３）内を
通るインナーロッド（４）に取付け、下軸（10）と接続
されて圧力容器（５）内に収容されたるつぼ（９）内
の、ヒーター（６）で溶解された原料融液（８）に液体
封止剤（７）を貫いて種結晶（１）を浸し、充分なじま
せた後、融液（８）より種結晶（１）と結晶方位のそろ
った単結晶を引上げている。種結晶（１）を原料融液
（８）に浸しなじませる行為は種付けといわれている。
種付けし、単結晶を引上げるための許容温度巾は10℃以
内程度である。なお、（11）は圧力容器（５）に設けた
観測用窓を示す。
の小片を用いて原料融液から単結晶の引上げを行ってい
る。即ち、第３図に示すように、種結晶（１）を装着し
たシードホルダー（２）をアウターチューブ（３）内を
通るインナーロッド（４）に取付け、下軸（10）と接続
されて圧力容器（５）内に収容されたるつぼ（９）内
の、ヒーター（６）で溶解された原料融液（８）に液体
封止剤（７）を貫いて種結晶（１）を浸し、充分なじま
せた後、融液（８）より種結晶（１）と結晶方位のそろ
った単結晶を引上げている。種結晶（１）を原料融液
（８）に浸しなじませる行為は種付けといわれている。
種付けし、単結晶を引上げるための許容温度巾は10℃以
内程度である。なお、（11）は圧力容器（５）に設けた
観測用窓を示す。
従来、種付けし、引上げる工程は観測窓より目測により
融液面の状況を観察しながら行われている。この場合、
融液の温度を直接測定することができないため、種付け
作業を繰返して融液の温度の適否を判断する必要があ
り、作業能率が悪く、かつ一定しないという問題が生じ
る。本発明は以上のような点にかんがみてなされたもの
で、その目的とするところは、種付け試行回数を削減し
て種付け作業能率を向上させ、かつ一定にする化合物半
導体単結晶育成装置を提供することにある。
融液面の状況を観察しながら行われている。この場合、
融液の温度を直接測定することができないため、種付け
作業を繰返して融液の温度の適否を判断する必要があ
り、作業能率が悪く、かつ一定しないという問題が生じ
る。本発明は以上のような点にかんがみてなされたもの
で、その目的とするところは、種付け試行回数を削減し
て種付け作業能率を向上させ、かつ一定にする化合物半
導体単結晶育成装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明によれば、種結晶を保
持するためのシードホルダーと、シードホルダーを取付
け回転上下動させるためのインナーロッドから構成され
る引上軸を有する、液体封止法により単結晶を引上げる
化合物半導体単結晶育成装置において、測温体が引上軸
下端近傍に埋め込んで装着されていることを特徴とする
化合物半導体単結晶育成装置が提供される。
持するためのシードホルダーと、シードホルダーを取付
け回転上下動させるためのインナーロッドから構成され
る引上軸を有する、液体封止法により単結晶を引上げる
化合物半導体単結晶育成装置において、測温体が引上軸
下端近傍に埋め込んで装着されていることを特徴とする
化合物半導体単結晶育成装置が提供される。
種付けには最適な原料融液温度が存在し、その許容温度
巾はきびしく±５℃程度以内である。従って、原料融液
温度を精度よく短時間に知ることが出来れば、種付け作
業能率は向上する。しかしながら、高温の融液温度を直
接測定することは困難であるため、本発明では、種付け
状態における引上軸の特定部分の温度を測定し、あらか
じめ測定してある前記特定部分の温度と融液温度との相
関関係から、融液温度を知る方法をとる。引上軸の測温
個所は、シードホルダーの内部、インナーロッドのるつ
ぼ側下端の内部が適当であり、また種結晶の温度を直接
測定すれば、原料融液面に近いため、融液温度を精度よ
く知ることが出来る。そこで、熱電対などの測温体は測
温箇所内部に埋め込むとよい。また、LEC法は不活性ガ
ス圧力下で単結晶を育成するため、ガスの対流の影響を
うけないように、測温体を埋め込んで装着すると測定精
度があがる。
巾はきびしく±５℃程度以内である。従って、原料融液
温度を精度よく短時間に知ることが出来れば、種付け作
業能率は向上する。しかしながら、高温の融液温度を直
接測定することは困難であるため、本発明では、種付け
状態における引上軸の特定部分の温度を測定し、あらか
じめ測定してある前記特定部分の温度と融液温度との相
関関係から、融液温度を知る方法をとる。引上軸の測温
個所は、シードホルダーの内部、インナーロッドのるつ
ぼ側下端の内部が適当であり、また種結晶の温度を直接
測定すれば、原料融液面に近いため、融液温度を精度よ
く知ることが出来る。そこで、熱電対などの測温体は測
温箇所内部に埋め込むとよい。また、LEC法は不活性ガ
ス圧力下で単結晶を育成するため、ガスの対流の影響を
うけないように、測温体を埋め込んで装着すると測定精
度があがる。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明を説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す引上軸の部分断面図で
ある。インナーロッド（４）のシードホルダー（２）側
先端部に側面から斜め下方に中心部に向けて穴をあけ、
この穴に熱電対（12）が埋め込まれている。
ある。インナーロッド（４）のシードホルダー（２）側
先端部に側面から斜め下方に中心部に向けて穴をあけ、
この穴に熱電対（12）が埋め込まれている。
第２図は本発明の他の実施例を示す引上軸の部分断面図
である。この例では、インナーロッド（４）側面から中
心部に向けて開けられた穴はシードホルダー（２）の中
心を貫通して種結晶（１）の中ほどに達し、この穴に埋
め込まれた熱電対（12）の感温部分は穴の先端、種結晶
（１）の中に位置する。この例では、原料融液に近い部
分の温度を測定するため、正確な融液温度を知ることが
できるが、単結晶引上げことに種結晶に穴をあけ、熱電
対をセットするとともに、引上げは終了後はセットした
熱電対を取り外すという煩雑さが生じる。
である。この例では、インナーロッド（４）側面から中
心部に向けて開けられた穴はシードホルダー（２）の中
心を貫通して種結晶（１）の中ほどに達し、この穴に埋
め込まれた熱電対（12）の感温部分は穴の先端、種結晶
（１）の中に位置する。この例では、原料融液に近い部
分の温度を測定するため、正確な融液温度を知ることが
できるが、単結晶引上げことに種結晶に穴をあけ、熱電
対をセットするとともに、引上げは終了後はセットした
熱電対を取り外すという煩雑さが生じる。
以上説明したように本発明によれば、測温体が引上軸下
端近傍に埋め込んで装着されているため、原料融液の温
度管理が可能となり、種付け作業能率が向上し、かつ安
定するという優れた効果がある。
端近傍に埋め込んで装着されているため、原料融液の温
度管理が可能となり、種付け作業能率が向上し、かつ安
定するという優れた効果がある。
第１図は本発明にかかる引上げ軸の部分断面図、第２図
は本発明にかかる他の引上軸の部分断面図、第３図は従
来のLEC法による化合物半導体単結晶育成装置の説明図
である。 １……種結晶、２……シードホルダー、３……アウター
チューブ、４……インナーロッド、５……圧力容器、６
……ヒーター、７……B2O3、８……原料融液、９……る
つぼ、10……下軸、11……観測用窓、12……熱電対。
は本発明にかかる他の引上軸の部分断面図、第３図は従
来のLEC法による化合物半導体単結晶育成装置の説明図
である。 １……種結晶、２……シードホルダー、３……アウター
チューブ、４……インナーロッド、５……圧力容器、６
……ヒーター、７……B2O3、８……原料融液、９……る
つぼ、10……下軸、11……観測用窓、12……熱電対。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−227797（ＪＰ，Ａ) 特公 昭52−9437（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】種結晶を保持するためのシードホルダー
と、シードホルダーを取付け回転上下動させるためのイ
ンナーロッドから構成される引上軸を有する、液体封止
法により単結晶を引上げる化合物半導体単結晶育成装置
において、測温体が引上軸下端近傍に埋め込んで装着さ
れていることを特徴とする化合物半導体単結晶育成装
置。 - 【請求項２】測温体がシードホルダーに取付けられてい
る種結晶に埋め込んで装着されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体単結晶育成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252192A JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252192A JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196092A JPH0196092A (ja) | 1989-04-14 |
| JPH0776145B2 true JPH0776145B2 (ja) | 1995-08-16 |
Family
ID=17233781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252192A Expired - Fee Related JPH0776145B2 (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 化合物半導体単結晶育成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0776145B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS529437A (en) * | 1975-07-14 | 1977-01-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Method for discharging a charged copy sheet |
| JPS59227797A (ja) * | 1983-06-03 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の引上げ方法 |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62252192A patent/JPH0776145B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0196092A (ja) | 1989-04-14 |
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