JPH0197320A

JPH0197320A - 超電導性配線パターンの形成方法

Info

Publication number: JPH0197320A
Application number: JP62254967A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Ishida; 哲也石田; Shuji Yatsu; 矢津　修示; Tetsuji Jodai; 哲司上代
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1987-10-09
Filing date: 1987-10-09
Publication date: 1989-04-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は超電導性配線パターンの形成方法に関する。よ
り詳細には、高い超電導臨界温度並びにこの臨界温度と
の差が小さい相転移の終了温度を具備する新規な超電導
材料によって形成された配線の作製方法に関する。

尚、以下の記述においては、超電導臨界温度をＴＣ１超
電導体の電気抵抗が全く零となる相転移の終了温度をＴ
ｃｉ、ＴｃとＴｃｉとの差を△Ｔとして著す。

従来の技術超電導現象下で物質は完全な反磁性を示し、内部で有限
な定常電流が流れているにも関わらず電位差が現れなく
なる。そこで、超電導体は電力損失の全くない伝送媒体
とする各種の応用が提案されている。

即ち、電力分野におけるＭＨＤ発電、電力送電、電力貯
蔵等、或いは、動力分野における磁気浮上列車、電磁気
推進船舶等の動力分野、更に、医療あるいは計測の分野
における磁場、マイクロ波、放射線等の超高感度センサ
としてＮＭＲ１π中間子治療、高エネルギー物理実験装
置など極めて多くの適用を挙げることができる。

また、ジョセフソン素子に代表されるエレクトロニクス
素子の分野でも、単なる消費電力の低減のみならず、極
めて高速な動作を実現し得る技術として期待されている
。

ところで、従来、超電導現象は極端な低温下においての
み観測されていた。従来の超電導材料として最も高い超
電導臨界温度Ｔｃを有するといわれていたＮｂ３Ｇｅに
ふいても２３．２に程度であった。

そこで、従来は、超電導現象を実現するために、沸点が
４．２にの液体ヘリウムを用いて超電導材料をＴｃ以下
まで冷却していた。しかしながら、液体ヘリウムの使用
は、液化設備を含めた冷却設備による技術的負担並びに
コスト的負担が極めて大きく、超電導技術の実用化への
妨げとなっていた。

一方、近年に到ってｌａ族元素あるいはＩＩＩａ族元素
の酸化物を含む焼成体が高いＴｃを有する超電導体とな
り得ることが報告され、非低温超電導体による超電導体
の実用化が俄かに促進されている。

既に報告されている例では、オルソロンピック構造等の
ペロブスカイト型酸化物と類似した結晶構造を有すると
考えられる〔Ｌａ、　Ｂａ）　２ＣＵＯ４あるいは〔１
、ａ、、　Ｓｒ〕２ｃｕｏａ等の複合酸化物がある。こ
れらの物質では、３０乃至５０にという従来のＴｃに比
べて飛躍的に高いＴｃが観測され、更に、８０に以上の
Ｔｃが報告されている。

このように、超電導材料のＴｃが向上すると、人手が容
易で廉価な液体窒素を冷却媒体として用いることができ
、超電導現象を産業的に利用することが可能となる。

発明が解決しようとする問題点ところが、上述のようなペロブスカイト型または擬似ペ
ロブスカイト型酸化物はいわゆる焼成体として得られる
ので取扱が不便である。何故ならば、焼成体は一般に脆
く、僅かな機械的負荷に対しても容易に破損する。殊に
、超電導材料は、電力の伝送媒体としての利用が多いの
で細い線状の形状で用いる必要があり、上述のように機
械的負荷に対して脆弱な超電導材料は実用的に用いるこ
とができない。従って、電気抵抗が零であるという極め
て有利な特徴を有しながら、超電導材料を電力あるいは
信号の伝送媒体として実用的に利用することができなか
った。

更に、エレクトロニクス素子の分野において、ジョセフ
ソン素子に代表される素子を形成することは可能であっ
ても、その素子と他の回路とを結合するボンディングワ
イヤを超電導材料によって形成することは望むべくもな
く、超電導材料素子の優れた特性を有効に活かし切るこ
とができなかった。

そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、高
いＴｃ並びにＴｃｉを有する超電導材料を、配線材料と
して機械的に安定な使用を可能とすることを目的として
いる。また、超電導材料による微細な配線パターン形成
を可能にする方法を提供することも目的のひとつである
。

問題点を解決するための手段即ち、本発明に従い、フォトリソグラフィ法により平坦
な基板の表面に所定のパターンに従って溝を形成し、周
期律表１１ａ族から選択された少なくとも１種の元素α
または該元素αを含む化合物と、周期律表■ａ族から選
択された少なくとも１種の元素βまたは該元素βを含む
化合物と、周期律表Ｉｂ、ｎｂ、ｌｌＩｂ、ＩＶａ、■
ａ族から選択された少なくとも１種の元素Ｔまたは該元
素Ｔを含む化合物と、の粉末を原料粉末として該原料粉
末をビヒクルと混合して得たペーストとし、前記基板上
の溝に該ペーストを充填した後該ペーストからビヒクル
を揮散・除去し、更に、該ペーストを塗布した基板を加
熱して本焼成することによって、一般式　：αＷβＭＴ
ｙ　δ２（但し、元素αは周期律表１ａ族から選択された１種の
元素であり、元素βは周期律表ＩＩＩａ族から選択され
た１種の元素であり、元素Ｔは周期律表１ｂ、ｎｂ、ｍ
ｂ、■ａ族から選択された１種の元素であり、元素δは
０（酸素）であり、ＷＳＸ％　ＶＮ　ｚはそれぞれ１≦
Ｗ≦５．１≦Ｘ≦５．１≦ｙ≦１５．１≦２≦２０を満
たす数である）で表される組成の複合酸化物配線パターンを該基板上に
形成することを特徴とする超電導性配線パターンの形成
方法が提供される。

九月本発明に従う超電導性配線パターンの形成方法は、優れ
た超電導特性を有する超電導材料の原料粉末をペースト
状に形成し、これを用いて基板上にパターンを形成した
後に焼成して超電導性配線とるすことをその主要な特徴
としている。また、本発明の更に主要な特徴として、上
述のパターン形成を基板表面にフォトリングラフィ法に
よって形成した溝によって行うことが挙げられる。

即ち、このようにして作製された超電導性配線は、基板
上に密着して形成されているので、一般的な取り扱いに
おいても破損することがない。また、一般的な配線の他
、小型のコイル、ヨーク等配線以外の小部品の作製にも
応用できる。

また、フォ）　ＩＪソグラフイ法を用いて基板に微細な
パターンに従った溝を形成し、これにペーストを充填す
るというその特徴的な方法により、極めて微細な配線パ
ターンを描くことができる。

尚、このような超電導性配線を形成する超電導材料とし
ては、一般式　：α買βイγ、δ・（但し、元素αは周期律表［ａ族から選択された１種の
元素であり、元素βは周期律表■ａ族から選択された１
種の元素であり、元素Ｔは周期律表Ｉｂ、ｎｂ、ｍｂ、
■ａ族から選択された１種の元素であり、元素δは０（
酸素）であり、ｗＳｘＳｙ、ｚはそれぞれ１≦Ｗ≦５．
１≦Ｘ≦５．１≦ｙ≦１５．１≦２≦２０を満たす数で
ある）で表される組成の複合酸化物が好ましい。この材料は液
体窒素温度以上の温度領域で有効な超電導特性を有して
いる。

このような複合酸化物配線を形成する原料としては、上
述の元素α、β並びにγを含有する化合物を粉末として
用いる。即ち具体的には上記元素の酸化物、炭酸塩、硫
酸塩または硝酸塩の粉末が入手も容易で廉価である。

また、本発明の好ましい態様に従えば、超電導配線を形
成する原料として、上記各元素の化合物粉末を焼成して
予め複合酸化物を形成したものを粉末として用いる。こ
の場合は、予め複合酸化物の形成を有効な制御下で形成
することができるので、配線として形成された後の超電
導特性が安定する。

即ち、まず、予備焼成付す原料粉末の粒径を１５μｍ以
下、特に好ましくは５μｍ以下とする。これは、平均粒
径が５μｍを越えると、焼成後の粉砕工程を経た後も結
晶粒径の微細化が不十分となるからである。従って、完
成後の配線内の結晶粒径の微細化を図るためには、原料
粉末の粒径が上記範囲内であることが好ましい。

また、予備焼成後の粉砕工程は、後の本焼成後の結晶粒
径に直接的な影響があり、１０μｍを越えると、本焼成
後の焼成体の結晶粒径が大きくなり結晶粒界面積が減少
する。前述のように、結晶粒界の減少は、高いＴｃの達
成に好ましくない。

尚、予備焼成→粉砕の工程は、これを複数回繰り返すこ
とによって原料粉末あるいは焼成体の均質化が一層促進
される。また、特に最後の粉砕工程後の焼成体粉末の粒
径は、特に製品の特性に密接な関係を有し、これを１０
μｍ以下とすることが好ましい。

また、本焼成温度は、極めて重要な制御因子であり、同
相反応で焼成が進行すること、並びに、焼成されたペロ
ブスカイト型または擬似ペロブスカイト型酸化物の結晶
成長が過大とならないように制御する必要がある。一方
、有効な焼結反応が促進されなければならないことはい
うまでもなく、これらの観点を総合した結果、本焼成温
度は、原料粉末のうちでもっとも融点の低い原料の融点
を上限とし、この融点との温度差が１００℃以内の温度
範囲で行うことが好ましい。特に、上限を融点としたの
は、原料粉末が溶融した場合に原料粉末が液相反応を起
こし、このようなプロセスを経た超電導材料の特性が大
きく劣化するからである。

更に、上述の本焼成の制御と同様の理由で、予備焼成温
度も、上記範囲に達しない場合は、固溶反応が十分に進
行せず、有効なペロブスカイト型または擬似ペロブスカ
イト型酸化物が得られない。

一方、予備焼成温度が９５０℃を越えると、本焼成の場
合と同様に、焼成体に固溶相が生じ、あるいは結晶粒の
粗大化が生じ、以後の工程における粉砕による微細化が
困難になる。

更に、本発明者等の知見によれば、ペロブスカイト型ま
たは擬似ペロブスカイト型酸化物による超電導体は、特
に焼成体の表面近傍において優れた特性を発揮する。こ
れは、材料の表面付近では、焼成時または熱処理時に雰
囲気との反応が超電導特性に好ましく進行し、また、表
面に近い相は歪み効果を受けるので優れた超電導特性が
出現したものと考えられる。従って、本発明の方法にお
いては、配線を形成するペーストの粘度並びに基板に対
する塗膜の厚さを慎重に制御する必要がある。

即ち、塗布したペーストの厚さが１０μｍ未満の場合は
、厚さが均一な連続した膜の形成が困難となる。また、
厚さが５０μｍを越えた場合は、所謂ダレによるパター
ンの変形が生じ易く、また形成された配線の基板近傍と
配線表面との間で特性に差異が生じ易くなる。

また、複合酸化物焼結体による超電導材料は、特に結晶
粒界すなわち結晶粒間の境界面に超電導臨界温度の高い
物質が形成され易（、本発明の方法に従って形成された
超電導配線は、その特徴的な作製方法によって、結晶が
微細組織化されており、極めて高い臨界温度を有する超
電導材料として形成される。

尚、ビヒクルとしては、テルピオネールあるいは酢酸ブ
チルカルビトール等を溶剤としたエチルセルロース樹脂
またはアクリル樹脂等を用いることができる。

また、基板材料としては、アルミナ、ベリリア、窒化ア
ルミニウム等の一般的な材料の他に、５ｒＴｉＯ５、サ
ファイア等を特に有利な材料として挙げることができる
。これらの材料では、超電導複合酸化物と近似した結晶
構造を有する等、直上に形成された超電導性配線の特性
を向」二する効果がある。

更に、本発明の好ましい態様に従うと、ペーストは焼成
処理により、実質的に均一な擬似ペロブスカイト型酸化
物となる。この処理により電気紙抗が完全に零となる超
電導臨界温度が著しく上昇する。この熱処理は、ペース
トを形成する原料粉末のうち最も融点の低いものの融点
を上限とし、この融点との差が１００℃以内の温度で行
うことが望ましく、更に酸素含有雰囲気下で実施するこ
とがさらに好ましい。すなわち、適切な酸素分圧下での
焼成処理によって焼成体に酸素欠陥が形成され、この欠
陥により生ずるキャリヤによってクーパ一対ができる確
率が高くなり、抵抗が完全に零となる超電導臨界温度が
著しく上昇するものと推定される。

尚、加熱温度が上記範囲に達しない場合は、焼成体が目
的とするペロブスカイト型または擬似ペロブスカイト型
酸化物とならず、所望の超電導臨界温度が得られないか
、あるいは、長時間の熱処理が必要となる。一方、上記
範囲を越える処理温度では超電導効果を有するペロブス
カイト型の結晶構造が消滅して臨界温度は著しく低下す
る。

更に、焼成後の熱処理により、△Ｔは更に３〜５℃向上
する。尚、熱処理は１０　’ｔｏｒｒ以下の酸素減圧下
で行うことが好ましい。この理由は、これ以上の酸素分
圧下では酸素欠陥の形成に長時間を要するので工業的で
ないこと、および５００℃未満あるいは８００℃を越え
る温度では、やはり酸素欠陥の形成が過小又は過大とな
り、十分に高いＴｃｉが得難いためである。

更に本発明の好ましい態様に従うと、上記焼成後、また
は焼成後に５００〜８００℃の範囲に再加熱してから２
０℃／分以下の冷却速度で徐冷する急冷することによっ
て、さらに超電導臨界温度を向上することができる。ま
た、これらの本発明の好ましい態様に従うことによって
、超電導材料の組成が均一化されると共に安定し、具体
的に後述するように、特性の経時劣化が少ないことも認
められた。

以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、以下
の開示によって本発明の技術的範囲は何隻制限されるも
のではない。

実施例純度９６％のＡｌ２Ｏ３基板１に、第１図（ａ）に示す
ように、レジスト２をパターニングし、弗酸によってエ
ツチングした後、残留したレジストを除去した。

この状態の基板１を顕微鏡によって観察したところ、第
１図（ｂ）に示すように、回路の形状に対応した溝３が
形成されていた。

一方、ペーストの調製は以下のようにして行った。

純度３Ｎ以上、平均粒径３μ以下のＢａＣＯ３、￥２（
１３、ＣｕＯの各々の粉末を、焼成後の組成がＢａＭＹ
ｙＣｕｚ　Ｏ７−δとしたときに、Ｘ＝２、ｙ＝１ｚ＝
３、δ″−，０，１となるように混合した混合粉末を用
意した。

この粉末を、９００℃で１２時間大気中で焼成し、ケー
キ状に固化した粉末をアルミナ製のボールミルによって
８時間粉砕し、平均粒径４μｍの粉末を得た。この操作
を３回繰り返し、特に最後の工程においては粉末焼成体
が２〜３μｍとなるように粉砕した。

■　粉末焼成体をポリビニルブチラール及びデブチルフ
タレートと混合し、更に、イソプロピルアルコール１：
メチルエチルケトン２の割合で混合したのちボールミル
で１２Ｈｒ混合し、その後脱気・粘度調整を行い９００
ｃｐｓ（ａｔ２０℃）のスラリーを作成した。

■　粉末焼成体を、テルピネオール及びのブチルカルビ
トールと混合したのち３方ロールで混合した。

■　の粉末焼成体を、アクリル系バインダー及びチクソ
トロピ性付与の為シリコーン系添加物を付加し、ボール
ミルで混合した。

これらのペースト■、■および■を、第２図（ａ）に示
すようにそれぞれ前述の溝３を形成した基板１上に塗布
した後、第２図（ｂ）に示すように、スキージによって
溝から溢れたペーストを掻き落とすと共に溝の内部にペ
ーストを十分行き渡らせた。

これらの基板を９００℃で０２ガス気流中に保持し１２
時間焼成して、ペーストのビヒクルを飛散させると共に
焼成した。かくして、基板１の溝３内には複合酸化物焼
成体の配線が形成される。

尚、こうして得られた配線の臨界温度Ｔｃ並びにＴｃｉ
の測定は、定法に従って試料の両端にＡｇ導電ペースト
にて電極を付け、タラビオスタット中で直流４点プロー
ブ法で行った。温度はキャリブレーション済みの＾ｕ　
（Ｆｅ）−Ａｇ熱電対を用いて行った。温度を少しづつ
上昇させながら抵抗の変化を測定し、測定されたＴｃ並
びにＴｃｉを第１表に示す。

更に、周期率表Ｉ［ａ族並びに］ＩＩａ族の元素を、第
１表に示すような組成で、上述のものと同じ条件で配線
化し、上述の方法で各試料のＴｃ　、　Ｔｃｉの測定を
行った。また、基板材料についても第１表に示すように
幾つかの種類のものを用いた。

尚、基板としてベリリア、サファイア、５ｒＴ１ｏ３を
用いた。

第１表（１）第１表（２）第１表（３）発明の詳細な説明した如く、本発明に従えば、電気抵抗あるいはイ
ンピーダンスが全く存在しないという理想的な特性を有
するセラミックス系超電導材料による配線パターンが形
成される。

一方、近年ジョセフソン素子を中心とするデバイスベー
スでの高速化が進められているが、これらデバイスの性
能は当然ながら回路基板や、パッケージに登載されて機
能する。換言すればデバイスでの性能が如何に向上して
もそれに見合った周辺部材としての配線等が完成しなけ
ればその性能を充分に発揮し得ない。

本回路基板はこれら超電導を利用したデバイスを登載し
、機能を引き出す為のパターンに利用すると効果的であ
る。

本発明に従って作製された配線は、極めて良好な超電導
特性を示すと共に、その優れた特性が長期間に亘って安
定している。

これは、本発明の特徴的な製造方法に従って、結晶粒の
微細化による結晶光面長の増加と、酸素欠陥濃度の均一
性が達成されて高いＴｃｉと小さな△Ｔが得られたもの
である。

基板上に配線として形成された超電導体は、基板によっ
て支持されているので機械的に安定しており取扱に優れ
る。また、強度を持たせるために、超電導材料を必要以
上に使用する必要がないので経済的でもある。

また、基板にフォトリソグラフィ法によって溝を形成し
、これにペーストを充填するという方法により、スクリ
ーン印刷法等に比較して極めて微細なパターンの形成が
可能となる。

この様に、本発明に従えば、高く安定したＴｃを有する
超電導材料が、使い易い形態で得られるため、経済的な
液体窒素を冷却媒体として用いる超電導性配線が得られ
、超電導技術の実用化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）及びら）並びに第２図（ａ）及び（ｂ）は
、それぞれ本発明による超電導性配線パターンの形成刃
法を工程を追って説明する図である。〔主な参照番号〕１・・・基板、２・・・レジスト、３・・・溝、 ■（■、■）・・・ペースト特許出願人　　住友電気工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）フォトリソグラフイ法により平坦な基板の表面に
所定のパターンに従って溝を形成し、周期律表IIａ族から選択された少なくとも１種の元素α
または該元素αを含む化合物と、周期律表IIIａ族から
選択された少なくとも１種の元素βまたは該元素βを含
む化合物と、周期律表 I ｂ、IIｂ、IIIｂ、IVａ、VII
Iａ族から選択された少なくとも１種の元素γまたは該
元素γを含む化合物と、の粉末を原料粉末として該原料
粉末をビヒクルと混合して得たペーストとし、前記基板上の溝に該ペーストを充填した後該ペーストか
らビヒクルを揮散・除去し更に、該ペーストを塗布した基板を加熱して本焼成する
ことによって、一般式：α＿ｗβ＿ｘγ＿ｙδ＿ｚ（但し、元素αは周期律表IIａ族から選択された１種の
元素であり、元素βは周期律表IIIａ族から選択された
１種の元素であり、元素γは周期律表 I ｂ、IIｂ、II
Iｂ、VIIIａ族から選択された１種の元素であり、元素
δはＯ（酸素）であり、ｗ、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ１≦
ｗ≦５、１≦ｘ≦５、１≦ｙ≦１５、１≦ｚ≦２０を満
たす数である）で表される組成の複合酸化物配線パターンを該基板上に
形成することを特徴とする超電導性配線パターンの形成
方法。
（２）前記原料粉末が、元素α、βおよびγのそれぞれ
の酸化物、炭酸塩、硫酸塩または硝酸塩の粉末であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の超電導性
配線パターンの形成方法。
（３）前記原料粉末が、元素α、βおよびγのそれぞれ
の酸化物、炭酸塩、硫酸塩または硝酸塩の粉末を混合し
た粉末混合物を予備焼成し、得られた焼成体を粉砕して
得た焼成体粉末であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（４）前記予備焼成を、７００〜９５０℃の範囲で実施
することを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の超
電導性配線パターンの形成方法。
（５）原料粉末の予備焼成並びに粉砕を含む一連の工程
を少なくとも３回繰り返すことを特徴とする特許請求の
範囲第３項乃至第４項の何れか１項に記載の超電導性配
線パターンの形成方法。
（６）最後の予備焼成後の焼成体を平均粒径８μｍ以下
に粉砕することを特徴とする特許請求の範囲第３項乃至
第５項の何れか１項に記載の超電導性配線パターンの形
成方法。
（７）前記粉砕をボールミルによって行うことを特徴と
する特許請求の範囲第３項乃至第６項の何れか１項に記
載の超電導性配線パターンの形成方法。
（８）Ａｌ＿２Ｏ＿３のボールを用いて少なくとも５時
間以上粉砕を行うことを特徴とする特許請求の範囲第７
項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（９）前記粉砕をジェットミルによって行うことを特徴
とする特許請求の範囲第３項乃至第６項の何れか１項に
記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（１０）空気、ＡｒまたはＮ＿２を媒体として、Ａｌ＿
２Ｏ＿３のターゲットにジェット流を衝突させることを
特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の高臨界温度を
有する超電導性配線パターンの形成方法。
（１１）前記原料粉末の粒径が各々１５μｍ以下、好ま
しくは５μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項乃至第１０項の何れか１項に記載の超電導性配
線パターンの形成方法。
（１２）前記ビヒクルが樹脂並びに溶剤からなることを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１１項に記載の
超電導性配線パターンの形成方法。
（１３）前記樹脂がエチルセルロース樹脂またはアクリ
ル樹脂であることを特徴とする特許請求の範囲第１２項
に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（１４）前記溶剤が、テルピオネールあるいは酢酸ブチ
ルカルビトールであることを特徴とする特許請求の範囲
第１２項または第１３項に記載の超電導性配線パターン
の形成方法。
（１５）ペーストの粘度を１００乃至１０００ポアズと
することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１４
項の何れか１項に記載の超電導性配線パターンの形成方
法。
（１６）前記ペーストの充填を、スキージによって行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１５項の
何れか１項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（１７）前記基板が、アルミナであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項乃至第１６項の何れか１項に記載
の超電導性配線パターンの形成方法。
（１８）前記基板が、ベリリアであることをを特徴とす
る特許請求の範囲第１項乃至第１６項の何れか１項に記
載の超電導性配線パターンの形成方法。
（１９）前記基板が、窒化アルミニウムであることをを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１６項の何れか
１項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（２０）前記基板が、ＳｒＴｉＯ＿３であることをを特
徴とする特許請求の範囲第１項乃至第１６項の何れか１
項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（２１）前記基板が、サファイアであることをを特徴と
する特許請求の範囲第１項乃至第１６項の何れか１項に
記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（２２）前記溝の深さが、１０乃至５０μｍの範囲であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第２１項
の何れか１項に記載の超電導性配線パターンの形成方法
。
（２３）塗布したペーストの乾燥を、１００乃至２００
℃の範囲で行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項
乃至第２２項の何れか１項に記載の超電導性配線パター
ンの形成方法。
（２４）本焼成を、前記ペーストを形成する原料粉末の
うち、最も融点の低い材料の融点を上限とし、該融点と
の差が１００℃以内の温度で行うことを特徴とする特許
請求の範囲第１項乃至第２３項の何れか１項に記載の超
電導性配線パターンの形成方法。
（２５）本焼成を、Ｏ＿２分圧が０．１気圧乃至０．５
気圧の酸素含有雰囲気下で行うことを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第２４項に記載の超電導性配線パタ
ーンの形成方法。
（２６）本焼成を大気中で行うことを特徴とする特許請
求の範囲第２５項に記載の超電導性配線パターンの形成
方法。
（２７）５気圧乃至１０気圧の酸素雰囲気下で本焼成を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第２６項に記載の
超電導性配線パターンの形成方法。
（２８）本焼成後の焼成体を４００〜７００℃の範囲で
熱処理することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
第２７項に記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（２９）熱処理時のＯ＿２分圧が１０＾−＾１Ｔｏｒｒ
以下であることを特徴とする特許請求の範囲第２８項に
記載の超電導性配線パターンの形成方法。
（３０）上記焼成後直ちに、または焼成後５００乃至８
００℃の範囲に再加熱し、２０℃／分以下の冷却速度で
徐冷することを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第
２９項の何れか１項にに記載の超電導性配線パターンの
形成方法。
（３１）前記配線を形成する複合酸化物の結晶粒径が１
５μｍ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項乃至第３０項の何れか１項に記載の超電導性配線パタ
ーンの形成方法。
（３２）前記元素αがＢａであり、前記元素βがＹであ
り、前記元素γがＣｕであることを特徴とする特許請求
の範囲第１項乃至第３１項の何れか１項に記載の超電導
性部材の製造方法。
（３３）前記元素αがＢａであり、前記元素βがＤｙで
あり、前記元素γがＣｕであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第３１項の何れか１項に記載の超電
導性部材の製造方法。
（３４）前記元素αがＳｒであり、前記元素βがＬａで
あり、前記元素γがＣｕであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項乃至第３１項の何れか１項に記載の超電
導性部材の製造方法。