JPH0197498U - - Google Patents

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JPH0197498U
JPH0197498U JP19237787U JP19237787U JPH0197498U JP H0197498 U JPH0197498 U JP H0197498U JP 19237787 U JP19237787 U JP 19237787U JP 19237787 U JP19237787 U JP 19237787U JP H0197498 U JPH0197498 U JP H0197498U
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JP
Japan
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control signal
write control
predetermined level
outside
semiconductor memory
Prior art date
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JP19237787U
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  • Static Random-Access Memory (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示すブロツク図、第
2図は第1図に示された実施例の書き込み動作を
示すタイミング図、第3図は従来例を示すブロツ
ク図である。 9……メモリセルアレイ、13……カラムデコ
ーダ、14……ローデコーダ、15……書き込み
/読み出し回路、16……制御回路、17……I
/Oバツフア、18……パルス発生回路、19…
…アドレス遷移検出回路、20……データ遷移検
出回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. クロス接続されたMOSFETから構成される
    複数のメモリセルが複数のビツト線と複数のワー
    ド線の間に配置されて成る半導体メモリに於いて
    、外部から印加される書き込み制御信号が所定レ
    ベルになることを検出し書き込み動作を制御する
    制御回路と、前記書き込み制御信号が所定レベル
    になつたことにより動作し外部から印加されるデ
    ータが変化したことを検出するデータ遷移検出回
    路と、前記書き込み制御信号、及び、前記データ
    遷移検出回路の検出出力に基いて所定期間パルス
    を発生するパルス発生回路と、該パルス発生回路
    のパルス出力によつて制御され、外部から印加さ
    れるアドレスデータで定められた前記ワード線を
    前記所定期間所定レベルにするアドレスデコーダ
    とを備え、前記書き込み制御信号が所定レベルに
    なつたとき、及び、前記書き込み制御信号が所定
    レベルになつた後前記データが変化したとき、前
    記メモリセルに書き込みが為されることを特徴と
    する半導体メモリ。
JP19237787U 1987-12-17 1987-12-17 Pending JPH0197498U (ja)

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JP19237787U JPH0197498U (ja) 1987-12-17 1987-12-17

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JPH0197498U true JPH0197498U (ja) 1989-06-28

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