JPH0199886A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH0199886A JPH0199886A JP62256767A JP25676787A JPH0199886A JP H0199886 A JPH0199886 A JP H0199886A JP 62256767 A JP62256767 A JP 62256767A JP 25676787 A JP25676787 A JP 25676787A JP H0199886 A JPH0199886 A JP H0199886A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- recording medium
- optical recording
- recording layer
- layer
- Prior art date
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- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/246—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes
- G11B7/2463—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes azulene
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザ光特に半導体レーザによる書き込み記
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。
録に適した光学的記録媒体に関し、詳しくは光ディスク
および光カード技術に用いうる改善された光学的記録媒
体に関するものである。
一般に、光ディスクおよび光カードは、基板の上に設け
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな(
例えば、約1μ)ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。
た薄い記録層に形成された光学的に検出可能な小さな(
例えば、約1μ)ピットをらせん状又は円形のトラック
形態にして高密度情報を記憶することができる。
この様なディスクに情報を書込むには、レーザ感応層(
記録層)の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層(記録層)は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層(記録
層)は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解
により小さな凹部(ピット)を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネル
ギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度
差を有するピットを形成できる。
記録層)の表面に集束したレーザを走査し、このレーザ
光線が照射された表面のみがピットを形成し、このピッ
トをらせん状、円形または直線状トラックの形態で形成
する。レーザ感応層(記録層)は、レーザ・エネルギー
を吸収して光学的に検出可能なピットを形成できる。例
えば、ヒートモード記録方式では、レーザ感応層(記録
層)は熱エネルギーを吸収し、その個所に蒸発又は融解
により小さな凹部(ピット)を形成できる。また、別の
ヒートモード記録方式では、照射されたレーザ・エネル
ギーの吸収により、その個所に光学的に検出可能な濃度
差を有するピットを形成できる。
この光ディスクおよび光カードに記録された情報は、レ
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。
ーザ光をトラックに沿って走査し、ピットが形成された
部分とピットが形成されていない部分の光学的変化を読
み取ることによって検出される。例えば、レーザ光がト
ラックに沿って走査され、ディスクにより反射されたエ
ネルギーがフォトディテクターによってモニターされる
。
ピットが形成されている部分は、レーザ光の反射は低く
なりフォトディテクターの出力は低下する。
なりフォトディテクターの出力は低下する。
一方、ピットが形成されていない部分は、レーザ光は充
分に反射されフォトディテクターの出力は太き(なる。
分に反射されフォトディテクターの出力は太き(なる。
この様な光ディスクおよび光カードに用いる光学的記録
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案
されている。これらの薄膜は、一般に350〜800n
m付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点がある。
媒体として、これまでアルミニウム蒸着膜などの金属薄
膜、ビスマス薄膜、酸化テルル薄膜やカルコゲナイド系
非晶質ガラス膜などの無機物質を主に用いたものが提案
されている。これらの薄膜は、一般に350〜800n
m付近の波長光で感応性であるとともに、レーザ光に対
する反射率が高いため、レーザ光の利用率が低い等の欠
点がある。
この様なことから、近年比較的長波長(例えば、780
nm以上)の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例
えば発振波長が780nm又は830nm付近の半導体
レーザによりピットを形成できる点で有効なものである
。
nm以上)の光エネルギーで光学的な物性変化可能な有
機薄膜の研究がなされている。この様な有機薄膜は、例
えば発振波長が780nm又は830nm付近の半導体
レーザによりピットを形成できる点で有効なものである
。
しかし、一般に長波長側に吸収特性をもつ有機化合物は
、熱に対して不安定な点で問題がある。
、熱に対して不安定な点で問題がある。
例えば光学記録媒体の取扱いは必ずしも空調設備の整っ
たオフイースでのみ使用されるわけではな(、運送倉庫
での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要が
あり高温における安定性により優れた媒体が望まれてい
る。特に光学記録媒体が光カードである場合はカードと
しての厚み及び強度の点で中空構造(エアーサンドイッ
チ構造)を取ることは困難で、記録層上に直接接着剤で
対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用いる
接着剤としては記録層の書込み感度を落とさず作業性に
優れるホットメルト系の接着剤が有効である。しかしホ
ットメルト系接着剤では貼合せ時に短時間ではあるが1
00℃位になる為、記録層はより耐熱性に優れたものが
望まれている。さらに光カードは個人での持運びによる
取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われる可能性が高い
為、耐熱性を始めとする環境安定性に優れたものが望ま
れている。
たオフイースでのみ使用されるわけではな(、運送倉庫
での保管、ドライブ装置の機内昇温等を考慮する必要が
あり高温における安定性により優れた媒体が望まれてい
る。特に光学記録媒体が光カードである場合はカードと
しての厚み及び強度の点で中空構造(エアーサンドイッ
チ構造)を取ることは困難で、記録層上に直接接着剤で
対向基板を貼合せる貼合せ構造となる。その際に用いる
接着剤としては記録層の書込み感度を落とさず作業性に
優れるホットメルト系の接着剤が有効である。しかしホ
ットメルト系接着剤では貼合せ時に短時間ではあるが1
00℃位になる為、記録層はより耐熱性に優れたものが
望まれている。さらに光カードは個人での持運びによる
取扱いとなる場合が多く、粗雑に扱われる可能性が高い
為、耐熱性を始めとする環境安定性に優れたものが望ま
れている。
本発明はこの様な現状に鑑みてなされたものであり、そ
の目的はアズレン系色素(米国特許454886号明細
書)の持つ優れた光学特性および記録感度の閾値特性が
明確で高記録感度であること、塗工法による製造が可能
であることといった特性を落とすることなく、高温高湿
の環境条件下においても、より安定性の向上した色素薄
膜からなる記録層を有する光学記録媒体を提供すること
にある。
の目的はアズレン系色素(米国特許454886号明細
書)の持つ優れた光学特性および記録感度の閾値特性が
明確で高記録感度であること、塗工法による製造が可能
であることといった特性を落とすることなく、高温高湿
の環境条件下においても、より安定性の向上した色素薄
膜からなる記録層を有する光学記録媒体を提供すること
にある。
〔問題点を解決するための手段および作用〕即ち、本発
明は下記一般式(I)で表わされるアズレニウム塩化合
物を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録
媒体である。
明は下記一般式(I)で表わされるアズレニウム塩化合
物を含有する記録層を有することを特徴とする光学記録
媒体である。
一般式
但し一般式(I)および(n)においてR1−R8お゛
よびR、/〜R7/ は水素原子、ハロゲン原子又は1
価の有機残基である置換基を表わし又はR1とR2,R
2とR3+R3とR4,R4とR51RISとR6,R
6とR7+R1′とR2’*R2′ とR3′。
よびR、/〜R7/ は水素原子、ハロゲン原子又は1
価の有機残基である置換基を表わし又はR1とR2,R
2とR3+R3とR4,R4とR51RISとR6,R
6とR7+R1′とR2’*R2′ とR3′。
R3′とR4’+R4′とR5’ + R5′とR6′
およびR6′とR7′ の組合せのうちで少なくと
も1つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成しても
よい。但しR1とR1’ + R2とR2’+R3とR
3′。
およびR6′とR7′ の組合せのうちで少なくと
も1つの組合せで置換又は未置換の縮合環を形成しても
よい。但しR1とR1’ + R2とR2’+R3とR
3′。
R4とR4’ + R6とR5’ + R6とR6/
およびR7とRフ/ の組合せのうち少なくとも1組は
異なる置換基の組合せであ名。Yは置換又は未置換の5
員環もしくは6員環を形成する2価の炭化水素基を示す
。Xeはアニオン残基を示す。
およびR7とRフ/ の組合せのうち少なくとも1組は
異なる置換基の組合せであ名。Yは置換又は未置換の5
員環もしくは6員環を形成する2価の炭化水素基を示す
。Xeはアニオン残基を示す。
つまりこの色素はペンタメチン鎖の両端のアズレン環の
置換基が異なるいわゆる非対称形であることを特徴とす
る。
置換基が異なるいわゆる非対称形であることを特徴とす
る。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明の光学記録媒体は、電磁放射線を吸収して熱作用
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式〔I〕で示されるアズレニウム塩化合物を含有する
薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。
を受け、かかる熱作用によって光学変化を生じる前記一
般式〔I〕で示されるアズレニウム塩化合物を含有する
薄膜からなる記録層を有することに特徴がある。
一般式(1)においてR1−R8およびR、/〜R、/
は水素原子、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃
素原子)又は1価の有機残基を表わす。
は水素原子、ハロゲン原子(塩素原子、臭素原子、沃
素原子)又は1価の有機残基を表わす。
1価の有機残基としては、広範なものから選択すること
ができるが、特にアルキル基(メチル、エチル、n−プ
ロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、n−
アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキ
シル、t−オクチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど)、置換もしくは
未置換のアリール基(フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換もしく
は未置換の複素環基(ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど)置換もしくは
未置換のアラルキリ基(ベンジル、2−フェニルエチル
、2−フェニル−1−メチルエチル、ブロモベンジル、
2−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジル)、アシル基(アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど)、置換
もしくは未置換アミノ基(アミノ、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノなど)、置換もしくは未置換スチリル基
(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど)、ニトロ
基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基、
カルボキシル基、カルボ酸エステル、カルボン酸アミド
、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基(フ
ェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジ
メチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニト
ロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾな
ど)を挙げることができる。
ができるが、特にアルキル基(メチル、エチル、n−プ
ロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、n−
アミル、n−ヘキシル、n−オクチル、2−エチルヘキ
シル、t−オクチルなど)、アルコキシ基(メトキシ、
エトキシ、プロポキシ、ブトキシなど)、置換もしくは
未置換のアリール基(フェニル、トリル、キシリル、エ
チルフェニル、メトキシフェニル、エトキシフェニル、
クロロフェニル、ニトロフェニル、ジメチルアミノフェ
ニル、α−ナフチル、β−ナフチルなど)、置換もしく
は未置換の複素環基(ピリジル、キノリル、カルバゾリ
ル、フリル、チエニル、ピラゾリルなど)置換もしくは
未置換のアラルキリ基(ベンジル、2−フェニルエチル
、2−フェニル−1−メチルエチル、ブロモベンジル、
2−ブロモフェニルエチル、メチルベンジル、メトキシ
ベンジル、ニトロベンジル)、アシル基(アセチル、プ
ロピオニル、ブチリル、バレリル、ベンゾイル、トリオ
イル、ナフトイル、フタロイル、フロイルなど)、置換
もしくは未置換アミノ基(アミノ、ジメチルアミノ、ジ
エチルアミノ、ジプロピルアミノ、アセチルアミノ、ベ
ンゾイルアミノなど)、置換もしくは未置換スチリル基
(スチリル、ジメチルアミノスチリル、ジエチルアミノ
スチリル、ジプロピルアミノスチリル、メトキシスチリ
ル、エトキシスチリル、メチルスチリルなど)、ニトロ
基、ヒドロキシ基、メルカプト基、チオ−エーテル基、
カルボキシル基、カルボ酸エステル、カルボン酸アミド
、シアノ基又は置換もしくは未置換アリールアゾ基(フ
ェニルアゾ、α−ナフチルアゾ、β−ナフチルアゾ、ジ
メチルアミノフェニルアゾ、クロロフェニルアゾ、ニト
ロフェニルアゾ、メトキシフェニルアゾ、トリルアゾな
ど)を挙げることができる。
また、R,とR2,R2とR3,R3とR4,R4とR
,、R,とR6,R6とR7,R,’ とR2′。
,、R,とR6,R6とR7,R,’ とR2′。
R2′とR3’rR3′とR4’+R4′とRII’
+ R5′とR6/ およびR6′とR7′ の組合わ
せのうち、少な(とも1つの組合せで置換又は未置換の
縮合環を形成してもよい。縮合環としては、5員、6員
。
+ R5′とR6/ およびR6′とR7′ の組合わ
せのうち、少な(とも1つの組合せで置換又は未置換の
縮合環を形成してもよい。縮合環としては、5員、6員
。
または7員環の縮合環であり、芳香族環(ベンゼン、ナ
フタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベ
ンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシ
ベンゼンなど)、複素環(フラン環、ベンゾフラン環、
ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、
チアゾール環など)、脂肪族環(ジメチレン、トリメチ
レン、テトラメチレンなど)が挙げられる。
フタレン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、メチルベ
ンゼン、エチルベンゼン、メトキシベンゼン、エトキシ
ベンゼンなど)、複素環(フラン環、ベンゾフラン環、
ピロール環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、
チアゾール環など)、脂肪族環(ジメチレン、トリメチ
レン、テトラメチレンなど)が挙げられる。
Yは、置換又は未置換の5員環もしくは6員環を形成す
る2価の炭化水素基(−CH2−CH2−。
る2価の炭化水素基(−CH2−CH2−。
など)を示し、これらの5員環または6員環はベンゼン
環、ナフタレン環などと縮合されていてもよい。
環、ナフタレン環などと縮合されていてもよい。
また、式中のアニオン残基Xeは、塩素イオン、臭素イ
オン、ヨウ素イオン、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン
、ベンゼンスルホン酸塩イオン、p−トルエンスルホン
酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン
、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオ
ン、テトラフェニルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリ
ン酸塩イオン、ベンゼンスルフィン酸塩イオン、酢酸塩
イオン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩
イオン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、コハク
酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン酸塩イオン、
ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素二リ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロ
アンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タング
ステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イ
オンなどの陰イオンを示す。
オン、ヨウ素イオン、過塩素酸塩イオン、硝酸塩イオン
、ベンゼンスルホン酸塩イオン、p−トルエンスルホン
酸塩イオン、メチル硫酸塩イオン、エチル硫酸塩イオン
、プロピル硫酸塩イオン、テトラフルオロホウ酸塩イオ
ン、テトラフェニルホウ酸塩イオン、ヘキサフルオロリ
ン酸塩イオン、ベンゼンスルフィン酸塩イオン、酢酸塩
イオン、トリフルオロ酢酸塩イオン、プロピオン酢酸塩
イオン、安息香酸塩イオン、シュウ酸塩イオン、コハク
酸塩イオン、マロン酸塩イオン、オレイン酸塩イオン、
ステアリン酸塩イオン、クエン酸塩イオン、−水素二リ
ン酸塩イオン、二水素−リン酸塩イオン、ペンタクロロ
スズ酸塩イオン、クロロスルホン酸塩イオン、フルオロ
スルホン酸塩イオン、トリフルオロメタンスルホン酸塩
イオン、ヘキサフルオロヒ酸塩イオン、ヘキサフルオロ
アンチモン酸塩イオン、モリブデン酸塩イオン、タング
ステン酸塩イオン、チタン酸塩イオン、ジルコン酸塩イ
オンなどの陰イオンを示す。
尚、R1とRI ’ + R2とR2’+R3とR3’
+ R4とR4’+ R5とR5′、R6とR6/
およびR7とR7′ の組合せの中で高温、高湿環境
下の安定性に優れ、溶解性も向上する特に好ましい置換
基の異なる組合せ例としては水素原子とメチル基、水素
原子とエチル基、水素原子とn−プロピル基、水素原子
とイソプロピル基、水素原子とn−ブチル基、水素原子
とt−ブチル基、等の水素原子とアルキル基との組−合
せ、あるいは水素原子とメトキシ基、水素原子とエトキ
シ基等水素原子とアルコキシ基との組合せがあげられる
。
+ R4とR4’+ R5とR5′、R6とR6/
およびR7とR7′ の組合せの中で高温、高湿環境
下の安定性に優れ、溶解性も向上する特に好ましい置換
基の異なる組合せ例としては水素原子とメチル基、水素
原子とエチル基、水素原子とn−プロピル基、水素原子
とイソプロピル基、水素原子とn−ブチル基、水素原子
とt−ブチル基、等の水素原子とアルキル基との組−合
せ、あるいは水素原子とメトキシ基、水素原子とエトキ
シ基等水素原子とアルコキシ基との組合せがあげられる
。
またR n Rnil又はR’ n R’ nil
(nは1〜7の正の整数)が縮合環を形成している場
合にはRn−Rn++又はR’、−R’。+1の一方が
チオフェン、ビロール等の複素環であり、他方が水素原
子およびメチル、エチル、n−プロピル、インプロピル
、n−ブチル、t−ブチル等のアルキル基から選ばれる
置換基である組合せが好適である。
(nは1〜7の正の整数)が縮合環を形成している場
合にはRn−Rn++又はR’、−R’。+1の一方が
チオフェン、ビロール等の複素環であり、他方が水素原
子およびメチル、エチル、n−プロピル、インプロピル
、n−ブチル、t−ブチル等のアルキル基から選ばれる
置換基である組合せが好適である。
以下、本発明で用いられるアズレニウム塩化合物の具体
例を下記に列挙するが、これらに制限m−工 I およ
び II で される 八 のしh3 r し1−13
CH3Br にH3 しH3 Rr 前記一般式(1)および〔II〕で表わされる化合物は
米国特許第2734900号公報に開示のシアニンの合
成方法と同様にアズレン化合物またはアズレン化合物誘
導体と、中間鎖を形成する例えば2−クロロ−1−ホル
ミル−3−ヒドロキシメチレンシクロヘキセンイソホロ
ンの様“なヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物、カ
ルボニル化合物、ジアミノ化合物あるいはトリメトキシ
化合物等を強酸存在下反応させることによって合成する
ことができる。
例を下記に列挙するが、これらに制限m−工 I およ
び II で される 八 のしh3 r し1−13
CH3Br にH3 しH3 Rr 前記一般式(1)および〔II〕で表わされる化合物は
米国特許第2734900号公報に開示のシアニンの合
成方法と同様にアズレン化合物またはアズレン化合物誘
導体と、中間鎖を形成する例えば2−クロロ−1−ホル
ミル−3−ヒドロキシメチレンシクロヘキセンイソホロ
ンの様“なヒドロキシ化合物、ジヒドロキシ化合物、カ
ルボニル化合物、ジアミノ化合物あるいはトリメトキシ
化合物等を強酸存在下反応させることによって合成する
ことができる。
本発明の光学記録媒体は、第1図に示す様に、基板1の
上に前記一般式〔I〕及び(II )で示されるアズレ
ニウム塩化合物を含有する記録層2を設けることにより
形成することができる。
上に前記一般式〔I〕及び(II )で示されるアズレ
ニウム塩化合物を含有する記録層2を設けることにより
形成することができる。
基板lとしては、ポリカーボネート、ポリニス矢ル、ア
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、゛ガラスあるいは金属類などを用いることができる
。
クリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エ
ポキシ樹脂、ポリアミド、ポリイミドなどのプラスチッ
ク、゛ガラスあるいは金属類などを用いることができる
。
記録層2の形成にあたって、前記一般式〔I〕で示され
るアズレニウム塩化合物を1種または2種以上組合せて
用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記一般
式〔I〕の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、ピ
リリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフ
ェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、シ
アニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラ
ヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナンスレ
ン系1、アミニウム塩・ジイモニウム塩基、金属キレー
ト錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物など
、例えばAf、 Te、 Bi、 Sn、 In、 S
e、 SnO。
るアズレニウム塩化合物を1種または2種以上組合せて
用いることができ、さらに他の染料、例えば、前記一般
式〔I〕の化合物以外のポリメチン系、アズレン系、ピ
リリウム系、スクアリウム系、クロコニウム系、トリフ
ェニルメタン系、キサンチン系、アントラキノン系、シ
アニン系、フタロシアニン系、ジオキサジン系、テトラ
ヒドロコリン系、トリフエッチアジン系、フェナンスレ
ン系1、アミニウム塩・ジイモニウム塩基、金属キレー
ト錯体系染料など、あるいは金属および金属化合物など
、例えばAf、 Te、 Bi、 Sn、 In、 S
e、 SnO。
TeO2,As、Cdなど、あるいは紫外線吸収剤など
と混合分散あるいは積層してもよい。
と混合分散あるいは積層してもよい。
記録層2は塗布法あるいは蒸着法等の種々の方法により
基板1上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板1上に塗布することによって形成することが
できる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を考
慮してバインダーを記録層中に混合して成膜することも
できる。
基板1上に形成される。塗布法を用いる場合には、アズ
レニウム塩化合物を有機溶媒中に溶解あるいは分散した
溶液を基板1上に塗布することによって形成することが
できる。また必要に応じて成膜性および塗膜安定性を考
慮してバインダーを記録層中に混合して成膜することも
できる。
塗布の際に使用できる有機溶媒は、前述のアズレニウム
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般には、アルコール系、ケトン系
、アシド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲン
化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶媒
を用いることができる。また、バインダーとしては、例
えばニトロセルロース、エチルセルロース、ポリスチレ
ン、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレート
、ポリアミドなどが挙げられる。また、必要によりワッ
クス、高級脂肪酸、アミド類(例えば、オレイルアミド
)を添加剤として用いる。
塩化合物を分散状態とするか、或いは溶解状態とするか
によって異なるが、一般には、アルコール系、ケトン系
、アシド系、エーテル系、エステル系、脂肪族ハロゲン
化炭化水素系、芳香族系、脂肪族炭化水素系などの溶媒
を用いることができる。また、バインダーとしては、例
えばニトロセルロース、エチルセルロース、ポリスチレ
ン、ポリビニルピロリドン、ポリメチルメタクリレート
、ポリアミドなどが挙げられる。また、必要によりワッ
クス、高級脂肪酸、アミド類(例えば、オレイルアミド
)を添加剤として用いる。
以上のバインダーにジオクチルフタレート、ジブチルフ
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることができる。
タレート、トリクレジルフォスフェート等の可塑剤、鉱
油、植物油等の油剤、更にアルキルベンゼンスルホン酸
ソーダ、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル
等の分散剤及びその他の添加剤を適宜混合させ記録層の
成膜性、塗膜安定性を高めることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、グラビアコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、グラビアコーティング法な
どのコーティング法を用いて行うことができる。
記録層2中のアズレニウム塩化合物の含有量は通常40
〜100重量%、好ましくは50〜100重量%が望ま
しい。40重量%未満では記録層の十分な光吸収性と再
生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることができ
ない。
〜100重量%、好ましくは50〜100重量%が望ま
しい。40重量%未満では記録層の十分な光吸収性と再
生レーザー光に対して十分な光反射率を得ることができ
ない。
又、記録層2の膜厚は100人〜20μm1好ましくは
200人〜1μmが適当である。尚、記録レーザー光に
対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき得
るならば可能な限り薄いほうがよい。
200人〜1μmが適当である。尚、記録レーザー光に
対して十分な光反射性を有する薄膜を安定に形成でき得
るならば可能な限り薄いほうがよい。
さらに、本発明の光学記録媒体は、第2図に示すように
、記録層2上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層3を設けることができる。該保護層3は、基板1
側から光を照射する場合は不透明でも差支えない。
、記録層2上に記録及び再生レーザー光に対して透明な
保護層3を設けることができる。該保護層3は、基板1
側から光を照射する場合は不透明でも差支えない。
また、第3図に示すように、基板1と記録層2の間に下
引層4を設けても良い。
引層4を設けても良い。
また、第4図に示す様に、保護層3及び下引層4を共に
用いることも可能である。
用いることも可能である。
下引き層は(a)接着性の向上、(b)水またはガスな
どのバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上、(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護および(
f)プレグルーブの形成などを目的として設けられる。
どのバリヤー、(C)記録層の保存安定性の向上、(d
)反射率の向上、(e)溶剤からの基板の保護および(
f)プレグルーブの形成などを目的として設けられる。
(a)の目的に対しては高分子材料、例えばアイオノマ
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料モしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、(b)、(C)の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物、例えば5i02. MgF2. Sin
、 TiO2,ZnO,TiN、 SiNなど、金属ま
たは半金属、例えばZn、 Cu、 S、 Ni。
ー樹脂、ポリアミド系樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子
、シリコーン、液状ゴムなどの種々の材料モしくはシラ
ンカップリング剤などの種々の物質を用いることができ
、(b)、(C)の目的に対しては上記高分子材料以外
に無機化合物、例えば5i02. MgF2. Sin
、 TiO2,ZnO,TiN、 SiNなど、金属ま
たは半金属、例えばZn、 Cu、 S、 Ni。
Cr、 Ge、 Se、 Cd、 Ag、 kl
などを用いることができる。(d)の目的に対しては金
属、例えばAll。
などを用いることができる。(d)の目的に対しては金
属、例えばAll。
Agなど、または金属光沢を有する有機薄膜、例えばシ
アニン染料、メチン染料などを用いることができる。そ
して(e) 、 (f)の目的に対しては紫外線硬化樹
脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることがで
きる。下引き層の膜厚は50人〜100μm1好ましく
は200人〜30μmが適当である。
アニン染料、メチン染料などを用いることができる。そ
して(e) 、 (f)の目的に対しては紫外線硬化樹
脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることがで
きる。下引き層の膜厚は50人〜100μm1好ましく
は200人〜30μmが適当である。
また、保護層は、キズ、ホコリ、汚れなどからの保護お
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。
よび記録層の保存安定性の向上および反射率の向上を目
的として設けられ、その材料としては下引き層と同じ材
料を使用することができる。
保護層の膜厚は100Å以上、好ましくは1000Å以
上が適当である。
上が適当である。
この際、下引き層および/または保護層中には本発明の
一般式〔■〕または(II )のアズレニウム塩化合物
が含有されていてもよい。また、下引き層または保護層
には安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。
一般式〔■〕または(II )のアズレニウム塩化合物
が含有されていてもよい。また、下引き層または保護層
には安定剤、分散剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面
活性剤、可塑剤などが含有されていてもよい。
さらに、本発明による光学記録媒体の別の構成としては
、第1図から第4図に示した同一構成の2枚の記録媒体
(場合によりその1枚を基板のみとして)を用い記録層
2を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層3を介して接着したいわ
ゆる密着構造(貼り合せ構造)にしてもよい。
、第1図から第4図に示した同一構成の2枚の記録媒体
(場合によりその1枚を基板のみとして)を用い記録層
2を内側に配置して密封したいわゆるエアーサンドイッ
チ構造にしてもよいし、保護層3を介して接着したいわ
ゆる密着構造(貼り合せ構造)にしてもよい。
本発明の光学記録媒体は、ヘリウム−ネオンレーザ(発
振波長633nm)などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは750nm以上
の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザ(発振波長830nm)などの近赤外
あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射
によって記録する方法が適している。また、読み出しの
ためには、前述のレーザ光線を用いることができる。
振波長633nm)などのガスレーザの照射によって記
録することも可能であるが、好ましくは750nm以上
の波長を有するレーザ、特にガリウムーアルミニウムー
ヒ素半導体レーザ(発振波長830nm)などの近赤外
あるいは赤外領域に発振波長を有するレーザ光線の照射
によって記録する方法が適している。また、読み出しの
ためには、前述のレーザ光線を用いることができる。
この際、書込みと読み出しを同一波長のレーザで行うこ
とができ、また異なる波長のレーザで行うこともできる
。
とができ、また異なる波長のレーザで行うこともできる
。
以下、本発明を実施例に従って詳細に説明するが、これ
らに限定されるものではない。
らに限定されるものではない。
実施例1
直径130μmφ、厚さ1.2mmのインジェクション
成形によりプレグルーブを設けたポリカーボネート(以
下「PC」と略記する)基板上に前記アズレニラム塩化
合物No、(1)のアズレニウム塩化合物3重量部をジ
アセトンアルコール97重量部に溶解させた液をスピナ
ーコーティング法により塗布した後、乾燥して800人
の有機薄膜記録層を得た。
成形によりプレグルーブを設けたポリカーボネート(以
下「PC」と略記する)基板上に前記アズレニラム塩化
合物No、(1)のアズレニウム塩化合物3重量部をジ
アセトンアルコール97重量部に溶解させた液をスピナ
ーコーティング法により塗布した後、乾燥して800人
の有機薄膜記録層を得た。
この様にして作成した光学記録媒体をターンテーブル上
に取り付け、ターンテーブルをモーターで180Orp
mに回転させて、発振波長830nmの半導体レーザを
用いて、基板側より記録層にスポットサイズ1.5μm
φ、記録パワー6 m W 、記録周波数3 M Hz
で情報を書き込み、読み出しパワー0.8mWで再生し
、その再生波形をスペクトル解析(スキャニングフィル
ター、バンド幅30KHz)してC/N比を測定した。
に取り付け、ターンテーブルをモーターで180Orp
mに回転させて、発振波長830nmの半導体レーザを
用いて、基板側より記録層にスポットサイズ1.5μm
φ、記録パワー6 m W 、記録周波数3 M Hz
で情報を書き込み、読み出しパワー0.8mWで再生し
、その再生波形をスペクトル解析(スキャニングフィル
ター、バンド幅30KHz)してC/N比を測定した。
次に、同じ記録媒体を、前記測定条件で記録した部分を
、繰り返し106回読み出し後のC/N比を測定した。
、繰り返し106回読み出し後のC/N比を測定した。
更に、前記条件で作製した同一の記録媒体を60℃、9
0%RHの条件下に2000時間放置して、環境保存安
定性試験を行った後の透過率(830nm測定)および
C/N比を測定した。その結果を表1に示す。
0%RHの条件下に2000時間放置して、環境保存安
定性試験を行った後の透過率(830nm測定)および
C/N比を測定した。その結果を表1に示す。
表 1
実施例2〜9
実施例1で用いたアズレニウム塩化合物No、(1)の
化合物をNo、(2)、 (4)、 (8)、
(12)、 (16)。
化合物をNo、(2)、 (4)、 (8)、
(12)、 (16)。
(21)、 (26)、 (28)にかえて、実施
例1と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例
2〜9の光学記録媒体を作製した。
例1と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ実施例
2〜9の光学記録媒体を作製した。
上記実施例2〜9の光学記録媒体を実施例1と同様の方
法で測定した。その結果を表2に示す。
法で測定した。その結果を表2に示す。
比較例1〜3
前記非対称アズレニウム塩化合物の比較として下記対称
アズレニウム塩化合物No、(31)、 (32)。
アズレニウム塩化合物No、(31)、 (32)。
(33)を実施例1と同様の方法で記録媒体を作製し、
それぞれ比較例1〜3光学記録媒体を作製した。
それぞれ比較例1〜3光学記録媒体を作製した。
上記比較例1〜3の光学記録媒体を実施例1と同様の方
法で測定した。その結果を表2に示す。
法で測定した。その結果を表2に示す。
化合物No。
表 2
実施例10および11
下記化合物No、(34)および(35)と前記アズレ
ニウム塩化合物No、(15)とをそれぞれl:2の重
量比でジアセトンアコールに混合し、実施例1と同様の
方法で塗布し、乾燥膜厚850人の有機薄膜記録層を設
け、それぞれ実施例10. 11の光学記録媒体を作製
した。
ニウム塩化合物No、(15)とをそれぞれl:2の重
量比でジアセトンアコールに混合し、実施例1と同様の
方法で塗布し、乾燥膜厚850人の有機薄膜記録層を設
け、それぞれ実施例10. 11の光学記録媒体を作製
した。
この様にして作成した実施例10. 11の光学記録媒
体を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表3
に示す。
体を実施例1と同様の方法で測定した。その結果を表3
に示す。
化合物Nα(34)
比較例4
実施例10で用いた化合物No、(15)を除いた以外
は実施例10と同様の方法で光学的記録媒体を作製し、
同様に測定した。その結果を表3に併示する。
は実施例10と同様の方法で光学的記録媒体を作製し、
同様に測定した。その結果を表3に併示する。
実施例12
前記化合物No、(3)の化合物2重量部とニトロセル
ロース樹脂(オーバレスラッカー、ダイセル化学■製)
1重量部をジアセトンアルコール97重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、インジェクション成形に
よりプレグルーブを設けた直径130mmφ、本さ1.
2mmのPc基板上に塗布した。
ロース樹脂(オーバレスラッカー、ダイセル化学■製)
1重量部をジアセトンアルコール97重量部に混合させ
た液をスピナー塗布法により、インジェクション成形に
よりプレグルーブを設けた直径130mmφ、本さ1.
2mmのPc基板上に塗布した。
乾燥膜厚1000人の有機薄膜記録層を得た。
この様にして作製した光学記録媒体を実施例1と同様の
方法で測定した。その結果を表4に示す。
方法で測定した。その結果を表4に示す。
実施例13〜15
実施例12で用いた化合物No、(3)を前記化合物N
o、(10)、 (18)、 (22)にかえて、
実施例12と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
実施例13〜15の光学記録媒体を作製した。
o、(10)、 (18)、 (22)にかえて、
実施例12と同様の方法で記録媒体を作製し、それぞれ
実施例13〜15の光学記録媒体を作製した。
上記実施例13〜15の光学記録媒体を実施例1と同様
の方法で測定した。その結果を表4に示す。
の方法で測定した。その結果を表4に示す。
表 4
実施例16
ウオーレツトサイズの厚さ0.4mmPc基板上に、熱
プレス法によりプレグルーブを設け、その上に前記アズ
レニウム塩化合物No、(1)の化合物3重量部をジア
セトンアルコール97重量部に混合させた液をバーコー
ド法により塗布した後、乾燥して1000人の有機薄膜
記録層を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライ
フィルムを介してウオーレットサイズの厚さ0.3mm
のPc基板と、熱ロール法により密着し、密着構造の光
学記録媒体を作製した。
プレス法によりプレグルーブを設け、その上に前記アズ
レニウム塩化合物No、(1)の化合物3重量部をジア
セトンアルコール97重量部に混合させた液をバーコー
ド法により塗布した後、乾燥して1000人の有機薄膜
記録層を得た。さらに、その上にエチレン−酢ビドライ
フィルムを介してウオーレットサイズの厚さ0.3mm
のPc基板と、熱ロール法により密着し、密着構造の光
学記録媒体を作製した。
この様にして作製した光学記録媒体をX−Y方向に駆動
するステージ上に取り付け、発振波長830nmの半導
体レーザを用いて、厚さ0.4mmのPc基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ3.0μmφ、記録パ
ワー4.0mWで記録パルス80μSecでYM力方向
情報を書き込み、読み出しパワー0.4mWでへ の信号強度、B=記録部の信号強度)を測定した。
するステージ上に取り付け、発振波長830nmの半導
体レーザを用いて、厚さ0.4mmのPc基板側より、
有機薄膜記録層にスポットサイズ3.0μmφ、記録パ
ワー4.0mWで記録パルス80μSecでYM力方向
情報を書き込み、読み出しパワー0.4mWでへ の信号強度、B=記録部の信号強度)を測定した。
さらに、前記条件で作製した同一記録媒体を実施例1と
同様の条件の環境保存安定性試験を行い、その後の透過
率およびコントラスト比を測定した。
同様の条件の環境保存安定性試験を行い、その後の透過
率およびコントラスト比を測定した。
その結果を表5に示す。
表 5
〔発明の効果〕
以上説明した様に、本発明の光学記録媒体により、アズ
レン系化合物の持つ優れた緒特性を落とすことなく高温
高湿の環境条件下における安定性を向上させることが可
能となった。さらに汎用溶剤に対する溶解性に優れ、ポ
リカーボネートなど有機溶剤に浸されやすい基板に直接
塗布可能な生産性に優れた光学記録媒体を提供すること
が可能となった。
レン系化合物の持つ優れた緒特性を落とすことなく高温
高湿の環境条件下における安定性を向上させることが可
能となった。さらに汎用溶剤に対する溶解性に優れ、ポ
リカーボネートなど有機溶剤に浸されやすい基板に直接
塗布可能な生産性に優れた光学記録媒体を提供すること
が可能となった。
第1図乃至第4図は各々本発明の光学記録媒体の実施態
様を示す断面図である。
様を示す断面図である。
Claims (1)
- (1)下記一般式〔 I 〕および〔II〕で表わされるア
ズレニウム塩化合物を含有する記録層を有することを特
徴とする光学記録媒体。 〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 但し一般式〔 I 〕および〔II〕においてR_1〜R_
8およびR_1′〜R_7′は水素原子、ハロゲン原子
又は1価の有機残基である置換基を表わし、R_1とR
_2、R_2とR_3、R_3とR_4、R_4とR_
5、R_5とR_6、R_6とR_7、R_1′とR_
2′、R_2′とR_3′、R_3′とR_4′、R_
4′とR_5′、R_5′とR_6′およびR_6′と
R_7′の組合せのうちで少なくとも1つの組合せで置
換又は未置換の縮合環を形成してもよい。又、R_1と
R_1′、R_2とR_2′、R_3とR_3′、R_
4とR_4′、R_5とR_5′、R_6とR_6′お
よびR_7とR_7′の組合せのうち少なくとも1組は
異なる置換基の組合せである。Yは置換又は未置換の5
員環もしくは6員環を形成する2価の炭化水素基を示す
。X^■はアニオン残基を示す。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256767A JP2632872B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光学記録媒体 |
| US07/241,845 US4965178A (en) | 1987-09-12 | 1988-09-08 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62256767A JP2632872B2 (ja) | 1987-10-12 | 1987-10-12 | 光学記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0199886A true JPH0199886A (ja) | 1989-04-18 |
| JP2632872B2 JP2632872B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17297162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62256767A Expired - Fee Related JP2632872B2 (ja) | 1987-09-12 | 1987-10-12 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632872B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127293A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-06 | Canon Inc | 光熱変換記録媒体 |
-
1987
- 1987-10-12 JP JP62256767A patent/JP2632872B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6127293A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-06 | Canon Inc | 光熱変換記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2632872B2 (ja) | 1997-07-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |