JPH0210451A - 半導体記憶装置 - Google Patents

半導体記憶装置

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JPH0210451A
JPH0210451A JP63161467A JP16146788A JPH0210451A JP H0210451 A JPH0210451 A JP H0210451A JP 63161467 A JP63161467 A JP 63161467A JP 16146788 A JP16146788 A JP 16146788A JP H0210451 A JPH0210451 A JP H0210451A
Authority
JP
Japan
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output
decoder
register
signal
protection
Prior art date
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Pending
Application number
JP63161467A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadayoshi Mori
森 忠芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH0210451A publication Critical patent/JPH0210451A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体記憶装置に関する。
〔従来の技術〕
従来の半導体記憶装置は、半導体記憶装置内で記憶保護
の制御を行うことができないようになっていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の半導体記憶装置は、記憶保護制御を行う
ための回路を内蔵していないので、記憶保護を行いたい
場合、外部にその為の回路をつけなければならないとい
う欠点がある。
また、半導体記憶装置内の同一アドレスに複数のメモリ
プレーンが接続できるようになっているものでは、外部
から現在どのメモリブレーンが選択されているかを知る
ことができない為、記憶保護を行うことができないとい
う欠点がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体記憶装置は、分割されたアドレス空間の
各空間ごとにアクセスの可否を指定するレジスタと、ア
クセス動作時にそのアクセスがどのメモリ空間に対する
アクセスかを判断するデコーダおよび、アクセスの可否
を指定するレジスタの内容に従ってアクセス動作の制御
をする制御回路とを含んで構成される。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。
ロウアドレスバッファ1は外部アドレス端子Ao−A8
に接続される。ロウデコーダ2はロウアドレスバッファ
1の出力に接続される。カラムアドレスバッファ3は外
部アドレス端子A9〜A目に接続される。カラムデコー
ダ4はカラムアドレスバッファ3に接続される。センス
アンプ/セレクター5はカラムデコーダ4に接続される
メモリセルアレイ6はロウデコーダ2とセンスアンプ/
セレクター5に接続される。セレクター7はロウアドレ
スバッファ1からのA O、A l情報出力とカラムア
ドレスバッファ3からのA 13 。
A14情報出力と制御信号「rと接続されている。
デコーダ8はセレクター7からのアドレス情報出力と接
続されている。
プロテクションレジスタ9はデコーダ8からの出力と接
続されている。
入出力コントロール10はセンスアンプ/セレクター5
とプロテクションレジスタ入出力コントロール11およ
び外部入出力端子l10o〜I/ O7)ニー 接続す
tL、ff端子、 n端子、 Wl”r端子、プロテク
ションレジスタ9からの出力が論理回路を通じて接続さ
れている。プロテクションレジスタ入出力コントロール
11はプロテクションレジスタ9および外部からのr「
端子、ff端子、ff端子と接続されている。
メモリセルアレイ6中のデータを読み出す場合の動作説
明する。
■W端子はハイレベルとなっているものとし、外部から
入力されるアドレス情報A、〜A14はロウアドレスバ
ッファ1およびカラムアドレスバッファ3でそれぞれ増
幅される。ロウデコーダ2はロウアドレスバッファ1か
らの出力をデコードし、メモリセルアレイ6中の1つの
ワードラインを選択する。
カラムデコーダ4はカラムアドレスバッファ3からの出
力をデコードし、センスアンプ/セレクター5はメモリ
セルアレイ6からの出力をアンプし、そのうちの1組(
1ワ一ド分)を選択し出力する。
セレクター7はrr倍信号よってAl3A14の情報を
選択し、デコーダ8へ出力する。デコーダ8はA 13
A 、4の情報をデコードし、プロテクションレジスタ
9のうち1つを選択する0選択されたプロテクションレ
ジスタ9は記憶保護の情報を出力する。
入出力コントロール10は外部からの1”EW信号およ
びW信号とプロテクションレジスタ9からの信号でコン
トロールされ、プロテクションレジスタ9の信号がロウ
レベル(読み出し禁止)のときは、センスアンプ/セレ
クター5からの出力は入出力コントロール10から出力
されない、また、ハイレベル(読み出し許可)のときは
入出力コントロール10を通して出力される。
また、プロテクションレジスタ9への書き込み読み出し
はrr端子をロウレベルにすることで行う、この時、セ
レクター7はロウアドレスバッファ1からのAoA1信
号を選択し、デコーダ8へ出力する。
デコーダ8はプロテクションレジスタ9のうち1つを選
択する。プロテクションレジスタ入出力コントロール1
1は選択されたプロテクションレジスタ9のうち1つと
、入出力コントロール10を電気的に接続し、ff信号
Tr信号によって読み書きを行う。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、半導体記憶装置に、アド
レス空間をいくつかに分割し各アドレス空間ごとにアク
セスの可否を指定するレジスタとアクセス動作時にその
時のアドレスがどの空間にあるかを判別するデコーダお
よび、そのデコーダ出力によって選ばれた前記レジスタ
の内容に従ってアクセス動作の制御をする制御回路を有
することにより、記憶保護(書き込み、読み出し動作を
その時の状態に応じて許可/禁止する)を行うことがで
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例のブロック図である。 1・・・ロウアドレスバッファ、2・・・ロウデコーダ
、3・・・カラムアドレスバッファ、4・・・カラムデ
コーダ、5・・・センスアンプ/セレクター、6・・・
メモリセルアレイ、7・・・セレクター、8・・・デコ
ーダ、9・・・プロテクションレジスタ、10・・・入
出力コントロール、11・・・プロテクションレジスタ
入出力コントロール。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体記憶装置内のアドレス空間をいくつかに分割し、
    その各空間に対してアクセスの可否を指定するためのレ
    ジスタと、アクセス動作時にそのアクセスがどのアドレ
    ス空間に対するアクセスかを判断するデコーダと、アク
    セスの可否を指定する前記レジスタの内容に従ってアク
    セス動作の制御をする制御回路とを含むことを特徴とす
    る半導体記憶装置。
JP63161467A 1988-06-28 1988-06-28 半導体記憶装置 Pending JPH0210451A (ja)

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JP63161467A JPH0210451A (ja) 1988-06-28 1988-06-28 半導体記憶装置

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JPH0210451A true JPH0210451A (ja) 1990-01-16

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0850642A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Rhythm Watch Co Ltd Icカード
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JPS61249156A (ja) * 1985-04-26 1986-11-06 Hitachi Ltd 半導体記憶装置

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