JPH02104633U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH02104633U JPH02104633U JP1312189U JP1312189U JPH02104633U JP H02104633 U JPH02104633 U JP H02104633U JP 1312189 U JP1312189 U JP 1312189U JP 1312189 U JP1312189 U JP 1312189U JP H02104633 U JPH02104633 U JP H02104633U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- nozzles
- drying
- air gas
- item
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例を示す半導体ウエハの
乾燥装置の平面図、第２図は第１図の―線断
面図、第３図は従来の半導体ウエハの乾燥装置の
概略断面図、第４図は従来の枚葉式半導体ウエハ
の乾燥装置の概略構成図、第５図は従来の他の枚
葉式半導体ウエハの乾燥装置の概略構成図、第６
図は従来の吹き付け方式による半導体ウエハの乾
燥装置の断面図、第７図はその半導体ウエハの乾
燥装置の要部構成図、第８図は本考案の他の実施
例を示す半導体ウエハの乾燥装置の平面図、第９
図は第８図の―線断面図、第１０図は第８図
に示す装置の復路時の一状態図である。 ５０，６０……半導体ウエハ、５１ａ，５１ｂ
……メカニカルチヤツク、５２ａ，５２ｂ，５２
ａ′，５２ｂ′……第１の乾燥部、５３ａ，５３
ｂ……第２の乾燥部（蓋体）、５４ａ，５４ｂ…
…支持アーム、５５ａ，５５ｂ……第１の噴射ノ
ズル、５６ａ，５６ｂ……第２の噴射ノズル。
乾燥装置の平面図、第２図は第１図の―線断
面図、第３図は従来の半導体ウエハの乾燥装置の
概略断面図、第４図は従来の枚葉式半導体ウエハ
の乾燥装置の概略構成図、第５図は従来の他の枚
葉式半導体ウエハの乾燥装置の概略構成図、第６
図は従来の吹き付け方式による半導体ウエハの乾
燥装置の断面図、第７図はその半導体ウエハの乾
燥装置の要部構成図、第８図は本考案の他の実施
例を示す半導体ウエハの乾燥装置の平面図、第９
図は第８図の―線断面図、第１０図は第８図
に示す装置の復路時の一状態図である。 ５０，６０……半導体ウエハ、５１ａ，５１ｂ
……メカニカルチヤツク、５２ａ，５２ｂ，５２
ａ′，５２ｂ′……第１の乾燥部、５３ａ，５３
ｂ……第２の乾燥部（蓋体）、５４ａ，５４ｂ…
…支持アーム、５５ａ，５５ｂ……第１の噴射ノ
ズル、５６ａ，５６ｂ……第２の噴射ノズル。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 半導体ウエハに付着した水分を除去して乾
燥させる半導体ウエハの乾燥装置において、 前記半導体ウエハを水平に挾持するメカニカル
チヤツクと、該半導体ウエハ表裏面に清浄な温風
ガスを噴射する第１の複数のノズルと、該ノズル
に連結して半導体ウエハ表裏面を覆うように形成
した蓋体と、該蓋体内部に設けられ、前記半導体
ウエハの表裏面に清浄な温風ガスを噴射する第２
の複数のノズルとを具備し、前記第１の複数のノ
ズル及び蓋体内部に設けられる第２の複数のノズ
ルを半導体ウエハを挾み込むように駆動して、半
導体ウエハを乾燥するようにしたことを特徴とす
る半導体ウエハの乾燥装置。 (2) 前記温風ガスは窒素ガスであり、かつ、第
１の複数のノズルの噴射圧より、第２の複数のノ
ズルの噴射圧が高くなるように設定されているこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハの乾
燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312189U JPH02104633U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312189U JPH02104633U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02104633U true JPH02104633U (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=31223169
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312189U Pending JPH02104633U (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02104633U (ja) |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1312189U patent/JPH02104633U/ja active Pending