JPH02106072A

JPH02106072A - 絶縁ゲート型トランジスタおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH02106072A
Application number: JP63260095A
Authority: JP
Inventors: Kiyohiro Kawasaki; 清弘川崎
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1988-10-14
Filing date: 1988-10-14
Publication date: 1990-04-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は絶縁ゲート型トランジスタに関するものであり
、とりわけアクティブ型のマトリクス画像表示装置にお
いて有用な絶縁ゲート型トランジスタ及びその製造方法
を提供するものである。

従来の技術近年、微細加工技術、高密度実装技術および液晶材料等
の進歩により２−６インチと小型ではあるが液晶パネル
を用いてテレビジョン画像が商用ベースで提供されるよ
うになってきた。一方のガラス基板上にＲＧＢの着色層
を形成しておくことにより表示画像のカラー化も容易に
達成され、また絵素毎にスイッチング素子を内蔵させた
、いわゆるアクティブ型の液晶パネルではクロストーク
も少なく、かつ高いコントラスト比の画像が確保される
。

このような液晶パネルは、走査線としては１２０−２４
０本、信号線としては２４０−７２０本程度のマトリク
ス編成が一般的で、第９図に示すように液晶パネル１を
構成する一方の基板２上に形成された走査線の電極端子
群（図示せず）および信号線の電極端子群３に、例えば
ポリイミド系樹脂薄膜をベースとし、金メツキされた銅
箔の接続端子（図示せず）を多数形成された接続フィル
ム４を圧接しながら接着剤で固定したり、あるいは駆動
用の電気信号を供給する半導体集積回路チップ５を直付
けしたりして液晶パネル１の中央部の画像表示部に電気
信号を供給する手段が実装として付与される。第９図に
は便宜上二つの実装手段を同時に示しているが通常はい
ずれか一方の手段が採用される。実装に必要な電極端子
群と画像表示部の走査線や信号線とを接続する配線材６
．７は同じ材質である必要はなく適宜選定されるが、一
般的な単純マトリクス型の液晶パネルでは透明導電性の
Ｅ　Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）が用
いられて同一である。

なお８は全ての絵素電極に共通な透明導電性の共通電極
を有するもう一方のガラス板で、２枚のガラス板は１０
μｍ前後の間隙を保持するようにスペーサ、封口剤、シ
ール材等の部材を用いて鞘み立てられ、前記間隙に液晶
材が充填されている。

カラー化のためにはガラス板８の閉空間側に染料または
顔料のいずれかもしくは両方を含む有機薄膜よりなる着
色層を形成しておけばよく、このようなガラス基板８を
別名カラーフィルタとよんでいる。そして例えばＴＮ型
の液晶を用いる場合にはガラス板８上面上とガラス板２
下面上に偏光板が貼付され、液晶パネルｌは電気光学素
子として機能する。

第１０図はアクティブ型の液晶パネルの等価回路で、走
査線９（７）と信号線１０（６）との交点毎にスイッチ
ング素子として例えば絶縁ゲート型トランジスタ１１と
液晶セル１２とより成る単位絵素が配置される。実線で
描かれた素子類は一方のマトリクス基板２上に、そして
破線で描かれた素子類がもう一方の基板８上に形成され
ている。

蓄積容１１１３は必ずしも必須の構成要素とは言えない
が、ゲート・ソース問等の寄生容量によってもたらされ
る映像信号の＋１１用効率の低下や画像むら、あるいは
絶縁ゲート型トランジスタ１１と液晶セル１２の保持状
態のリーク電流にともなう画像のちらつき（フリッカ）
や画面上下の輝度むら（輝度傾斜）等の抑圧には効果的
存在で、開口率を低下させたり点欠陥を増やす恐れはあ
っても適宜採用される。１４は前述したように全ての液
晶セル１２に共通する透明導電層より成る対抗電極で、
１５は蓄積容量１３の共通線である。一般的には１４と
１５は接続して同電位で駆動される。

アクティブ基板をローコストで作製するための手段とし
て、ガラス基板を用いプラズマＣＶＤによって絶縁ゲー
ト型トランジスタを得る工業化技術は緒についたばかり
で歴史的にみてもまだ確ケしたとは言い難く、非晶質シ
リ・コンを半導体層とし、シリコン窒化膜をゲート絶縁
膜とする絶縁ゲート型トランジスタは、その新規性もあ
いまってデバイス構造とその製造方法にはかなりの自由
度があり、また電極材料の制約も緩いため様々な導電性
材料が用いられるが、ここでは本発明者が特願昭５７−
９５３４３の出願にて開示したものを一部改良したもの
を従来例として取り上げる。

第１１図は同トランジスタの平面配置図であり、Ａ−Ａ
’綿線上工程途中断面図を第１２図に示し、その製造方
法を以下に述べる。第１２図（ａ）に示したようにまず
絶縁性基板、例えばガラス板２の一主面上にゲートとな
る第１の金属Ｎ９、例えば０．１μｍの膜厚のＣｒを選
択的に被着形成する。

つぎにプラズマＣＶＤにより第１のシリコン窒化膜１６
、不純物を含まない第１の非晶質シリコン層１７、そし
て再び第２のシリコン窒化膜１８を例えば０．４ＩＬｍ
、０．１μｍ、０．１μｍの膜厚で連続的に被着する。

そしてゲート金属層９上にのみシリコン窒化膜を選択的
に残して１９とした後、第１２図（ｂ）に示したように
不純物として隣（Ｐ）を含む第２の非晶質シリコン［２
０を再びブラズマＣＶＤにより全面に０．０５μｍの膜
厚で被着し、第２と第１の非晶質シリコンＮ２０．１８
および第１のシリコン窒化膜１６を貫通するゲート９へ
のコンタクトホール２１を形成した後、ソース・ドレイ
ンとなる第２の金属層２２、例えば０．８μ！ｎの膜厚
のＡｔを被着する。引続き第２の金属層を選択的に残し
てソース配線２３、ドレイン配線２４、ゲート配線２５
を形成した後、これらの配線層を食刻マスクとして配線
間に露出している不純物を含む非晶質シリコンＮ２０と
その下の不純物を含まない非晶質シリコン層１７とを選
択的に除去して第１２図（ｃ）に示す絶縁ゲート型トラ
ンジスタが完成する。この時、第２のシリコン窒化膜１
９は、エツチング・ストッパーとしてチャネルとなる不
純物を含まない非晶質シリコン層を保護する機能が重要
である。なお、第１１図に示したソース配線２３とゲー
ト９との交点に第２のシリコン窒化膜２６を残している
のは、アクティブ型のマトリクス基板における走査線９
と信号線１０との間の耐圧を高め、クロスショートを減
少せしめるための設計的配慮である。

発明が解決しようとする課題しかしながら、上述した絶縁ゲート型トランジスタは、
単結晶シリコンプロセスとの比較からも容易に分かるよ
うに拡散の概念が無く、全ての薄膜層が被着形成によっ
てなされている。一方、非晶質シリコンは水素によって
欠陥密度を補償されているので耐熱性に欠けることも事
実である。このような状況下では三つの課題を指摘する
ことが出来る。

その一つは生産ロット内、生産ロット間のいずれにおい
ても絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ電流が大きく変動
することである。その理由はチャネルとなる不純物を含
まない第１の非晶質シリコン層１７と、ソース・ドレイ
ン配線２３、　２４との間に介在しオーミック接触を確
保するための不純物を含む第２の非晶質シリコン層２０
との間の界面に浸入した微量の大気が、薄い酸化膜を形
成するからである。先述したように二つの非晶質シリコ
ン層１７と２０が不純物を共有し合う程の熱処理を与え
ることはできず、第２の非晶質シリコンＮ２０の被着ま
での待機状態、および第１の非晶質シリコン層１７の表
面状態がＯＮ電流を大きく左右する。従って、第１の非
晶質シリコン層１７が露出してから第２の非晶質シリコ
ン層２０の被着終了までの工程管理は、連続性と環境整
備に厳密性が要求され、必ずしも作り易いデバイスとは
言えない。

もう一つの課題は第２の金属層配線が断線し易いことで
ある。解析によれば、第２の金属配線層２３−２５下の
第２の非晶質シリコンＮ２０と、第１の非晶質シリコン
層１７との間で膜剥離が生じ、しかも第２の金属層のパ
ターン幅が太い程、トランジスタ特性の安定化のための
熱処理温度が高い程、剥離が進行することが判明した。

その理由は加熱によって二つの非晶質シリコン層１７．
２０から発生するガスが、第２の金属層によるキャップ
（蓋）効果によって境界面に微少な空洞を形成するため
と思われる。断線を防止する意味では、非晶質シリコン
層を島状に形成して、第２の金属配線Ｆ１２３−２５を
ゲート絶縁層である第１の絶縁層１６上に直接被着する
ことによって効果を上げることはできるが、トランジス
タのソース・ドレイン領域に於ける膜剥離を完全に抑え
ることには原理的に無理がある。

話を簡単にするために従来例の中では省略したが、耐熱
性の観点からは、本発明者が特開昭５９−６８９７５号
公報で開示したように、第２の金属Ｆ！２３−２５と、
不純物を含む第２の非晶質シリコン層２０との間に耐熱
バリア層を介在させると十分な熱処理を与えることが出
来て、トランジスタ特性の安定化が促進されるが、製造
工程が複雑になることが三番目の課題として挙げられる
。

本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。

課題を解決するための手段本発明は、ソース・ドレイン配線層とチャネルとなる不
純物を含まない非晶質シリコン層との接続が、従来のよ
うに不純物を含んだ非晶質シリコン層の被着によってな
されるのではなく、チャネルどなる不純物を含まない非
晶質シリコン層への不純物の選択的ドーピングによって
ソース・ドレインが形成されることで目的が達せられる
。不純物のドーピングを可能ならしめる手段は、ガス状
不純物をプラズマ状態にイオン化し、非晶質シリコン層
に低速の加速電圧下で照射するプラズマ照射（イオン・
シャワー）であり、選択的ドーピングを可能ならしめる
のは、非晶質シリコン層上に形成された適当なマスクで
ある。

作用不純物をソース・ドレインを構成する非晶質シリコン層
に十分ドープしておくことにより、加熱処理でソース・
ドレイン配線が非晶質シリコン層と反応し非晶質シリコ
ン層内に浸入しても、チャネルとなる不純物を含まない
非晶質シリコン層にまで到達することはなく、オーミッ
ク特性は保証される。すなわち、耐熱バリア層は不要と
なる。

一方、プラズマ照射は小さいとはいえ加速エネルギーを
持ち非晶質シリコン層にドープされるので、非晶質シリ
コン層の表面はさほど清浄度を要求しない。加えてソー
ス・ドレイン配線層の被着形成は通常のスパッタで行わ
れても特に問題となるような汚染はなく、したがってソ
ース・ドレイン配線層が剥離する現象も原理的には発生
しない。

実施例以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明の第１の実施例による絶縁ゲート型トラ
ンジスタの平面配置図であり、Ａ−Ａ’綿線上工程断面
図を第２図に示す。なお、便宜上同一の部位に対しては
従来例と同じ番号を与えることにする。先ず、絶縁性基
板２上にゲートとなる第１の金属Ｎ９を選択的に被着形
成し、全面に第１のシリコン窒化膜１６、不純物を含ま
ない非晶質シリコンＮ１７、そして再び第２のシリコン
窒化膜を順次被着し、第２図（ａ）に示したように、ゲ
ート９上に第２のシリコン窒化膜１９を選択的に残して
非晶質シリコンＮ１７を露出する。

次に、第２図（ｂ）に示したように不純物、例えば燐（
Ｐ）のプラズマビーム２７を基板２の全面にわたって照
射する。この時パターン化されたシリコン窒化膜１９は
プラズマビーム　２７に対してマスクとして機能するだ
けの膜厚が必要であるが、非晶質シリコン層１７の２−
３倍程度の膜厚で十分である。非晶質シリコン層１７に
ドープされた不純物は十分深い領域、すなわちゲート絶
縁［１６との境界においても活性化するだけのドープ量
と加速エネルギーを必要とするが、活性化率は非晶質シ
リコン層１７の製膜条件によって太きＣＴ　ＲＯＮ　Ｄ
ＥＶＩＣＥ　ＬＥＴＴＥＲ５Ｖｏｌ、９．Ｎｏ、２．１
９８８）を参照されたい。シリコン窒化膜１９下の不純
物をドープされない非晶質シリコン層２８は絶縁ゲート
型トランジスタのチャネルとなり、不純物をドープされ
た非晶質シリコンＦＡ２９はチャネルと接しているので
ソース・ドレインを構成することになる。

不純物のプラズマ照射後、第２図（ｃ）に示したように
トランジスタを構成する領域にのみ非晶質シリコン層を
島状３０に残してゲート絶縁層１６を露出し、ゲート電
極９への接続のための開口部３１をゲート絶縁Ｎ１６に
形成する。引続き、全面に第２の金属層を被着した後、
選択的パターン形成によりソース・ドレイン配線２３．
２４およびゲート配線２５を得て、第２図（ｄ）に示し
た第１の実施例による絶縁ゲート型トランジスタが完成
する。ゲート９とソース配線２３との交点に第２のシリ
コン窒化膜２６を、従って自動的に同膜下の非晶質シリ
コン層も残しておくのは、クロス・ショート防止のため
である。

第３図は本発明の第２の実施例による絶縁ゲート型トラ
ンジスタの平面配置図であり、Ａ−Ａ’綿線上断面図を
第４図に示す。第１の実施例との差異は、非晶質シリコ
ン層２９の島化工程を合理化したことである。従って不
純物のプラズマ照射までは第１の実施例と同じ製造工程
を経て、ゲート９の一部上のプラズマ照射された非晶質
シリコン層２９および第１のシリコン窒化膜１６にゲ−
トコンタクト３２を形成し第２の金属層の被着後、第４
図に示したようにソース・ドレイン配線２３．２４およ
びゲート配線２５の選択的パターン形成を行い、これら
の配線層を食刻マスクとして配線層間に露出している非
晶質シリコン層２９を選択的に除去して絶縁ゲート型ト
ランジスタが完成する。ソース・ドレイン配線２３．２
４間では第２のシリコン窒化膜１９が保護層として配置
されているので非晶質シリコン層２９の除去時にチャネ
ル層２８が損傷を受けることはない。

パターン化されたシリコン窒化膜１９を使わずに、他の
マスク材を用いて不純物の選択的ドープを行うことも可
能であり、半導体層を形成するプラズマＣＶＤの簡略化
を意図とした、その他の実施例について説明する。

第５図は本発明の第３の実施例による絶縁ゲート型トラ
ンジスタの平面配置図であり、Ａ−Ａ’綿線上工程断面
図を第６図に示す。絶縁性基板２上にゲートとなる第１
の金属層を選択的に被着形成し、全面にゲート絶縁層と
なるシリコン窒化膜１６、不純物を含まない非晶質シリ
コンＮ１７、そして耐熱性の金属薄膜層を順次被着し、
第６図（ａ）に示したようにゲート９上に金属薄膜層３
３を選択的に残して非晶質シリコン層１７を露出する。

次に第６図（ｂ）に示したように燐のプラズマ照射を行
う。パターン化された金属薄膜層３３はプラズマビーム
２７に対してマスクとして機能するだけの膜厚と、プラ
ズマ照射時の基板加熱に耐えるだけの耐熱性が必要であ
り、一方その除去時の非晶質シリコン層への損傷を考慮
するならば、従来の耐熱バリア層と同じ考え方で、０．
１−０．３μｍの膜厚のＣｒが最適である。不純物のプ
ラズマ照射後、金属薄膜層３３を除去し、第６図（Ｃ）
に示したようにトランジスタを構成する領域にのみ非晶
質シリコン層２９を島状３０に残してゲート絶縁層１６
を露出し、ゲート電極９への接続のための開口部３１を
ゲート絶縁層１６に形成する。引続き、全面に第２の金
属層を被着した後、選択的パターン形成によりソース・
ドレイン配線２３．２４及びゲート配線２５を得て、第
６図（ｄ）に示した第３の実施例による絶縁ゲート型ト
ランジスタが完成する。ゲート９とソース配線２３との
交点に非晶質シリコン層を残しておいても、非晶質シリ
コン層の膜厚が０．１μｍ程度と薄ければ、クロス・シ
ョート対策としての効果は期待できない。

第７図は本発明の第４の実施例による絶縁ゲート型トラ
ンジスタの平面配置図であり、Ａ−Ａ’綿線上工程断面
図を第８図に示す。第３の実施例との差異は、同じく非
晶質シリコン層２９の島化工程を合理化したことである
。従って不純物のプラズマ照射までは第３の実施例と同
じ製造工程を経て、ゲート９の一部上のプラズマ照射さ
れた非晶質シリコンＮ２９およびゲート絶縁膜１６にゲ
ートコンタクト３２を形成し第２の金属層の被着後、第
８図（ａ）に示したようにソース・ドレイン配線２３．
２４及びゲート配線２５の選択的パターン形成を行う。

そしてこれらの配線層を食刻マスクとして配線層間に露
出している非晶質シリコン層２９を選択的に除去し、引
続きソース・ドレイン配線２３．２４間の金属薄膜層３
４を選択的に除去して第８図（ｂ）に示した第４の実施
例による絶縁ゲート型トランジスタが完成する。ソース
・ドレイン配線２３．２４閏では非晶質シリコン層２９
の除去時に金属薄膜層３４がチャネル層２８を保護して
いる。

以上述べたように、非晶質シリコンをチャネルとする絶
縁ゲート型トランジスタにおいて、非晶質シリコン層へ
の不純物の選択的ドープによって形成されたソース・ド
レインに直接ソース・ドレイン配線が接触する構成とな
っている。従って、非晶質シリコン層とソース・ドレイ
ン配線との間に不純物を含んだ非晶質シリコン層が介在
する従来の絶縁ゲート型トランジスタと比較すると、ま
ず、不連続な非晶質シリコン層界面からの脱ガスに伴う
膜剥離や断線が著しく減少している。つぎに不純物を十
分深くドープすることによりソース・ドレイン配線とチ
ャネル層との間のオーミック特性が加熱温度に左右され
なくなり、最適のトランジスタ特性を得るための熱処理
の制約が撤廃されるとともに、ソース・ドレイン配線下
の耐熱バリア層が不要となって製造工程の簡素化が実現
した。またトランジスタのＯＮ″Ｓｉ流も極めて安定し
、製造工程における厳密な環境管理や連続生産性の必然
性が薄れ、生産管理の面から見ても作り易くなったと言
える。いずれの実施例を採用するかは多角的に検討する
必要があり、例えば第１と第３の実施例においては非晶
質シリコン層を晶化するためにホトマスク工程が一回必
要ではあるが、ゲートコンタクトを形成するためにはシ
リコン窒化膜だけの食刻であるので、簡易的で生産性の
高い湿式食刻を採用でき、第２と第４の実施例のように
非晶質シリコン層の島化工程が合理化できても、ゲート
コンタクト形成のための食刻が非晶質シリコン層とシリ
コン窒化膜との多層のためドライエッチを採用した結果
、生産性の低下を招き、全体としてのバランスが崩れる
ことは量産工程においては好ましい状態とは言えないか
らである。チャネル上の第２のシリコン窒化膜１９に関
しても同様で、第１の実施例では従来のように非晶質シ
リコン層に対するエツチング・ストッパーとして機能し
ているわけではなく、不純物のプラズマ照射に対するマ
スクとして機能していることを考えるならば、必ずしも
シリコン窒化膜である必然性は無いことは既に述べたし
、チャネルに対するパシベーション機能に間しても、第
３、第４の実施例に対して後工程でプラズマＣＶＤによ
ってシリコン窒化膜を被着するならば、全体としてプラ
ズマＣＶＤの反応室数は変わらないが、ソース・ドレイ
ン配線等にまでパシベーションが拡張されるメリットが
生じるといった具合いに、様々なバリエーションが生じ
る点が、工業的に確立していないと判断する根拠である
。また耐熱性に関しても第１と第３の実施例においては
、ソース・ドレイン配線とチャネルとなる不純物を含ま
ない非晶質シリコン層との間で横方向に２−３μｍの不
純物を含む非晶質シリコン層が介在しているのに対して
、第２と第４の実施例においては、非晶質シリコン層内
における不純物の境界線上にソース・ドレイン配線が位
置しているので、ソース・ドレイン配線材にＡＩを用い
た場合にはＡｔの横方向の拡散に対してマージンがあり
、前者の方が耐熱性により優れた効果を発揮する。

理解を簡単にするため、ゲートとなる第１の金属層につ
いてはＣｒの単層膜を取り上げたが、他の導電性材料で
あっても、また例えばＣｒ　／　Ｍ　。

Ｓｉ２のような多層膜であっても河等差し支えないこと
は言うまでもない。

発明の詳細な説明したように、本発明においては、絶縁ゲート型ト
ランジスタのＯＮ電流が大きく変動することがなく、金
属層配線が断線せず、また製造工程が簡単であるという
長所を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図、第５図及び第７図は本発明の第１から
第４の実施例による絶縁ゲート型トランジスタの平面配
置図、第２図、第４図、第６図及び第８図は同トランジ
スタの要部または製造工程の途中を示す工程図、第９図
は従来の液晶パネルへの実装手段を示す斜視図り、第１
０図はアクティブ型液晶パネルの等価回路図、第１１図
と第１２図は従来例による絶縁ゲート型トランジスタの
平面配置図と同トランジスタの製造工程中の断面図を示
す。ｌ・・・液晶パネル、６．１０・・・信号線、７．９・
・・走査線、１１・・・絶縁ゲ・・・ト型トランジスタ
、１２・・・液晶セル、１６・・・第１の（ゲ・・・ト
）絶縁層、１７・・・不純物を含まない非晶質シリコン
層、１８．１９・・・第２の絶縁層、２０・・・不純物
を含む非晶質シリコン層、２１　３１，３２・・・ゲ・
・・トコンタクト、２３・・・ソ・・・ス配線層、２４
・・・ドレイン配線層、２５・・・ゲ・・・ト配線層、
２７・・・、不純物のプラズマビー・・ム、２８・・・
チャネル層、２９−・・不純物をプラズマ照射でド・・
・ブされた非晶質シリコン層、３０・・・島状の非晶質
シリコン層、３３．３４・・・金属薄膜（マスク）層。代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第図３］９−ケート１９−絶縁層２３．２４−ソース・ドノン配線２５−ケート配線田−非晶質シリコン層３１−・間口部第（Ｃ）図（ｄ）２３．２４・・・ソースドレイン配線３０−−・島４大の非晶＋ｊｔシリコン層第２図ｑ（ｂ）２・−ガラス基板９・−ケートン２７・・・不ｈｓのプラズマビーム２９−　不純ギブをドープされた非晶質シリコン層第図９−・ケート１９・−絶縁層２３．２４−−ソース・ドレイン配線２５−・ケート配線３２・・・間口郁第図ｑ２−力°ラス基板９−・ゲート１６．１９−シリコン窒化膜２３．２４．−ソース・ドしイン西ｅ線２９−・・不純
牧殖ドープされた非晶質シリコン層第　６　図（ａ）（ｂ）ン３３・−金属薄膜層３３−シリコン窒化膜（Ｃ）（ｄ）図図１一液晶パネル２・−アクティブ基板４−実装フィルム５−半導体子νブ８−カラーフィルタ第８図（ａ）１Δ （ｂ）３４−金属薄膜層第１０図９−走査線］０−信号線１１−、ｔｌ！！！ケート型トラ〉ヅスタ１２−・・液
晶セル第］］図ｂ２］−開口罫第］２図（ｂ）ン１６．１８．１９−一一シリコン響化膜１７．２０−一
非晶質ソノコン層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）絶縁性基板上にゲートとなる第１の金属層が選択
的に被着形成され、第１の絶縁層を介して前記第１の金
属層上周辺に島状の非晶質シリコン層が選択的に被着形
成され、前記島状の非晶質シリコン層上には第２の絶縁
層が選択的に被着形成されているとともに、前記第１の
金属層と一部重なり合うように前記島状の非晶質シリコ
ン層上及び第１の絶縁層上に選択的に被着形成された一
対の第２の金属層をソース・ドレイン配線とする絶縁ゲ
ート型トランジスタにおいて、前記第２の絶縁層下の領
域を除いて前記島状の非晶質シリコン層に自己整合的に
ドープされた不純物が前記第１の絶縁層との堺界面にま
で到達していることを特徴とする絶縁ゲート型トランジ
スタ。
（２）絶縁性基板上に第１の金属層を選択的に被着形成
する工程と、全面に第１の絶縁層、不純物を含まない非
晶質シリコン層、第２の絶縁層を順次被着する工程と、
前記第１の金属層上の第２の絶縁層を選択的に残して前
記非晶質シリコン層を露出する工程と、全面に不純物の
プラズマ照射を行う工程と、前記第１の金属層上周辺の
非晶質シリコン層を島状に残す工程と、前記第１の金属
層と一部重なり合うように前記島状の非晶質シリコン層
を含んで第１の絶縁層上に一対の第２の金属層を選択的
に被着形成する工程とからなる絶縁ゲート型トランジス
タの製造方法。
（３）絶縁性基板上にゲートとなる第１の金属層が選択
的に被着形成され、前記第１の金属層を含んで全面に第
１の絶縁層が被着され、非晶質シリコン層を介して第２
の絶縁層が前記第１の金属層上の第１の絶縁層上に選択
的に被着形成され、前記第２の絶縁層の一部を含み非晶
質シリコン層を介して前記第１の絶縁層上に選択的に被
着形成された一対の第２の金属層をソース・ドレインと
する絶縁ゲート型トランジスタにおいて、前記第２の絶
縁層下の領域を除いて前記非晶質シリコン層に自己整合
的にドープされた不純物が前記第１の絶縁層との境界面
にまで到達していることを特徴とする絶縁ゲート型トラ
ンジスタ。
（４）絶縁性基板上に第１の金属層を選択的に被着形成
する工程と、全面に第１の絶縁層、不純物を含まない非
晶質シリコン層、第２の絶縁層を順次被着する工程と、
前記第１の金属層上の第２の絶縁層を選択的に残して前
記非晶質シリコン層を露出する工程と、全面に不純物の
プラズマ照射を行う工程と、前記第２の絶縁層の一部を
含み前記非晶質シリコン層上に一対の第２の金属層を選
択的に被着形成する工程と、前記第２の金属層を食刻マ
スクとして前記非晶質シリコン層を選択的に除去する工
程とからなる絶縁ゲート型トランジスタの製造方法。
（５）絶縁性基板上にゲートとなる第１の金属層が選択
的に被着形成され、絶縁層を介して前記第１の金属層上
周辺に島状の非晶質シリコン層が選択的に被着形成され
、前記第１の金属層と一部重なり合うように前記島状の
非晶質シリコン層上及び絶縁層上に選択的に被着形成さ
れた一対の第２の金属層をソース・ドレイン配線とする
絶縁ゲート型トランジスタにおいて、前記第１の金属層
の一部と重なるとともに前記第２の金属層下の非晶質シ
リコン層に自己整合的にドープされた不純物が前記絶縁
層との境界面にまで到達していることを特徴とする絶縁
ゲート型トランジスタ。
（６）絶縁性基板上に第１の金属層を選択的に被着形成
する工程と、全面に絶縁層、不純物を含まない非晶質シ
リコン層、金属薄膜層を順次被着する工程と、前記第１
の金属層上の金属薄膜層を選択的に残して前記非晶質シ
リコン層を露出する工程と、全面に不純物のプラズマ照
射を行う工程と、前記金属薄膜層を除去する工程と、前
記第１の金属層上周辺の非晶質シリコン層を島状に残す
工程と、前記第１の金属層と一部重なり合うように前記
島状の非晶質シリコン層を含んで絶縁層上に一対の第２
の金属層を選択的に被着形成する工程とからなる絶縁ゲ
ート型トランジスタの製造方法。
（７）絶縁性基板上にゲートとなる第１の金属層が選択
的に被着形成され、前記第１の金属層を含んで全面に絶
縁層が被着され、非晶質シリコン層を介して前記第１の
金属層上に選択的に被着形成された一対の金属薄膜層を
含み非晶質シリコン層を介して前記絶縁層上に選択的に
被着形成された第２の金属層をソース・ドレインとする
絶縁ゲート型トランジスタにおいて、前記ソース・ドレ
イン間及び前記金属薄膜層下を除く非晶質シリコン層に
自己整合的にドープされた不純物が前記絶縁層との境界
面にまで到達していることを特徴とする絶縁ゲート型ト
ランジスタ。
（８）絶縁性基板上に第１の金属層を選択的に被着形成
する工程と、全面に絶縁層、不純物を含まない非晶質シ
リコン層、金属薄膜層を順次被着する工程と、前記第１
の金属層上の金属薄膜層を選択的に残して前記非晶質シ
リコン層を露出する工程と、全面に不純物のプラズマ照
射を行う工程と、前記金属薄膜層の一部を含み前記非晶
質シリコン層上に一対の第２の金属層を選択的に被着す
る工程と、前記第２の金属層と金属薄膜層を食刻マスク
として前記非晶質シリコン層を選択的に除去する工程と
、前記第２の金属層を食刻マスクとして前記金属薄膜層
を選択的に除去する工程とからなる絶縁ゲート型トラン
ジスタの製造方法。