JPH02106868A - ヒータランプの製造方法 - Google Patents
ヒータランプの製造方法Info
- Publication number
- JPH02106868A JPH02106868A JP63257011A JP25701188A JPH02106868A JP H02106868 A JPH02106868 A JP H02106868A JP 63257011 A JP63257011 A JP 63257011A JP 25701188 A JP25701188 A JP 25701188A JP H02106868 A JPH02106868 A JP H02106868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filament
- arm
- tip
- ring
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば半導体ウェハーの周辺を補助加熱する
ために使用されるリング状をしたヒータランプの製造方
法に関するものである。
ために使用されるリング状をしたヒータランプの製造方
法に関するものである。
例えば半導体ウェハーに不純物をイオン化して注入した
後に、イオン打ち込み層の結晶欠陥を回復する工程、あ
るいは電気的活性化のために熱処理する工程などにおい
て、半導体ウェハーを短時間に１１５０℃前後の温度に
昇温しで処理する必要があるため、直管状のヒータラン
プが平面状に配置された面光源より光照射して加熱する
。このとき、半導体ウェハーの外周縁から熱が放散する
ために、外周縁とその近傍は、中央部に比して温度が低
くなって不均一になり、半導体ウェハーに反りやスリッ
プラインなどが発生する。このため、半導体ウェハーの
外周部分にリング状をしたヒータランプを配置し、半導
体ウェハーの周辺製補助加熱して温度を均一にし、反り
やスリップラインなどの発生を防止している。
後に、イオン打ち込み層の結晶欠陥を回復する工程、あ
るいは電気的活性化のために熱処理する工程などにおい
て、半導体ウェハーを短時間に１１５０℃前後の温度に
昇温しで処理する必要があるため、直管状のヒータラン
プが平面状に配置された面光源より光照射して加熱する
。このとき、半導体ウェハーの外周縁から熱が放散する
ために、外周縁とその近傍は、中央部に比して温度が低
くなって不均一になり、半導体ウェハーに反りやスリッ
プラインなどが発生する。このため、半導体ウェハーの
外周部分にリング状をしたヒータランプを配置し、半導
体ウェハーの周辺製補助加熱して温度を均一にし、反り
やスリップラインなどの発生を防止している。
かかる目的で使用されるリング状をしたヒータランプは
、第５図に示すように、封体がリング部１と、このリン
グ部１の両端から平行状態で伸びる一対の腕部３からな
り、リング部１内には、両端からり一ド捧５が伸びるフ
ィラメント４がアンカー６で保持されており、リード棒
５がアンカー６で腕部３内に保持されている。そして、
腕部３の先端にピンチシール部３１ が形成されている
が、ピンチシール部３１には、高温に曝されると酸化し
やすいモリブデン箔７が埋設されているので、腕部３は
長くなっている。つまり、フィラメント４の両端に長い
リード棒５が接続されているので、これをリング部１と
腕部３からなる封体内に挿入するためには、リング部１
と腕部３の境界部１３の曲率半径を大きくする必要があ
る。また、ピンチシール部３１同志の間隔、つまり腕部
３同志の間隔もある程度必要なために、リング部１端部
同志の間隙りがどうしても大きくなってしまう。すなわ
ち、リング部１は、完全な円形ではなく、熱を放射しな
いかなり大きな間隙りが存在するので、半導体ウェハー
の周辺を補助加熱するときに、周辺の一部が十分に加熱
されず、半導体ウェハーの温度を均一にする目的を完全
には達成できない不具合があった。
、第５図に示すように、封体がリング部１と、このリン
グ部１の両端から平行状態で伸びる一対の腕部３からな
り、リング部１内には、両端からり一ド捧５が伸びるフ
ィラメント４がアンカー６で保持されており、リード棒
５がアンカー６で腕部３内に保持されている。そして、
腕部３の先端にピンチシール部３１ が形成されている
が、ピンチシール部３１には、高温に曝されると酸化し
やすいモリブデン箔７が埋設されているので、腕部３は
長くなっている。つまり、フィラメント４の両端に長い
リード棒５が接続されているので、これをリング部１と
腕部３からなる封体内に挿入するためには、リング部１
と腕部３の境界部１３の曲率半径を大きくする必要があ
る。また、ピンチシール部３１同志の間隔、つまり腕部
３同志の間隔もある程度必要なために、リング部１端部
同志の間隙りがどうしても大きくなってしまう。すなわ
ち、リング部１は、完全な円形ではなく、熱を放射しな
いかなり大きな間隙りが存在するので、半導体ウェハー
の周辺を補助加熱するときに、周辺の一部が十分に加熱
されず、半導体ウェハーの温度を均一にする目的を完全
には達成できない不具合があった。
そこで本発明は、リング部の端部同志の間隙を小さくす
ることが可能であり、半導体ウェハーの周辺を補助加熱
するのに適したヒータランプの製造方法を提供すること
を目的とする。
ることが可能であり、半導体ウェハーの周辺を補助加熱
するのに適したヒータランプの製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明の構成は、内部にフィラメントが配設されたリン
グ部と、このリング部の接近する両端からハ字状に拡開
して伸びる接続部と、この接続部から略平行に伸びる腕
部がガラス管にて形成されたヒータランプの製造方法で
あって、 リング部と接続部が一体に形成されたガラス管内に、そ
の両端にコイル部を有するフィラメントを挿入する（Ａ
）工程と、 一対の腕部に排気用チップ管を取り付け、リー１〜棒を
内部に配設して、腕部の一端をピンチシールする（Ｂ）
工程と、 フィシメンｌ−両端のコイルを引き延ばして接続部から
引き出し、このコイルにリード棒の先端を溶接する（Ｃ
）工程と、 チップ管より不活性ガスを流しながら、接続部と腕部を
溶着する（Ｄ）工程と、 チップ管より所定のガスを注入して、このチップ管を封
止する（Ｅ）工程と、 を含むことを特徴とするものである。
グ部と、このリング部の接近する両端からハ字状に拡開
して伸びる接続部と、この接続部から略平行に伸びる腕
部がガラス管にて形成されたヒータランプの製造方法で
あって、 リング部と接続部が一体に形成されたガラス管内に、そ
の両端にコイル部を有するフィラメントを挿入する（Ａ
）工程と、 一対の腕部に排気用チップ管を取り付け、リー１〜棒を
内部に配設して、腕部の一端をピンチシールする（Ｂ）
工程と、 フィシメンｌ−両端のコイルを引き延ばして接続部から
引き出し、このコイルにリード棒の先端を溶接する（Ｃ
）工程と、 チップ管より不活性ガスを流しながら、接続部と腕部を
溶着する（Ｄ）工程と、 チップ管より所定のガスを注入して、このチップ管を封
止する（Ｅ）工程と、 を含むことを特徴とするものである。
すなわち、フイラメン１−とり−ド捧は予め分離されて
おり、（Ａ）工程において、フィラメントをリング部と
接続部が一体に形成されたガラス管内に挿入するときに
、タングステン素線がコイル状の巻回されたフィラメン
トはフレキシビリティに富んでおり、接続部がハ字状を
してリング部との境界の曲率半径を小さくしてリング部
の端部同志の間隙を極めて小さくしてもフィラメントを
挿入できる。一方、リード棒は、（Ｂ）工程において、
はゾ直線状の腕部内に配設されて腕部の一端がピンチシ
ールされ、（Ｃ）工程において、フィラメン１へとり−
ド棒が接続され、しかる後、（Ｄ）工程において、接続
部と腕部が溶着されるので、（Ｅ）工程で完成したヒー
タランプのリング部の端部同志の間隙は極めて小さくな
る。従って、熱を放射するリング部は完全な円形に近似
したものになり、かかるヒータランプで半導体ウェハー
の周辺を補助加熱すると、半導体ウェハーの周辺をはゾ
均一に加熱することができ、反りやスリップラインなど
の発生を防止することができる。
おり、（Ａ）工程において、フィラメントをリング部と
接続部が一体に形成されたガラス管内に挿入するときに
、タングステン素線がコイル状の巻回されたフィラメン
トはフレキシビリティに富んでおり、接続部がハ字状を
してリング部との境界の曲率半径を小さくしてリング部
の端部同志の間隙を極めて小さくしてもフィラメントを
挿入できる。一方、リード棒は、（Ｂ）工程において、
はゾ直線状の腕部内に配設されて腕部の一端がピンチシ
ールされ、（Ｃ）工程において、フィラメン１へとり−
ド棒が接続され、しかる後、（Ｄ）工程において、接続
部と腕部が溶着されるので、（Ｅ）工程で完成したヒー
タランプのリング部の端部同志の間隙は極めて小さくな
る。従って、熱を放射するリング部は完全な円形に近似
したものになり、かかるヒータランプで半導体ウェハー
の周辺を補助加熱すると、半導体ウェハーの周辺をはゾ
均一に加熱することができ、反りやスリップラインなど
の発生を防止することができる。
以下に図面に基いて本発明の実施例を具体的に説明する
。
。
第１図において、リング部１は、外径が１０ｍｍφの石
英ガラス管を外径が１５６ｍｍφのリング状に成形した
ものであり、リング部１の両端から−対の接続部２がハ
字状に拡開した状態で一体に連設されている。つまり、
リング部１と接続部２の境界部１２の曲率半径は極めて
小さくて鋭角状であり、リング部１の端部同志の間隙り
は大きくても３ｍｍ程度である。フィラメント４は、タ
ングステン素線がコイル状の巻回されたものであり１両
端の引き延ばし部４２の先端にコイル４１が形成されて
いる。そして、フィラメント４には、リング部１に内接
するアンカー６が複数個取り付けられている。しかして
（Ａ）工程において、かかるフィラメント４が一方の接
続部２の開口から挿入されるが、フィラメント４がフレ
キシビリティに富んでいるので、境界部１２が鋭角状で
あっても容易に挿入することができる。このとき、フィ
ラメント４はアンカー６によってリング部１の中心に保
持され、コイル４１は接続部２の開口２ａ近辺に位置し
ている。
英ガラス管を外径が１５６ｍｍφのリング状に成形した
ものであり、リング部１の両端から−対の接続部２がハ
字状に拡開した状態で一体に連設されている。つまり、
リング部１と接続部２の境界部１２の曲率半径は極めて
小さくて鋭角状であり、リング部１の端部同志の間隙り
は大きくても３ｍｍ程度である。フィラメント４は、タ
ングステン素線がコイル状の巻回されたものであり１両
端の引き延ばし部４２の先端にコイル４１が形成されて
いる。そして、フィラメント４には、リング部１に内接
するアンカー６が複数個取り付けられている。しかして
（Ａ）工程において、かかるフィラメント４が一方の接
続部２の開口から挿入されるが、フィラメント４がフレ
キシビリティに富んでいるので、境界部１２が鋭角状で
あっても容易に挿入することができる。このとき、フィ
ラメント４はアンカー６によってリング部１の中心に保
持され、コイル４１は接続部２の開口２ａ近辺に位置し
ている。
一対の腕部３は、同じく外径が１０ｍｍφの石英ガラス
管からなるが、第２図に示すように、排気用のチップ管
３２が取り付けられ、一端側がや＼屈曲しているが、全
体としてはゾ直線状である。
管からなるが、第２図に示すように、排気用のチップ管
３２が取り付けられ、一端側がや＼屈曲しているが、全
体としてはゾ直線状である。
リード棒５は、外径が１．２ｍｍφのタングステン棒か
らなり、複数個のアンカー６が取り付けられているが、
その一端がモリブデン箔７に溶接され、外部リード８の
一端もモリブデン箔７に溶接されている。かかるリード
棒５が、（Ｂ）工程において、腕部３内に配設され、ア
ンカー６によって腕部３の軸線に保持される。そして、
腕部３の端部がピンチシールされてピンチシール部３１
にモリブデン箔７が埋設される。このとき、リード棒５
の先端部５ａは腕部３の開口３ａから僅かに突出してい
る。
らなり、複数個のアンカー６が取り付けられているが、
その一端がモリブデン箔７に溶接され、外部リード８の
一端もモリブデン箔７に溶接されている。かかるリード
棒５が、（Ｂ）工程において、腕部３内に配設され、ア
ンカー６によって腕部３の軸線に保持される。そして、
腕部３の端部がピンチシールされてピンチシール部３１
にモリブデン箔７が埋設される。このとき、リード棒５
の先端部５ａは腕部３の開口３ａから僅かに突出してい
る。
次に、（Ｃ）工程において、コイル４１とリード棒５の
先端部５ａが溶接されるが、そのために、先ず、コイル
４１が引き延ばされて接続部２の開口２ａから引っ張り
出される。そして、第３図に示すように、リード棒５の
先端部５ａがコイル４１に挿入され、開口２ａ、 ３ａ
同志の間隔を利用して溶接される。しかる後、（Ｄ）工
程において、接続部２と腕部３が溶着されるが、接続部
２の開口２ａと腕部３の開口３ａを突き合わせると、コ
イル４１が収縮して復元する。そして、開口２ａ，３ａ
の突合せ部が加熱され、溶着されるが、このとき、一方
のチップ管３２からアルゴンガスなどの不活性ガスを供
給し、他方のチップ管３２から流出させてコイル４１や
リード棒５などの昇温を抑制するとともに、非酸化性雰
囲気にしてコイル４１やリード棒５などを保護する。そ
して、（Ｅ）工程において、チップ管３ｚから排気し、
続いてハロゲンガスを含む不活性ガスを所定量だけ注入
し、チップ管３２を溶断して封止すれば、第４図に示す
ように、チップオフ部３３が形成されて、間隙りの極め
て小さなリング状をしたヒータランプが完成する。なお
、第４図は、リング部１の大きさに対して、腕部３，３
の間隔を実際以上に大きく図示しである。
先端部５ａが溶接されるが、そのために、先ず、コイル
４１が引き延ばされて接続部２の開口２ａから引っ張り
出される。そして、第３図に示すように、リード棒５の
先端部５ａがコイル４１に挿入され、開口２ａ、 ３ａ
同志の間隔を利用して溶接される。しかる後、（Ｄ）工
程において、接続部２と腕部３が溶着されるが、接続部
２の開口２ａと腕部３の開口３ａを突き合わせると、コ
イル４１が収縮して復元する。そして、開口２ａ，３ａ
の突合せ部が加熱され、溶着されるが、このとき、一方
のチップ管３２からアルゴンガスなどの不活性ガスを供
給し、他方のチップ管３２から流出させてコイル４１や
リード棒５などの昇温を抑制するとともに、非酸化性雰
囲気にしてコイル４１やリード棒５などを保護する。そ
して、（Ｅ）工程において、チップ管３ｚから排気し、
続いてハロゲンガスを含む不活性ガスを所定量だけ注入
し、チップ管３２を溶断して封止すれば、第４図に示す
ように、チップオフ部３３が形成されて、間隙りの極め
て小さなリング状をしたヒータランプが完成する。なお
、第４図は、リング部１の大きさに対して、腕部３，３
の間隔を実際以上に大きく図示しである。
以上説明したように、本発明によれば、熱を放射するリ
ング部の端部同志の間隙が極めて小さなヒータランプを
製造することができ、例えば半導体ウェハーの周辺を補
助加熱するのに適したヒータランプを得ることができる
。
ング部の端部同志の間隙が極めて小さなヒータランプを
製造することができ、例えば半導体ウェハーの周辺を補
助加熱するのに適したヒータランプを得ることができる
。
第１図から第４図は本発明実施例の工程説明図。
第５図は従来例の説明図である。
１・・・リング部 ２・・・接続部 ３・・・腕部
３１・・・ピンチシール ３２・・・チップ管３３・
・・チップオフ部 ４・・・フィラメント４１・・・
コイル ５・・・リード棒 ６・・・アンカー７・
・・モリブデン箔 ８・・・外部リードＤ・・・リン
グ部端部同志の間隙
３１・・・ピンチシール ３２・・・チップ管３３・
・・チップオフ部 ４・・・フィラメント４１・・・
コイル ５・・・リード棒 ６・・・アンカー７・
・・モリブデン箔 ８・・・外部リードＤ・・・リン
グ部端部同志の間隙
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内部にフィラメントが配設されたリング部と、このリン
グ部の接近する両端からハ字状に拡開して伸びる接続部
と、この接続部から略平行に伸びる腕部がガラス管にて
形成されたヒータランプの製造方法であって、以下の工
程（Ａ）〜（Ｅ）を含むことを特徴とするヒータランプ
の製造方法。 （Ａ）リング部と接続部が一体に形成されたガラス管内
に、その両端にコイル部を有するフィラメントを挿入す
る工程。 （Ｂ）一対の腕部に排気用チップ管を取り付け、リード
棒を内部に配設して、該腕部の一端をピンチシールする
工程。 （Ｃ）フィラメント両端のコイルを引き延ばして該接続
部から引き出し、該コイルに該リード棒の先端を溶接す
る工程。 （Ｄ）チップ管より不活性ガスを流しながら、該接続部
と腕部を溶着する工程。 （Ｅ）チップ管より所定のガスを注入して、このチップ
管を封止する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257011A JP2705012B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ヒータランプの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63257011A JP2705012B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ヒータランプの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02106868A true JPH02106868A (ja) | 1990-04-18 |
| JP2705012B2 JP2705012B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=17300486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63257011A Expired - Fee Related JP2705012B2 (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | ヒータランプの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2705012B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
| JP2020057796A (ja) * | 2015-02-25 | 2020-04-09 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63257011A patent/JP2705012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7601469B2 (en) | 2001-04-24 | 2009-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma etching chamber and method for manufacturing photomask using the same |
| JP2020057796A (ja) * | 2015-02-25 | 2020-04-09 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および加熱部 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2705012B2 (ja) | 1998-01-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3039626B2 (ja) | メタルハライドランプおよびその製造方法 | |
| JPS5846822B2 (ja) | 白熱ランプおよびその製法 | |
| US4469983A (en) | Electric lamp with an envelope seal designed as pinch seal, and a device and method for its manufacture | |
| US3748519A (en) | Tubular heat lamp having integral gettering means | |
| JPH02106868A (ja) | ヒータランプの製造方法 | |
| CA1065611A (en) | Method of manufacturing an article containing at least one glass part in which a metal part is sealed in | |
| US3237045A (en) | Bent end electric lamp having lead wires anchored at ends of bend and provided with expansion portion | |
| JP2588859B2 (ja) | 大出力白熱電球の製造方法 | |
| JP2601337B2 (ja) | 白熱電球の製造方法 | |
| US3493808A (en) | Electric incandescent lamp filament support | |
| US3148267A (en) | Tungsten filament fabrication | |
| JP2003031185A (ja) | ビードステム構体、ビードステム構体の製造方法および管球 | |
| JP2650195B2 (ja) | 白熱電球の製造方法 | |
| JPH01251553A (ja) | 箔シール電球の製造方法 | |
| JPH09320546A (ja) | ハロゲン電球の外部リード構造 | |
| JP3560772B2 (ja) | ハロゲンランプとその製造方法 | |
| JP2593359B2 (ja) | 電球の製造方法 | |
| JPS59128727A (ja) | 小型ガス入りランプの製造方法 | |
| JPH0389448A (ja) | 管形電球 | |
| JPS6038823B2 (ja) | 管形白熱電球の製造方法 | |
| JPH0393130A (ja) | 電子管陰極用ヒータ構体の製造方法 | |
| JPH01163957A (ja) | ハロゲン電球とその製造方法 | |
| JPH0151018B2 (ja) | ||
| JPH0115977B2 (ja) | ||
| JPS6210855A (ja) | ハロゲン電球の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071009 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |