JPH0476812A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に係り、特に磁気ディスク、フロ
ッピーディスク、磁気テープ等の磁気記録装置に用いら
れる磁気記録媒体であって、その磁気特性が改善された
磁気記録媒体に関するものである。

［従来の技術］ 磁気ディスク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁
気記録装置に用いられる磁気記録媒体には、近年、高記
録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録媒体がバイ
ンダーを用いる塗布型の磁気記録媒体に代わって用いら
れ始めている。

この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法で容易に作製される。

これらのうち無電解めっき法は、高い生産性と長年の技
術蓄積による技術面の向上から、広く実用化が進められ
ている。

従来、無電解めっき法により製造される磁気記録媒体は
、その磁性薄膜がＣｏ（コバル）　）−Ｐ（リン）又は
Ｃｏ　−Ｎｉ　にッケル）−Ｐよりなるものが主流であ
り、一部は既に製品化されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の無電解めっき法により無電解めっ
き浴を用いて磁性膜を作製する場合、同一浴組成で無電
解めっき浴を調製しても、使用する薬品の実際上管理不
可能なわずかな純度の差異によるめっき浴の組成誤差、
或いはめつき日数の経過によるめっき浴の組成変化、即
ち、めっき浴の消耗度合又はめっき浴の昇温、降温の繰
り返し回数によるめっき浴の組成変化により、得られる
磁性膜はその電磁変換特性に強く影響する保磁力が著し
く変化する現象が見られる。このようなことから、従来
においては特定の無電解めっき浴から、許容範囲内の保
磁力を有する磁性膜は、限られた数量しか得ることがで
きないという欠点があった。

本発明は上記従来の問題点を解決し、所望する保磁力角
形性の改良された比較的低い保磁力を有する磁気記録媒
体を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、非磁性基板上に無電解めっき法によりコバル
ト系磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、該
磁性膜がコバルトに対して０．０１〜５重量％のテルル
を含有することを特徴とする磁気記録媒体に、存する。

以下に本発明の詳細な説明する。

本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に無電解めっき
法によりコバルト系磁性膜が形成されてなる磁気記録媒
体において、該磁性膜がコバルトに対して０．０１〜５
ｗｔ％のＴｅを含有することを特徴とする。

Ｔｅの量がＣｏに対して０．０１重量％未満であっても
、５重量％を越えても、十分な保磁力角形性の改善効果
は得られない。Ｔｅの含有量は特にＣＯに対して０．１
〜３重量％、とりわけ０．１〜１重量％であることが望
ましい。

本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に無電解めっき
法により磁性膜が形成されてなるものである。無電解め
っき法は前述の如く生産性が高く、しかも長年の技術蓄
積がある点で極めて有利である。

無電解めっき浴中には、後述するように還元剤がもちい
られる。還元剤として、次亜リン酸塩、水素化ホウ素化
合物、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン等が挙げられ
、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。

磁性膜は、還元剤に由来してＣｏ−Ｔｅ−Ｐ基磁性膜あ
るいはＣｏ　−Ｔｅ　−Ｂ光磁性膜等となる。Ｐあるい
はＢの含有量は、磁性膜のＣｏに対して１〜１０重量％
、特に２〜７重量％であることが望ましい。

本発明の磁気記録媒体において、磁性膜中のＣ。

量は、磁性膜の総重量に対して５０〜９８重量％、特に
７０〜９８重量％であることが望ましい。磁性膜は、更
にＣｏに対して０．１〜６０重量％、とりわけ１〜４０
重量％のＮｉを含有することが望ましい。

無電解めっき浴中のコバルトイオン及びニッケルイオン
は水溶性化合物を用いて調製され、例えば、硫酸塩、塩
化物、硝酸塩、酢酸塩等の水溶性コバルト化合物又は水
溶性ニッケル化合物を用いて調製される。通常は硫酸塩
、塩化物が好適に用いられる。還元剤としては、次亜リ
ン酸塩、水素化ホウ素化合物、ヒドラジン、ジメチルア
ミンボラン等、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。

錯化剤としては、ジカルボン酸、オキシカルボン酸、ア
ミノ酸等の有機酸及びそれらの可溶性塩から選ばれる１
種又は２種以上が適宜用いられる。なお、無電解めっき
浴中のコバルトイオン濃度は０、Ｏ１〜０．５モル／Ｉ
であることが好ましく、ニッケルイオン濃度は０．００
１〜０．１モル／１であることが好ましい。

本発明の磁気記録媒体の磁性膜を形成するための無電解
めっき浴は、例えば、上記原料より調製される従来のＣ
ｏ−Ｐ基磁性膜の製造に用いる無電解めっき浴組成のも
のに、コバルト化合物の総量に対して０．００５〜１５
モル％のテルル化合物を添加することにより調製するこ
とができる。

ここでテルル化合物としては、塩化物、酸化物、テルル
酸塩等が挙げられ、中でもテルル酸塩を用いることが好
ましい。

無電解めっき法による磁性膜の形成には、このようにし
て調製される無電解めっき浴を、苛性ソーダ又はアンモ
ニア化合物によりｐＨ８〜１１に調整し、また浴温を６
０〜９０°Ｃに調整した後、非磁性基板を浸漬する。非
磁性基板の浸漬時間は目的とする磁性膜の厚さにより適
宜決定される。

なお、磁性膜を形成する非磁性基板としては、金属、プ
ラスチック、セラミック、ガラス等の基板が用いられ、
通常、これらは公知の方法に従ってＮ１−Ｐ無電解めっ
き、Ｐｄ触媒化処理等の表面処理を施した後、磁性膜の
形成に供される。

［作用］ 本発明の磁気記録媒体はその保磁力角形性（Ｓ＊）を改
良し、かつ保磁力（Ｈｅ）を低下させる作用を有する。

従って、本発明の磁気記録媒体によれば、保磁力角形性
を改良し、容易に所望の保磁力を得ることができる。

［実施例］ 以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。

実施例１ 硫酸コバルト０．０５　ｍｏｌハ、硫酸ニッケル０．０
１　ｍｏｌ／１、テルル酸カリウム０．００３　ｍｏｌ
ハ、次亜リン酸ナトリウム０．２０　ｍｏｌハ、ホウ酸
０．５０　ｍｏｌハ、酒石酸カリウムナトリウム０．５
０　ｍｏｌハの組成を有する無電解めっき浴（２５℃）
に、苛性ソーダ溶液を加えｐＨを９．０に調整した。こ
の浴を８０℃に加温し、常法に従って、脱脂、活性化処
理の前処理を施したＮｉ　−Ｐ無電解めっき被覆アルミ
ニウム基板を９０〜１２０秒浸漬して、磁性膜を形成し
た。この磁性膜の組成はＣｏ：９０重量％、Ｎｉ　：６
重量％、Ｔｅ　：０．３重量％、Ｐ：３重量％であり、
ＴｅはＣｏに対して０．３３重量％含有されていた。

得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）、角形性（Ｓ）
、保磁力角形性（Ｓａを測定し、結果を第１表に示した
。

実施例２ 実施例１において、テルル酸ナトリウムを０．００１ｍ
ｏｌ　／　Ｉ用いたこと以外は全く同様にして磁性膜を
形成した。この磁性膜の組成はＣｏ：　９０重量％、Ｎ
ｉニア重量％、Ｔｅ　：０．２０重量％、Ｐ：３重量％
であり、ＴｅはＣｏに対して０．２２重量％含有されて
いた。

得られた磁気記録媒体の保磁力（Ｈｅ）、角形性（Ｓ）
、保磁力角形性（Ｓ車）を測定し、結果を第１表に示し
た。

比較例１ 実施例１において、テルル酸カリウムを用いないほかは
全く同様にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒体
の保磁力（Ｈｅ）、角形性（Ｓ）、保磁力角形性（８本
）を測定し、結果を第１表に示した。

第１表 第１表より、本発明に係わる磁気記録媒体は角形比及び
保磁力角形性を改良し、かつ保磁力を低下させることが
できることが明らかである。

［発明の効果］ 以上詳述した通り、本発明に係る磁気記録媒体によれば
、角形比及び保磁力角形性を改良し、かつ保磁力を低下
させることができる。このため、製造条件等の変動によ
り保磁力が許容範囲の上限を超えるような場合において
、保磁力を許容範囲内に容易に保つことが可能な磁気記
録媒体が提供される。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基板上に無電解めっき法によりコバルト系
   磁性膜が形成されてなる磁気記録媒体において、該磁性
   膜がコバルトに対して０．０１〜５重量％のテルルを含
   有することを特徴とする磁気記録媒体。