JPH0210839A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0210839A JPH0210839A JP16175688A JP16175688A JPH0210839A JP H0210839 A JPH0210839 A JP H0210839A JP 16175688 A JP16175688 A JP 16175688A JP 16175688 A JP16175688 A JP 16175688A JP H0210839 A JPH0210839 A JP H0210839A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は多結晶シリコン膜と高融点金属模との二層膜を
有する半導体装置の製造方法に関する。
有する半導体装置の製造方法に関する。
従来の技術
半導体集積回路素子の微細化、高密度化に伴ない配線材
料として高融点金属が注目されている。
料として高融点金属が注目されている。
高融点金属は従来のムｒ配線と異なり９００℃程度での
熱処理が可能な為、配線上の絶縁膜を熱処理して平坦化
できる等の利点があり素子の微細化に有利である。
熱処理が可能な為、配線上の絶縁膜を熱処理して平坦化
できる等の利点があり素子の微細化に有利である。
第２図に従来の技術による高融点金属配線形成の工程順
断面図を示す。
断面図を示す。
第２図ａに示す様にシリコン基板１上に層間絶縁膜２を
形成しコンタクトホール等を形成後、多結晶シリコン膜
３をＬＰＣＶＤ （減圧化学気相成長）法により形成す
る。この多結晶シリコン膜３を低抵抗化する為、気相拡
散法によりＰＨｓガスおよび０２ガス中で９００’Ｃ程
度で熱処理し、リンを添加する。この際、同図すに示す
様に多結晶シリコン膜３上にはリンを含んだ酸化膜であ
るリンガラス４が形成される。このリンガラス４ヲ希７
ツ酸によるウェットエツチングで除去し水洗後、スピン
ドライにより乾燥する。ここで多結晶シリコン膜３は撥
水性である為リンガラス４除去後の表面は撥水性表面と
なる。スピンドライによる乾燥の際に撥水性表面では特
定のパターン上にシミ状の異物８が形成される。次に多
結晶シリコン膜３上にスパッタ法あるいはＣＶＤ法によ
り高融点金属膜６を形成しく同図ｄ）、同図ｅ、 ｒ
に示す様にホトリソグラフィー法およびドライエツチン
グ法により多結晶シリコン膜３と高融点金属膜６の２層
膜をパターニングし配線形成を行なう。
形成しコンタクトホール等を形成後、多結晶シリコン膜
３をＬＰＣＶＤ （減圧化学気相成長）法により形成す
る。この多結晶シリコン膜３を低抵抗化する為、気相拡
散法によりＰＨｓガスおよび０２ガス中で９００’Ｃ程
度で熱処理し、リンを添加する。この際、同図すに示す
様に多結晶シリコン膜３上にはリンを含んだ酸化膜であ
るリンガラス４が形成される。このリンガラス４ヲ希７
ツ酸によるウェットエツチングで除去し水洗後、スピン
ドライにより乾燥する。ここで多結晶シリコン膜３は撥
水性である為リンガラス４除去後の表面は撥水性表面と
なる。スピンドライによる乾燥の際に撥水性表面では特
定のパターン上にシミ状の異物８が形成される。次に多
結晶シリコン膜３上にスパッタ法あるいはＣＶＤ法によ
り高融点金属膜６を形成しく同図ｄ）、同図ｅ、 ｒ
に示す様にホトリソグラフィー法およびドライエツチン
グ法により多結晶シリコン膜３と高融点金属膜６の２層
膜をパターニングし配線形成を行なう。
発明が解決しようとする問題点
この方法による２層配線膜の形成方法では前記の様に多
結晶シリコン膜３上にシミ状の異物８が形成され、後工
程のパターニングの際、このシミ状異物８が対ドライエ
ツチングのマスクとなυ高融点金属膜６がエツチングさ
れても異物下の多結晶シリコン膜３はエツチングされず
残存する。
結晶シリコン膜３上にシミ状の異物８が形成され、後工
程のパターニングの際、このシミ状異物８が対ドライエ
ツチングのマスクとなυ高融点金属膜６がエツチングさ
れても異物下の多結晶シリコン膜３はエツチングされず
残存する。
この為、配線間の短絡が生じ半導体装置の不良原因とな
る。
る。
問題点を解決するための手段
前記問題点を解決するために本発明による半導体装置の
製造方法は次のような手段をとる。
製造方法は次のような手段をとる。
まず希フッ酸によりリンガラスを除去した後。
スピン乾燥前の最終洗浄で多結晶シリコン膜上に自然酸
化膜を形成し、表面親水性となる処理を行なう。
化膜を形成し、表面親水性となる処理を行なう。
次に高融点金属膜形成前に純水素または水素を含むガス
雰囲気中で熱処理し還元作用により多結晶シリコン膜上
の自然酸化膜を除去してから連続して高融点金属膜を形
成するものである。
雰囲気中で熱処理し還元作用により多結晶シリコン膜上
の自然酸化膜を除去してから連続して高融点金属膜を形
成するものである。
作用
この方法による多結晶シリコン膜と高融点金属膜の２層
膜形成方法によれば次のような作用がある。
膜形成方法によれば次のような作用がある。
まず希７ノ酸によるリンガラス除去後の最終洗浄で表面
親水性となっている為、スピン乾燥によるシミ状の異物
の発生が全く生じない。
親水性となっている為、スピン乾燥によるシミ状の異物
の発生が全く生じない。
また多結晶シリコン膜上の自然酸化膜を水素の還元作用
により除去する事で多結晶シリコン膜と高融点金属膜と
の密着性も良く、膜はがれ等の問題もない。
により除去する事で多結晶シリコン膜と高融点金属膜と
の密着性も良く、膜はがれ等の問題もない。
すなわち良好な多結晶シリコン膜と高融点金属膜の２層
膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置の
製造が可能となる。
膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置の
製造が可能となる。
実施例
以下１本発明による半導体装置の製造方法を第１図に示
す工程順断面図により詳述する。
す工程順断面図により詳述する。
まず第１図ａに示す様にシリコン基板１上に層間絶縁膜
２を形成し、コンタクトホール等を形成した後、ＬＰＧ
ＶＤ （減圧化学気相成長）法により多結晶シリコン膜
３を１５０ｎｍ形成する。次に気相拡散法によりＰＨ３
ガスおよび０２ガス雰囲気で９００℃３０分の熱処理を
行ない、多結晶シリコン膜３にリンを添加し低抵抗化す
る。
２を形成し、コンタクトホール等を形成した後、ＬＰＧ
ＶＤ （減圧化学気相成長）法により多結晶シリコン膜
３を１５０ｎｍ形成する。次に気相拡散法によりＰＨ３
ガスおよび０２ガス雰囲気で９００℃３０分の熱処理を
行ない、多結晶シリコン膜３にリンを添加し低抵抗化す
る。
この処理の後、同図すに示す様に多結晶シリコン膜３上
には約２５ｎｍ程のリンを含んだ酸化膜（リンガラス）
が形成されている。
には約２５ｎｍ程のリンを含んだ酸化膜（リンガラス）
が形成されている。
次にこのリンガラスをフッ酸と水の混合液により完全除
去し３０分の水洗後、連続して過酸化水素とアンモニア
と水の混合液で７０℃、１６分間の処理を行なう。この
処理で多結晶シリコン膜３上には同図Ｃに示すように約
２ｎｍの自然酸化膜６が形成される。
去し３０分の水洗後、連続して過酸化水素とアンモニア
と水の混合液で７０℃、１６分間の処理を行なう。この
処理で多結晶シリコン膜３上には同図Ｃに示すように約
２ｎｍの自然酸化膜６が形成される。
次に同試料を水素雰囲気中で４００’０２０分間の熱処
理を行ない、水素の還元作用により自然酸化膜６を除去
する。
理を行ない、水素の還元作用により自然酸化膜６を除去
する。
その後、同図θに示す様にＣＶＤ法により高融点金属膜
ｅを形成し、続いて同図ｒ、 Ｈに示す様にホトリン
グラフイー法およびドライエツチング法により多結晶シ
リコン膜３と高融点金属膜６の２層膜をパターニングし
、配線形成を行なう。
ｅを形成し、続いて同図ｒ、 Ｈに示す様にホトリン
グラフイー法およびドライエツチング法により多結晶シ
リコン膜３と高融点金属膜６の２層膜をパターニングし
、配線形成を行なう。
発明の効果
以上の様に本発明による半導体装置の製造方法によれば
、シミ状の異物の発生がなく配線間の短絡が生じる心配
はない。
、シミ状の異物の発生がなく配線間の短絡が生じる心配
はない。
すなわち良好な多結晶シリコン膜と高融点金属膜との２
層膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置
の製造が可能である。
層膜形成が可能で、高歩留りで信頼性の高い半導体装置
の製造が可能である。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法の工程順断
面図、第２図は従来の技術による半導体装置の製造方法
の工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・層間絶縁
膜、３・・・・・・多結晶シリコン、４・・・・・・リ
ンガラス、５・・・・・・自熱酸化膜、 ６・・・・・・高融点金属、 ７・・・・・・ホトレジス ト、 ８・・・・・・シミ状異物。
面図、第２図は従来の技術による半導体装置の製造方法
の工程順断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・層間絶縁
膜、３・・・・・・多結晶シリコン、４・・・・・・リ
ンガラス、５・・・・・・自熱酸化膜、 ６・・・・・・高融点金属、 ７・・・・・・ホトレジス ト、 ８・・・・・・シミ状異物。
Claims (1)
- 多結晶シリコン薄膜に熱拡散法でリンを添加して前記多
結晶シリコン薄膜上にリンガラスを形成した後、前記リ
ンガラスを希フッ酸により除去しその後連続して過酸化
水素、アンモニア、水の混合液で洗浄処理する工程と、
水素を含む還元ガス雰囲気中で熱処理した後ＣＶＤ（化
学気相成長）法またはスパッタ法により前記多結晶シリ
コン薄膜上に高融点金属薄膜を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175688A JPH0210839A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175688A JPH0210839A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210839A true JPH0210839A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15741293
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16175688A Pending JPH0210839A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210839A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102029726A (zh) * | 2010-11-16 | 2011-04-27 | 上海秋林机械有限公司 | 压板于升降过程中的导向定位装置 |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16175688A patent/JPH0210839A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102029726A (zh) * | 2010-11-16 | 2011-04-27 | 上海秋林机械有限公司 | 压板于升降过程中的导向定位装置 |
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