JPS63304653A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS63304653A
JPS63304653A JP62140805A JP14080587A JPS63304653A JP S63304653 A JPS63304653 A JP S63304653A JP 62140805 A JP62140805 A JP 62140805A JP 14080587 A JP14080587 A JP 14080587A JP S63304653 A JPS63304653 A JP S63304653A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum
semiconductor device
semiconductor chip
resin
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62140805A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Oka
健次 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP62140805A priority Critical patent/JPS63304653A/ja
Publication of JPS63304653A publication Critical patent/JPS63304653A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/951—Materials of bond pads
    • H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の構造に関し、特に樹脂封止型半導
体装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来樹脂封止型半導体装置は耐湿性が悪く半導体装置と
しての信頼性に問題があった。樹脂封止型半導体装置（
以下半導体装置と称す）を高温高湿の条件下で動作させ
ると特性劣化を生ずる。この原因は内部に侵入した水が
半導体チップ表面の電極を溶かすからである。
そこで水分による特性劣化を防ごうと種々の試みがなさ
れている。例えば、電極を通常用いているアルミニウム
から金へ変更する。チップ表面に水分が入らぬように封
入する樹脂とは別の樹脂で覆う。水分の侵入経路である
樹脂、外部リード界面の密着の良い樹脂を開発する等で
ある。
ところが上述の対策は金電極を除いては不十分であシ耐
湿性で信頼性が悪い。
また金電極は素材が高価であること、チップの製造プロ
セスが複雑であシコストが高いことから超高信頼度の半
導体装置にしか使用されていない。
本発明の目的はアルミ電極を用いた半導体を用いても水
分による電極の腐食がない。安価で信頼性の高い半導体
装置を提供することである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は半導体チップと外部リードと内部
ボンディング線とこれらを樹脂封止した半導体装置にお
いて外部リードまたはボンディング線の少なくとも一部
表面に半導体チップ表面電極金属よりもイオン化傾向の
大きな金属を備えたことを有する。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
半導体チップ１を素子搭載部２に接着し、その後半導体
チップ上のアルミニウム電極と外部リード３とをボンデ
ィング線４で接続してその後樹脂５で封止して樹脂封止
型半導体装置を得る。ここで外部リード表面にはボンデ
ィングを容易にするための金メツキ部６が施されている
。本発明の特徴として外部リード３の一部にマグネシウ
ム７を付着の方法は何でもかまわないが薄いリボン状に
して接着するのが加工しやすい。
〔実施例２〕 第２図は本発明の実施例２の縦断面図である。
電極金属がアルミニウムーシリコン合金である半導体チ
ップ１１を素子搭載部１２に接着しその後半導体チップ
上の電極と外部リード１３とをアルミニウムのボンディ
ング線１４で接続してその後樹脂１５で封止して樹脂封
止型半導体装置を得る。
この場合、半導体チップ表面金属めアルミニウムシリコ
ン合金よシもボンディング線のアルミニウムの方がイオ
ン傾向が大きい。
外部リード１３と素子搭載部工２の表面にはボンディン
グを容易にするため金メッキを行なっている。
〔発明の効果〕
ここで本発明の効果について説明する。
電気の導電体である液体に二種の金属を入れ両方を導線
で結ぶと電流が流れることは電池として広く知られてい
る。この時負電位になる方の金属は液に溶は出してしま
う。半導体装置の中に侵入した水分があると電池の作用
が働きイオン化傾向の大きいアルミニウムは溶は出して
しまう。そこでアルミニウムよりもイオン化傾向の大き
なマグネシウムを近くに設けることにょシアルミニウム
が溶ける代わシにマグネシウムが溶はチップ上のアルミ
ニウムの腐食を防ぐことができる。
実施例２ではアルミニウムーシリコン合金とアルミニウ
ムを用いた例で仁こではチップ電極の代わシにボンディ
ング線が溶ける。しかしチップ表面に比ベボンディング
線は太く、このため断線に至る時間は長く信頼性が高い
。このようにチップ電極金属よりもイオン化傾向の大き
な金属を他に用いることで半導体装置の信頼性は向上す
る。
【図面の簡単な説明】
第」図は本発明の一実施例を示す半導体装置の縦断面図
、第２図は本発明の他の実施例を示す半導体装置の縦断
面図である。 Ｓ　利住詣 第　１　閣

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップと外部リードと半導体チップの電極を外部
    リードに電気的に接続するためのボンディング線とこれ
    ら全体を封止する樹脂から成る半導体装置において、外
    部リードまたはボンディング線の少なくとも一部表面に
    半導体チップ電極金属よりもイオン化傾向の大きい金属
    を備えたことを特徴とする半導体装置。
JP62140805A 1987-06-04 1987-06-04 半導体装置 Pending JPS63304653A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62140805A JPS63304653A (ja) 1987-06-04 1987-06-04 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62140805A JPS63304653A (ja) 1987-06-04 1987-06-04 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63304653A true JPS63304653A (ja) 1988-12-12

Family

ID=15277151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62140805A Pending JPS63304653A (ja) 1987-06-04 1987-06-04 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63304653A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20030214032A1 (en) Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same
JPS6143402A (ja) サーミスタの製造方法
JPS62105459A (ja) 半導体構造物
JPH03169057A (ja) 半導体装置
JPH0567069B2 (ja)
JPS61112357A (ja) 半導体装置
JPS58197736A (ja) 半導体装置
JPH0142347Y2 (ja)
JPS62216339A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS63169746A (ja) 半導体装置
JPS63107031A (ja) 半導体装置
JPH03191527A (ja) 半導体素子の電極構造
JPS5882540A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6175554A (ja) 半導体装置
JPH0362564A (ja) 半導体装置
JPS61208231A (ja) 半導体装置
JPH03222443A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH02111042A (ja) 半導体装置
JPS6010752A (ja) 半導体集積回路装置とその製造方法
JPS61168948A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム及びそれを用いた半導体装置
JPS5868957A (ja) 半導体装置
JPS60220956A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH01286341A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS57120387A (en) Light emitting semiconductor device
TH40012A3 (th) สายนำสำหรับต่อสำหรับอุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิตสายนำ