JPH02114554A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02114554A
JPH02114554A JP63268592A JP26859288A JPH02114554A JP H02114554 A JPH02114554 A JP H02114554A JP 63268592 A JP63268592 A JP 63268592A JP 26859288 A JP26859288 A JP 26859288A JP H02114554 A JPH02114554 A JP H02114554A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
sealing resin
external lead
semiconductor chip
sealed
Prior art date
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Pending
Application number
JP63268592A
Other languages
English (en)
Inventor
Arimitsu Kato
有光 加藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH02114554A publication Critical patent/JPH02114554A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に外部リード
封止部の樹脂構造の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種の半導体装置は、リードフレームと半導体
チップとボンディングワイヤと外部リードとを、１種類
の樹脂により、−様な厚さで封止した構造となっていた
。
〔発明が解決しようとする課題〕
従って、上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、外
部リード部の樹脂厚が半導体チップ部の樹脂厚と同じ構
造であり、また外部リード部の樹脂と半導体チップ部の
樹脂が同じである構造となっているので、温度変化によ
り封止樹脂と外部リードとの界面に大きなストレスが加
わり密着が悪くなるという欠点がある。この結果封止樹
脂と外部リードとの界面から外界の水分が侵入し、半導
体チップに到達することにより耐湿性が劣化するなどの
問題が起こる。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の樹脂封止型半導体装置は、 封止樹脂と外部リードとの界面に加わるストレスを緩和
するために、 （１）外部リードを半導体チップ部の樹脂厚に比べ十分
薄い樹脂で封止した構造を有している。
（２）外部リードを複数の種類の樹脂で封止した構造を
有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の請求項目（１）の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の断面図である。本実施例によればリー
ドフレーム１、これにマウントされた半導体チップ２、
外部リード３、及び半導体チップ上のアルミボンディン
グパッド４と外部リード３を接続するボンディングワイ
ヤ５は、２〜３ｍｍと厚い樹脂封止６により封止されて
いる。外部リード部の封止樹脂は半導体チップ部の樹脂
厚に比べ約２〜３分の１の薄さの構造となっている。
本実施例によれば、封止樹脂６の薄い部分は変形しやす
いため、外部リード３が温度の変化により伸縮しても追
随して伸縮する。このため封止樹脂全体が厚い従来の構
造と比較して、封止樹脂６と外部リード３との界面に加
わるストレスを改善することができる。
第２図は本発明の請求項目（２）の実施例を示す樹脂封
止型半導体装置の断面図である。本実施例によればリー
ドフレーム２、半導体チップ２、外部リード３、及びボ
ンディングワイヤ５が従来通り樹脂６により封止され、
さらに外部リード３を別の種類の樹脂８で封止した構造
となっている。樹脂８に、外部リード３と熱膨張係数が
近い値をもつ樹脂を用いるごとにより、ストレス緩和用
樹脂８と外部リード３との界面に加わるストレスを改善
できる。
本実施例によれば耐湿性は樹脂６により保たれているの
で樹脂８は外部リード３との間にストレスがかりにくい
ことを主に考慮すればよいため、樹脂６、樹脂８の選択
の自由度が増すという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、封止樹脂と外部リードと
の界面に加わるストレスを緩和する構造を外部リード部
の封止樹脂に設けることにより、樹脂封止と外部リード
との密着の劣化を防ぎ、封止樹脂と外部リードとの界面
から外界の水分の侵入することを抑制できる効果がある
。
【図面の簡単な説明】
第１図、及び第２図は本発明の請求項目（１）、及び（
２）の実施例を示す要部断面図である。第３図は従来の
要部断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・半導体
チップ、３・・・・・外部リード、４・・・・・・アル
ミボンディングパッド、５・・・・・・ボンディングワ
イヤ、６・・・・・・樹脂封止、７・・・・・・半導体
チップ表面の保護膜、８・・・・・・ストレス緩和用封
止樹脂。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップ、リードフレーム、外部リード、及びこの
    外部リードと半導体チップ上のボンディングパッドとを
    接続するボンディングワイヤとを樹脂封止する樹脂封止
    半導体装置において、外部リード部の封止樹脂厚を、半
    導体チップ部の封止樹脂厚より十分薄くするか外部リー
    ド部を近傍を他の樹脂で封止した構造を有するとを特徴
    とする樹脂封止型半導体装置。
JP63268592A 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置 Pending JPH02114554A (ja)

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JP63268592A JPH02114554A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JP63268592A JPH02114554A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JPH02114554A true JPH02114554A (ja) 1990-04-26

Family

ID=17460676

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JP63268592A Pending JPH02114554A (ja) 1988-10-24 1988-10-24 半導体装置

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JP (1) JPH02114554A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0483365A (ja) * 1990-07-26 1992-03-17 Toshiba Corp 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0483365A (ja) * 1990-07-26 1992-03-17 Toshiba Corp 半導体装置

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