JPH01257361A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH01257361A JPH01257361A JP63086409A JP8640988A JPH01257361A JP H01257361 A JPH01257361 A JP H01257361A JP 63086409 A JP63086409 A JP 63086409A JP 8640988 A JP8640988 A JP 8640988A JP H01257361 A JPH01257361 A JP H01257361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- assembly
- resin
- lead frame
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置は、第３図に示すように、
半導体素子載置部６を有するリードフレーム１に半導体
素子４を固着し、次いでボンディング線３により半導体
素子４とリードフレーム１とを電気的に接続した後、樹
脂２により封止し、タイバー、フレームを切離すことに
より製造されていた。
半導体素子載置部６を有するリードフレーム１に半導体
素子４を固着し、次いでボンディング線３により半導体
素子４とリードフレーム１とを電気的に接続した後、樹
脂２により封止し、タイバー、フレームを切離すことに
より製造されていた。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置は、１個のパッケ
ージに対して１リードフレーム及び１半導体素子から構
成されていたため半導体装置の実装密度においである程
度の制限があるという問題点があった。
ージに対して１リードフレーム及び１半導体素子から構
成されていたため半導体装置の実装密度においである程
度の制限があるという問題点があった。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、第１の半導体素子載
置部に第１の半導体素子が固着され前記第１の半導体素
子載置部の周囲に複数本のリードが配置され該リードと
前記第１の半導体素子の電極とが金属線で電気的に接続
されて構成される第１の組立体と、第２の半導体素子載
置部に第２の半導体素子が固着され前記第２の半導体素
子載置部の周囲に複数本のリードが配置され該リードと
前記第２の半導体素子の電極とが金属線で電気的に接続
されて構成される第２の組立体と、前記第１の組立体と
第２の組立体の半導体素子が固着されない側の面を向い
合わせ前記第１及び第２の半導体素子載置部と少くとも
前記リードの前記半導体素子近傍部分とを電気的に絶縁
して貼合わせる接着剤層と前記第１及び第２の半導体素
子とその近傍のリードとを封止する樹脂体とを含んで構
成される。
置部に第１の半導体素子が固着され前記第１の半導体素
子載置部の周囲に複数本のリードが配置され該リードと
前記第１の半導体素子の電極とが金属線で電気的に接続
されて構成される第１の組立体と、第２の半導体素子載
置部に第２の半導体素子が固着され前記第２の半導体素
子載置部の周囲に複数本のリードが配置され該リードと
前記第２の半導体素子の電極とが金属線で電気的に接続
されて構成される第２の組立体と、前記第１の組立体と
第２の組立体の半導体素子が固着されない側の面を向い
合わせ前記第１及び第２の半導体素子載置部と少くとも
前記リードの前記半導体素子近傍部分とを電気的に絶縁
して貼合わせる接着剤層と前記第１及び第２の半導体素
子とその近傍のリードとを封止する樹脂体とを含んで構
成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の樹脂封
止前の平面図及び樹脂封止後の断面図である。
止前の平面図及び樹脂封止後の断面図である。
リードフレーム１の主面に！よ半導体素子４が搭載され
ている。そして、半導体素子４はボンディング線３によ
ってリードフレーム１と電気的に接続されている。これ
により第１の組立体が作られる。
ている。そして、半導体素子４はボンディング線３によ
ってリードフレーム１と電気的に接続されている。これ
により第１の組立体が作られる。
リードフレーム１′の方も主面に半導体素子４′が搭載
されており、ボンディング線３′によってリードフレー
ム１′と電気的に接続されている。これにより第２の組
立体が作られる。
されており、ボンディング線３′によってリードフレー
ム１′と電気的に接続されている。これにより第２の組
立体が作られる。
この二つのリードフレーム１及び１′の対向面には絶縁
層があって対向面同志を接着させる。その後、樹脂２に
よって封止する。そして、タイバー、フレームを切離す
。
層があって対向面同志を接着させる。その後、樹脂２に
よって封止する。そして、タイバー、フレームを切離す
。
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例
の第１及び第２の組立体の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
の第１及び第２の組立体の平面図及び樹脂封止後の断面
図である。
第２図（ａ）、（ｂ）に示すリードフレーム１及び１′
は同一°ではなく、リードフレーム１の主面には半導体
素子４が搭載されている。そして、半導体素子４はボン
ディング線３によってリードフレーム１と電気的に接続
されている。
は同一°ではなく、リードフレーム１の主面には半導体
素子４が搭載されている。そして、半導体素子４はボン
ディング線３によってリードフレーム１と電気的に接続
されている。
リードフレーム１′は、半導体素子４′が搭載されてお
り、ボンディング線３′によってリードフレーム１′と
電気的に接続されている。
り、ボンディング線３′によってリードフレーム１′と
電気的に接続されている。
この二つのリードフレーム１及び１′の対向面同志を絶
縁層で接着させ、その後樹脂２によって封止する。
縁層で接着させ、その後樹脂２によって封止する。
以上説明したように、本発明は、半導体素子が搭載され
ている２つのリードフレームの対向面同志を接着させ、
樹脂封止をすることにより一つのパッケージで二つの機
能を有する半導体装置ができるので、半導体装置の実装
密度を従来よりも大幅に向上できるという効果がある。
ている２つのリードフレームの対向面同志を接着させ、
樹脂封止をすることにより一つのパッケージで二つの機
能を有する半導体装置ができるので、半導体装置の実装
密度を従来よりも大幅に向上できるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の樹脂封
止前の平面図及び樹脂封止後の断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例の第１及び第２
の組立体の平面図及び樹脂封止後の断面図、第３図は従
来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １．１′・・・リードフレーム、２・・・樹脂、３゜３
′・・・ボンディング線、４，４′・・・半導体素子、
５・・・絶縁層、６．６′・・・半導体素子載置部。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 ｊ 図 畝）（ｂ） （り 五 Ｚ 図
止前の平面図及び樹脂封止後の断面図、第２図（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は本発明の第２の実施例の第１及び第２
の組立体の平面図及び樹脂封止後の断面図、第３図は従
来の樹脂封止型半導体装置の一例の断面図である。 １．１′・・・リードフレーム、２・・・樹脂、３゜３
′・・・ボンディング線、４，４′・・・半導体素子、
５・・・絶縁層、６．６′・・・半導体素子載置部。 代理人 弁理士 内 原 晋 第 ｊ 図 畝）（ｂ） （り 五 Ｚ 図
Claims (1)
- 第１の半導体素子載置部に第１の半導体素子が固着さ
れ前記第１の半導体素子載置部の周囲に複数本のリード
が配置され該リードと前記第１の半導体素子の電極とが
金属線で電気的に接続されて構成される第１の組立体と
、第２の半導体素子載置部に第２の半導体素子が固着さ
れ前記第２の半導体素子載置部の周囲に複数本のリード
が配置され該リードと前記第２の半導体素子の電極とが
金属線で電気的に接続されて構成される第２の組立体と
、前記第１の組立体と第２の組立体の半導体素子が固着
されない側の面を向い合わせ前記第１及び第２の半導体
素子載置部と少くとも前記リードの前記半導体素子近傍
部分とを電気的に絶縁して貼合わせる接着剤層と前記第
１及び第２の半導体素子とその近傍のリードとを封止す
る樹脂体とを含むことを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086409A JPH01257361A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63086409A JPH01257361A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257361A true JPH01257361A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13886068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63086409A Pending JPH01257361A (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257361A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295045A (en) * | 1990-11-14 | 1994-03-15 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device and producing method therefor |
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
| US6157050A (en) * | 1997-09-25 | 2000-12-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and lead frame for optical module |
| JP2021034661A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 | 半導体装置、電子機器及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63086409A patent/JPH01257361A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5295045A (en) * | 1990-11-14 | 1994-03-15 | Hitachi, Ltd. | Plastic-molded-type semiconductor device and producing method therefor |
| US5543658A (en) * | 1993-06-14 | 1996-08-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing resin-sealed semiconductor device, lead frame used in this method for mounting plurality of semiconductor elements, and resin-sealed semiconductor device |
| US5614441A (en) * | 1993-06-14 | 1997-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Process of folding a strip leadframe to superpose two leadframes in a plural semiconductor die encapsulated package |
| US6157050A (en) * | 1997-09-25 | 2000-12-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical module and lead frame for optical module |
| JP2021034661A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | Ｎｅｃプラットフォームズ株式会社 | 半導体装置、電子機器及び半導体装置の製造方法 |
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